CN113066822A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

有机发光显示装置及其制造方法。提供一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：透明基底构件；触摸传感器，该触摸传感器包括设置在所述透明基底构件上的触摸电极和覆盖所述触摸电极的触摸保护层；黑矩阵，该黑矩阵设置在所述触摸传感器的下方或上方并限定多个开口区域；多个滤色器，所述多个滤色器设置在与所述黑矩阵相同的平面上并对应于所述多个开口区域；第一缓冲层，该第一缓冲层设置在所述触摸传感器和所述多个滤色器上；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述第一缓冲层上；以及有机发光元件，设置在所述薄膜晶体管上并与所述多个开口区域对应。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置，更具体地，涉及包括滤色器和触摸传感器的底部发光型有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置(OLED)不需要单独的光源，其不同于包括背光的液晶显示装置(LCD)。因此，有机发光显示装置可以被制造得轻薄，具有工艺优势并且由于低电压驱动而具有低功耗。首先，有机发光显示装置包括自发光元件，并且包括由有机薄膜形成的层，使得柔性和弹性优于其它显示装置，因而有利的是被实现为柔性显示装置。
通常，有机发光显示装置是使用有机发光元件的显示装置，其中来自用于注入电子的阴极和用于注入空穴的阳极的电子和空穴被注入到发光层中，并且通过耦合注入的电子和空穴而形成的激子从激发态下降到基态以发光。
此外，近来，有机发光显示装置形成为包括识别用户触摸的触摸屏面板的触摸屏集成显示装置。具体地，随着具有触摸输入功能的电子装置(例如智能电话或平板PC)被广泛使用，对能够感测各种触摸输入的显示装置的需求增加。然而，在许多情况下，触摸屏面板通过粘合剂附着到显示装置的前表面。在这种情况下，触摸屏面板被单独制造以附着到显示面板的前表面，从而增加了附着工艺，这增加了工艺复杂性和成本。
此外，通常，有机发光显示装置包括阳极，阴极和设置在它们之间的有机发光层。然而，使用具有高反射率的金属材料形成阴极，使得外部光被金属材料反射，从而降低反射可见度和对比度。因此，为了减少外部光的反射，在盖构件下方设置偏振片以吸收外部光。偏振片是具有预定透光率的膜，并且吸收外部光及其反射光以抑制对比度的降低。然而，偏振片是昂贵的元件并且具有相对大的厚度，使得它不适合于厚度的减小。此外，存在的问题在于，偏振片还部分地吸收从有机发光层发出的光，从而降低发光效率。
发明内容
首先，本公开的发明人发明了一种有机发光显示装置，其应用集成了滤色器和黑矩阵的抗反射层来代替偏振片，以解决由于偏振片导致的显示装置的增加的成本和增加的厚度。具有上述结构的抗反射层比偏振片薄，以适用于各种类型的有机发光显示装置，例如弯曲有机发光显示装置或可折叠有机发光显示装置。
接下来，为了改善当将单独的触摸屏面板附着到显示装置时显示装置的增加的成本和增加的厚度，本公开的发明人考虑了通过在用于保护有机发光元件的封装层上直接形成触摸电极来在有机发光显示装置中形成触摸传感器的方法。
然而，本公开的发明人认识到，当在有机发光显示元件上方形成如上所述集成有滤色器和黑矩阵的抗反射层以及触摸传感器时，滤色器和触摸传感器的性能和耐久性不足。具体地，期望在高温下执行形成由有机材料和无机材料形成的滤色器和触摸传感器的工艺。然而，位于滤色器和触摸传感器下方的有机发光元件容易受热，使得当通过高温工艺形成滤色器和触摸传感器时，有机发光元件可能被损坏。因此，为了保护有机发光元件，当通过低温工艺形成滤色器和触摸传感器时，构成滤色器和触摸传感器的有机层破裂或损坏，使得耐久性显著降低。
因此，本公开的发明人发明了一种具有新结构的有机发光显示装置，该新结构在显示装置中形成偏振片和触摸传感器，以提高耐久性和发光效率，同时减小整个显示装置的厚度。
因此，本公开的实施方式涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而造成的问题中的一个或更多个的有机发光显示装置及其制造方法。
本公开要实现的一个目的是提供一种有机发光显示装置，其在显示装置中形成包括黑矩阵和滤色器的抗反射层以及触摸传感器，以改善反射可见度并实现触摸，同时减小整个厚度。
本公开要实现的另一个目的是提供一种有机发光显示装置，其中不仅有机发光元件的耐久性和可靠性得到改善，而且抗反射层和触摸传感器的耐久性和可靠性也得到改善。
本发明要实现的又一个目的是提供一种有机发光显示装置的制造方法，其简化了有机发光显示装置的整个工艺并降低了工艺成本。
附加特征和方面将在下面的描述中阐述并且部分地将通过该描述而变得明显，或者可以通过本文提供的发明构思的实践而获知。发明构思的其他特征和方面可通过书面描述或可从书面描述获得的内容、权利要求书及附图中特别指出的结构来实现和获得。
根据本公开的一方面，一种有机发光显示装置包括：透明基底构件；触摸传感器，包括设置在透明基底构件上的触摸电极和覆盖触摸电极的触摸保护层；黑矩阵，设置在触摸传感器的下方或上方并限定多个开口区域；设置在与黑矩阵相同的平面上并与多个开口区域对应的多个滤色器；第一缓冲层，设置在触摸传感器和多个滤色器上；设置在第一缓冲层上的薄膜晶体管；以及有机发光元件，设置在薄膜晶体管上并与多个开口区域对应。
根据本公开的另一方面，一种有机发光显示装置的制造方法包括：在载体玻璃基板上形成黑矩阵、多个滤色器和触摸传感器；在所述多个滤色器与所述触摸传感器上方形成第一缓冲层；在第一缓冲层上形成薄膜晶体管；形成平坦化层以覆盖薄膜晶体管；在平坦化层上形成包括阳极、有机发光层和阴极的有机发光元件；以及在有机发光元件上形成封装层。
示例性实施方式的其它细节被包括在详细描述和附图中。
根据本公开，在显示装置中形成用作抗反射层的黑矩阵和滤色器以及触摸传感器，以提高反射可见度、实现触摸并减小有机发光显示装置的整体厚度。
根据本发明，不仅可以提高有机发光元件的耐久性和可靠性，而且可以提高抗反射层和触摸传感器的耐久性和可靠性。
根据本公开，可以提供具有减少的工艺步骤和减少的工艺成本的有机发光显示装置的制造方法。
根据本公开的效果不限于以上示例的内容，并且更多的各种效果被包括在本说明书中。
附图说明
通过结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其它目的、特征和其它优点，其中：
图1是用于解释根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性分解透视图；
图2是沿图1的线I-I'截取的示意性截面图；
图3A至图3F是用于解释根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图；
图4是根据本公开的另一个示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图；
图5是根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图；和
图6A至图6G是用于解释根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
具体实施方式
通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开不限于这里公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅作为示例提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
在用于描述本公开的示例性实施方式的附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中使用的术语例如“包括”，“具有”和“由...组成”通常旨在允许添加其它部件，除非该术语与术语“仅”一起使用。对单数的任何引用可包括复数，除非另有明确说明。
部件被解释为包括普通的误差范围，即使没有明确说明。
当使用诸如“在…上”，“在…之上”，“在..之下”和“在…旁边”的术语来描述两个部分之间的位置关系时，一个或多个部分位于两个部分之间，除非该术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时，其他层或其他元件可直接插在另一元件上或插在其间。
尽管术语“第一”，“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其它部件区分开。因此，在本公开的技术概念中，下面要提到的第一部件可以是第二部件。
贯穿整个说明书，相似的标号一般指代相似的元件。
为了便于描述，示出了附图中所示的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开不限于所示部件的尺寸和厚度。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此粘附或组合，并且可以以技术上的各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或相关联地执行。
下文中，将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方式的显示装置。
图1是用于解释根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性分解透视图。图2是沿图1的线I-I'截取的示意性截面图。
参照图1和图2，有机发光显示装置100包括透明基底构件，黑矩阵BM，多个滤色器120，触摸传感器130，有机发光元件150和封装层160。
根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100可以被配置为底部发光型。也就是说，有机发光显示装置100可以向透明基底构件的后表面发光。根据底部发光型，从有机发光元件150发射的光被发射到其上形成有机发光元件150的透明基底构件的下部。在底部发光型的情况下，为了使从有机发光元件150发射的光行进到透明基底构件的下部，阳极152可以由透明导电材料形成，阴极156可以由具有高反射率的金属材料形成，这将在下面描述。
参照图1，透明基底构件是支撑并保护有机发光显示装置100的几个部件的基板。根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100是底部发光型，使得为了使光向下行进，透明基底构件可以由具有透明度的绝缘材料形成。例如，透明基底构件可以由玻璃基板或透明柔性膜形成。在下文中，描述了图1所示的透明基底构件是玻璃基板110。
玻璃基板110包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是设置多个像素以基本显示图像的区域。在显示区域DA中，可以设置显示图像的显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。
玻璃基板110的厚度可以是30μm至200μm或50μm至100μm。当玻璃基板110的厚度满足上述范围时，玻璃基板110可以支撑有机发光显示装置100的部件，并且还实现显示装置的折叠或弯曲。
尽管图2中未示出，但是在玻璃基板110中，可以形成与折叠区域或弯曲区域相对应的开口图案或凹形图案。具体地，玻璃基板110包括面向有机发光元件150的内表面和与该内表面相对并用作有机发光显示装置100的发光表面的外表面。在这种情况下，开口图案或凹形图案可以是从外表面向内形成的凹槽，以允许折叠或弯曲有机发光显示装置。开口图案或凹形图案可以具有开口单元(或凹形单元)和阻挡单元(或凸形单元)连续交替布置的结构。因此，开口图案或凹形图案可赋予玻璃基板110柔性。
显示区域DA中可以包括多个像素。多个像素被布置成矩阵，并且多个像素中的每一个包括多个子像素SP。每个子像素SP是表示一种颜色的元件，并且由在第一方向上设置的多条栅极线与在不同于第一方向的第二方向上设置的多条数据线相交的区域限定。这里，第一方向可以是图1的水平方向(X轴方向)，第二方向可以是图1的垂直方向(Y轴方向)，但不限于此。每个子像素SP包括发射光的发光区域和不发射光的非发光区域，但是在说明书中，只有发射光的发光区域被定义为子像素SP。多个像素中的每一个包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1可以是红色像素，第二子像素SP2可以是绿色像素，第三子像素SP3可以是蓝色像素，但不限于此。
每个子像素SP可以包括有机发光元件150和驱动元件。在这种情况下，驱动元件可以包括开关晶体管和驱动晶体管。驱动元件可以电连接到信号线，例如栅极线和数据线，栅极线和数据线连接到设置在非显示区域NDA中的栅极驱动器和数据驱动器。
非显示区域NDA设置在玻璃基板110的周围区域中，并且在非显示区域中不显示图像。非显示区域NDA被布置成包围显示区域DA。用于驱动设置在显示区域DA中的多个子像素SP的各种部件可以设置在非显示区域NDA中。例如，可以设置提供用于驱动多个子像素SP的信号的驱动IC、驱动电路、信号线和柔性膜。在这种情况下，驱动IC可以包括栅极驱动器和数据驱动器。驱动IC和驱动电路可以以面板内栅极(GIP)方式、膜上芯片(COF)方式、带自动接合(TAB)方式、带载封装(TCP)方式或玻璃上芯片(COG)方式设置。
参照图2，黑矩阵BM和多个滤色器120设置在玻璃基板110上。黑矩阵BM和多个滤色器120形成在同一平面上，并且设置在玻璃基板110上以与玻璃基板110直接接触。在本公开中，黑矩阵BM和多个滤色器120一体形成以用作抗反射层。
黑矩阵BM设置在玻璃基板110上。此外，黑矩阵BM可以被设置为对应于形成堤148的位置。在这种情况下，黑矩阵BM设置在多个滤色器120之间以分别划分滤色器121、122和123。黑矩阵BM可以抑制穿过各个滤色器121、122和123的光的颜色混合，并且限定允许从有机发光元件150发射的光发射到外部的多个开口区域。每个开口区域OA1、OA2、OA3是从设置在黑矩阵BM和多个滤色器120上的有机发光元件150发出的光穿过的区域。开口区域OA1、OA2、OA3分别通过相应的有机发光元件150独立地表示特定颜色。此外，黑矩阵BM吸收外部光。因此，可以最小化由外部光引起的有机发光显示装置100的可见度和对比度的降低。
黑矩阵BM可以由有机材料形成。黑矩阵BM包括基础树脂和黑色材料。基础树脂可以是选自Cardo基树脂、环氧基树脂、丙烯酸酯基树脂、硅氧烷基树脂和聚酰亚胺中的一种或多种，但不限于此。黑色材料可以是选自碳基颜料、金属氧化物基颜料和有机颜料的黑色颜料。例如，碳基颜料可以是炭黑。例如，金属氧化物基颜料可以是钛黑TiNxOy或Cu-Mn-Fe基黑色颜料，但不限于此。例如，有机颜料可以选自内酰胺黑、二萘嵌苯黑和苯胺黑，但不限于此。此外，作为黑色材料，可以使用包括红色颜料、蓝色颜料和绿色颜料的RGB黑色颜料。
多个滤色器120设置在玻璃基板110上，并设置在与黑矩阵BM相同的平面上。多个滤色器120被设置为与多个子像素SP相对应。在这种情况下，多个滤色器120中的每一个设置在由黑矩阵BM限定的开口区域OA1、OA2、OA3中的每一个中。具体地，多个滤色器120包括对应于第一子像素SP1的第一滤色器121，对应于第二子像素SP2的第二滤色器122和对应于第三子像素SP3的第三滤色器123。第一滤色器121设置在对应于第一子像素SP1的第一开口区域OA1中，第二滤色器122设置在对应于第二子像素SP2的第二开口区域OA2中，第三滤色器123设置在对应于第三子像素SP3的第三开口区域OA3中。在这种情况下，当第一子像素SP1是红色子像素时，第一滤色器121是红色滤色器。此外，当第二子像素SP2是绿色子像素时，第二滤色器122是绿色滤色器，而当第三子像素SP3是蓝色子像素时，第三滤色器123是蓝色滤色器。在这种情况下，有机发光显示装置100具有优异的颜色再现性能。
第一滤色器121、第二滤色器122和第三滤色器123独立地包括透明基础树脂和显色材料。例如，透明基础树脂可以是选自聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯和聚对苯二甲酸乙二醇酯中的一种，但不限于此。显色材料吸收特定波段的光并透射其它波段的光。例如，红色滤色器包括红色显影材料，其透射红色波段中的光并吸收绿色和蓝色波段中的光。更具体地，红色显影材料可以是基于聚对二甲苯的化合物或基于二酮基吡咯并吡咯的化合物。此外，绿色显影材料可以是酞菁基化合物。此外，蓝色显影材料可以是铜酞菁基化合物或蒽醌基化合物。然而，显色材料不限于此，并且可以不受限制地使用透射红色、蓝色和绿色波段中的光的任何材料。
第二缓冲层112形成在黑矩阵BM和多个滤色器120上。第二缓冲层112可以保护或平坦化黑矩阵BM和多个滤色器120。具体地，第二缓冲层112抑制湿气或氧气从外部的渗透，以保护黑矩阵BM和多个滤色器120。此外，第二缓冲层112可以使在形成位于其上的触摸传感器130的触摸电极132的过程中引起的黑矩阵BM和多个滤色器120的损坏最小化。
第二缓冲层112可以由具有优异阻隔性能的无机材料形成。因此，湿气或氧气的渗透可以最小化。例如，第二缓冲层112可以由无机材料形成，例如硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx或铝氧化物AlOx，但不限于此。
此外，第二缓冲层112可以由多个层形成，以平坦化黑矩阵BM和多个滤色器120并增强多个滤色器120和位于其上的触摸传感器130之间的粘合性。例如，第二缓冲层112可包括第一层和第二层，第一层由有机材料形成以使多个滤色器120的上部平坦化，第二层设置在第一层上并由上述无机材料形成以赋予阻隔性能。例如，第一层可以由例如丙烯酸树脂、聚酯基树脂、环氧树脂或硅基树脂这样的透明绝缘树脂形成，第二层可以由上述无机材料形成。
触摸传感器130设置在第二缓冲层112上，以赋予有机发光显示装置100触摸感测功能。触摸传感器130可以直接形成在第二缓冲层112上，而不使用粘合构件。由于触摸传感器130直接形成在第二缓冲层112上，所以省略了附着在触摸传感器130和滤色器之间的粘合构件，从而可以减小有机发光显示装置100的厚度。
触摸传感器130包括触摸电极132和触摸保护层134。触摸电极132可以直接形成在第二缓冲层112上而不使用粘合构件。触摸电极132是感测触摸输入的电极，并且可以由感测电极和驱动电极构成，并且通过感测感测电极和驱动电极之间的电容的变化来检测触摸坐标。例如，驱动电极设置在第二缓冲层112上，感测电极设置在与驱动电极相同的平面上。作为另一示例，触摸绝缘层设置在驱动电极上，感测电极设置在触摸绝缘层上。触摸电极132的布置不限于此，并且如果需要可以改变。
触摸电极132可以由可以透射光的透明金属材料形成，例如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO。触摸电极132可以具有各种形状，例如矩形、八边形、圆形或菱形。
触摸保护层134设置在触摸电极132上。触摸保护层134抑制触摸电极132的短路或损坏，并且使触摸电极132的上表面平坦化。触摸保护层134可以由透明绝缘树脂形成，例如丙烯酸树脂、聚酯基树脂、环氧树脂或硅基树脂。
第一缓冲层114设置在触摸传感器130上。第一缓冲层114保护黑矩阵BM、多个滤色器120和触摸传感器130。此外，第一缓冲层114保护薄膜晶体管TFT免受例如从黑矩阵BM、多个滤色器120和触摸传感器130泄漏的碱离子之类的杂质和气体的影响。第一缓冲层114可以由诸如硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx或铝氧化物AlOx这样的无机材料形成。第一缓冲层114可以形成为单层，并且如果需要可以形成为多层结构。例如，第一缓冲层114可以包括多缓冲器和/或有源缓冲器。
在第一缓冲层114上，设置包括栅电极G、有源层ACT、源电极S和漏电极D的薄膜晶体管TFT。为了便于描述，在图2中，仅示出了可以包括在有机发光显示装置100中的各种薄膜晶体管TFT中的驱动薄膜晶体管，但是也可以设置诸如开关薄膜晶体管这样的其它晶体管。
此外，作为示例，描述了图2所示的薄膜晶体管TFT具有共面结构，但是本公开不限于此，也可以使用具有反向交错结构的薄膜晶体管TFT。此外，薄膜晶体管TFT可以实现为栅电极G设置在有源层ACT上的顶栅型薄膜晶体管，但是也可以实现为栅电极G设置在有源层ACT下面的底栅型薄膜晶体管。
有源层ACT设置在第一缓冲层114上。当驱动薄膜晶体管TFT时，在有源层ACT中形成沟道。有源层ACT可以由氧化物半导体或非晶硅a-Si、多晶硅poly-Si或有机半导体形成，但不限于此。
栅极绝缘层144设置在有源层ACT上。栅极绝缘层144使有源层ACT与栅电极G绝缘。栅极绝缘层144可以形成为硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx的单层或多层。如图2所示，栅极绝缘层144可以被图案化为具有与栅电极G相同的宽度，或者形成在整个玻璃基板110上，但不限于此。
栅电极G设置在栅极绝缘层144上。栅电极G设置在栅极绝缘层144上，以便与有源层ACT的沟道区域交叠。栅电极G可以由各种金属材料形成，例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们中的两种或更多种的合金，或它们的多层，但不限于此。
层间绝缘层142设置在第一缓冲层114和栅电极G上。层间绝缘层142使栅电极G与源电极S和漏电极D绝缘。层间绝缘层142可以形成为硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx的单层或多层。在层间绝缘层142中，形成接触孔，其中源电极S和漏电极D通过该接触孔分别与有源层ACT的源区和漏区接触。
源电极S和漏电极D设置在层间绝缘层142上。源电极S和漏电极D通过在层间绝缘层142中形成的接触孔电连接到有源层ACT。源电极S和漏电极D可以由各种金属材料形成，例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或它们中的两种或更多种的合金，或其多层，但不限于此。
即使没有在图2中示出，也可以在薄膜晶体管TFT上另外设置钝化层以保护薄膜晶体管TFT。在钝化层中，可以形成暴露薄膜晶体管TFT的源电极S或漏电极D的接触孔。钝化层可以配置为硅氮化物SiNx或硅氧化物SiOx的单层或多层。
平坦化层146设置在钝化层上以平坦化薄膜晶体管TFT的上部。在平坦化层146中，形成暴露薄膜晶体管TFT的源电极S或漏电极D的接触孔。平坦化层146可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的任何一种形成，但不限于此。
有机发光元件150设置在平坦化层146上。有机发光元件150包括设置在第一子像素SP1区域中的第一有机发光元件，设置在第二子像素SP2区域中的第二有机发光元件和设置在第三子像素SP3区域中的第三有机发光元件。每个有机发光元件150包括阳极152、有机发光层154和阴极156。
阳极152设置在平坦化层146上。阳极152设置在平坦化层146上，以通过在平坦化层146中形成的接触孔电连接到源电极S或漏电极D。阳极152由具有高功函数的导电材料形成，以向有机发光层154提供空穴。阳极152可以是由透明导电氧化物TCO形成的透明导电层。例如，阳极152可以由选自例如铟锡氧化物ITO、铟锌氧化物IZO、铟锡锌氧化物ITZO、氧化锡SnO2、氧化锌ZnO、铟铜氧化物ICO和铝：锌氧化物Al：ZnO、AZO这样的透明导电氧化物中的一种或多种形成，但不限于此。由于本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100是底部发光型，因此阳极152可以仅由透明导电层形成。可以为第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个分别形成阳极152。
堤148设置在阳极152和平坦化层146上。堤148可以覆盖有机发光元件150的阳极152的边缘以限定发光区域。堤148可以由使相邻子像素SP1、SP2和SP3的阳极152彼此绝缘的绝缘材料形成。此外，堤148可以由具有高光吸收率的黑色堤构成，以抑制相邻子像素SP1、SP2和SP3之间的颜色混合。例如，堤148可以由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或苯并环丁烯树脂形成，但不限于此。
阴极156设置在阳极152上。阴极156可以由具有低功函数的金属材料形成，以平稳地向有机发光层154提供电子。由于本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置100是底部发光型，因此为了使从有机发光元件150发射的光行进到玻璃基板110的下部，阴极156可以由具有高反射率的金属材料形成。例如，阴极156可以由选自以下的金属材料形成，但不限于此：钙(Ca)、钡(Ba)、铝(Al)、银(Ag)以及包括它们中的一种或多种的合金。
参考图2，尽管示出了阴极156没有被图案化，但是在阳极152上形成为一层，阴极156可以像阳极152一样为每个子像素SP单独设置。即，阴极156在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中形成为单层。
有机发光层154设置在阳极152和阴极156之间。有机发光层154是其中电子和空穴耦合以发光的层。第一有机发光元件的有机发光层154可以是红色有机发光层，第二有机发光元件的有机发光层154可以是绿色有机发光层，第三有机发光元件的有机发光层154可以是蓝色有机发光层。
为了提高有机发光元件150的发光效率，可以进一步包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层。例如，空穴注入层和空穴传输层可以设置在阳极152和有机发光层154之间，电子传输层和电子注入层可以设置在有机发光层154和阴极156之间。此外，可以设置空穴阻挡层或电子阻挡层以进一步提高有机发光层154中的空穴和电子的复合效率。
封装层160设置在有机发光元件150上。封装层160可以覆盖有机发光元件150。封装层160可以保护有机发光元件150免受湿气、氧气和外部冲击。封装层160可以形成为多层结构，其中由无机绝缘材料形成的无机层和由有机材料形成的有机层被层叠。例如，封装层160可以由至少一个有机层和至少两个无机层构成，并且具有其中无机层和有机层交替层叠的多层结构，但不限于此。例如，封装层160可以具有包括第一无机层162、有机层164和第二无机层166的三层结构。在这种情况下，第一无机层162和第二无机层166可以独立地由选自硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx、铝氧化物AlOx和氮氧化硅SiON中的一种或多种形成，但不限于此。此外，有机层164可以由选自环氧树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和碳硅氧化物SiOC中的一种或多种形成，但不限于此。
盖基底构件170可以设置在封装层160上。盖基底构件170与封装层160一起保护有机发光元件150免受湿气、氧气和来自外部的冲击。盖基底构件170可以是例如不锈钢(SUS)这样的金属材料或例如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚乙烯醇、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯或聚对苯二甲酸乙二醇酯这样的塑料材料。
在根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置中，包括黑矩阵和滤色器的抗反射层设置在玻璃基板上，并且包括触摸电极的触摸传感器形成在抗反射层上。根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置是底部发光型有机发光显示装置，其中有机发光元件设置在抗反射层和触摸传感器上，以朝向设置在其下方的玻璃基板发光。根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置，抗反射层和触摸传感器设置在玻璃基板和有机发光元件之间。因此，提高了反射亮度，可以实现触摸，并且可以减小有机发光显示装置的整体厚度。具体地，将需要高温处理的滤色器和触摸传感器设置在下方，以便在易受高温影响的有机发光元件之前形成，从而显著提高有机发光显示装置的耐久性和可靠性。
以下，将参照图3A至图3F描述根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法。
图3A至3F是用于解释根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图。
参照图3A，准备载体玻璃基板110'。载体玻璃基板110'用作辅助基板，其在有机发光显示装置的工艺期间支撑设置在上部的部件。载体玻璃基板110'对于诸如半导体材料和金属材料的蚀刻或热处理这样的工艺具有低反应性。载体玻璃基板110'的厚度可以在一定范围内选择，该范围具有不会由于负载而引起形变的刚度，并且具有在制造过程中易于运载的重量。例如，载体玻璃基板110'的厚度可以是400μm至800μm或500μm至650μm。
黑矩阵BM形成在载体玻璃基板110'上。黑矩阵BM可以形成在形成布线线路和驱动元件(例如随后设置在其上的薄膜晶体管TFT)的位置。黑矩阵BM划分第一开口区域OA1、第二开口区域OA2和第三开口区域OA3。
多个滤色器120形成在其上形成有黑矩阵BM的载体玻璃基板110'上。多个滤色器120可以被设置为具有为每个子像素确定的颜色。例如，通过在对应于第一子像素SP1的第一开口区域OA1中施加包括红色颜料的有机材料并执行光处理来形成第一滤色器121。此外，通过在对应于第二子像素SP2的第二开口区域OA2中施加包括绿色颜料的有机材料并执行光处理来形成第二滤色器122。此外，通过在对应于第三子像素SP3的第三开口区域OA3中施加包括蓝色颜料的有机材料并执行光处理来形成第三滤色器123。尽管在图3A中，示出了第一滤色器121、第二滤色器122和第三滤色器123形成为彼此隔开，但是两个相邻的滤色器可以形成在黑矩阵BM上以彼此交叠。
第二缓冲层112形成在载体玻璃基板110'的完成了黑矩阵BM和多个滤色器120的整个表面上。第二缓冲层112可以由诸如硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx或铝氧化物AlOx这样的无机材料形成，并通过化学气相沉积(CVD)工艺或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积，但不限于此。
此外，在形成第二缓冲层112之前，可以形成使黑矩阵BM和多个滤色器120的顶表面平坦化的有机层。
参照图3B，触摸传感器130形成在第二缓冲层112上。
在第二缓冲层112上沉积导电层之后，可以通过使用光掩模的蚀刻工艺和光刻工艺图案化触摸电极132。具体地，触摸电极132可以由感测电极和驱动电极构成。例如，在第二缓冲层112上沉积第一导电层之后，通过光刻工艺和蚀刻工艺形成多个驱动电极、多个感测电极和连接多个驱动电极的连接电极。在多个驱动电极、多个感测电极以及连接电极上形成具有接触孔的触摸绝缘层。桥接电极形成于触摸绝缘层上，以使多个感测电极通过接触孔电连接。如上所述，在触摸电极132中，驱动电极和感测电极形成在第二缓冲层112上的同一平面上。然而，作为另一示例，触摸绝缘层设置在驱动电极上，感测电极设置在触摸绝缘层上。触摸电极132可以根据触摸传感器130的结构以各种方式形成。此外，触摸电极132可以通过诸如溅射法这样的物理气相沉积法形成。
触摸电极132可以由透射光的透明金属材料形成，例如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO。为了赋予高透明度和低阻抗特性，可以在高温下形成触摸电极132。
触摸保护层134设置在触摸电极132上。例如，在触摸电极132的整个上表面上层压诸如丙烯酸树脂、聚酯基树脂或硅基树脂这样的透明绝缘树脂。
参照图3C，第一缓冲层114形成在触摸传感器130的整个表面上。第一缓冲层114可以由诸如硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx或铝氧化物AlOx这样的无机材料形成，并通过化学气相沉积(CVD)工艺或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积，但不限于此。
薄膜晶体管TFT形成在第一缓冲层114上。
首先，将有源层ACT设置在第一缓冲层114上。在这种情况下，有源层ACT可以通过掩模工艺形成。例如，有源层ACT可以通过使用掩模的沉积工艺而位于指定区域中，在该掩模中待图案化的区域是开口的。可替换地，在第一缓冲层114的整个表面上沉积半导体材料之后，可以通过光刻胶掺杂剂和图案化掩模，通过曝光、显影、蚀刻和光敏树脂去除工艺来形成有源层ACT。
通过在有源层ACT上连续沉积绝缘材料和栅极金属材料来形成栅极绝缘层144和栅电极G。接下来，层间绝缘层142形成在第一缓冲层114的其上形成有源层ACT和栅电极G的整个上表面上。在层间绝缘层142中形成接触孔，以暴露有源层ACT的顶表面。在层间绝缘层142上施加金属材料并图案化，以形成源电极S和漏电极D，从而通过接触孔与有源层ACT接触。
参照图3D，平坦化层146形成在载体玻璃基板110'的其上形成有薄膜晶体管TFT的整个上表面上。在这种情况下，在平坦化层146中形成接触孔以暴露源电极S。
有机发光元件150形成在平坦化层146上。首先，形成阳极152以通过形成在平坦化层146中的接触孔电连接到设置在其下方的源电极S。阳极152可以通过掩模工艺被图案化，以便针对每个子像素而形成。
堤148形成在平坦化层146上。在这种情况下，堤148可以形成为覆盖阳极152的边缘以划分发光区域(子像素)。在这种情况下，可以通过掩模工艺对堤148进行图案化。在形成堤148之后，依次形成有机发光层154、阴极156和封装层160。
参照图3E，蚀刻载体玻璃基板110'。通过蚀刻工艺减小载体玻璃基板110'的厚度，使得载体玻璃基板110'用作保护有机发光显示装置的发光表面的玻璃基板110，其中从有机发光显示元件发射的光通过该发光表面发射到外部。再次参照图3A，载体玻璃基板110'用于在有机发光显示装置的制造过程中支撑部件。载体玻璃基板110'具有足以承受制造过程的条件和环境的厚度。然而，为了执行作为保护有机发光显示装置的发光表面的保护基底构件的功能，载体玻璃基板110'需要满足足够的透射率。此外，由于载体玻璃基板110'的下表面在制造过程中被损坏，所以需要改善表面特性。因此，载体玻璃基板110'的表面被蚀刻以减小厚度并使外表面均匀化。通过蚀刻载体玻璃基板110'而形成的玻璃基板110的厚度可以是30μm到200μm。
尽管在图3E中未示出，但是在执行蚀刻载体玻璃基板110'以使厚度和表面均匀化的工艺之后，可以进一步添加在与有机发光显示装置的折叠区域或弯曲区域相对应的区域中形成开口图案或凹形图案的工艺。例如，在具有减小的厚度的玻璃基板110的外表面上形成掩模之后，可以通过蚀刻工艺形成从玻璃基板110的外表面向内凹入而形成的多个凹槽。
参照图3F，盖基底构件170形成在封装层160上。
根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法，制造具有如下结构的底部发光型有机发光显示装置，在该结构中，将包括黑矩阵和滤色器的抗反射层、包括触摸电极的触摸传感器和有机发光元件依次层叠在玻璃基板上。通过这样做，可以制造具有抗反射功能和触摸感测功能的薄有机发光显示装置。
此外，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法包括在有机发光元件之前在玻璃基板上形成黑矩阵、滤色器和触摸传感器的工艺。为了在顶部发光型有机发光显示装置中形成上述的黑矩阵、滤色器和触摸传感器，在首先形成有机发光元件之后，需要在有机发光元件150上方形成封装层、黑矩阵、滤色器和触摸传感器。然而，构成有机发光元件的材料非常易受高温的影响。因此，当通过对有机发光元件的后续处理形成需要高温处理的黑矩阵、滤色器和触摸传感器时，有机发光元件的损坏是不可避免的。具体地，为了使触摸传感器位于有机发光元件上方，构成触摸传感器的触摸电极有利地由透明且具有优异透射率的透明金属材料形成，例如铟锡氧化物ITO或铟锌氧化物IZO。因此，根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法，在有机发光元件之前形成需要高温处理的黑矩阵、滤色器和触摸传感器，并制造底部发光型有机发光显示装置。因此，可以提供具有显著改善的耐久性和可靠性的有机发光显示装置。
此外，近来，为了实现柔性有机发光显示装置，使用诸如聚酰亚胺这样的柔性材料作为基础构件。然而，诸如聚酰亚胺这样的柔性材料容易受到外部物理冲击。此外，为了用具有柔性的柔性材料实现基底构件，首先执行在由玻璃形成的载体基板上施加和处理柔性材料的工艺。此后，在形成有机发光元件之后，最后，需要另外执行用于从载体基板剥离由柔性材料形成的基底构件的激光剥离(LLO)工艺。此外，在激光剥离工艺中，存在的问题是基底构件破裂或发生剥离故障，从而基底构件与载体基板一起被撕掉。
因此，本公开的发明人发明了一种利用载体玻璃基板作为保护基底元件以保护有机发光显示装置的发光表面的方法。根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法，在载体玻璃基板上依次形成黑矩阵、滤色器和有机发光元件之后，执行蚀刻载体玻璃基板的外表面的工艺。因此，可以提供底部发光型有机发光显示装置，其中载体玻璃基板用作支撑有机发光显示装置的基底构件，并且还用作保护有机发光显示装置的发光表面的保护基底构件。此外，在蚀刻载体玻璃基板的工艺中调节载体玻璃基板的厚度和图案，以提供可弯曲或可折叠的显示装置。通过这样做，在载体基板上形成单独的基底构件的工艺和从载体基板移除基底构件的工艺不是必需的，使得整个工艺更加简化，并且成本也降低。
图4是根据本公开的另一个示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。与图2所示的有机发光显示装置100相比，除了图4所示的有机发光显示装置200的黑矩阵BM、多个滤色器220和触摸传感器230的位置之外，其它结构基本相同。因此，将省略多余的描述。
参照图4，触摸传感器230设置在玻璃基板110上。触摸传感器230可以直接形成在玻璃基板110上，而不使用单独的粘合构件。具体地，触摸传感器232的触摸电极230可以直接形成在玻璃基板110上。此后，触摸保护层234可以形成在触摸电极232上。将触摸传感器230形成在玻璃基板110上的方法与参照图3B描述的方法基本相同，除了触摸电极232首先形成在玻璃基板110上而不是第二缓冲层212上之外。因此，将省略多余的描述。
接着，将黑矩阵BM和多个滤色器220设置在触摸传感器230上。黑矩阵BM和多个滤色器220形成在同一平面上，并且设置在触摸传感器234的触摸保护层230上以与触摸保护层直接接触。在触摸传感器230上形成黑矩阵BM和多个滤色器220的方法与参照图3A描述的方法基本相同，除了黑矩阵BM和多个滤色器120首先形成在触摸传感器230上而不是玻璃基板110上之外。因此，将省略多余的描述。
第二缓冲层212形成在黑矩阵BM和多个滤色器220上。第二缓冲层212可以保护或平坦化黑矩阵BM和多个滤色器220。在图4所示的有机发光显示装置200中，第二缓冲层212与图2所示的有机发光显示装置100的第二缓冲层112基本相同，除了第二缓冲层212设置在黑矩阵BM和多个滤色器220以及第一缓冲层214之间之外。
第一缓冲层214设置在第二缓冲层212上。第二缓冲层212设置在第一缓冲层214和薄膜晶体管TFT之间，以保护位于其下方的黑矩阵BM、多个滤色器220和触摸传感器230。此外，第二缓冲层212保护薄膜晶体管TFT不受从黑矩阵BM、多个滤色器220和触摸传感器230泄漏的杂质和气体的影响。在图4所示的有机发光显示装置200中，第一缓冲层214与图2所示的有机发光显示装置100的第一缓冲层114基本相同，除了第一缓冲层214设置成与第二缓冲层212接触之外。
此外，在根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置中，可以省略第二缓冲层212。当省略第二缓冲层212时，第一缓冲层214设置在黑矩阵BM和多个滤色器220以及薄膜晶体管TFT之间，以进一步执行保护或平坦化黑矩阵BM和多个滤色器220的功能。
根据本公开的另一个示例性实施方式的有机发光显示装置200具有如下结构特征：触摸传感器230设置在玻璃基板110上以与玻璃基板110直接接触，并且黑矩阵BM和多个滤色器220设置在触摸传感器230上以更靠近有机发光元件150。触摸传感器230直接形成在玻璃基板110上，从而可以更精确地感测用户的触摸输入。此外，黑矩阵和多个滤色器220设置在触摸传感器230和有机发光元件150之间，使得触摸传感器230和有机发光元件150之间的距离增加。通过这样做，可以最小化在触摸传感器232的触摸电极230和有机发光元件150以及在其周围形成的电极和布线之间引起的寄生电容，这导致触摸灵敏度的提高。
与图2所示的有机发光显示装置100相比，在图4所示的有机发光显示装置200中，黑矩阵BM设置在触摸传感器230上，以更靠近有机发光元件150。通过这样做，可以加宽从有机发光元件150向下发射的光的角度。即，根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置可以提供具有宽视角的底部发光型显示装置。
图5是根据本公开的又一示例性实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。与图2所示的有机发光显示装置100相比，除了在图5所示的有机发光显示装置300中使用透明柔性膜390和透明保护膜380代替玻璃基板之外，其它部件基本相同。因此，将省略多余的描述。
参照图5，有机发光显示装置300包括透明保护膜380、透明柔性膜390、黑矩阵BM、多个滤色器120、触摸传感器130、有机发光元件150和封装层160。
透明柔性膜390是支撑并保护有机发光显示装置300的几个部件的基板。根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示装置300是底部发光型，所以为了使光向下引导，透明柔性膜390可以由具有透明度的绝缘聚合物材料形成。例如，透明柔性膜390可以选自聚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚碳酸酯。
透明保护膜380设置在透明柔性膜390的下方。透明保护膜380支撑透明柔性膜390并保护有机发光显示装置300的发光表面。透明保护膜380可以由具有透明度以使光向下行进的绝缘聚合物材料形成。例如，透明保护膜380可以由薄塑料膜形成，该薄塑料膜由聚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯和其它合适的聚合物的组合构成。
根据本公开的另一个示例性实施方式的有机发光显示装置300包括透明和柔性的透明保护膜380和透明柔性膜390，而不是玻璃基板110。因此，可以实现具有较小曲率半径的各种设计。
图6A至6G是用于解释根据本公开的另一示例性实施方式的有机发光显示装置的制造方法的截面图。与图3A至3F中所示的有机发光显示装置的制造方法相比，除了在图6A至6G中所示的有机发光显示装置的制造方法中使用透明柔性膜390和透明保护膜380和由此产生的工艺不同之外，其它结构基本相同。因此，将省略多余的描述。
参照图6A，透明柔性膜390形成在载体玻璃基板310'上。在这种情况下，载体玻璃基板310'基本上与图3A中所述的相同，所以将省略多余的描述。
具体地，在载体玻璃基板310'上涂覆透明聚合物材料之后，形成膜。例如，透明聚合物材料可以选自聚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚碳酸酯。使用旋涂法、辊涂法或狭缝涂覆法在载体玻璃基板310'上涂覆透明聚合物材料，然后形成膜以形成透明柔性膜390。
此外，为了容易地分离载体玻璃基板310'和透明柔性膜390(这将在下面参考图6F进行描述)，在将透明聚合物材料涂覆在载体玻璃基板310'上之前，可以首先在载体玻璃基板310'上形成牺牲层。
参照图6B，黑矩阵BM和多个滤色器120形成在透明柔性膜390上。形成黑矩阵BM和多个滤色器120的方法与图3A中描述的方法基本相同，除了黑矩阵和多个滤色器形成在透明柔性膜390而不是载体玻璃基板310'上之外。因此，将省略多余的描述。接下来，第二缓冲层112形成在载体玻璃基板310'的完成了黑矩阵BM和多个滤色器120的整个表面上。
参照图6C，触摸传感器130形成在第二缓冲层112上。触摸传感器130形成在第二缓冲层112上的方法基本上与图3B中描述的方法相同，所以将省略多余的描述。
参照图6D，第一缓冲层114形成在触摸传感器130的整个表面上，薄膜晶体管TFT形成在第一缓冲层114上。形成第一缓冲层114和薄膜晶体管TFT的方法基本上与图3C中描述的方法相同，因此将省略多余的描述。
参照图6E，平坦化层146形成在其上形成有薄膜晶体管TFT的载体玻璃基板310'的整个上表面上，有机发光元件150和封装层160形成在平坦化层146上。形成平坦化层146、有机发光元件150和封装层160的方法基本上与图3D中描述的方法相同，所以将省略多余的描述。
参照图6F，剥离载体玻璃基板310'。例如，载体玻璃基板310'和透明柔性膜390可以通过激光剥离(LLO)工艺分离。具体地，由非晶硅形成的牺牲层设置在载体玻璃基板310'和透明柔性膜390之间，并且激光照射到载体玻璃基板310'上。照射在载体玻璃基板310'上的激光引起a-Si：H的反应，并且载体玻璃基板310'和透明柔性膜390可以通过反应中产生的氢H而彼此分离。
参照图6G，透明保护膜380形成在透明柔性膜390下方，并且盖基底构件170形成在封装层160上方。
本公开的示例性实施方式还可以描述如下：
根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括：透明基底构件；触摸传感器，该触摸传感器包括设置在所述透明基底构件上方的触摸电极和覆盖所述触摸电极的触摸保护层；黑矩阵，该黑矩阵设置在所述触摸传感器的下方或上方并限定多个开口区域；多个滤色器，所述多个滤色器设置在与所述黑矩阵相同的平面上并对应于所述多个开口区域；第一缓冲层，该第一缓冲层设置在所述触摸传感器和所述多个滤色器中的靠上一者的上方；薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在所述第一缓冲层上方；以及有机发光元件，设置在所述薄膜晶体管上方并与所述多个开口区域对应。
所述第一缓冲层可以是选自包含硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx和铝氧化物AlOx的组的单层或多层。
所述黑矩阵和所述多个滤色器可以设置在所述触摸传感器的下方，所述第一缓冲层可以设置在所述触摸传感器上，并且还可以提供设置在所述多个滤色器和所述触摸传感器之间以平坦化所述多个滤色器的上部的第二缓冲层。
所述触摸电极可以设置在所述第二缓冲层上以与所述第二缓冲层直接接触。
所述黑矩阵和所述多个滤色器可以设置在所述触摸传感器上，还可以提供设置在所述多个滤色器上以使多个滤色器的上部平坦化的第二缓冲层，并且所述第一缓冲层可以设置在所述第二缓冲层和所述薄膜晶体管之间。
所述黑矩阵可设置在所述触摸保护层上以与所述触摸保护层直接接触。
有机发光显示装置还包括设置在所述有机发光元件上的封装层和设置在所述封装层上的盖基底构件。
所述透明基底构件可以是玻璃基板。
所述玻璃基板的厚度可以是30μm至200μm。
所述玻璃基板可以包括面向所述有机发光元件的内表面和与所述内表面相对的外表面，并且所述玻璃基板包括从所述外表面向内形成的开口图案或凹形图案，以允许所述有机发光显示装置可折叠或可弯曲。
所述黑矩阵和所述触摸电极中的任一个可设置在所述玻璃基板上以与所述玻璃基板直接接触。
所述透明基底构件可以是由聚酰亚胺形成的透明柔性膜，并且还可以提供附着到所述透明柔性膜的下部的透明保护膜。
所述有机发光显示装置可以是底部发光型，其中从所述有机发光元件发射的光被发射到所述透明基底构件。
根据本公开的另一方面，提供了一种有机发光显示装置的制造方法。该制造方法包括：在载体玻璃基板上方形成黑矩阵、多个滤色器和触摸传感器，在所述多个滤色器和所述触摸传感器上方形成第一缓冲层，在所述第一缓冲层上方形成薄膜晶体管，形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层，在所述平坦化层上方形成包括阳极、有机发光层和阴极的有机发光元件，以及在所述有机发光元件上方形成封装层。
所述黑矩阵、多个滤色器和触摸传感器的形成可以包括在所述载体玻璃基板上形成所述黑矩阵以限定多个开口区域，形成所述多个滤色器以填充所述多个开口区域，在所述多个滤色器的整个上表面上形成第二缓冲层，在所述第二缓冲层上形成触摸电极，以及形成覆盖所述触摸电极的整个上表面的触摸保护层。
所述黑矩阵、多个滤色器以及触摸传感器的形成可以包括在所述载体玻璃基板上形成触摸电极并形成覆盖所述触摸电极的整个上表面的触摸保护层，在所述触摸保护层上形成所述黑矩阵以限定多个开口区域，形成所述多个滤色器以填充所述多个开口区域，以及在所述多个滤色器的整个上表面上形成第二缓冲层。
所述制造方法还可以包括在所述有机发光元件上形成封装层，以及在形成所述封装层之后蚀刻所述载体玻璃基板的下表面以减小所述载体玻璃基板的厚度。
在通过蚀刻所述载体玻璃基板的下表面进行蚀刻之后，所述载体玻璃基板的厚度可以从400μm到800μm减小到30μm到200μm。
所述制造方法还可以包括形成开口图案或凹形图案，该开口图案或凹形图案形成为从所述载体玻璃基板的下表面向内凹入。
所述制造方法还可以包括通过在所述载体玻璃基板上涂覆聚酰亚胺来形成透明柔性膜，在形成所述封装层之后剥离所述载体玻璃基板，以及在所述透明柔性膜的下表面上放置透明保护膜。
尽管已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式来实施。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于说明性目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附的权利要求来解释，并且在其等同范围内的所有技术概念应当被解释为包括在本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月27日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2019-0176211的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

Claims (23)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
透明基底构件；
触摸传感器，所述触摸传感器包括设置在所述透明基底构件上方的触摸电极和覆盖所述触摸电极的触摸保护层；
黑矩阵，所述黑矩阵设置在所述触摸传感器的下方或上方并限定多个开口区域；
多个滤色器，所述多个滤色器设置在与所述黑矩阵相同的平面上并对应于所述多个开口区域；
第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述触摸传感器和所述多个滤色器中的靠上一者的上方；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述第一缓冲层上方；以及
有机发光元件，所述有机发光元件设置在所述薄膜晶体管上方并与所述多个开口区域对应。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一缓冲层是选自包含硅氮化物SiNx、硅氧化物SiOx和铝氧化物AlOx的组的单层或多层。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述黑矩阵和所述多个滤色器设置在所述触摸传感器的下方，所述第一缓冲层设置在所述触摸传感器上，并且
还提供设置在所述多个滤色器和所述触摸传感器之间以使所述多个滤色器的上部平坦化的第二缓冲层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述第二缓冲层由具有阻隔性能的无机材料形成。
5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述触摸电极设置在所述第二缓冲层上以与所述第二缓冲层直接接触。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述黑矩阵和所述多个滤色器设置在所述触摸传感器上。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，还提供设置在所述多个滤色器上以使所述多个滤色器的上部平坦化的第二缓冲层，并且
所述第一缓冲层设置在所述第二缓冲层和所述薄膜晶体管之间。
8.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述黑矩阵设置在所述触摸保护层上以与所述触摸保护层直接接触。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
设置在所述有机发光元件上的封装层；和
设置在所述封装层上的盖基底构件。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述透明基底构件是玻璃基板。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述玻璃基板的厚度是30μm至200μm。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示装置，其中，所述玻璃基板包括面向所述有机发光元件的内表面和与所述内表面相对的外表面，并且所述玻璃基板包括从所述外表面向内形成的开口图案或凹形图案，以允许所述有机发光显示装置可折叠或可弯曲。
13.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中，所述黑矩阵和所述触摸电极中的任一个设置在所述玻璃基板上以与所述玻璃基板直接接触。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述透明基底构件是由聚酰亚胺形成的透明柔性膜，并且还提供附着到所述透明柔性膜的下部的透明保护膜。
15.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述有机发光显示装置是底部发光型，其中从所述有机发光元件发射的光被发射到所述透明基底构件。
16.一种有机发光显示装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
在载体玻璃基板上方形成黑矩阵、多个滤色器和触摸传感器；
在所述多个滤色器和所述触摸传感器上方形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上方形成薄膜晶体管；
形成覆盖所述薄膜晶体管的平坦化层；
在所述平坦化层上方形成包括阳极、有机发光层和阴极的有机发光元件；以及
在所述有机发光元件上方形成封装层。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述黑矩阵、所述多个滤色器和所述触摸传感器的形成包括：
在所述载体玻璃基板上形成所述黑矩阵以限定多个开口区域；
形成所述多个滤色器以填充所述多个开口区域；
在所述多个滤色器的整个上表面上形成第二缓冲层；以及
在所述第二缓冲层上形成触摸电极并形成覆盖所述触摸电极的整个上表面的触摸保护层。
18.根据权利要求16所述的制造方法，其中，所述黑矩阵、所述多个滤色器以及所述触摸传感器的形成包括：
在所述载体玻璃基板上形成触摸电极并形成覆盖所述触摸电极的整个上表面的触摸保护层；
在所述触摸保护层上形成所述黑矩阵以限定多个开口区域；以及
形成所述多个滤色器以填充所述多个开口区域。
19.根据权利要求16所述的制造方法，所述黑矩阵、所述多个滤色器以及所述触摸传感器的形成还包括：
在所述多个滤色器的整个上表面上形成第二缓冲层。
20.根据权利要求16所述的制造方法，所述制造方法还包括：
在所述有机发光元件上形成封装层；以及
在形成所述封装层之后蚀刻所述载体玻璃基板的下表面以减小所述载体玻璃基板的厚度。
21.根据权利要求20所述的制造方法，其中，在通过蚀刻所述载体玻璃基板的下表面进行蚀刻之后，所述载体玻璃基板的厚度从400μm到800μm减小到30μm到200μm。
22.根据权利要求20所述的制造方法，所述制造方法还包括：
形成开口图案或凹形图案，所述开口图案或凹形图案形成为从所述载体玻璃基板的下表面向内凹入。
23.根据权利要求16所述的制造方法，所述制造方法还包括：
通过在所述载体玻璃基板上涂覆聚酰亚胺来形成透明柔性膜；
在形成所述封装层之后剥离所述载体玻璃基板；以及
在所述透明柔性膜的下表面上放置透明保护膜。
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