TWI829379B - 大面積監視設備 - Google Patents
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- TWI829379B TWI829379B TW111138037A TW111138037A TWI829379B TW I829379 B TWI829379 B TW I829379B TW 111138037 A TW111138037 A TW 111138037A TW 111138037 A TW111138037 A TW 111138037A TW I829379 B TWI829379 B TW I829379B
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title description 7
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 claims abstract description 109
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 claims 1
- -1 oxide Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2007—Holding mechanisms
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/06—Thermal details
- H05K2201/068—Thermal details wherein the coefficient of thermal expansion is important
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10151—Sensor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
Abstract
揭露一種大面積監視裝置,用於輕易地診斷在半導體製程或顯示器製程中的設備的性能。監視裝置包括一保護層,一個配置保護層的內部空間中的基板,及至少一個配置於基板上的電性元件。於此,電性元件包括一個或多個感測器,監視裝置藉由測量一個位於監視裝置外部的待監視的物體的溫度、斜度、光、振動、電壓、電流、功率或壓力,及一段在此物體與另一元件之間的距離的至少一者來監視此物體,一凹版結構或一壓花結構形成於基板,具有不同於基板的特徵的材料被填補在凹版結構中,或者壓花結構是由具有不同於基板的特徵的材料所組成。
Description
本揭露內容是有關於一種用於測量大面積的監視裝置。
半導體及顯示器已朝大型的趨勢發展。當製造半導體或顯示器時,重要的是保持半導體設備或顯示器設備的製程均勻性,以便減少缺陷。應該在每個製程中確保半導體設備或顯示器設備的製程均勻性,但因為無數次重複溫度的升降、射頻(RF)功率的開與關、壓力的升降等等,所以半導體設備或顯示器設備的性能可能會隨著時間的推移而改變。
在半導體設備或顯示器設備中所產生的製程的變化導致晶圓或玻璃基板的缺陷。然而,目前是不存在有一種用於正確地監視製程的變化的技術。
本揭露內容提供一種大面積監視裝置,用於輕易地診斷半導體製程或顯示器製程中的設備的性能。
依據本揭露內容的一實施例的一種監視裝置包括:一保護層;一基板,配置在保護層的一內部空間中;及至少一電性元件,配置在基板上。於此,電性元件包括一個或多個感測器,監視裝置藉由測量一個位於監視裝置外部的待監視的物體的溫度、斜度、光、振動、電壓、電流、功率或壓力,及一段在此物體與另一元件之間的距離的至少一者來監視此
物體,一凹版結構或一壓花結構形成於基板,具有不同於基板的特徵的材料被填補在凹版結構中,或者壓花結構是由具有不同於基板的特徵的材料所組成。
依據本揭露內容的另一實施例的一種監視裝置包括:一保護層;一基板,配置在保護層的一內部空間中;及至少一電性元件,配置在基板上。於此,電性元件包括一個或多個感測器,監視裝置藉由測量一個位於監視裝置外部的待監視的物體的溫度、斜度、光、振動、電壓、電流、功率或壓力,及一段在此物體與另一元件之間的距離的至少一者來監視此物體,一凹版結構或一壓花結構形成於保護層,具有不同於保護層的特徵的材料被填補在凹版結構中,或壓花結構是由具有不同於保護層的特徵的材料所組成。
依據本揭露內容的又另一實施例的一種監視裝置包括:一保護層;一基板,配置在保護層的一內部空間中;及至少一電性元件,配置在基板上;及一構件,配置在保護層外部,且配置成和保護層一起雙重保護電性元件。於此,電性元件包括一個或多個感測器,與監視裝置藉由測量一個位於監視裝置外部的待監視的物體的溫度、斜度、光、振動、電壓、電流、功率或壓力,及一段在此物體與另一元件之間的距離的至少一者來監視此物體。
本揭露內容的一種監視裝置可藉由形成凹版結構或壓花結構於一印刷電路板或一保護層上來提高其平整度。因此,一個配置在印刷電路板上的溫度感測器可能位於接近一個待監視的物體,藉由補償配置在印刷電路板上的一振動感測器及一位移感測器的水平度來提高測量精度,避免物體的一軸線方向與一個配置在印刷電路板上的RF感測器的不對準,提高一個配置在印刷電路板上的光學感測器的光量的接收靈敏度,並
提高一個配置在印刷電路板上的無線通訊裝置的傳送/接收靈敏度。
此外,本揭露內容可藉由避免軸線和機器人的不對準自動轉移到監視裝置,來避免監視裝置或半導體設備的毀損。
100:監視裝置
110:腔室
112:靜電夾頭
113:噴灑頭
201:保護層
202:凹版結構
203:壓花結構
204:電磁波阻擋層
205:印刷電路板
206:凹版結構
207:壓花結構
208:構件
209:囊
210:微處理器
211:無線通訊裝置
212:無線充電裝置
213:電源供應裝置
214:感測器
310:機器人
401:壓應力
402:抗拉強度
本揭露內容的實施示範例將參考附圖藉由詳細說明本揭露內容的實施示範例而變成更顯清楚,其中:第1圖為顯示依據本揭露內容的一實施例的在腔室中的監視裝置的視圖;第2圖為顯示依據本揭露內容的一實施例的配置於靜電夾頭上的監視裝置的視圖;第3圖為顯示依據本揭露內容的一實施例的監視裝置的視圖;第4圖至第9圖為顯示依據本揭露內容的另一實施例的監視裝置的視圖;第10圖為顯示在大面積測量系統中發生的問題的視圖;第11圖為顯示用於降低抗拉強度及壓應力的凹版結構或壓花結構的視圖;第12圖為顯示在大面積測量裝置中產生的抗拉強度或壓應力的視圖;第13圖為顯示當機器人移動時,由於應力導致的誤差的例子的視圖;及第14圖至第16圖為顯示由於抗拉強度的測量精度的降低的視圖。
在本發明說明書中,除非在上下文中具有明顯不同的含義,
否則以單數形式使用的表達包括複數形式。在本發明說明書中,諸如“包括”或“包括”等用語不應被解釋為意味著必須包括所有元件或操作。亦即,一些元件或操作可能不被包括在內,而其他額外的元件或操作可能會被進一步包括在內。又,在本說明書中使用的諸如“單元”、“模組”等用語可以指代用於處理至少一種功能或操作的部分並且可以實現為硬體、軟體或者硬體和軟體的組合。
本揭露內容關於一種監視裝置,用於有效地診斷一個具有大面積的待監視的物體,且監視裝置可監視例如使用於半導體製程或顯示器製程的靜電夾頭的異常。
舉例而言,監視裝置可測量靜電夾頭的溫度、靜電力或斜度。
舉另一例而言,監視裝置可測量半導體設備或顯示裝置的內部振動或一段在噴灑頭與靜電夾頭之間的距離。舉例而言,當藉由使用晶舟盒而運送晶圓時,監視裝置可監視晶圓的振動。
關於又另一例子,監視裝置可測量施加至半導體設備或顯示裝置的電壓、電流或功率,或測量半導體腔室或顯示器腔室中的電漿的光量。
於一實施例中,監視裝置具有一種用於有效地監視大面積的結構。更明確而言,監視裝置可藉由形成凹版結構或壓花結構來補償抗拉強度、壓應力或熱應力,並配置一印刷電路板的一微處理器、一無線通訊裝置、一無線充電裝置、一感測器等。因此,可有效地保護例如無線通訊裝置等的電性元件,且可使設備的污染最小化。
以下將參考附圖詳細說明本揭露內容的各種實施例。
第1圖為顯示依據本揭露內容的一實施例的在腔室中的監視裝置的視圖,及第2圖為顯示依據本揭露內容的一實施例的配置於靜電
夾頭上的監視裝置的視圖。第3圖為顯示依據本揭露內容的一實施例的監視裝置的視圖,且第4圖至第9圖為顯示依據本揭露內容的另一實施例的監視裝置的視圖。第10圖為顯示在大面積測量系統中發生的問題的視圖,第11圖為顯示用於降低抗拉強度及壓應力的凹版結構或壓花結構的視圖,及第12圖為顯示在大面積測量裝置中產生的抗拉強度或壓應力的視圖。第13圖為顯示當機器人移動時,由於應力導致的誤差的一例子的視圖,及第14圖至第16圖為顯示由於抗拉強度的測量精度的降低的視圖。
在第1圖中,一靜電夾頭112形成於一腔室110中的一內下部,用於執行一電漿製程,且一監視裝置100可配置在靜電夾頭112的一上表面上。
監視裝置100可在實際製程的半導體製程或顯示器製程中開始之前檢查靜電夾頭112的異常,在靜電夾頭112正常時可移除監視裝置100,然後開始實際製程。舉例而言,在移除監視裝置100之後,可將一個供蒸鍍製程、蝕刻製程、植入製程或光刻製程用的晶圓配置在靜電夾頭112上。
在另一實施例中,監視裝置100可測量一段在靜電夾頭112與一噴灑頭113之間的距離。
在又另一實施例中,監視裝置100可測量腔室110中的RF電壓、電流或功率。
在又另一實施例中,監視裝置100可測量腔室110中的振動。
在又另一實施例中,監視裝置100可光學地測量腔室110中的電漿的特徵。
以下,將詳細說明當藉由使用監視裝置100測量大面積物體時的問題及解決此問題的方法。
如第12圖所示,依據監視裝置的材料的特徵,監視裝置的一基板可能由於一壓應力401及一抗拉強度402而受到彎曲。如第10圖所示,基板的這種彎曲導致監視裝置中的一個感測器214的不對準,所以可能使感測器214的測量精度、一無線通訊裝置211的性能或用於對電源供應裝置213進行充電的無線充電裝置212的性能劣化。
此外,如第14圖所示,感測器214由於基板的彎曲而在位置上無法接近靜電夾頭112,從而可能降低溫度的測量精度。
再者,當測量一段在靜電夾頭112與噴灑頭113之間的距離時,感測器214的一軸線可能不對準而降低測量精度。
此外,如第15圖所示,射頻(RF)功率的一放射方向及感測器214的一接收方向可能不對準,而降低RF電壓、電流或功率的測量精度。
另一方面,如第13圖所示,當機器人310運送監視裝置時,監視裝置可能受到彎曲,而導致監視裝置的故障或破壞監視裝置。
為了解決上述問題,監視裝置100可具有一種可避免其彎曲的結構。
更明確而言,本揭露內容的監視裝置100可包括一印刷電路板205,及配置在印刷電路板205上的至少一微處理器210、一無線通訊裝置211、一無線充電裝置212、一電源供應裝置213及至少一感測器214。亦即,在印刷電路板205上可配置有複數個電性元件。
於一實施例中,印刷電路板205與此些電性元件可配置在一保護層201中,且印刷電路板205與此些電性元件可由保護層201中的一電磁波阻擋層204所覆蓋。因此,電磁波阻擋層204可形成於上面配置有電性元件的印刷電路板205上或下方。
保護層201可阻擋從監視裝置100輸出的污染物,避免監視
裝置100的性能及品質由於例如熱、濕氣等的外部因素產生惡化,並藉由在結構上增強監視裝置100的硬度以避免衝擊及刮傷。
再者,保護層201可依據測量的環境,藉由通過一種加工製程或一種化學拋光來調整其表面的平整度及粗糙度,來補償監視裝置100的測量精度。
監視裝置100可具有一種用於避免其彎曲或改善其平整度的結構。
於第3圖中,一凹版結構202可形成於印刷電路板205,且具有與印刷電路板205相對抗的應力的材料可填補在凹版結構202中,用於補償印刷電路板205的應力,且如此可改善印刷電路板205的平整度。
舉例而言,因為印刷電路板205的抗拉強度會隨著印刷電路板205的溫度增加而降低,所以可藉由用於提高凹版結構202中的抗拉強度的材料填補來改善印刷電路板205的平整度。
於一實施例中,在凹版結構202中可填補具有高於印刷電路板205的熱導性的例如包括銅、鋁、銀或金等的金屬、矽、碳化矽或氧化物的材料,藉以提高印刷電路板205的抗拉強度。
在另一實施例中,如第4圖所示,一種由具有不同於印刷電路板205的熱傳導係數(熱膨脹係數)的材料所組成的壓花結構203可形成於印刷電路板205,藉以提高印刷電路板205的抗拉強度以改善印刷電路板205的平整度。
在又另一實施例中,如第5圖所示,一凹版結構206可形成於保護層201,且可將具有與保護層201相對抗的應力的材料填補在凹版結構206中,藉以改善保護層201的平整度。舉例而言,因為氧化物具有低抗拉強度,所以如果保護層201是由一種氧化物所組成,則可將一種用於
提高抗拉強度的氮化物填補在凹版結構206中以補償應力。
在又另一實施例中,藉由形成一種由具有與保護層201不同的熱傳導係數(熱膨脹係數)的材料所組成的壓花結構207到達保護層201,而改善縱橫比應力(aspect ratio),如第6圖所示。
在又另一實施例中,如第7圖與第8圖所示,一種用於保護電性元件免受外環境影響的構件208可形成於至少局部的保護層201上。因此,監視裝置100中的電性元件可受到雙重保護免受外環境影響。舉例而言,監視裝置100可受到保護免受一種注入至半導體設備或顯示裝置中的製程氣體及電漿的影響。
舉例而言,構件208可由具有類似於矽的熱導性的材料所組成,藉以提高溫度的測量精度。
舉另一例而言,當監視裝置100在高溫氣氛下監視物體時,構件208可由具有低熱導性的材料所組成,藉以保護易受熱影響的電性元件。
在又另一實施例中,如第9圖所示,一囊(pocket)209可形成於構件208中,藉以保護易受特定環境影響的電性元件。
舉例而言,當監視裝置100在高溫環境下進行監視時,囊209可以具有低熱導性的材料填補,用於保護易受高溫影響的電性元件。
舉另一例而言,囊209可以利用彈性材料填補,用於保護易受振動影響的電性元件。
另一方面,電磁波阻擋層204可覆蓋此些電性元件,用於防止電磁波傳播到保護層201中的電性元件。電磁波阻擋層204可能位於印刷電路板205的一上表面及一下表面的一個或多個上。
於一實施例中,電磁波阻擋層204可藉由使用濺鍍金屬
(鎳、銀、金等等)、液態金屬、金屬噴塗法、電磁波阻隔薄膜、網式電磁波阻隔薄膜而形成。
此外,使用多層的印刷電路板,多層的印刷電路板的一最上層及一最低層是由用於一配線的材料(銅、銀、金等等)所組成,其目的是用於使用最上層及最低層作為電磁波阻擋層204。
此外,電磁波阻擋層204可由例如銅、鎳、鋁、金、銀等或合金的金屬所組成。電磁波阻擋層204可通過噴灑塗佈而形成,形成有一種由材料所構成的薄膜帶,由液態金屬所組成,通過濺鍍製程而形成或形成有一種由此材料所構成的薄板。於此,薄板的一前表面可能被阻擋或薄板可能形成為一種網格型式。
在另一實施例中,對應於電磁波阻擋層204的無線通訊裝置211的一部分可被開啟。這是為了平穩地執行無線通訊。另一方面,對應於電磁波阻擋層204的一電性感測器的一部分亦可被開啟。
可以作為監視裝置100的一表面層的功能的保護層201與構件208,是可由可注入一腔室中的材料所組成,上述材料譬如是矽基材料、氧化物基材料、陶瓷材料、工程塑膠或鐵氟龍等。
微處理器210可形成於印刷電路板205上或下方,並控制無線通訊裝置211、無線充電裝置212或至少一感測器214的運作。
舉例而言,微處理器210可收集感測器214所感測的資料並通過無線通訊裝置211傳輸所收集的資料至一外部裝置(未顯示)。
舉另一例而言,微處理器210可通過無線通訊裝置211接收由使用者設定的使用者設定資訊,並依據所接收的使用者設定資訊控制數個電性元件。
於一實施例中,可使用除了一配線的數個印跡(footprints)或
印刷電路板205的數個元件以外的每個區域作為一接地平面,從而使監視裝置100可具有優越的降噪。此外,可使用接地平面作為電磁波阻擋層204。
無線通訊裝置211與外部裝置進行無線通信,且可配置在印刷電路板205上。無線通訊裝置211可將包括由感測器214感測到的溫度資訊、斜度資訊、振動資訊或電性資訊等的感測資料傳輸至外部裝置。於此,外部裝置可分析所傳輸的感測資料,並通過分析來判定靜電夾頭112的異常。
無線充電裝置212可對嵌入印刷電路板205中的電源供應裝置213進行無線充電。
感測器214可形成於印刷電路板205上,並測量靜電夾頭112的溫度、斜度或振動、從電漿所產生的電壓及電流、電漿的光學波長、一段在一個半導體設備中的一上部電極及一下部電極之間的距離、或靜電力的DC電壓及電流。可使用一溫度感測器作為感測器214來測量溫度,可使用一陀螺儀來測量一斜度,且可使用一振動感測器來測量振動。可使用一電容器及一電感器等當作感測器214來測量電壓及電流,可使用一電性感測器來測量一電性信號,可使用一光學感測器來測量光的波長,且可使用一位移感測器來測量在電極之間的距離。
簡言之,本揭露內容的監視裝置100是配置在靜電夾頭112上,且可藉由測量靜電夾頭112的溫度、斜度、振動、電壓或電流或在電極之間的距離來監視靜電夾頭112的異常。再者,監視裝置100可監視施加至半導體腔室或顯示器腔室的RF電壓、電流或功率或者腔室中的電漿的光波長。
監視裝置100可藉由在檢查到靜電夾頭112或腔室110是不正常時採取適當的動作來避免巨大損失。特別地,如果未保留供靜電夾頭
112用的預定參數,則必須丟棄接受到一製程的每個晶圓,這是因為用於固定晶圓的靜電夾頭112會對製程產生影響。如果未保留供腔室110用的預定參數,則必須丟棄接受到一製程的每個晶圓,因為用於執行製造晶圓的製程的空間的腔室110會對製程產生影響。監視裝置100可藉由預先診斷這些問題來避免巨大的損失。
監視裝置100藉由控制抗拉強度及抗壓強度而具有改善的平整度,從而讓使用者可藉由使用腔室110中的一機器人,在不需要打開腔室110的情況下,將監視裝置100置放在靜電夾頭112上,並藉由使用監視裝置100來監視靜電夾頭112。如果監視裝置100的平整度低,則如第13圖所示,當機器人傳送監視裝置100時,監視裝置100可受到彎曲,所以監視裝置100無法通過一入口。因此,無法將監視裝置100正常地配置在靜電夾頭112上。
可依據一測量因子、一測量方法或一測量環境而適當地調整監視裝置100的平整度。
另一方面,監視裝置100測量靜電夾頭112、半導體腔室或顯示器腔室的異常。然而,監視裝置100可監視在一光刻製程中的一烘烤夾頭的溫度、斜度或振動,在一植入設備中的一夾頭的溫度、斜度、電壓或振動,或在一沉積製程等等中的一高溫夾頭的溫度。監視裝置100可遠距離測量高溫夾頭。
監視裝置100可測量使用於曝光製程的光罩的溫度、振動或斜度。於此,如上所說明的,監視裝置100可具有與監視裝置100相同的結構。
在另一實施例中,監視裝置100無法與靜電夾頭112實體上接觸。監視裝置100可監視高溫夾頭的溫度,而不需要在其位於高溫夾頭
的一頂升銷上時與高溫夾頭接觸,用於診斷沉積製程中的高溫夾頭。
此外,監視裝置100可包括用於感測光的光學感測器或用於測量電性因子的電性感測器,用於監視待測量的物體。於此情況下,為了使用光學感測器,監視裝置100可具有如上所說明的結構,但監視裝置100可更包括一個用於接收光的收光感測器,且讓光通過的開孔可形成於監視裝置100上。
再者,為了使用電性感測器,監視裝置100包括電性感測器,其中一個讓電性信號通過的開孔可形成於監視裝置100上。
在又另一實施例中,可更進一步形成一黏著層,以將印刷電路板205黏著至構件208。於此,保護層201可作為黏著層的功能。
在又另一實施例中,可形成一凹版圖案或一壓花圖案,俾能補償垂直地及水平地施加於構件208的應力。於此,此圖案可由用於補償熱膨脹係數的材料(例如熱硬化樹脂、工程塑膠、陶瓷、矽、微線(microwire)等)所組成。
上述實施例中的組件可以很容易地從流程的角度理解。亦即,每個組件也可以理解為一個單獨的流程。同樣地,上述實施例中的流程可以很容易地從組件的角度理解。
本發明的實施例僅用於說明的目的。本領域技術人員將能夠在不脫離本發明的精神和範圍的情況下進行各種修改、更改和添加,但應理解到此類修改、更改和添加是被包括在以下申請專利範圍內。
201:保護層
202:凹版結構
204:電磁波阻擋層
205:印刷電路板
210:微處理器
211:無線通訊裝置
212:無線充電裝置
213:電源供應裝置
214:感測器
Claims (15)
- 一種監視裝置,包括:一保護層;一基板,配置在該保護層的一內部空間中;及至少一電性元件,配置在該基板上,其中該電性元件包括一個或多個感測器,該監視裝置藉由測量一個位於該監視裝置外部的待監視的物體的溫度、斜度、光、振動、電壓、電流、功率或壓力,及一段在該物體與另一元件之間的距離的至少一者來監視該物體,一凹版結構或一壓花結構形成於該基板,具有不同於該基板的特徵的材料是被填補在該凹版結構中,或該壓花結構是由具有不同於該基板的特徵的材料所組成,該凹版結構或該壓花結構形成在使該基板上的該感測器保持在期望的一對準方向並防止該基板彎曲的位置處。
- 如請求項1所述的監視裝置,其中該基板為一印刷電路板,且其中用於補償該基板的一抗拉強度或一壓應力的材料是被填補在該凹版結構中,或該壓花結構是由用於補償該基板的該抗拉強度或該壓應力補償的材料所組成,及藉由補償該抗拉強度或該壓應力而提高該基板的平整度。
- 如請求項1所述的監視裝置,其中不同的該特徵為一熱膨脹係數。
- 如請求項3所述的監視裝置,其中被填補在該凹版結構中的該材料為熱硬化樹脂、工程塑膠、矽、銅、鋁、金或銀,作為具有高於該基板的一熱膨脹係數的材料,或 該壓花結構的該材料為熱硬化樹脂、工程塑膠、矽、銅、鋁、金或銀,作為具有高於該基板的一熱膨脹係數的材料。
- 如請求項1所述的監視裝置,更包括:一電磁波阻擋層,配置成覆蓋該基板與該電性元件,以阻擋從外部輸入的一電磁波,其中該電性元件更包括除該感測器以外的一微處理器、一無線通訊裝置及一無線充電裝置,該微處理器收集由該感測器所測量的資料,並通過該無線通訊裝置將所收集的該資料傳輸至一外部裝置,且該無線充電裝置對該基板中的一電池進行充電。
- 如請求項1所述的監視裝置,其中該保護層是由矽、氧化物、陶瓷或碳所組成。
- 如請求項1所述的監視裝置,更包括:一構件,配置在該保護層外部,其中該構件是由具有與該保護層不同的溫度特徵或熱導性特徵的材料所組成,藉以提高溫度的一測量精度或保護一個易受熱影響的電性元件。
- 如請求項7所述的監視裝置,其中一囊形成於該構件,且具有不同於該構件的熱導性的材料是填補在該囊中,或一彈性材料形成於該囊中。
- 如請求項1所述的監視裝置,其中該物體為一靜電夾頭,且該感測器測量該靜電夾頭的溫度、斜度、電壓、電流或振動。
- 如請求項1所述的監視裝置,其中該基板係為印刷電路板, 且其中一個除了該基板的該電性元件的一配線及印跡以外的區域,是被使用作為一接地平面。
- 如請求項1所述的監視裝置,其中一無線通訊裝置、一收光感測器或一電性感測器是被配置在該基板上,且一開孔形成於一個對應於該保護層的該無線通訊裝置、該收光感測器或該電性感測器的部分上。
- 一種監視裝置,包括:一保護層;一基板,配置在該保護層的一內部空間中;及至少一電性元件,配置在該基板上,其中該電性元件包括一個或多個感測器,該監視裝置藉由測量一個位於該監視裝置外部的待監視的物體的溫度、斜度、光、振動、電壓、電流、功率或壓力,及一段在該物體與另一元件之間的距離的至少一者來監視該物體,一凹版結構或一壓花結構形成於該保護層,具有不同於該保護層的特徵的材料被填補在該凹版結構中,或該壓花結構是由具有不同於該保護層的特徵的材料所組成,該凹版結構或該壓花結構形成在使該基板上的該感測器保持在期望的一對準方向並防止該基板彎曲的位置處。
- 如請求項12所述的監視裝置,其中該基板為一印刷電路板,且其中用於對該保護層的一抗拉強度或一壓應力加以補償的材料被填補在該凹版結構中,或該壓花結構是由用於對該保護層的該抗拉強度或該壓應力加以補償的材料所組成,且 藉由補償該抗拉強度或該壓應力而提高該保護層的一平整度。
- 如請求項12所述的監視裝置,其中填補在該凹版結構中的該材料或該壓花結構的該材料為氮化物,或碳材料或矽,其為具有與該保護層相對抗的應力的材料。
- 如請求項12所述的監視裝置,更包括:一構件,配置在該保護層外部,其中該構件是由具有與該保護層不同的溫度特徵或熱導性特徵的材料所組成,藉以提高溫度的一測量精度或保護一個易受熱影響的電性元件。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0134695 | 2021-10-12 | ||
KR20210134695 | 2021-10-12 | ||
KR1020220055983A KR20230052195A (ko) | 2021-10-12 | 2022-05-06 | 대면적 측정이 가능한 모니터링 기기 |
KR10-2022-0055983 | 2022-05-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202336889A TW202336889A (zh) | 2023-09-16 |
TWI829379B true TWI829379B (zh) | 2024-01-11 |
Family
ID=85988459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111138037A TWI829379B (zh) | 2021-10-12 | 2022-10-06 | 大面積監視設備 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240179833A1 (zh) |
TW (1) | TWI829379B (zh) |
WO (1) | WO2023063657A1 (zh) |
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- 2022-10-06 TW TW111138037A patent/TWI829379B/zh active
- 2022-10-07 WO PCT/KR2022/015134 patent/WO2023063657A1/ko active Application Filing
-
2024
- 2024-02-01 US US18/429,427 patent/US20240179833A1/en active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20240179833A1 (en) | 2024-05-30 |
TW202336889A (zh) | 2023-09-16 |
WO2023063657A1 (ko) | 2023-04-20 |
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