CN113066797B - 阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种阵列基板和显示面板，该阵列基板中的衬底与遮光层之间设有应力缓冲构件，应力缓冲构件用于降低衬底和遮光层的应力。本申请通过在衬底和遮光层之间设置应力缓冲构件，使得应力缓冲构件降低衬底和遮光层的应力，从而避免衬底和遮光层出现翘曲。

Description

阵列基板和显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术

现有显示面板为了提高显示效果，会提高显示面板的分辨率，而随着分辨率的提高，会使得对走线的阻抗的要求较高，因此，现有显示面板的设计中会采用遮光层与数据线连接的走线方式降低数据线的阻抗，但在遮光层的制备过程中，由于金属在生长过程中会出现大量的缺陷，导致遮光层形成过程中产生大量的应力，且在遮光层和衬底的冷却过程中，由于两种材料的热膨胀系数不同，导致出现应力，从而在显示面板中出现遮光层和衬底的翘曲，导致无法进行其他膜层的制备，且随着显示面板的尺寸的增加，会进一步增加衬底的翘曲。

所以，现有显示面板存在制备遮光层和衬底时，遮光层和衬底翘曲导致后续膜层无法制备的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板，用以缓解遮光层和衬底翘曲导致后续膜层无法制备的技术问题。

本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：

衬底；

遮光层，设置于所述衬底的一侧；

缓冲层，设置于所述遮光层远离所述衬底的一侧；

驱动电路层，设置于所述缓冲层远离所述遮光层的一侧；

其中，所述衬底与所述遮光层之间设有应力缓冲构件，所述应力缓冲构件用于降低所述衬底和遮光层的应力。

在一些实施例中，所述遮光层图案化形成有遮光图案，所述应力缓冲构件设置于所述遮光图案与所述衬底之间，且所述应力缓冲构件在所述衬底上的投影面积大于所述遮光层在所述衬底上的投影面积。

在一些实施例中，所述应力缓冲构件与所述遮光图案的接触面为平面。

在一些实施例中，所述应力缓冲构件形成有凸起，所述遮光图案形成有凹槽，所述应力缓冲构件与所述遮光图案通过所述凸起和所述凹槽贴合设置。

在一些实施例中，所述凹槽的深度范围为所述遮光图案的厚度的三分之一至二分之一。

在一些实施例中，所述应力缓冲构件从遮光层对应的遮光区域延伸至发光区域，所述应力缓冲构件的材料包括透明材料。

在一些实施例中，所述应力缓冲构件的材料包括高分子聚合物，所述高分子聚合物的玻璃化转变温度大于25摄氏度。

在一些实施例中，所述应力缓冲构件的材料包括聚醚酮醚酮酮、聚碳酸酯、聚芳醚酮、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二酯中的一种。

在一些实施例中，所述应力缓冲构件的厚度小于或者等于所述遮光层的厚度。

同时，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括上述实施例任一所述的阵列基板。

有益效果：本申请实施例提供一种阵列基板和显示面板，该阵列基板包括衬底、遮光层、缓冲层和驱动电路层，遮光层设置于衬底的一侧，缓冲层设置于遮光层远离衬底的一侧，驱动电路层设置于缓冲层远离遮光层的一侧，其中，衬底与遮光层之间设有应力缓冲构件，应力缓冲构件用于降低衬底和遮光层的应力。本申请实施例通过在衬底和遮光层之间设置应力缓冲构件，使得应力缓冲构件降低衬底和遮光层的应力，从而避免衬底和遮光层出现翘曲。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为现有衬底和铜层翘曲过程的示意图。

图2为本申请实施例提供的阵列基板的一种示意图。

图3为本申请实施例提供的阵列基板的另一种示意图。

图4为本申请实施例提供的阵列基板的又一种示意图。

图5为本申请实施例提供的显示面板的一种示意图。

图6为本申请实施例提供的阵列基板制备方法的流程示意图。

图7为图6中阵列基板制备方法的各个步骤对应的阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

如图1所示，现有显示面板中，会在衬底上设置铜层，使铜层与数据线连接以降低数据线的阻抗。在衬底上形成铜层的步骤如下：如图1中的(a)所示，提供衬底11；然后如图1中的(b)所示，在高温环境(例如200摄氏度)下，在衬底11上形成铜层12；然后如图1中的(c)所示，对衬底11和铜层12进行冷却。

图1中的(b)所示的衬底11和铜层12的形成过程处于高温环境下，图1中的(c)所示的衬底11和铜层12的冷却阶段处于常温环境(例如20摄氏度)下，从图1中的(b)和图1中的(c)可以看出，在衬底11和铜层12的形成过程中，会出现衬底11和铜层12的翘曲。

具体原因如下：铜层在生长过程中会出现大量缺陷，且晶界的存在会导致应力的产生；在高温环境下形成铜层后，铜层和衬底需要冷却，而衬底和铜层的热膨胀系数不同，也会导致应力，在产生的两种应力的作用下，导致铜层和衬底出现翘曲，机器在吸附衬底时会出现异常或者破片，导致无法制备后续模块。

即现有显示面板存在制备遮光层和衬底时，遮光层和衬底翘曲导致后续膜层无法制备的技术问题。

本申请实施例针对上述技术问题，提出一种阵列基板和显示面板。

如图2所示，本申请实施例提供的阵列基板包括：

衬底21；

遮光层23，设置于所述衬底21的一侧；

缓冲层24，设置于所述遮光层23远离所述衬底21的一侧；

驱动电路层25，设置于所述缓冲层24远离所述遮光层23的一侧；

其中，所述衬底21与所述遮光层23之间设有应力缓冲构件22，所述应力缓冲构件22用于降低所述衬底21和遮光层23的应力。

本申请实施例通过在衬底和遮光层之间设置应力缓冲构件，应力缓冲层降低衬底和遮光层的应力，避免衬底和遮光层的应力导致衬底和遮光层出现翘曲。

针对遮光层的应力在一些区域出现集中，遮光层的应力会导致遮光层和衬底出现翘曲。在一种实施例中，所述遮光层图案化形成有遮光图案，所述应力缓冲构件设置于遮光图案与衬底之间，且所述应力缓冲构件设置在遮光图案的应力集中区域。通过将应力缓冲构件设置在遮光图案的应力集中区域，使得应力缓冲构件释放遮光图案的应力，避免出现应力导致遮光层和衬底翘曲。

在一种实施例中，所述应力缓冲构件在衬底上的投影面积小于所述遮光层在所述衬底上的投影面积，即在设置应力缓冲构件时，仅需要将应力缓冲构件设置在遮光层的应力集中区域，即可实现释放遮光层的应力。

针对遮光层的应力存在于遮光层各个区域，各个区域的应力会导致遮光层和衬底出现翘曲。基于此，在一种实施例中，所述遮光层图案化形成有遮光图案，所述应力缓冲构件设置于所述遮光图案于所述衬底之间，且所述应力缓冲构件在所述衬底上的投影面积大于或者等于所述遮光层在所述衬底上的投影面积。在设置应力缓冲构件释放遮光层的应力时，使应力缓冲构件在衬底上的投影面积大于或者等于遮光层在衬底上的投影面积，且遮光层在衬底上的投影位于应力缓冲构件在衬底上的投影内，使应力缓冲构件对遮光层的各个区域的应力进行释放。

针对衬底在由高温至室温冷却时也会产生应力，衬底与遮光图案的应力相互作用导致衬底和遮光层翘曲。在一种实施例中，所述应力缓冲构件在所述衬底上的投影面积与衬底的横截面面积相等。即在衬底上设置一层应力缓冲构件，应力缓冲构件位于衬底和遮光层之间，应力缓冲构件的面积与衬底的面积相等，应力缓冲构件能够释放遮光层产生的内应力，同时，应力缓冲构件释放衬底的应力，避免衬底和遮光层之间的应力相互作用，改善衬底和遮光层翘曲的问题。

在一种实施例中，如图2所示，所述应力缓冲构件22与所述衬底21的接触面为平面，所述应力缓冲构件22与遮光图案23(图2中仅示出一个遮光图案，遮光图案与遮光层的标号均为23)的接触面为平面。在通过应力缓冲构件释放衬底和遮光层的应力时，应力缓冲构件与衬底和遮光图案的接触面为平面，应力缓冲构件能够释放衬底和遮光图案的应力，且便于应力缓冲构件的形成。

针对应力缓冲构件与遮光图案的接触面为平面时，虽然不会出现衬底和遮光层的应力相互作用，但遮光图案的各个区域出现内应力不均，遮光层的边缘与中间区域的应力不均出现遮光图案翘曲。基于此，在一种实施例中，如图3所示，所述应力缓冲构件22与所述衬底21的接触面为平面，且所述应力缓冲构件22形成有凸起，所述遮光图案23形成有凹槽，所述应力缓冲构件22与所述遮光图案23通过所述凸起和所述凹槽贴合设置。通过使得应力缓冲构件嵌入至遮光图案内，使得遮光图案的内应力能够经过应力缓冲构件的凸起位置传导至应力缓冲构件，使得应力缓冲构件能够吸收遮光图案的内应力后进行释放，进一步避免遮光图案的内应力导致遮光图案翘曲。

在图3中，以标号301表示应力缓冲构件的凸起与遮光图案的凹槽的结合部位，由于应力缓冲构件的凸起与遮光图案的凹槽贴合，因此，在图3中未示出应力缓冲构件的凸起和遮光图案的凹槽。

在一种实施例中，所述凹槽的深度范围为所述遮光图案的厚度的三分之一至二分之一；在设置遮光图案的凹槽的深度时，以提高遮光图案与应力缓冲构件的接触面积，使得提高应力缓冲构件降低应力的效果为准，同时为了保证遮光层的遮光效果，因此，设置凹槽的深度范围为遮光图案的厚度的三分之一至二分之一，但本申请实施例不限于此，其他适合的凹槽深度也可以作为遮光图案的凹槽深度。

在一种实施例中，如图4所示，所述应力缓冲构件22与所述衬底21的接触面为平面，且所述应力缓冲构件22形成有凹槽，所述遮光图案23形成有凸起，所述应力缓冲构件22与所述遮光图案23通过所述凹槽和所述凸起贴合设置。在应力缓冲构件与遮光图案通过凸起和凹槽连接时，也可以在应力缓冲构件上形成凹槽，在遮光图案上形成凸起；遮光图案嵌入至应力缓冲构件内，使得遮光图案的内应力能够经过凸起位置传导至应力缓冲构件，使得应力缓冲构件能够吸收遮光图案的内应力后进行释放，进一步避免遮光图案的内应力导致遮光图案翘曲。

在图4中，以标号302表示应力缓冲构件的凹槽与遮光图案的凸起的结合部位，由于应力缓冲构件的凹槽与遮光图案的凸起贴合，因此，在图4中未示出应力缓冲构件的凹槽和遮光图案的凸起。

上述实施例中说明了应力缓冲构件的凸起或者凹槽形成在遮光图案的中间区域对应位置的场景，但在本申请其他实施例中，应力缓冲构件的凸起或者凹槽也可以设置在遮光图案的其他区域对应位置，根据遮光图案的应力较大的位置进行相应的设置，以降低遮光图案的内应力。

在一种实施例中，在设置应力缓冲构件的凸起和遮光图案的凹槽时，也可以在应力缓冲构件上设置多个凸起、多个凸起间隔设置，相应的遮光图案设置多个间隔设置的凹槽，凹槽与凸起配合，从而使得应力缓冲构件通过多个凸起嵌入遮光图案，遮光图案通过多个凸起将应力传导至应力缓冲构件，释放遮光图案的应力的同时，避免遮光图案出现应力不均。

其中，在应力缓冲构件上间隔设置多个凸起时，多个凸起的间距为等间距或者非等间距，相应的遮光图案的凹槽为等间距或者非等间距，本申请实施例不限于此，以最大限度降低遮光图案的应力为准设置应力缓冲构件的凸起。

针对应力缓冲构件与衬底的接触面为平面时，虽然不会出现衬底和遮光层的应力相互作用，但衬底的各个区域出现内应力不均，例如衬底的边缘与中间区域的应力不均出现衬底翘曲。基于此，在一种实施例中，所述衬底在与所述应力缓冲构件接触的一侧形成有凹槽，所述应力缓冲构件填充至所述凹槽形成有凸起。通过在衬底上形成凹槽，在应力缓冲构件上形成凸起，使衬底的内应力能够经过应力缓冲构件的凸起位置传导至应力缓冲构件，应力缓冲构件吸收衬底的内应力后释放，以避免衬底的内应力导致衬底翘曲。

在一种实施例中，所述衬底在与所述应力缓冲构件接触的一侧形成有第一凹槽，所述应力缓冲构件填充至所述第一凹槽形成第一凸起，所述应力缓冲构件在与所述遮光图案接触的一侧形成有第二凸起，所述遮光图案设置于所述第二凸起上形成第二凹槽。在应力缓冲构件上设置凸起时，还可以在应力缓冲构件的两侧设置凸起，使应力缓冲构件分别通过第一凸起和第二凸起吸收衬底和遮光图案的应力，避免遮光图案和衬底的内应力不均导致遮光图案和衬底出现翘曲。

在一种实施例中，第一凸起设置于所述衬底的中间区域，第二凸起设置于所述遮光图案的中间区域，所述第一凹槽设置于所述第一凸起对应的区域，所述第二凹槽设置于所述第二凸起对应的区域。在遮光图案设置第一凸起和第二凸起时，衬底和遮光图案的中间区域的应力较大，因此将第一凸起和第二凸起设置于衬底和遮光图案的中间区域，分别通过第一凸起和第二凸起进一步的降低衬底和遮光图案的内应力。

针对应力缓冲构件整面设置时，应力缓冲构件会设置在发光区域，应力缓冲构件可能影响到显示面板的透光性。基于此，在一种实施例中，所述应力缓冲构件从遮光层对应的遮光图案延伸至发光区域，所述应力缓冲构件的材料包括透明材料。通过将应力缓冲构件的材料设置为透明材料，使应力缓冲构件在设置于发光区域时，应力缓冲构件也不会影响到显示面板的透光性。

上述实施例中，对应力缓冲构件整面设置时的材料进行了详细说明。但在本申请其他实施例中，在应力缓冲构件设置于遮光图案对应的区域，或者应力缓冲构件设置于遮光图案对应的区域并延伸出一定长度时，应力缓冲构件的材料可以为透明材料，也可以为遮光材料；此时，由于应力缓冲构件未设置在发光区域，应力缓冲构件采用遮光材料不仅不会影响显示面板的透光性，还可以提高遮光区域的遮光性能。

在一种实施例中，所述应力缓冲构件的材料包括高分子聚合物，所述高分子聚合物的玻璃化转变温度大于25摄氏度；通过选用高分子聚合物形成应力缓冲构件，提高应力缓冲构件的抗冲击强度，使得在应力缓冲构件释放遮光层和衬底的应力时，应力缓冲构件不会出现断裂等问题；同时，高分子聚合物的玻璃化转变温度大于25摄氏度，在高温环境下形成遮光层时，应力缓冲构件的材料性质为高弹态，而材料在高弹态时，高分子链段进行震动从而释放应力，使得应力缓冲构件能够在高温状态释放遮光层的内应力。

在本申请实施例中，当前衬底与铜层为刚性接触，衬底和铜层的热膨胀系数不同导致应力相互作用出现衬底和铜层的翘曲，通过在遮光层和衬底中设置应力缓冲构件，使得遮光层和衬底的应力传导至应力缓冲构件，应力缓冲构件对应力进行释放，改善遮光层和衬底的热膨胀系数不同导致的遮光层和衬底翘曲。

在一种实施例中，所述应力缓冲构件的材料包括聚醚酮醚酮酮、聚碳酸酯、聚芳醚酮、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二酯中的一种；其中，聚醚酮醚酮酮的玻璃化转变温度为175摄氏度、熔点为375摄氏度，聚碳酸酯的玻璃化转变温度为150摄氏度、熔点为267摄氏度，聚芳醚酮的玻璃化转变温度为168摄氏度、熔点为364摄氏度，聚丙烯腈的玻璃化转变温度为85摄氏度、熔点为317摄氏度；从各材料的玻璃化转变温度和熔点可以知道，在高温环境下形成遮光层时，应力缓冲构件不会融化，同时应力缓冲构件为高弹态，而高弹态下应力缓冲构件的高分子链段进行震动，从而释放应力。

本申请实施例采用上述材料形成应力缓冲构件，通过应力缓冲构件对高温环境下遮光层和衬底的内应力进行释放，同时在冷却过程中对遮光层和衬底的应力进行释放，改善衬底和遮光层出现翘曲的问题；但本申请实施例不限于此，其他能够释放应力的材料也可以作为应力缓冲构件的材料。

在一种实施例中，所述应力缓冲构件的材料的平均分子量的范围为5000至10000。

针对阵列基板中设置应力缓冲构件，会导致阵列基板的厚度增加，在一种实施例中，所述应力缓冲构件的厚度小于或者等于所述遮光层的厚度。通过使得应力缓冲构件的厚度小于或者等于遮光层的厚度，避免应力缓冲构件过多的增加阵列基板的厚度，保持显示面板的轻薄。

上述实施例中，针对应力缓冲构件的厚度小于或者等于遮光层的厚度进行了详细说明；但在本申请其他实施例中，为了提高应力缓冲构件释放应力的能力，也可以使得应力缓冲构件的厚度大于遮光层的厚度。

在一种实施例中，所述遮光层的材料包括铜。

如图2所示，所述驱动电路层25包括有源层251、栅极绝缘层252、栅极层253、层间绝缘层254、源漏极层255、钝化层256，所述缓冲层24与所述层间绝缘层254形成有过孔，所述源漏极层255图案化形成有数据线，所述数据线穿过所述过孔与所述遮光层连接。即通过将数据线与遮光层连接，使得数据线的阻抗降低。

在一种实施例中，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物，但本申请实施例不限于此，有源层的材料还可以为低温多晶硅。

在一种实施例中，所述缓冲层的厚度范围为3000埃至5000埃。

同时，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括如上述实施例任一所述的阵列基板。

如图5所示，本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括：

阵列基板，包括衬底21、遮光层23、缓冲层24和驱动电路层25，所述遮光层23设置于所述衬底21的一侧，所述缓冲层24设置于所述遮光层23远离所述衬底21的一侧，所述驱动电路层25设置于所述缓冲层24远离所述遮光层23的一侧，所述驱动电路层25设置于所述缓冲层24远离所述遮光层23的一侧，其中，所述衬底21与所述遮光层23之间设有应力缓冲构件22，所述应力缓冲构件22用于降低所述衬底21和遮光层23的应力；

像素电极层31，设置于所述驱动电路层25远离所述缓冲层24的一侧；

像素定义层33，设置于所述像素电极层31远离所述驱动电路层25的一侧；

发光功能层32，设置于所述像素定义层33远离所述像素电极层31的一侧；

公共电极层34，设置于所述发光功能层42远离所述像素定义层33的一侧；

封装层35，设置于所述公共电极层34远离所述发光功能层32的一侧。

本申请提供的显示面板包括阵列基板，阵列基板在衬底和遮光层之间设置应力缓冲构件，应力缓冲构件降低衬底和遮光层的应力，使得在制备显示面板时，应力缓冲构件对衬底和遮光层的应力进行释放，衬底和遮光层不会出现翘曲，在机器吸附衬底时能够正常进行，使后续的膜层正常形成在衬底和遮光层上，提高显示面板的良率。

上述实施例中，显示面板为OLED((Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板，发光功能层以发光材料作为光源自发光。但在本申请其他实施例中，显示面板也可以为液晶显示面板或者微型发光二极管显示面板。

在显示面板为液晶显示面板时，液晶显示面板还包括彩膜基板以及设置于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶盒，液晶显示面板以背光模组作为光源，通过液晶层的偏转和彩膜基板的滤光进行显示。

在显示面板为微型发光二极管显示面板时，显示面板还包括迷你发光二极管或者微型发光二极管，迷你发光二极管和微型发光二极管设置于微型发光二极管显示面板内。

如图6所示，本申请实施例提供一种阵列基板制备方法，所述阵列基板制备方法包括：

S1、提供衬底；其结构如图7中的(a)所示；

S2、在所述衬底一侧形成应力缓冲构件；其结构如图7中的(a)所示；

S3、在所述应力缓冲构件远离所述衬底的一侧形成遮光层，并图案化所述遮光层形成遮光图案；其结构如图7中的(b)所示；

S4、在所述遮光图案远离所述应力缓冲构件的一侧形成驱动电路层；其结构如图7中的(c)所示。

本申请实施例提供的阵列基板制备方法制备的阵列基板在衬底和遮光层之间设置应力缓冲构件，应力缓冲构件降低衬底和遮光层的应力，使得在制备显示面板时，应力缓冲构件对衬底和遮光层的应力进行释放，衬底和遮光层不会出现翘曲，在机器吸附衬底时能够正常进行，使后续的膜层正常形成在衬底和遮光层上，提高显示面板的良率。

在一种实施例中，在衬底的一侧形成应力缓冲构件时，还可以使应力缓冲构件形成凸起，则在应力缓冲构件上形成遮光层时，遮光层形成凹槽，使得凸起与凹槽配合，进一步降低遮光层的应力。

在一种实施例中，在形成应力缓冲构件时，采用涂布或者压印的方式形成缓冲层；然后在高温环境下形成遮光层，此时应力缓冲构件处于高弹态，高分子链段进行震动释放应力，然后将遮光层和衬底进行冷却，由于应力缓冲构件设置于衬底和遮光层之间，避免衬底和遮光层的热膨胀系数不同导致的衬底和遮光层翘曲。

根据上述实施例可知：

本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、遮光层、缓冲层和驱动电路层，遮光层设置于衬底的一侧，缓冲层设置于遮光层远离衬底的一侧，驱动电路层设置于缓冲层远离遮光层的一侧，其中，衬底与遮光层之间设有应力缓冲构件，应力缓冲构件用于降低衬底和遮光层的应力。本申请实施例通过在衬底和遮光层之间设置应力缓冲构件，使得应力缓冲构件降低衬底和遮光层的应力，从而避免衬底和遮光层出现翘曲。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (6)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底；

遮光层，设置于所述衬底的一侧；

缓冲层，设置于所述遮光层远离所述衬底的一侧；

驱动电路层，设置于所述缓冲层远离所述遮光层的一侧；

其中，所述衬底与所述遮光层之间设有应力缓冲构件，所述应力缓冲构件用于降低所述衬底和遮光层的应力；所述遮光层图案化形成有遮光图案，所述应力缓冲构件设置于所述遮光图案与所述衬底之间，且所述应力缓冲构件在所述衬底上的投影面积大于所述遮光层在所述衬底上的投影面积；所述应力缓冲构件形成有凸起，所述遮光图案形成有凹槽，所述应力缓冲构件与所述遮光图案通过所述凸起和所述凹槽贴合设置；所述应力缓冲构件的材料包括高分子聚合物，所述高分子聚合物的玻璃化转变温度大于25摄氏度。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的深度范围为所述遮光图案的厚度的三分之一至二分之一。

3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述应力缓冲构件从遮光层对应的遮光区域延伸至发光区域，所述应力缓冲构件的材料包括透明材料。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述应力缓冲构件的材料包括聚醚酮醚酮酮、聚碳酸酯、聚芳醚酮、聚丙烯腈、聚对苯二甲酸乙二酯中的一种。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述应力缓冲构件的厚度小于或者等于所述遮光层的厚度。

6.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至5任一所述的阵列基板。

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