CN113066425A - 发光显示器件 - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光显示器件，其中像素电路检测和补偿布置成矩阵的多个子像素中的每个子像素中的驱动晶体管的阈值电压。该发光显示器件包括：阈值电压估计部，阈值电压估计部通过通过数据计数方法估计驱动晶体管的阈值电压来生成阈值电压估计值；参考电压修改部，参考电压修改部通过基于阈值电压估计值修改用于检测阈值电压的参考电压来生成参考电压修改值；图像数据电压修改部，图像数据电压修改部通过将与图像数据对应的数据电压与阈值电压检测值相加来生成图像数据电压修改值；以及累积劣化计算部，累积劣化计算部通过累积数据电压的函数的劣化数据来计算累积劣化。

Description

发光显示器件
对相关申请的交叉引用
本申请要求2019年12月13日在日本专利局提交的日本专利申请第2019-225309号的优先权权益，其全部内容出于所有目的通过引用并入于此，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及发光显示器件，具体地涉及包括驱动晶体管的发光显示器件。
背景技术
近来，需要稳定地显示高品质的图像的发光显示器件。
在相关技术的发光显示器件中，由于子像素中的驱动薄膜晶体管的阈值电压由于劣化而偏移，因此无法获得稳定的高品质的图像显示。
结果，已提出了内部补偿像素电路，该内部补偿像素电路检测驱动晶体管的阈值电压并通过在发光显示器件的子像素中添加检测到的阈值电压来补偿数据电压。
例如，在日本专利公报第2011-242767号中，公开了将电压施加至参考电压线并检测阈值电压的技术。
在韩国专利公报第10-2014-0116702号中，作为另一示例公开了内部补偿像素电路。
然而，在内部补偿像素电路中，当驱动晶体管的阈值电压偏移进行时，流过驱动晶体管的电流在初始检测状态下不足。结果，不能检测阈值电压。
在美国专利第9349317号中，公开了一种数据计数方法，在该数据计数方法中根据图像数据的累积来推测阈值电压的偏移量，并基于该推测值执行补偿。
但是，阈值电压的推测值的准确度比阈值电压的检测值的准确度差。
发明内容
因此，本公开内容的实施方式涉及基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的问题中的一个或更多个问题的显示控制器件、显示器件以及控制显示器件的方法。
本公开内容的目的是提供一种发光显示器件，其中在驱动晶体管的初始检测状态下检测阈值电压，并且基于阈值电压的检测值执行补偿。
附加特征和方面将在随后的描述中阐述，并且部分将从描述中变得明显，或者可以通过实践本文中提供的发明构思来获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过在书面描述或从其衍生出的内容、和其权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现本发明构思的这些和其他方面，如在本文中体现和广泛描述的，一种发光显示器件，其中像素电路检测和补偿布置成矩阵的多个子像素中的每个子像素中的驱动晶体管的阈值电压，该发光显示器件包括：阈值电压估计部，阈值电压估计部通过通过数据计数方法估计驱动晶体管的阈值电压来生成阈值电压估计值；参考电压修改部，参考电压修改部通过基于阈值电压估计值修改用于检测阈值电压的参考电压来生成参考电压修改值；图像数据电压修改部，图像数据电压修改部通过将与图像数据对应的数据电压与阈值电压检测值相加来生成图像数据电压修改值；以及累积劣化计算部，累积劣化计算部通过累积数据电压的函数的劣化数据来计算累积劣化。
在另一个方面中，一种发光显示器件包括：布置成矩阵的多个子像素，该多个子像素中的每个子像素包括具有驱动晶体管的电压补偿像素电路以及由于电压补偿像素电路的控制而发光的发光元件，电压补偿像素电路检测驱动晶体管的阈值电压作为阈值电压检测值以及补偿驱动晶体管的阈值电压；时序控制器，时序控制器基于时序同步信号和数据电流来向连接至多个子像素的数据驱动电路和栅极驱动电路供应控制信号；以及存储部，存储部记住多个子像素中的每个子像素的劣化数据和多个子像素的平均劣化数据中的一者，其中，时序控制器使用通过数据计数方法得到的阈值电压的偏移量的阈值电压估计值来修改参考电压，并且使用阈值电压检测值来修改图像数据电压。
应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对如所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入本申请并构成本申请的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于解释各种原理。在附图中：
图1是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的视图；
图2是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的时序控制器、存储部和子像素的视图；
图3是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的子像素的像素电路图；
图4是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的像素电路的信号的时序图；
图5是示出了根据本公开内容的第二实施方式的发光显示器件的子像素的像素电路图；
图6是示出了根据本公开内容的第二实施方式的发光显示器件的像素电路的信号的时序图；
图7A是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与1V之和(Vref＝Vth+1V)的情况下相对于时间的感测电压的视图；
图7B是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与3V之和(Vref＝Vth+3V)的情况下相对于时间的感测电压的视图；
图8A是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与1V之和(Vref＝Vth+1V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图；
图8B是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与3V之和(Vref＝Vth+3V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图；
图9A是示出了根据比较例的在参考电压为3V(Vref＝3V)的情况下相对于时间的感测电压的视图；
图9B是示出了根据比较例的在参考电压为5V(Vref＝5V)的情况下相对于时间的感测电压的视图；
图10A是示出了根据比较例的在参考电压为3V(Vref＝3V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图；
图10B是示出了根据比较例的在参考电压为5V(Vref＝5V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图；
图11是示出了根据本公开内容的第三实施方式的发光显示器件的时序控制器、存储部和子像素的视图；以及
图12是示出了根据本公开内容的第四实施方式的发光显示器件的时序控制器、存储部和子像素的视图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开内容的实施方式，其示例可以在附图中示出。在以下的描述中，当确定与本文档相关的公知功能或配置的详细描述不必要地使本发明构思的要点模糊时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进度是示例；然而，步骤和/或操作的顺序不限于在本文中阐述的顺序，并且可以按照本领域中已知的方式改变，除了必须以特定顺序发生的步骤和/或操作之外。贯穿全文，相同的附图标记表示相同的元件。在以下说明中使用的各个元件的名称仅是为了方便编写说明书而选择，并且因此可能与实际产品中使用的名称不同。
将通过参照附图描述的以下示例实施方式来阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式体现，并且不应被理解为限于本文中阐述的示例实施方式。而是，提供这些示例实施方式，使得本公开内容可能足够透彻和完整，以帮助本领域技术人员充分理解本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围来限定。
现在将详细地参考本公开内容，其示例在附图中示出。
图1是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的视图。
在图1中，发光显示器件100包括时序控制器110、数据驱动电路120、栅极驱动电路130、存储部140和布置成矩阵的多个子像素200。
时序控制器110基于时序同步信号TSS和数据电流Idata将控制信号输出至数据驱动电路120和栅极驱动电路130。
时序同步信号TSS包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和时钟信号等。
数据驱动电路120基于来自时序控制器110的控制信号将信号输出至第一数据信号线Dl至第n数据信号线Dn以及第一合并信号线MSl至第n合并信号线MSn，将初始电压Vini供应至第一初始电压线Ini1至第n初始电压线Inin，并将参考电压Vref供应至参考电压线Ref。在此，n是自然数。
栅极驱动电路130基于来自时序控制器110的控制信号将信号输出至高电平电压线Vdd、第一扫描信号线(栅极信号线)SS1至第m扫描信号线(栅极信号线)SSm以及第一复位信号线RS1至第m复位信号线RSm。在此，m是自然数。
存储部140记住面板中的至少一个子像素200或所有子像素200的平均劣化数据。
由第一数据信号线Dl至第n数据信号线Dn、第一合并信号线MSl至第n合并信号线MSn、第一初始电压线Ini1至第n初始电压线Inin、参考电压线Ref、参考电压线Ref、高电平电压线Vdd、第一扫描信号线SS1至第m扫描信号线SSm以及第一复位信号线RS1至第m复位信号线RSm限定的多个子像素200被布设为矩阵。
多个子像素200中的每个子像素包括发光元件220和用于使发光元件220发光的像素电路。
发光元件220通过像素电路中的驱动晶体管，根据从高电平电压的电源线Vdd到低电平电压的电源线Vss的电流发光。
图2是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的时序控制器、存储部和子像素的视图。
在图2中，时序控制器110包括子像素参考电压修改部111、子像素阈值电压估计部112、图像数据电压修改部113和子像素累积劣化计算部114。
子像素参考电压修改部111通过将每个子像素200中的参考电压Vref与驱动晶体管的阈值电压估计值Vthe相加来修改参考电压Vref。
子像素阈值电压估计部112通过估计每个子像素200中的驱动晶体管的阈值电压来生成阈值电压估计值Vthe。
子像素阈值电压估计部112基于来自存储部140的子像素劣化数据来估计劣化状态下的阈值电压的偏移量，并基于阈值电压的偏移量来生成阈值电压估计值Vthe。
图像数据电压修改部113通过将基于图像数据的数据电压Vdata与阈值电压检测值Vthd相加来修改图像数据电压。
子像素累积劣化计算部114通过将每个子像素200中的子像素劣化数据与数据电压Vdata的函数f(Vdata)相加来计算子像素的累积劣化。
存储部140包括子像素劣化数据存储部141。
子像素劣化数据存储部141记住每个子像素200的劣化数据。
子像素200包括具有驱动晶体管的电压补偿像素电路210和发光元件220。
电压补偿像素电路210包括阈值电压检测部211和阈值电压补偿部212。
阈值电压检测部211通过检测每个子像素200中的驱动晶体管的阈值电压来生成阈值电压检测值Vthd。
阈值电压补偿部212通过将数据电压Vdata与每个子像素200中的阈值电压检测值Vthd相加来补偿数据电压Vdata。
发光元件220包括连接至每个子像素200中的驱动晶体管的阳极、连接至低电平电压线Vss的阴极以及在阳极与阴极之间的发光层。
发光层包括顺序层叠在阴极与阳极之间的电子注入层、电子传输层、发光材料层、空穴传输层和空穴注入层。
当在阳极与阴极之间施加正向偏压时，来自阴极的电子通过电子注入层和电子传输层被供应至发光材料层，并且来自阳极的空穴通过空穴注入层和空穴传输层被供应至发光材料层。
发光材料层的荧光材料或磷光材料通过电子和空穴的复合而发射亮度与电流密度成比例的光。
当施加反向偏压时，发光元件220用作存储电荷的电容器。
图3是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的子像素的像素电路图。
在图3中，子像素200包括负(N)型薄膜晶体管(TFT)的第一晶体管至第六晶体管301、302、303、304、305和306、第一电容器307和第二电容器308以及发光元件309。
第一晶体管301是参考TFT，第二晶体管302是数据TFT，第三晶体管303是驱动TFT，第四晶体管304是合并TFT，以及第五晶体管305和第六晶体管306是复位TFT。
第一电容器307是存储电容器。
发光元件309与图2的发光元件220对应。
子像素200包括参考电压线Ref、第n数据信号线Dn、第m扫描信号线SSm、第n合并信号线MSn、第m复位信号线RSm、高电平电压线Vdd、低电平电压线Vss和第n初始电压线Inin。
第m复位信号线RSm可以由第(m-1)扫描信号线SSm-1替换。
在初始化时段期间，可以根据第(m-1)扫描信号线SSm-1的信号来切换(接通和关断)第五晶体管305和第六晶体管306。
第n合并信号线MSn将具有相反极性的信号供应至第m扫描信号线SSm的信号。
供应高电平电压的高电平电压线Vdd、供应小于高电平电压的低电平电压的低电平电压线Vss以及供应小于高电平电压且大于低电平电压的参考电压的参考电压线Ref具有固定的电势。
参考电压线Ref可以由低电平电压线Vss替换。
第n初始电压线Inin可以由第(n-1)合并信号线MSn-1替换。
在初始化时段期间，可以通过第(n-1)合并信号线MSn-1供应栅极截止电压Voff。
第n初始电压线Inin的电压小于低电平电压线Vss的电压。
子像素200包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。
第一节点Nl连接至第一晶体管301的源极和漏极中的第一个、第三晶体管303的栅极、第四晶体管304的源极和漏极中的一个以及第五晶体管305的源极和漏极中的一个。
第二节点N2连接至第二晶体管302的源极和漏极中的第二个、第四晶体管304的源极和漏极中的第二个以及第一电容器307的第一电极。
第三节点N3连接至第三晶体管303的源极和漏极中的第一个、第五晶体管305的源极和漏极中的第二个、第六晶体管306的源极和漏极中的第一个、第一电容器307的第二电极、第二电容器308的第一电极以及发光元件309的第一电极。
第一晶体管301的栅极连接至第m扫描信号线SSm，第一晶体管301的源极和漏极中的第一个连接至第一节点Nl，并且第一晶体管301的源极和漏极中的第二个连接至参考电压线Ref。
在编程时段期间，第一晶体管301根据第m扫描信号线SSm的信号将参考电压修改值Vref+Vthe供应至第一节点N1。
通过子像素参考电压修改部111获得参考电压修改值Vref+Vthe。
第二晶体管302的栅极连接至第m扫描信号线SSm，第二晶体管302的源极和漏极中的第一个连接至第n数据信号线Dn，并且第二晶体管302的源极和漏极中的第二个连接至第二节点N2。
在编程时段期间，第二晶体管302根据第m扫描信号线SSm的信号将数据电压修改值Vdata+Vthd供应至第二节点N2。
通过图像数据电压修改部113获得数据电压修改值Vdata+Vthd。
第三晶体管303的栅极连接至第一节点Nl，第三晶体管303的源极和漏极中的第一个连接至第三节点，并且第三晶体管303的源极和漏极中的第二个连接至高电平电压线Vdd。
第三晶体管303根据供应至第一节点Nl的电压来调整从高电平电压线Vdd通过第三节点N3供应至发光元件309的电流，并且驱动发光元件309。
第四晶体管304的栅极连接至第n合并信号线MSn，第四晶体管304的源极和漏极中的第一个连接至第一节点Nl，并且第四晶体管304的源极和漏极中的第二个连接至第二节点N2。
在初始化时段和发光时段期间，第四晶体管304根据第n合并信号线MSn的信号连接第一节点Nl和第二节点N2。
第五晶体管305的栅极连接至第m复位信号线RSm，第五晶体管305的源极和漏极中的第一个连接至第一节点Nl，并且第五晶体管305的源极和漏极中的第二个连接至第三节点N3。
第六晶体管306的栅极连接至第m复位信号线RSm，第六晶体管306的源极和漏极中的第一个连接至第三节点N3，并且第六晶体管306的源极和漏极中的第二个连接至第n初始电压线Inin。
在初始化时段期间，第五晶体管305和第六晶体管306根据第m复位信号线RSm的信号将第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3中的每个调整为具有第n初始电压线Inin的电压。
第一电容器307的第一电极连接至第二节点N2，并且第一电容器307的第二电极连接至第三节点N3。
第二电容器308的第一电极和发光元件309的阳极连接至第三节点，并且第二电容器308的第二电极和发光元件309的阴极连接至低电平电压线Vss。
第二电容器308表示当施加反向偏压时，发光元件309用作电容器。
图4是示出了根据本公开内容的第一实施方式的发光显示器件的像素电路的信号的时序图。
在图4中，在初始化时段、编程时段和发光时段期间，像素电路被顺序地驱动。
在初始化时段期间，由于第四晶体管304、第五晶体管305和第六晶体管306的有源驱动，第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3中的每个具有初始电压Vini。
在编程时间段期间，由于第一晶体管301、第二晶体管302和第三晶体管303的有源驱动，第三晶体管303的阈值电压被检测并且与数据电压补偿值Vdata+Vthd对应的电压被存储至第一电容器307。
在发光时段期间，由于第三晶体管303和第四晶体管304的有源驱动，发光元件309通过第三晶体管303、根据从第一电容器307供应的电压发光。
<初始化时段>
复位信号的栅极导通电压Von被供应至第m复位信号线RSm，合并信号的栅极导通电压Von被供应至第n合并信号线MSn，且扫描信号的栅极截止电压Voff被供应至第m扫描信号线SSm。
结果，根据栅极导通电压Von，第四晶体管304、第五晶体管305和第六晶体管306具有导通状态。
第一晶体管301和第二晶体管302根据栅极截止电压Voff具有截止状态，并且第三晶体管303根据供应至第一节点Nl的第n初始电压线Inin的电压具有截止状态。
结果，第n初始电压线Inin的电压通过导通状态的第四晶体管304、第五晶体管305和第六晶体管306被供应至第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3，并且第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3被初始化为具有第n初始电压线Inin的电压。
小于低电平电压线Vss的电压的电压被供应作为第n初始电压线Inin的电压。
例如，当第(n-1)合并信号线MSn-1被用作初始电压线Inin时，第(n-1)合并信号线MSn-1的栅极截止电压Voff可以被供应作为第n初始电压线Inin的电压。
结果，小于低电平电压线Vss的电压的第n初始电压线Inin的电压被供应至第三节点N3，发光元件309由于反向偏压而不发光，并且电荷在第二电容器308和发光元件309中累积。
在初始化时段期间，可以将供应栅极导通电压Von的第(m-1)扫描信号线SSm-1用作第m复位信号线RSm。
第m复位信号线RSm的复位信号的有效时段(在该有效时段中栅极导通电压Von被供应至第m复位信号线RSm以防止发光元件309的发光)被确定为在初始电压为低状态的初始化时段中的相对短的时间间隔。
第(m-1)扫描信号线SSm-1的扫描信号的有效时段(在有效时段中栅极导通电压Von被供应至第(m-1)扫描信号线SSm-1)被确定在第(n-1)合并信号线MSn-1的合并信号的无效时段(在该无效时段中栅极截止电压Voff被供应至第(n-1)合并信号线MSn-1)中，使得第(m-1)扫描信号线SSm-1的扫描信号的有效时段比第(n-1)合并信号线MSn-1的合并信号的无效时段短。
<编程时段>
在编程时段期间，由于第一晶体管301、第二晶体管302和第三晶体管303具有导通状态，并且发光元件309用作第二电容器308，因此检测到第三晶体管303的阈值电压。
同时，与数据电压补偿值Vdata+Vthd对应的电压被存储在第一电容器307中。
扫描信号的栅极导通电压Von被供应至第m扫描信号线SSm，合并信号的栅极截止电压Voff被供应至第n合并信号线MSn，并且复位信号的栅极截止电压Voff被供应至第m复位信号线RSm。
结果，第一晶体管和第二晶体管根据栅极导通电压Von具有导通状态，第三晶体管303根据供应至第一节点N1的参考电压修改值Vref+Vthe具有导通状态，直到源极漏极电流充分减小，并且第四晶体管304、第五晶体管305和第六晶体管306根据栅极截止电压Voff具有截止状态。
当通过导通状态的第二晶体管302供应数据电压修改值Vdata+Vthd时，第二节点N2的电压从第n初始电压线Inin的栅极截止电压Voff改变为数据电压修改值Vdata+Vthd，并且第三节点N3的电压也与第二节点N2的电压变化成比例地改变。
在此，由于第三节点N3的电压小于低电平电压线Vss的低电平电压，因此，由于反向偏压的施加，发光元件309用作第二电容器308。
电荷通过第三晶体管303在作为第二电容器308的发光元件309中累积，直到第三节点N3的电势变成通过从参考电压线的电压Vref减去第三晶体管303的阈值电压而获得的电压为止，即，直到第三晶体管303的源极漏极电流Ids充分减小为止。
结果，可以在第三节点N3处检测通过从参考电压减去阈值电压即，第三晶体管303的阈值电压而获得的电压。
具体地，由于使用发光元件309作为第二电容器308来检测阈值电压，因此甚至可以精确地检测到负值的阈值电压。
因此，由于第一电容器307存储通过导通状态的第二晶体管302供应的数据电压Vdata与施加至第三节点N3的电压的差，因此第一电容器307记住与数据电压补偿值对应的电压。
供应至第m扫描信号线SSm的扫描信号的有效时段被确定为比第n合并信号线MSn的合并信号的无效时段短。
在编程时段期间，供应至第(m-1)扫描信号线SSm-1的扫描信号可以用作第m复位信号线RSm的复位信号。
<发光时段>
在发光时段期间，第四晶体管304具有导通状态，并且发光元件309通过第三晶体管303，根据第一电容器307的电压发光。
合并信号的栅极导通电压Von被供应至第n合并信号线MSn，复位信号的栅极截止电压被供应至第m复位信号线RSm，并且扫描信号的栅极截止电压被供应至第m扫描信号线SSm。
结果，第四晶体管304根据栅极导通电压Von而具有导通状态，使得第一节点Nl和第二节点N2彼此连接，并且第一晶体管301、第二晶体管302、第五晶体管305和第六晶体管306根据栅极截止电压Voff具有截止状态。
第三晶体管303根据通过第四晶体管304供应至第一节点Nl的第一电容器307的电压来调整从高电平电压线Vdd供应至发光元件309的输出电流Ids，使得发光元件309发光。
发光元件309发光亮度与第三晶体管303的输出电流Ids的电流密度成比例的光。
尽管在第一实施方式中像素电路包括N型TFT，但是本公开内容不限于此，并且在另一实施方式中像素电路可以包括正型TFT。
图5是示出了根据本公开内容的第二实施方式的发光显示器件的子像素的像素电路图。
在图5中，子像素200包括正(P)型TFT的第一晶体管至第四晶体管401、402、403和404、第一电容器405和第二电容器406以及发光元件407。
第三晶体管403是驱动TFT。
发光元件407与图2的发光元件220对应。
子像素200包括第n数据信号线Dn、第m扫描信号线SSm、代替图3的第n合并信号线MSn的第n发光信号线EMn、高电平电压线Vdd、低电平电压线Vss和初始电压线Inin。
子像素200包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。
第一节点N1连接至第一晶体管401的源极和漏极中的第一个、第二晶体管402的源极和漏极中的第一个、第三晶体管403的栅极和第二电容器406的第一电极。
第二节点N2连接至第二晶体管402的源极和漏极中的第二个、第三晶体管403的源极和漏极中的第一个以及发光元件407的阳极。
第三节点N3连接至第一电容器405的第一电极、第二电容器406的第二电极、第三晶体管403的源极和漏极中的第二个以及第四晶体管404的源极和漏极中的第一个。
第一晶体管401的栅极连接至第m扫描信号线SSm，第一晶体管401的源极和漏极中的第一个连接至第一节点，并且第一晶体管401的源极和漏极中的第二个连接至第n数据信号线Dn。
第一晶体管401根据第m扫描信号线SSm的扫描信号而具有导通状态，以将第n数据信号线Dn与第一节点Nl连接。
第二晶体管402的栅极连接至第n初始电压线Inin，第二晶体管402的源极和漏极中的第一个连接至第一节点Nl，并且第二晶体管402的源极和漏极中的第二个连接至第二节点N2。
第二晶体管402根据第n初始信号线Inin的初始信号而具有导通状态，以将第一节点N1与第二节点N2连接。
第三晶体管403的栅极连接至第一节点Nl，第三晶体管403的源极和漏极中的第一个连接至第二节点N2，并且第三晶体管403的源极和漏极中的第二个连接至高电平电压线Vdd。
第一电容器405的第一电极连接至第三节点N3，并且第一电容器405的第二电极连接至高电平电压线Vdd。
第一电容器405可以使第三节点N3的电压稳定。
第二电容器406的第一电极连接至第一节点N1，并且第二电容器406的第二电极连接至第三节点N3。
发光元件407的阳极连接至第二节点N2，并且发光元件407的阴极连接至低电平电压线Vss。
图6是示出了根据本公开内容的第二实施方式的发光显示器件的像素电路的信号的时序图。
在图6中，在初始化和采样时段、写入时段和发光时段期间，像素电路被顺序驱动。
<初始化和采样时段>
在初始化和采样时段期间，高电平电压的参考电压修改值Vref+Vthe被供应至第n数据信号线Dn，低电平电压的栅极低电压VGL被供应至第m扫描信号线SSm，低电平电压的栅极低电压VGL被供应至第n初始电压线Inin，并且高电平电压的栅极高电压VGH被供应至第n发光信号线EMn。
结果，第一晶体管401和第二晶体管402具有导通状态，并且第四晶体管404具有截止状态。
由于参考电压修改值Vref+Vthe通过导通状态的第一晶体管401和第二晶体管402供应至第一节点N1和第二节点N2，因此第一节点N1和第二节点N2被初始化为具有参考电压修改值Vref+Vthe。
当第三节点N3的电压变成参考电压修改值Vref+Vthe时，第三晶体管403具有截止状态，并且第三节点N3的放电停止。
第三节点N3的电压被存储在第一电容器405和第二电容器406中。
<写入时段>
在写入时段期间，低电平电压的数据电压修改值Vdata+Vthd被供应至第n数据信号线Dn，低电平电压的栅极低电压VGL被供应至第m扫描信号线SSm，高电平电压的栅极高电压VGH被供应至第n初始电压线Inin，并且高电平电压的栅极高电压VGH被供应至第n发光信号线EMn。
结果，第一晶体管401具有导通状态，并且第二晶体管402、第三晶体管403和第四晶体管404具有截止状态。
由于数据电压修改值Vdata+Vthd通过导通状态的第一晶体管401供应至第一节点N1，因此第一节点N1的电压变成数据电压修改值Vdata+Vthd。
<发光时段>
在发光时段期间，高电平电压的参考电压修改值Vref+Vthe被供应至第n数据信号线Dn，高电平电压的栅极高电压VGH被供应至第m扫描信号线SSm，高电平电压的栅极高电压VGH被供应至第n初始电压线Inin，并且低电平电压的栅极低电压VGL被供应至第n发光信号线EMn。
结果，第一晶体管401和第二晶体管402具有截止状态，并且第四晶体管404具有导通状态，使得发光元件407发光。
由于连接至第一节点Nl的第三晶体管403的栅极具有低电平电压的数据电压修改值Vdata+Vthd，因此第三晶体管403具有导通状态，并且高电平电压线Vdd的电压被供应至第三节点N3。
在下文中将示出第一实施方式和比较例的像素电路的仿真结果。第一实施方式的像素电路使用参考电压修改值作为参考电压并且使用数据电压修改值作为数据电压，并且比较例的像素电路使用原始参考电压和原始数据电压。
在仿真中，驱动晶体管具有阈值电压Vth。
图7A是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与1V之和(Vref＝Vth+1V)的情况下相对于时间的感测电压的视图。在图7A中，由于不管阈值电压Vth如何，感测电压彼此相同，因此用于感测电压的线彼此交叠。
图7B是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与3V之和(Vref＝Vth+3V)的情况下相对于时间的感测电压的视图。在图7B中，由于不管阈值电压Vth如何，感测电压彼此相同，因此用于感测电压的线彼此交叠。
图8A是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与1V之和(Vref＝Vth+1V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图。
图8B是示出了根据本公开内容的第一实施方式的在参考电压为阈值电压与3V之和(Vref＝Vth+3V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图。
图9A是示出了根据比较例的在参考电压为3V(Vref＝3V)的情况下相对于时间的感测电压的视图。
图9B是示出了根据比较例的在参考电压为5V(Vref＝5V)的情况下相对于时间的感测电压的视图。
图10A是示出了根据比较例的在参考电压为3V(Vref＝3V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图。
图10B是示出了根据比较例的在参考电压为5V(Vref＝5V)的情况下相对于阈值电压的感测电压的视图。
在图8A和图10A中，在比较例中当Vth＞5V时驱动晶体管不具有导通状态，而在第一实施方式中当Vth≥5V时驱动晶体管具有导通状态。
在图8B和图10B中，在比较例中当Vth＜1V时发光元件发光，而在第一实施方式中当Vth＜1V时发光元件不发光。
结果，适当地执行了电压补偿，并且获得了具有稳定的高品质显示的发光显示器件。
由于将参考电压与驱动晶体管的阈值电压估计值之和的参考电压修改值用作更新的参考电压，因此检测到处于检测初始状态的阈值电压。由于将数据电压与驱动晶体管的阈值电压检测值之和的数据电压修改值用作更新的数据电压，阈值电压检测值被补偿。
因此，获得了适当的电压补偿，并且获得了具有稳定的高品质的发光显示器件。
尽管在第一实施方式中通过基于每个子像素的劣化的数据计数方法来执行阈值电压估计，但是本公开内容不限于此，并且在另一实施方式中可以基于整个面板的劣化来执行阈值电压估计。
图11是示出了根据本公开内容的第三实施方式的发光显示器件的时序控制器、存储部和子像素的视图。
在图11中，时序控制器110a包括代替图2的子像素阈值电压估计部112的面板平均阈值电压估计部112a以及代替图2的子像素累积劣化计算部114的面板累积劣化计算部114a。
存储部140a包括代替图2的子像素劣化数据存储部141的面板平均劣化数据存储部141a。
面板平均阈值电压估计部112a通过估计整个面板中的驱动晶体管的阈值电压平均值来生成阈值电压估计值Vthe。
面板累积劣化计算部114a通过将整个面板中的劣化数据与数据电压Vdata的函数f(Vdata)相加来计算整个面板的平均累积劣化。
面板平均劣化数据存储部141a记住整个面板中的劣化数据。
因此，通过检测整个面板的劣化而不是检测每个子像素的劣化来获得具有稳定的高品质的发光显示器件并且获得了适当的电压补偿。
尽管在第三实施方式中基于整个面板的劣化来执行阈值电压估计并且阈值电压检测和数据写入被同时执行，但是本公开内容不限于此，并且在另一实施方式中可以以不同的时序来执行阈值电压检测和数据写入。
图12是示出了根据本公开内容的第四实施方式的发光显示器件的时序控制器、存储部和子像素的视图。
在图12中，子像素200a包括代替图11的电压补偿像素电路210的电压补偿像素电路210a。
电压补偿像素电路210a包括在阈值电压检测部211与阈值电压补偿部212之间的电容器213。
电容器213存储由阈值电压检测部211检测到的阈值电压检测值，并且阈值电压补偿部212读取电容器213所存储的阈值电压检测值。
尽管在第四实施方式中电容器213用于存储阈值电压检测值，但是本公开内容不限于此，并且在另一实施方式中可以使用不同的存储元件代替电容器213。
因此，通过以不同的时序执行阈值电压检测和数据写入来获得具有稳定的高品质的发光显示器件并且获得了适当的电压补偿。
因此，在发光显示器件中，在驱动晶体管的检测初始状态下检测阈值电压，并且通过阈值电压检测值来补偿数据电压。
对于本领域技术人员而言将明显的是，在不脱离本公开内容的技术思想或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种修改和变化。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (15)

1.一种发光显示器件，其中像素电路检测和补偿布置成矩阵的多个子像素中的每个子像素中的驱动晶体管的阈值电压，所述发光显示器件包括：
阈值电压估计部，所述阈值电压估计部通过通过数据计数方法估计所述驱动晶体管的所述阈值电压来生成阈值电压估计值；
参考电压修改部，所述参考电压修改部通过基于所述阈值电压估计值修改用于检测所述阈值电压的参考电压来生成参考电压修改值；
图像数据电压修改部，所述图像数据电压修改部通过将与图像数据对应的数据电压与阈值电压检测值相加来生成图像数据电压修改值；以及
累积劣化计算部，所述累积劣化计算部通过累积所述数据电压的函数的劣化数据来计算累积劣化。
2.根据权利要求1所述的发光显示器件，其中，使用所述参考电压检测所述阈值电压作为所述阈值电压检测值。
3.根据权利要求1所述的发光显示器件，其中，所述阈值电压估计部估计所述多个子像素中的每个子像素中的所述驱动晶体管的所述阈值电压，并且
其中，所述累积劣化计算部通过累积所述多个子像素中的每个子像素的所述驱动晶体管的所述劣化数据来计算所述累积劣化。
4.根据权利要求3所述的发光显示器件，其中，同时执行对所述驱动晶体管的所述阈值电压的所述检测和补偿。
5.根据权利要求1所述的发光显示器件，其中，所述阈值电压估计部估计所述多个子像素中的全部子像素的所述驱动晶体管的阈值电压平均值，并且
其中，所述累积劣化计算部计算所述多个子像素中的全部子像素的所述驱动晶体管的所述累积劣化。
6.根据权利要求5所述的发光显示器件，其中，同时执行对所述驱动晶体管的所述阈值电压的所述检测和补偿。
7.根据权利要求5所述的发光显示器件，其中，以不同的时序执行对所述驱动晶体管的所述阈值电压的所述检测和补偿。
8.一种发光显示器件，包括：
布置成矩阵的多个子像素，所述多个子像素中的每个子像素包括具有驱动晶体管的电压补偿像素电路以及由于所述电压补偿像素电路的控制而发光的发光元件，所述电压补偿像素电路检测所述驱动晶体管的阈值电压作为阈值电压检测值以及补偿所述驱动晶体管的所述阈值电压；
时序控制器，所述时序控制器基于时序同步信号和数据电流来向连接至所述多个子像素的数据驱动电路和栅极驱动电路供应控制信号；以及
存储部，所述存储部记住所述多个子像素中的每个子像素的劣化数据和所述多个子像素的平均劣化数据中的一者，
其中，所述时序控制器使用通过数据计数方法得到的所述阈值电压的偏移量的阈值电压估计值来修改参考电压，并且使用所述阈值电压检测值来修改图像数据电压。
9.根据权利要求8所述的发光显示器件，其中，所述时序控制器通过累积所述多个子像素中的每个子像素的所述驱动晶体管的劣化数据来计算累积劣化，并且估计所述多个子像素中的每个子像素的所述驱动晶体管的所述阈值电压。
10.根据权利要求9所述的发光显示器件，其中，同时执行对所述驱动晶体管的所述阈值电压的所述检测和补偿。
11.根据权利要求8所述的发光显示器件，其中，所述时序控制器通过累积所述多个子像素中的每个子像素的所述驱动晶体管的劣化数据来计算累积劣化，并且估计所述多个子像素的所述驱动晶体管的阈值电压平均值。
12.根据权利要求11所述的发光显示器件，其中，同时执行对所述驱动晶体管的所述阈值电压的所述检测和补偿。
13.根据权利要求11所述的发光显示器件，其中，以不同的时序执行对所述驱动晶体管的所述阈值电压的所述检测和补偿。
14.根据权利要求8所述的发光显示器件，其中，所述电压补偿像素电路包括阈值电压检测部和阈值电压补偿部，
所述阈值电压检测部通过检测所述驱动晶体管的所述阈值电压来生成所述阈值电压检测值，并且
所述阈值电压补偿部通过将图像数据电压更新为使用所述阈值电压检测值修改的图像数据电压来补偿所述驱动晶体管的所述阈值电压。
15.根据权利要求8所述的发光显示器件，其中，使用所述阈值电压估计值来修改所述参考电压是将所述参考电压与所述阈值电压估计值相加，并且使用所述阈值电压检测值来修改图像数据电压是将图像数据电压与所述阈值电压检测值相加。
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