CN113050289B - 全光整形器、全光整形器的参数确定方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种全光整形器、全光整形器的参数确定方法及装置。所述整形器包括:MZI整形模块、第一定向耦合器和第二定向耦合器;其中,MZI整形模块包括:上臂和与上臂并列设置的下臂;所述第一定向耦合器的输出端分别与MZI整形模块的输入端连接,用于将输入光信号分解为两路光信号;并通过上臂对所述两路光信号中的一路光信号进行非线性相移,通过下臂对所述两路光信号中的一路光信号进行线性相移;第二定向耦合器的输入端与MZI整形模块的上臂和下臂连接,用于耦合上臂和下臂输出的两路光信号,得到整形后的光信号。
Description
技术领域
本发明涉及光纤通信技术领域,尤其涉及一种全光整形器、全光整形器的参数确定方法及装置。
背景技术
光纤通信系统中,光信号在传输过程中易受到光纤色散、光放大器的ASE噪声积累以及信道间的相互作用等因素影响,从而导致光信号的劣化,并最终限制了系统和网络的传输速率和距离,为保证信息在网络中的可靠传输,需要及时地对劣化信号进行再生处理。
相关技术中,整形器结构的选取和参数的优化存在一定的限制,并且所述整形器整形的信号是等功率间隔PAM信号,不能实现对每个电平上的整形性能要求。
发明内容
本发明实施例提供一种全光整形器、全光整形器的参数确定方法、装置、设备及存储介质。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本发明实施例提供一种全光整形器,包括:
MZI整形模块、第一定向耦合器和第二定向耦合器;其中,所述MZI整形模块包括:上臂和与所述上臂并列设置的下臂;
所述第一定向耦合器的输出端分别与所述MZI整形模块的输入端连接,用于将所述输入光信号分解为两路光信号;并通过所述上臂对所述两路光信号中的一路光信号进行非线性相移,通过所述下臂对所述两路光信号中的一路光信号进行线性相移;
所述第二定向耦合器的输入端与所述MZI整形模块的所述上臂和所述下臂连接,用于耦合所述上臂和所述下臂输出的两路光信号,得到整形后的光信号。
可选地,所述全光整形器的再整形微分增益为:
g=1+a cos x-ax sin x;
其中,所述a为第一系数,0<a<1;所述x为第一参数,所述x=bpin,所述b为第二系数,b>0;所述pin为所述输入光信号的功率。
可选地,所述MZI整形模块的所述上臂包括:非线性光纤;所述下臂包括:线性光纤;
所述非线性光纤的幅度透射系数与所述线性光纤的幅度透射系数具有如下关系式:
其中,所述R1为所述MZI整形模块上臂的非线性光纤的幅度透射系数;所述R2为所述MZI整形模块下臂的线性光纤的幅度透射系数;所述k为第三系数,所述所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率,所述ρ2为所述第二定向耦合器的直通效率;所述MZI整形模块的相移差与所述输入光信号的功率具有如下关系式:
第二方面,本发明实施例提供一种全光整形器的参数确定方法,所述全光整形器为上述一个技术方案或多个技术方案所提供的全光整形器,所述方法包括:
确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;
根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数;
根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数。
可选地,所述确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益,包括:
确定所述第一系数和所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
根据所述第一再整形微分增益,确定所述全光整形器的抖动抑制比;其中,所述抖动抑制比为:r=-10log10|g|;所述r为抖动抑制比;所述g为所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定第二系数;
将所述第一再整形微分增益确定为满足所述预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
可选地,所述若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定第二系数,包括:
若所述抖动抑制比满足预设整形条件,根据所述抖动抑制比,确定满足所述预设整形条件的第一参数;
根据所述第一参数,确定所述第二系数;
其中,所述第二系数满足:b=x/pin,所述b为所述第二系数;所述x为所述第一参数;所述pin为所述输入光信号的功率。
可选地,所述方法还包括:
若所述抖动抑制比不满足所述预设整形条件,对所述第一再整形微分增益进行参数校正;
将校正后的第一再整形微分增益确定为满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
可选地,所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数包括:幅度透射系数和长度;
所述根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数,包括:
根据所述第一系数,确定满足幅度透射系数约束条件的第三系数,以及所述上臂中的非线性光纤的幅度透射系数和所述下臂中的线性光纤的幅度透射系数;
根据所述非线性光纤的幅度透射系数和所述线性光纤的幅度透射系数,确定满足长度约束条件的所述非线性光纤和所述线性光纤的长度;
其中,所述幅度透射系数约束条件为:
其中,所述R1为所述非线性光纤的幅度透射系数;所述R2为所述线性光纤的幅度透射系数;所述k为所述第三系数;所述a为所述第一系数;
所述长度约束条件为:
所述L1为所述非线性光纤的长度;所述α1为所述非线性光纤的衰减系数;
所述L2为所述线性光纤的长度;所述α2为所述线性光纤的衰减系数。
可选地,所述根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数,包括:
根据所述第二系数和所述非线性光纤的幅度透射系数,确定所述第一定向耦合器的直通效率;
根据所述第三系数和所述第一定向耦合器的直通效率,确定所述第二定向耦合器的直通效率;
其中,所述第二系数、所述非线性光纤的幅度透射系数和所述第一定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
γρ1(1-R1 2)=bα1;
所述γ为所述非线性光纤的非线性系数;所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率
所述第三系数、所述第一定向耦合器的直通效率和所述第二定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率,所述ρ2为所述第二定向耦合器的直通效率。
第三方面,本发明实施例提供全光整形器的参数确定装置,所述全光整形器为上述一个技术方案或多个技术方案所提供的全光整形器,所述装置包括:
增益确定模块,用于确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;
参数确定模块,用于根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数;根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数。
第四方面,本发明实施例提供一种电子设备,包括:
存储器,用于存储可执行指令;
处理器,用于执行所述存储器中存储的可执行指令时,实现如前述一个或多个技术方案提供的全光整形器的参数确定方法。
第五方面,本发明实施例提供一计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有可执行指令,所述可执行指令被处理器执行时,实现如前述一个或多个技术方案提供的全光整形器的参数确定方法。
本发明实施例提供的全光整形器、全光整形器的参数确定方法、装置、设备及存储介质。所述全光整形器包括:MZI整形模块、第一定向耦合器和第二定向耦合器;其中,所述MZI整形模块包括:上臂和与所述上臂并列设置的下臂;所述第一定向耦合器的输出端分别与所述MZI整形模块的输入端连接,用于将所述输入光信号分解为两路光信号;并通过所述上臂对所述两路光信号中的一路光信号进行非线性相移,通过所述下臂对所述两路光信号中的一路光信号进行线性相移;所述第二定向耦合器的输入端与所述MZI整形模块的所述上臂和所述下臂连接,用于耦合所述上臂和所述下臂输出的两路光信号,得到整形后的光信号。
本发明实施例基于所述全光整形器的再整形微分增益确定所述全光整形器的参数;使得所述全光整形器不仅适用于等功率间隔光信号,还适用于非等间隔光信号;并且根据所述全光整形器的再整形微分增益,优化所述全光整形器的参数,提升所述全光整形器的整形性能。所述整形器有效解决了光信号在光纤通信系统中信号劣化问题,丰富了光信号在全光整形领域的实现方式,并确保了光信号在光纤通信系统中的长距离有效传输。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种全光整形器的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的一种全光整形器的参数确定方法的流程示意图;
图3是本发明实施例提供第一系数对应的再整形微分增益曲线图;
图4是本发明实施例提供的全光整形器对应的近阶跃型再生功率转移曲线;
图5是本发明实施例提供的再整形微分增益曲线图;
图6是本发明实施例提供的输入光信号的波形图;
图7是本发明实施例提供的整形后的光信号的波形图;
图8为本发明实施例提供的一种再生器的结构示意图。
具体实施方式
以下结合说明书附图及具体实施例对本发明的技术方案做进一步的详细阐述。
本发明实施例提供一种全光整形器,如图1所示,图1是本发明实施例提供的一种全光整形器的结构示意图,包括:
MZI整形模块、第一定向耦合器和第二定向耦合器;其中,所述MZI整形模块包括:上臂和与所述上臂并列设置的下臂;
所述第一定向耦合器的输出端分别与所述MZI整形模块的输入端连接,用于将所述输入光信号分解为两路光信号;并通过所述上臂对所述两路光信号中的一路光信号进行非线性相移,通过所述下臂对所述两路光信号中的一路光信号进行线性相移;
所述第二定向耦合器的输入端与所述MZI整形模块的所述上臂和所述下臂连接,用于耦合所述上臂和所述下臂输出的两路光信号,得到整形后的光信号。
在本发明实施例中,MZI整形模块用于对所述输入光信号进行再放大和再整形;所述MZI整形模块包括:上臂和与所述上臂并列设置的下臂;所述上臂用于对输入至所述上臂的光信号进行非线性相移;所述下臂用于对输入至所述下臂的光信号进行线性相移。
示例性地,所述上臂包括:光学非线性单元,例如,非线性光纤或波导等;所述下臂包括:光学线性单元,例如,线性光纤或光移相器等。
在本发明实施例中,所述第一定向耦合器的输入端与光纤或光发射机连接,所述第一定向耦合器的两个输出端分别与所述MZI整形模块的上臂和下臂连接,用于将从输入端接收的一路输入光信号,分解为两路光信号,并分别传输至所述上臂和所述下臂。
所述第二定向耦合器的两个输入端分别与所述MZI整形模块的上臂和下臂连接,所述第二定向耦合的输出端与光接收机或光纤连接;用于将所述MZI整形模块的上臂和所述下臂输出的光信号进行耦合,得到整形后的一路光信号,并输出至所述光接收机或光纤中。
需要说明的是,定向耦合器是一种具有方向性的光束耦合(分配)元器件,实质上是将光信号按一定比例进行功率分配。所述定向耦合器包括:直通线和耦合线;所述直通线和耦合线之间通过一定的耦合机制,将直通线功率的一部分(或全部)耦合到耦合线中,并且要求功率在耦合线中只能传向某一输出端口,另一端口则无功率输出。
在本发明实施例中,所述MZI整形模块的上臂和下臂的幅度透射系数比为定值,所述MZI整形模块的上臂和下臂的相位差与所述输入光信号的功率呈线性关系。根据所述MZI整形模块的上臂和下臂的幅度透射系数比、相位差和所述全光整形器的预设整形条件,确定所述全光整形器中MZI整形模块、第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数信息。
需要说明的是,在利用所述全光整形器对劣化的光信号进行整形前,需要先根据所述预设整形条件对所述全光整形器进行参数确定,进而确定所述全光整形器中MZI整形模块的工作范围,使所述输入光信号和所述MZI整形模块的工作范围相匹配,从而实现输入光信号在光纤通信系统中的整形。
可选地,所述全光整形器的再整形微分增益为:
g=1+a cos x-ax sin x;
其中,所述a为第一系数,0<a<1;所述x为第一参数,所述x=bpin,所述b为第二系数,b>0;所述pin为所述输入光信号的功率。
在本发明实施例中,所述全光整形器的再整形微分增益的通用公式为:g=1+acos x-ax sin x;
需要说明的是,可根据所述全光整形器的功率转移函数,确定所述全光整形器的再放大增益和再整形功率转移函数;其中,所述全光整形器的功率转移函数为所述全光整形器的再放大增益和再整形功率转移函数的乘积。根据所述全光整形器的再整形功率转移函数,确定所述全光整形器的再整形微分增益。
可选地,所述MZI整形模块的所述上臂包括:非线性光纤;所述下臂包括:线性光纤;
所述非线性光纤的幅度透射系数与所述线性光纤的幅度透射系数具有如下关系式:
其中,所述R1为所述MZI整形模块上臂的非线性光纤的幅度透射系数;所述R2为所述MZI整形模块下臂的线性光纤的幅度透射系数;所述k为第三系数,所述所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率,所述ρ2为所述第二定向耦合器的直通效率。
所述MZI整形模块的相移差与所述输入光信号的功率具有如下关系式:
在本发明实施例中,所述全光整形器是通过所述MZI整形模块中的上臂对所述输入光信号进行非线性相移,通过所述下臂对所述输入光信号进行线性相移;从而根据上臂和下臂输出的光信号,得到整形后的光信号。
需要说明的是,所述上臂和所述下臂输出的光信号需要满足预定条件,才能通过第二定向耦合器的耦合,使两路光信号发生干涉,得到整形后的光信号。
为了实现所述全光整形器的再放大和再整形,所述MZI整形模块的上臂和下臂满足:所述MZI整形模块的上臂和下臂的幅度透射系数比为定值,所述MZI整形模块的上臂和下臂的相移差与所述输入光信号的功率呈线性关系。
下面,本发明实施例提供一种全光整形器的参数确定方法,如图2所示,图2是本发明实施例提供的一种全光整形器的参数确定方法的流程示意图。所述全光整形器为上述一个或多个方案所提供的全光整形器,所述方法包括:
步骤201,确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;
步骤202,根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数;
步骤203,根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数。
在步骤201中,所述再整形微分增益用于指示所述全光整形器的再整形性能;
示例性地,基于所述全光整形器的再整形微分增益的通用公式以及所述全光整形器对应的抖动抑制比,确定满足所述全光整形器的预设整形条件的再整形微分增益。
所述预设整形条件可为所述全光整形器的整形性能条件,可根据实际需求进行设置,例如,所述全光整形器输入光信号为PAM4信号,所述PAM4信号的功率电平分别为0.48W、0.7W、0.88W和1.11W;所述全光整形器的预设整形条件可为所述PAM4信号的各个电平对应的抖动抑制比大于3dB。
在步骤202中,所述MZI整形模块的上臂用于对所述输入光信号进行非线性相移;所述上臂包括:光学非线性单元,例如,非线性光纤、波导等;所述下臂用于对所述输入光信号进行线性相移;所述下臂包括:光学线性单元,例如,线性光纤等。
需要说明的是,由于在所述全光整形器中,所述MZI整形模块的上臂和下臂的幅度透射系数比为定值;并且所述上臂和下臂的透射系数比与所述全光整形器的再整形微分增益相关。因而在确定所述MZI整形模块的再整形微分增益后,根据所述再整形微分增益以及所述上臂和所述下臂的幅度透射系数比,确定所述上臂和所述下臂的幅度透射系数。
在本发明实施例中,由于所述MZI整形模块的上臂产生的非线性相移即为所述MZI整形模块的非线性相移差;根据所述MZI整形模块的上臂产生的非线性相移和所述上臂中非线性光纤的幅度透射系数、衰减系数,确定所述第一定向耦合器的直通效率。
所述第三系数和所述第一定向耦合器和第二定向耦合器相关;根据所述第三系数和所述第一定向耦合器的直通效率,确定所述第二定向耦合器的直通效率。
示例性地,若所述第一系数a=0.4244,根据所述第一系数,确定所述全光整形器的再整形微分增益;如图3所示,图3是本发明实施例提供第一系数对应的再整形微分增益曲线图。并根据所述全光整形器的再整形微分增益,确定所述全光整形器的第二系数、第三系数、第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数、以及第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数。根据上述参数,确定所述全光整形器;所述全光整形器为近阶跃型再生功率转移曲线对应的全光整形器。如图4所示,图4是本发明实施例提供的全光整形器对应的近阶跃型再生功率转移曲线。
可选地,所述步骤201,包括:
确定所述第一系数和所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
根据所述第一再整形微分增益,确定所述全光整形器的抖动抑制比;其中,所述抖动抑制比为:r=-10log10|g|;所述r为抖动抑制比;所述g为所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定第二系数;
将所述第一再整形微分增益确定为满足所述预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
在本发明实施例中,所述第一系数的取值范围:0<a<1;所述第一系数与所述输入光信号的电平数相关;
可任意选定所述第一系数,并根据所述全光整形器的再整形微分增益的通用公式,确定所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
在一些实施例中,可根据输入光信号的电平数,确定所述第一系数;
示例性地,若所述输入光信号为PAM4信号,即电平数为4,确定所述第一系数为a1,若所述输入光信号为PAM16信号,即电平数为16,确定所述第一系数为a2;其中,a2<a1。
所述抖动抑制比用于指示所述全光整形器中输出光信号和输入光信号的幅度抖动情况;根据所述幅度抖动情况,确定所述全光整形器的整形效果。所述全光整形器的抖动抑制比越大,所述全光整形器对信号的整形性能越好。
在本发明实施例中,根据所述第一再整形微分增益,确定所述全光整形器的抖动抑制比;基于所述全光整形器的抖动抑制比和所述全光整形器的预设整形条件,确定是否需要对所述第一系数进行调整。
若所述全光整形器的抖动抑制比满足所述全光整形器的预设整形条件,确定满足所述预设整形条件的第二系数;并将所述第一再整形微分增益确定为满足所述预设整形条件的再整形微分增益。
可选地,所述若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定第二系数,包括:
若所述抖动抑制比满足预设整形条件,根据所述抖动抑制比,确定满足预设整形条件的第一参数;
根据所述第一参数,确定所述第二系数;
其中,所述第二系数满足:b=x/pin,所述b为所述第二系数;所述x为第一参数;所述pin为所述输入光信号的功率。
在本发明实施例中,若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定所述全光整形器能对所述输入光信号整形,根据所述抖动抑制比,确定满足预设整形条件的第一参数,根据输入光信号的功率和所述第一参数,确定所述第二系数。
需要说明的是,本发明实施例中的MZI整形模块可用于对输入光信号进行再整形和再放大;所述全光整形器的再整形微分增益与第一参数x(即bpin)相关;根据所述全光整形器的再整形性能要求和所述全光整形器的再整形微分增益,确定所述第一参数;保持所述第一参数不变,可通过改变所述第二系数b的值,调整所述全光整形器的再整形输入功率pin(即调整所述全光整形器的工作范围)。
示例性地,以输入光信号为PAM4信号为例,所述PAM4信号的功率电平分别为0.48W、0.7W、0.88W和1.11W;根据所述PAM4信号对应的抖动抑制比,确定所述抖动抑制比满足预设整形条件,且满足所述预设整形条件的第一参数x为14.4、21、26.4和33.3。则所述第二系数b=x/pin=30。
可选地,所述方法还包括:
若所述抖动抑制比不满足所述预设整形条件,对所述第一再整形微分增益进行参数校正;
将校正后的第一再整形微分增益确定为满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
在本发明实施例中,若所述抖动抑制比不满足所述预设整形条件,调整所述第一再整形微分增益中的第一系数,并基于调整后的第一系数确定所述调整后的第一系数对应的第一再整形微分增益是否满足所述预设整形条件;直至所述调整后的第一系数对应的第一再整形微分增益满足所述预设整形条件,将所述调整后的第一系数对应的第一再整形微分增益确定为满足所述预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;并根据所述再整形微分增益,确定第二系数。
在一些实施例中,若所述抖动抑制比不满足所述预设整形条件,以预设递减量,降低所述第一再整形微分增益中的第一系数;
在本发明实施例中,所述预设递减量可根据用户需求进行设置;例如,所述预设递减量为0.1或0.01等。
在另一些实施例中,若所述抖动抑制比不满足所述预设整形条件,确定所述抖动抑制比与所述预设整形条件的差值;
若所述抖动抑制比与所述预设整形条件的差值大于第一阈值;以第一预设递减量,降低所述第一再整形微分增益中的第一系数;
若所述抖动抑制比与所述预设整形条件的差值小于或等于所述第一阈值,以第二预设递减量,降低所述第一再整形微分增益中的第一系数;其中所述第二预设递减量小于所述第一预设递减量。
在本发明实施例中,所述第一阈值可根据用户需求进行设置。通过将所述抖动抑制比和所述预设整形条件的差值与所述第一阈值比对,确定调整所述第一系数的调整量,以提高所述第一系数的调整效率和调整精度。
例如,若所述第一再整形微分增益对应的抖动抑制比为-3dB,所述预设整形条件是抖动抑制比不小于3dB,则所述抖动抑制比与所述预设整形条件的差值为6dB;将所述抖动抑制比与所述预设整形条件的差值与所述第一阈值(如5dB)对比,确定所述抖动抑制比与所述预设整形条件的差值大于所述第一阈值;以第一预设递减量(如0.1),降低所述第一再整形微分增益中的第一系数;
若调整后的第一系数对应的第一再整形微分增益的抖动抑制比为0dB,则所述抖动抑制比与所述预设整形条件的差值为3dB,小于所述第一阈值,以第二预设递减量(如0.05),降低所述第一系数,直至所述第一系数对应的第一再整形微分增益满足预设整形条件。
可选地,所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数包括:幅度透射系数;
所述根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数,包括:
根据所述第一系数,确定满足幅度透射系数约束条件的第三系数,以及所述上臂中的非线性光纤的幅度透射系数和所述下臂中的线性光纤的幅度透射系数;
其中,所述幅度透射系数约束条件为:
其中,所述R1为所述非线性光纤的幅度透射系数;所述R2为所述线性光纤的幅度透射系数;所述k为所述第三系数;所述a为所述第一系数。
在本发明实施例中,由于所述全光整形器中MZI整形模块的上臂和下臂的幅度透射系数比为定值,且满足:根据所述再整形微分增益的第一系数以及所述上臂和所述下臂的幅度透射系数比,确定所述幅度透射系数约束条件;并确定满足所述幅度透射系数约束条件的第三系数和所述MZI整形模块的幅度透射系数比;根据所述幅度透射系数比,确定所述上臂的幅度透射系数和所述下臂的幅度透射系数。
示例性地,以所述再整形微分增益:g=1+0.045cos x-0.045x sin x,其中x=30pin为例,根据所述再整形微分增益,确定所述第一系数a=0.045和第二系数b=30;根据所述第一系数和所述幅度透射系数比,确定所述幅度透射系数约束条件为:式中取“+”号;任意选取第三系数k=0.0156,确定满足所述幅度透射系数约束条件的幅度透射系数比选取所述下臂的幅度透射系数R2=0.99,确定所述上臂的幅度透射系数R1=0.6853。
可选地,所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数包括:长度;
所述根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数,还包括:
根据所述非线性光纤的幅度透射系数和所述线性光纤的幅度透射系数,确定满足长度约束条件的所述非线性光纤和所述线性光纤的长度;
其中,所述长度约束条件为:
其中,所述L1为所述非线性光纤的长度;所述α1为所述非线性光纤的衰减系数;
其中,所述L2为所述线性光纤的长度;所述α2为所述线性光纤的衰减系数。
在本发明实施例中,根据所述非线性光纤的幅度透射系数和衰减系数,确定满足所述长度约束条件的所述MZI整形模块中所述非线性光纤的长度;根据所述线性光纤的幅度透射系数和衰减系数,确定满足所述长度约束条件的所述MZI整形模块中所述线性光纤的长度。
可选地,所述根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数,包括:
根据所述第二系数和所述非线性光纤的幅度透射系数,确定所述第一定向耦合器的直通效率;
根据所述第三系数和所述第一定向耦合器的直通效率,确定所述第二定向耦合器的直通效率;
其中,所述第二系数、所述非线性光纤的幅度透射系数和所述第一定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
γρ1(1-R1 2)=bα1;
所述γ为所述非线性光纤的非线性系数;所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率。
在本发明实施例中,由于所述MZI整形模块中上臂和下臂的非线性相移差为所述上臂对应的非线性相移,即则所述第二系数、所述非线性光纤的幅度透射系数和所述第一定向耦合器的直通效率满足:γρ1(1-R1 2)=bα1;
根据所述第二系数、所述非线性光纤的幅度透射系数、衰减系数和非线性系数,确定所述第一定向耦合器的直通效率。根据所述第一定向耦合器的直通效率和所述第三系数,确定所述第二定向耦合器的直通效率。
在一些实施例中,所述第三系数、所述第一定向耦合器的直通效率和所述第二定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
其中,所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率,所述ρ2为所述第二定向耦合器的直通效率。
在本发明实施例中,在确定出所述第一定向耦合器的直通效率后,根据所述第三系数和所述第一定向耦合器的直通效率,确定所述第二定向耦合器的直通效率。
示例性地,以所述第二系数b=30、所述第三系数k=0.0156、所述非线性光纤的幅度透射系数R1=0.6853、所述衰减系数α1=0.21km-1和非线性系数γ=12W-1/km为例,确定所述第一定向耦合器的直通效率根据所述第一定向耦合器的直通效率ρ1=0.99和所述第三系数k=0.0156,确定所述第二定向耦合器的直通效率ρ2=0.0235。
结合本发明的上述实施例,下面将说明本发明实施例在实际应用场景中的示例性应用。
本发明实施例提供一种全光整形器的参数确定方法,其中所述全光整形器如图1所示,所述方法包括:
步骤401,确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;
示例性地,所述全光整形器的输入光信号为PAM4信号,功率电平分别为0.48W、0.7W、0.88W和1.11W,对应的幅度电平为并且每个幅度电平上都存在幅度抖动σin=0.01的高斯噪声;所述全光整形器的预设整形条件为每个电平上的抖动抑制比都为3dB以上。
根据所述全光整形器的再整形微分增益的通用公式g=1+a cos x-ax sin x,选取第一系数a=0.045,则所述第一系数对应的再整形微分增益为g=1+0.045cos x-0.045xsin x;如图5所示,图5是本发明实施例提供的再整形微分增益曲线图。根据所述再整形微分增益;确定所述抖动抑制比大于3dB时对应的输入光信号的目标电平值:14.4,、21、26.4和33.3。根据所述目标电平值和输入光信号的功率电平,确定所述第二系数b=x/pin=30。
步骤402,根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数;
示例性地,将所述第一系数a=0.045代入至所述MZI整形模块中上臂和下臂的幅度透射系数比公式中,式中取“+”号,选取k=0.0156,则所述上臂和下臂的幅度透射系数比为选取所述下臂的幅度透射系数R2=0.99,确定所述上臂的幅度透射系数R1=0.6853。根据所述上臂非线性光纤的幅度透射系数R1=0.6853和衰减系数α1=0.21km-1,确定所述非线性光纤的长度根据所述下臂线性光纤的幅度透射系数R2=0.99和衰减系数α1=0.15km-1,确定所述线性光纤的长度
步骤403,根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数。
示例性地,根据所述第二系数b=30、所述第三系数k=0.0156、所述非线性光纤的幅度透射系数R1=0.6853、所述衰减系数α1=0.21km-1和非线性系数γ=12W-1/km,确定所述第一定向耦合器的直通效率根据所述第一定向耦合器的直通效率ρ1=0.99和所述第三系数k=0.0156,确定所述第二定向耦合器的直通效率ρ2=0.0235。
根据上述全光整形器的参数,确定所述全光整形器,并利用所述全光整形器对输入光信号进行整形。
示例性地,针对输入光信号为PAM4信号,在输入光信号的幅度电平为和上都存在幅度抖动σin=0.01的高斯噪声;如图6所示,图6是本发明实施例提供的输入光信号的波形图。通过所述全光整形器对劣化的PAM4信号进行整形后,输出整形后的光信号,如图7所示,图7是本发明实施例提供的整形后的光信号的波形图。由图6、图7可知,整形后的光信号的各个电平上的噪声都得到了抑制,实现了抖动抑制比3dB以上的整形。
下面,本发明实施例提供一种全光整形器的参数确定装置,如图8所示,图8是本发明实施例提供的一种全光整形器的参数确定装置的结构示意图。所述装置包括:
增益确定模块,用于确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;
参数确定模块,用于根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数;根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数。
可选地,所述增益确定模块,用于:
确定所述第一系数和所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
根据所述第一再整形微分增益,确定所述全光整形器的抖动抑制比;其中,所述抖动抑制比为:r=-10log10|g|;所述r为抖动抑制比;所述g为所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定第二系数;
将所述第一再整形微分增益确定为满足所述预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
可选地,所述增益确定模块,用于:
若所述抖动抑制比满足预设整形条件,根据所述抖动抑制比,确定满足所述预设整形条件的第一参数;
根据所述第一参数,确定所述第二系数;
其中,所述第二系数满足:b=x/pin,所述b为所述第二系数;所述x为第一参数;所述pin为所述输入光信号的功率。
可选地,所述增益确定模块,还用于:
若所述抖动抑制比不满足所述预设整形条件,对所述第一再整形微分增益进行参数校正;
将校正后的第一再整形微分增益确定为满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
可选地,所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数包括:幅度透射系数;
所述参数确定模块,用于:
根据所述第一系数,确定满足幅度透射系数约束条件的第三系数,以及所述上臂中的非线性光纤的幅度透射系数和所述下臂中的线性光纤的幅度透射系数;
其中,所述幅度透射系数约束条件为:
其中,所述R1为所述非线性光纤的幅度透射系数;所述R2为所述线性光纤的幅度透射系数;所述k为所述第三系数;所述a为所述第一系数。
可选地,所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数包括:长度;
所述参数确定模块,用于:
根据所述非线性光纤的幅度透射系数和所述线性光纤的幅度透射系数,确定满足长度约束条件的所述非线性光纤和所述线性光纤的长度;
其中,所述长度约束条件为:
其中,所述L1为所述非线性光纤的长度;所述α1为所述非线性光纤的衰减系数;
其中,所述L2为所述线性光纤的长度;所述α2为所述线性光纤的衰减系数。
可选地,所述参数确定模块,还用于:
根据所述第二系数和所述非线性光纤的幅度透射系数,确定所述第一定向耦合器的直通效率;
根据所述第三系数和所述第一定向耦合器的直通效率,确定所述第二定向耦合器的直通效率;
其中,所述第二系数、所述非线性光纤的幅度透射系数和所述第一定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
γρ1(1-R1 2)=bα1;
所述γ为所述非线性光纤的非线性系数;所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率。
可选地,所述第三系数、所述第一定向耦合器的直通效率和所述第二定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
其中,所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率,所述ρ2为所述第二定向耦合器的直通效率。
本发明实施例还提供一种电子设备,所述电子设备包括:
存储器,用于存储可执行指令;
处理器,用于执行所述存储器中存储的可执行指令时,实现如前述一个或多个技术方案提供的全光整形器的参数确定方法。
其中,所述存储器可包括:各种类型的存储介质,可以用于数据存储。在本实施例中,所述存储器包括的存储介质至少部分为非易失性存储介质,可以用于存储所述计算机程序。
所述处理器可包括:中央处理器、微处理器、数字信号处理器、应用处理器、专用集成电路或可编程阵列等,可以用于通过计算机程序的前述一个或多个技术方案提供的全光整形器的参数确定方法。
在本实施例中,所述处理器可通过集成电路总线等设备内总线,与所述存储器连接。
本发明实施例还提供一种计算机存储介质,所述计算机存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行后,并执行前述一个或多个技术方案提供的全光整形器的参数确定方法,例如,可执行如图7所示的方法。
本发明实施例提供的计算机存储介质包括:移动存储设备、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。可选为,所述计算机存储介质可为非瞬间存储介质。这里的非瞬间存储介质又可以称为非易失性存储介质。
以上所述,仅为本发明的实施例而已,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和范围之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均包含在本发明的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种全光整形器,其特征在于,包括:
MZI整形模块、第一定向耦合器和第二定向耦合器;其中,所述MZI整形模块包括:上臂和与所述上臂并列设置的下臂;其中,所述上臂和所述下臂的参数是根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数确定的;所述第一系数为a,且0<a<1;
所述第一定向耦合器的输出端分别与所述MZI整形模块的输入端连接,用于将输入光信号分解为两路光信号;并通过所述上臂对所述两路光信号中的一路光信号进行非线性相移,通过所述下臂对所述两路光信号中的一路光信号进行线性相移;
所述第二定向耦合器的输入端与所述MZI整形模块的所述上臂和所述下臂连接,用于耦合所述上臂和所述下臂输出的两路光信号,得到整形后的光信号;其中,所述第一定向耦合器和所述第二定向耦合器的参数根据所述再整形微分增益中的第二系数、第三系数以及所述上臂和所述下臂的参数确定的;所述第三系数是根据所述第一系数满足幅度透射系数约束条件确定的;所述第二系数b满足:b=x/pin,b>0;所述x为第一参数,第一参数是根据满足预设整形条件的所述全光整形器的抖动抑制比确定的;所述pin为所述输入光信号的功率。
2.根据权利要求1所述的全光整形器,其特征在于,所述全光整形器的再整形微分增益为:
g=1+a cosx-ax sinx。
3.根据权利要求2所述的全光整形器,其特征在于,所述MZI 整形模块的所述上臂包括:非线性光纤;所述下臂包括:线性光纤;
所述非线性光纤的幅度透射系数与所述线性光纤的幅度透射系数具有如下关系式:
其中,所述R1为所述MZI整形模块上臂的非线性光纤的幅度透射系数;所述R2为所述MZI整形模块下臂的线性光纤的幅度透射系数;所述k为第三系数,所述所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率,所述ρ2为所述第二定向耦合器的直通效率;
所述MZI整形模块的相移差与所述输入光信号的功率具有如下关系式:
4.一种全光整形器的参数确定方法,其特征在于,所述全光整形器为权利要求1-3任一项所述的全光整形器,所述方法包括:
确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;
根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数;所述第一系数为a,且0<a<1;
根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数;
所述第二系数b满足:b=x/pin,b>0;
所述x为第一参数,第一参数是根据满足预设整形条件的所述全光整形器的抖动抑制比确定的;
所述pin为输入光信号的功率;
所述第三系数是根据所述第一系数满足幅度透射系数约束条件确定的。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益,包括:
确定所述第一系数和所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
根据所述第一再整形微分增益,确定所述全光整形器的抖动抑制比;其中,所述抖动抑制比为:r=-10log10|g|;所述r为抖动抑制比;所述g为所述第一系数对应的第一再整形微分增益;
若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定第二系数;
将所述第一再整形微分增益确定为满足所述预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述若所述抖动抑制比满足所述预设整形条件,确定第二系数,包括:
若所述抖动抑制比满足预设整形条件,根据所述抖动抑制比,确定满足所述预设整形条件的第一参数;
根据所述第一参数,确定所述第二系数。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
若所述抖动抑制比不满足所述预设整形条件,对所述第一再整形微分增益进行参数校正;
将校正后的第一再整形微分增益确定为满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益。
8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数包括:幅度透射系数和长度;
所述根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数,包括:
根据所述第一系数,确定满足幅度透射系数约束条件的第三系数,以及所述上臂中的非线性光纤的幅度透射系数和所述下臂中的线性光纤的幅度透射系数;
根据所述非线性光纤的幅度透射系数和所述线性光纤的幅度透射系数,确定满足长度约束条件的所述非线性光纤和所述线性光纤的长度;
其中,所述幅度透射系数约束条件为:
其中,所述R1为所述非线性光纤的幅度透射系数;所述R2为所述线性光纤的幅度透射系数;所述k为所述第三系数;所述a为所述第一系数;
所述长度约束条件为:
所述L1为所述非线性光纤的长度;所述α1为所述非线性光纤的衰减系数;
所述L2为所述线性光纤的长度;所述α2为所述线性光纤的衰减系数。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数,包括:
根据所述第二系数和所述非线性光纤的幅度透射系数,确定所述第一定向耦合器的直通效率;
根据所述第三系数和所述第一定向耦合器的直通效率,确定所述第二定向耦合器的直通效率;
其中,所述第二系数、所述非线性光纤的幅度透射系数和所述第一定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
γρ1(1-R1 2)=bα1;
所述γ为所述非线性光纤的非线性系数;所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率;
所述第三系数、所述第一定向耦合器的直通效率和所述第二定向耦合器的直通效率具有以下关系式:
所述ρ1为所述第一定向耦合器的直通效率,所述ρ2为所述第二定向耦合器的直通效率。
10.一种全光整形器的参数确定装置,其特征在于,所述全光整形器为权利要求1-3任一项所述的全光整形器,所述装置包括:
增益确定模块,用于确定满足预设整形条件的所述全光整形器的再整形微分增益;
参数确定模块,用于根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第一系数,确定第三系数以及所述MZI整形模块的上臂和下臂的参数;根据所述全光整形器的再整形微分增益中的第二系数、所述第三系数以及所述上臂和下臂的参数,确定所述全光整形器的第一定向耦合器和第二定向耦合器的参数;所述第一系数为a,且0<a<1;所述第二系数b满足:b=x/pin,b>0;所述x为第一参数,第一参数是根据满足预设整形条件的所述全光整形器的抖动抑制比确定的;所述pin为所述输入光信号的功率;所述第三系数是根据所述第一系数满足幅度透射系数约束条件确定的。
11.一种电子设备,其特征在于,包括:
存储器,用于存储可执行指令;
处理器,用于执行所述存储器中存储的可执行指令时,实现如权利要求4-9任一项所述的全光整形器的参数确定方法。
12.一种计算机可读存储介质,其特征在于,所述计算机可读存储介质存储有可执行指令,所述可执行指令被处理器执行时,实现如权利要求4-9任一项所述的全光整形器的参数确定方法。
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