CN113038641B - 新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法，所述薄膜制备方法包含在基底上溅射阻挡层，在所述阻挡层上溅射发热层；采用包含硅的靶材溅射形成阻挡层，采用包含氧化铟锡的靶材溅射形成发热层，最终形成的新型复合半导体制热薄膜电热转换高效同时辐射直接穿透皮肤及皮下组织的远红外波。使用过程中，基底所含杂质由于升温向外扩散时，基底和发热层之间设置的阻挡层，一方面阻挡基底中的杂质向发热层扩散，另一方面防止水汽渗透进入发热层，减少杂质和水汽对发热层造成损害。本申请通过引入膜层设计，使得基底和发热层的热膨胀系数和晶格常数匹配，提高新型复合半导体制热薄膜在使用过程中各层结构之间可靠连接程度，延长产品寿命。
Description
技术领域
本发明涉及复合半导体发热薄膜材料技术领域，特别是涉及一种新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法。
背景技术
电热膜技术作为一种新兴的采暖方式，近年来取得了巨大进步。这是得益于电热膜是面状发热，热交换面积大，再加上电热转换效率高的特点，所以同等功率下温升更快，耗能更少，从而比传统电热元件更加节能省电。另外电热膜还可以通过辐射远红外波，从而广泛应用于保健领域，该远红外波可直接穿透皮肤及皮下组织，作用于血管、神经末梢及淋巴管，引起分子共振，产生温热效应，起到活血化瘀，消炎止痛的功效，增强人体免疫力。长期来看，中国正在实现能源转型，以非化石能源为主的电能将成为一次能源主体，一次能源消费中电气化率达到100%，在此大背景下，采用更清洁的电采暖方式无疑更符合当今发展趋势，也是未来化石采暖方式的最佳替代技术。
目前市面上销售的电热元件主要有合金电热丝和导电涂料（黑膜）。合金电热丝是较为传统的加热方式，属于线状热源，散热面积小，且部分电能会被转化为光能，电热转换效率较低，仅为60%左右，且电热丝易断裂，抗震性能差。黑膜是有机不透明电热膜，是将导电涂料经喷涂或丝网印刷的方式涂覆于绝缘材料表面制得，实际常用的是在成膜物质中添加炭黑、石墨或二者混合物来充当导电涂料，因为在制备过程中使用大量的有机物，不仅在制备中存在环境污染，并且在实际使用过程中，高温状态下散发的味道十分严重，影响人体健康，另外因为有机物导致的功率衰减也较为严重。
文献号为CN110901184A的专利申请文件中公开了一种电热一体板，所述电热一体板包括保温基材(1)、发热膜层(2-3)和面层(3)；所述发热膜层(2-3)为氧化物或氧硫化物，所述发热膜层(2-3)材料包括ZnOxS(1-x)、InOxS (1-x)、SnxIn(1-x)O、ZnxMg(1-x)O、ZnxAl(1-x)O中的一种或几种；所述发热膜层(2-3)上下两个表面设置有上绝缘防水层(2-4)和下绝缘防水层(2-2)；所述电热一体板还包括红外反射膜层(2-1)，所述红外反射膜层(2-1)位于基材(1)和下绝缘防水层(2-2)之间，所述红外反射膜层(2-1)为含有金属的膜层。在该专利文献中公开了以金属氧化物作为发热膜层，并在发热膜层与保温基材之间设置含有金属氧化物的红外反射膜，由于红外反射层的存在，导致发热膜层的温度更高，虽然提高了其热效能，但是高温也加剧了保温基材中的物质向发热膜层中的渗透，使发热膜层受到损害。
文献号为CN202307974U的专利申请中公开了一种高阻隔性太阳能电池背板，包括基材、阻隔层、粘结层和耐候层，其特征在于，所述基材两侧中至少一侧设有耐候层，在基材的一侧还设有阻隔层，所述阻隔层包括氧气阻隔层和水汽阻隔层。虽然该专利文献中公开了在基材的一侧设置阻隔层，但是该阻隔层用于阻隔氧气和水汽，并未考虑到高温的工作环境下基材对太阳能电池的损害。
可见，需要提供一种使用寿命长且使用过程安全的发热建材，满足人们的采暖需求。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明公开了一种新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法，满足人们对采暖建材使用寿命长且使用过程安全的要求。
本发明是通过以下技术方案实现的发明目的。
薄膜制备方法，包含以下步骤：
步骤1: 对基底进行处理，包含：
步骤1.1：在所述基底上辊涂聚氨酯，并烘干；
步骤1.2：在所述步骤1.1后辊涂丙烯酸酯，烘干后进行紫外线照射；
步骤1.3：在所述步骤1.2后对附有丙烯酸酯的基底进行等离子处理；
步骤2：在所述基底上溅射阻挡层；
步骤3：在所述阻挡层上溅射发热层；
其中，
所述步骤2中溅射采用的靶材的材质包含硅，在溅射过程中通入氧气作为反应气体，通入氩气作为保护气体。
所述步骤3中溅射采用的靶材的材质包含氧化铟锡、氧化锡锑、掺镓氧化锌、掺锡氧化锌、掺铝氧化锌中的一种或几种。
优选地，所述步骤3中溅射采用的靶材的材质为锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡；锑掺入量为10～20wt％的氧化锡锑；镓的掺入量为2～8wt％的掺镓氧化锌；锡的掺入量为15～30wt％的掺锡氧化锌, 铝的掺入量为0.9～2.7wt％的掺铝氧化锌中的一种或几种；
通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化铟锡中的锡、氧化锡锑中的锑、掺镓氧化锌中的镓、掺锡氧化锌中的锡的掺杂量调节所述发热膜的电阻率，所述发热膜的电阻率的范围为10-3Ω.m～10-6Ω.m。
优选地，所述步骤3中溅射采用的靶材中还掺杂有高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。
优选地，所述步骤3中溅射采用的靶材中氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％；
通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化锡中的镍、氧化铬中的铬和氧化锰中的锰的掺杂量，调节所述发热膜的红外发射率，所述发热膜的红外发射率的范围为0.67-0.95。
优选地，所述步骤3中，溅射发热层时，所述基底的温度为常温。
本申请还提供一种新型复合半导体制热薄膜，包含基底和发热层，所述基底和发热层之间设有阻挡层；
在所述基底与所述阻挡层之间设聚氨酯层和丙烯酸酯层；
在所述基底上先形成所述聚氨酯层，再形成所述丙烯酸酯层；
所述阻挡层采用材质包含硅的靶材通过溅射工艺形成于所述基底上；
所述发热层通过溅射形成，溅射所述发热层采用的靶材的材质包含氧化铟锡、氧化锡锑、掺镓氧化锌、掺锡氧化锌、掺铝氧化锌中的一种或几种。
优选地，溅射所述发热层采用的靶材的材质包含锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡；锑掺入量为10～20wt％的氧化锡锑；镓的掺入量为2～8wt％的掺镓氧化锌；锡的掺入量为15～30wt％的掺锡氧化锌, 铝的掺入量为0.9～2.7wt％的掺铝氧化锌中的一种或几种。
优选地，所述加热层的材质还包含高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。
优选地，溅射所述发热层采用的靶材的氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％。
优选地，所述基底为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜。
与现有技术相比，本申请所提供的新型复合半导体制热薄膜及薄膜制备方法产生的技术效果如下：
通过在所述基底和发热层之间设含硅的靶材溅射形成的阻挡层，基底中的杂质会在升温的情况下向外扩散，阻挡层一方面阻挡基底中的杂质向发热层扩散，另一方面防止水汽渗透进入发热层，杂质和水汽对发热层的发热效率及寿命均有损害。在使用包含氧化铟锡的靶材溅射形成的发热层的情况下，本申请通过引入膜层设计，能够使得基底和发热层的热膨胀系数和晶格常数匹配，使新型复合半导体制热薄膜在使用过程中各层结构之间连接可靠，延长使用寿命。
进一步地，由于基底的表面粗糙度较大，影响后期膜层镀制。本申请在对基底进行清洗之后辊涂聚氨酯，聚氨酯呈液态，通过流平作用实现基底平滑性处理，辊涂聚氨酯之后粗糙度降低有利于发热层附着。同时聚氨酯也有阻隔杂质的效果，能进一步阻止基底中的杂质扩散至发热层。
进一步地，若基底材料本身耐温性差，例如本发明使用的聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜等柔性材质本身耐温性小于玻璃等刚性基底，那么当发热层加热一定时间后，基底会因受热发生形变，具体表现在中心部位应力最集中，薄膜表面出现“凹陷”现象；而发热层本身的膨胀系数小，如果基底膨胀系数大，两者不匹配，整个薄膜的形变向附着发热层的这一面弯曲变形，这种变形破坏薄膜的表面结构。本申请通过辊涂丙烯酸酯使得基底材料能够耐高温且减小其热膨胀系数，改善基底性能。
进一步地，本申请对所述基底进行等离子处理。通过等离子体轰击基底的表面，达到清洁PET基底的目的，提高基底的阻挡层和发热层附着力。
本申请通过在溅射发热层采用的靶材中还掺杂有高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种，能够提升发热膜的红外发射率。半导体电热膜本身红外线发射率在0.8以内，但是掺入上述的高发射比氧化物，通过调节参数，可以得到高达0.9以上的红外线发射率。6-15微米波长的远红外线对人体健康有重要的作用，被科学家称之为生命之光。
进一步地，本申请的薄膜制备方法的步骤3中，溅射发热层时，所述基底的温度为常温。现有技术中制备金属氧化物材质的发热层时需要在高温的基底上进行溅射，比如基底需要加热到100-200℃以上，经过退火的过程，从而实现加热层在减小电阻和增大透过率之间的平衡。高温的基底不仅对溅射设备要求高，而且基底和膜层之间的热膨胀系数和晶格常数匹配要求更高，稍有不慎，会造成基底或发热层开裂或缺陷。而本申请提供的技术方案中发热层在几十纳米的厚度就可以实现电热转换率95%以上，并同时保证高透过率，溅射时无需升高基底温度。相对于需要升高基底温度的发热层，本申请对设备要求低，无需加热基底的同时加快了生产节拍，提升生产率，综合降低生产成本。
进一步地，本申请中所述步骤2中，溅射阻挡层时，所述基底的温度为常温，无需加热基底，降低设备成本，生产节拍快。本申请提供的技术方案考虑了膜层设计，在辊涂聚氨酯层后辊涂丙烯酸酯层，从基底至发热层，热膨胀系数和晶格常数逐渐变化，逐级匹配，保证了新型复合半导体制热薄膜在使用过程中的可靠性。
本申请中的薄膜制备方法采用磁控溅射的方式形成所述阻挡层和发热层，这两层材料均为无机材料，制程无污染，制备的新型复合半导体制热薄膜具有高透过性，透过率高达80%以上，具有高均匀性，低温辐射偏差为±1℃，应用场景更广泛，并具有产业的广泛利用价值。
附图说明
图1为依据本发明的实施例一提供的薄膜制备方法的流程图；
图2为依据本发明的实施例二提供的新型复合半导体制热薄膜的结构示意图。
图中标号：
P1-基底; P2-聚氨酯层;P3-丙烯酸酯层;P4-阻挡层;P5-发热层。
具体实施方式
下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
实施例一
本实施例提供一种薄膜制备方法，包含以下步骤：
步骤1: 对基底进行清洗，本实施例中所述基底为聚酯薄膜（英文简称PET）材质，所述基底厚为175微米，采用玻璃清洗液、氢氧化钠配制的碱液和去离子水各超声清洗30min后吹干备用；
步骤1.1：在清洗后的所述基底上通过辊涂的方式涂敷一层4.5微米厚的聚氨酯层，尔后烘干，烘干环境为130℃、大气下，烘干时间40min，所述聚氨酯层可以降低基底的粗糙度并减少杂质向发热层扩散。
步骤1.2：在所述步骤1.1后通过辊涂的方式再涂敷一层4.3微米厚的丙烯酸酯层，尔后烘干，烘干环境为116℃，大气下，烘干时间21min，尔后进行25min的紫外固化，曝光能量为465mJ，丙烯酸酯层可以增加柔性基底的硬度，便于后面发热层的镀制。
步骤1.3：在所述步骤1.2后对附有丙烯酸酯的基底进行等离子处理。通过射频电源（离子源电流0.2-0.8A，电压700-800V）在一定的压力（采用氩气作为保护气体，气压0.05-10Pa）情况下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击基底的表面，以达到清洁PET基底的目的，提高经过步骤1.1和1.2后基底的韧性，增加基底对阻挡层所用材料和发热层所用材料的附着力。等离子处理将基底暴露于非聚合性气体等离子体体中，利用等离子体轰击材基底表面，引起基底表面结构的变化而实现对基底的活化改性。等离子处理的功能层极薄（几到几百纳米），不会影响基底整体宏观性能，是完全的无损工艺。
步骤2：基底处于常温的情况下，即5摄氏度至40摄氏度，在所述基底上溅射20nm厚的阻挡层；溅射采用4N的硅靶材，溅射功率面密度为1.3W/cm2，在溅射过程中通入氧气作为反应气体，气体流量为90ml/min；通入氩气作为保护气体，气体流量为863ml/min，氩气和氧气的质量比为10.5:1，生成致密的二氧化硅（SiO2）薄膜作为阻挡层。
步骤3：基底处于常温的情况下，即5摄氏度至40摄氏度，在所述阻挡层上溅射15nm厚的发热层；采用锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡的氧化铟锡（英文简称ITO）靶材，溅射功率面密度为0.7W/cm2，在溅射过程中通入氩气作为保护气体，气体流量为1075ml/min。
所述步骤3中溅射采用的靶材中还掺杂有高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。其中，氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％；通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化锡中的镍、氧化铬中的铬和氧化锰中的锰的掺杂量，调节所述发热膜的红外发射率，所述发热膜的红外发射率的范围为0.67-0.95。通过在溅射发热层采用的靶材中还掺杂有高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种，能够提升发热膜的红外发射率。半导体电热膜本身红外线发射率在0.8以内，但是掺入上述的高发射比氧化物，通过调节参数，可以得到高达0.9以上的红外线发射率。6-15微米波长的远红外线对人体健康有重要的作用，被科学家称之为生命之光。
本实施例采用磁控溅射的方式形成所述阻挡层和发热层，制程无污染，制备的新型复合半导体制热薄膜具有高透过性，透过率高达80%以上，具有高均匀性，低温辐射偏差为±1℃，应用场景更广泛，并具有产业的广泛利用价值。
通过上述薄膜制备方法得到新型复合半导体制热薄膜包含基底和发热层，所述基底和发热层之间设有阻挡层；在所述基底与所述阻挡层之间设聚氨酯层和丙烯酸酯层；在所述基底上先形成所述聚氨酯层在形成所述丙烯酸酯层。制备得到的新型复合半导体制热薄膜的所述基底与发热层之间各层结构连接可靠，从基底至发热层，热膨胀系数和晶格常数逐渐变化，逐级匹配，保证了新型复合半导体制热薄膜在使用过程中的可靠性。
使用包含氧化铟锡的靶材溅射形成的发热层与基底之间设置含硅的靶材溅射形成的阻挡层，当基底中的杂质在升温的情况下向外扩散时阻挡层有效阻挡杂质向发热层扩散，并防止水汽渗透进入发热层，防止杂质和水汽对发热层的发热效率及寿命的损害。
所述步骤3中溅射采用的靶材的材质可以是包含氧化铟锡、氧化锡锑、掺镓氧化锌、掺锡氧化锌、掺铝氧化锌中的一种或几种。其中，氧化铟锡中锡的掺入量为5～10wt％；氧化锡锑中锑的掺入量为10～20wt％；掺镓氧化锌中镓的掺入量为2～8wt％；掺锡氧化锌中锡的掺入量为15～30wt％, 掺铝氧化锌中铝的掺入量为0.9～2.7wt％；通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化铟锡中的锡、氧化锡锑中的锑、掺镓氧化锌中的镓、掺锡氧化锌中的锡的掺杂量调节所述发热膜的电阻率，所述发热膜的电阻率的范围为10-3Ω.m～10-6Ω.m。
实施例二
本实施例提供一种新型复合半导体制热薄膜，包含聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜材质的基底P1和发热层P5，基底P1和发热层P5之间设有阻挡层P4；
阻挡层P4采用材质包含硅的靶材通过反应溅射工艺形成于基底P1上；
发热层P5采用材质包含氧化铟锡的靶材通过溅射工艺形成于阻挡层P4上。
发热层P5的厚度为16nm；采用锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡靶材。
阻挡层P4的厚度为23nm。
本实施中在基底P1与阻挡层P4之间设聚氨酯层P2和丙烯酸酯层P3；在基底P1上先形成聚氨酯层P2，再形成丙烯酸酯层P3。
阻挡层P4过厚不利于实现发热层P5的属性，阻挡层P4膜层厚度范围在可以实现既定目的的情况下，再镀厚则浪费工时，成本升高。发热层P5也是一样，并且过厚的膜层还会导致透过率下降。
本实施例提供的新型复合半导体制热薄膜通入电流后发热层面状发热，热交换面积大，电热转换效率高点，因此同等功率下温升更快，耗能更少，从而比传统电热元件更加节能省电。另外发热层还可以通过辐射远红外波，从而广泛应用于保健领域，该远红外波可直接穿透皮肤及皮下组织，作用于血管、神经末梢及淋巴管，引起分子共振，产生温热效应，起到活血化瘀，消炎止痛的功效。
本实施例提供的新型复合半导体制热薄膜厚度仅微纳米级，呈透明图层，具备柔性。与合金电热丝相比，本实施例提供的新型复合半导体制热薄膜电能转换效率高达80%以上；与黑膜相比，本实施例提供的新型复合半导体制热薄膜采用磁控溅射这种物理方法形成，制程无污染，制成的新型复合半导体制热薄膜具有高透过性和高均匀性，应用更广泛，稳定性更高。与其他金属氧化物薄膜相比，本实施例中的加热层在制备时无需提升基底温度，降低设备成本，加快生产节拍。
在其它实施例中，溅射所述发热层采用的靶材的材质包含氧化铟锡、氧化锡锑、掺镓氧化锌、掺锡氧化锌、掺铝氧化锌中的一种或几种。具体地，溅射所述发热层采用的靶材的材质包含锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡；锑掺入量为10～20wt％的氧化锡锑；镓的掺入量为2～8wt％的掺镓氧化锌；锡的掺入量为15～30wt％的掺锡氧化锌, 铝的掺入量为0.9～2.7wt％的掺铝氧化锌中的一种或几种。
在其它实施例中，所述加热层的材质还包含高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。具体地，氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语 “上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、 “示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (5)
1.薄膜制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
步骤1:对材质为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜的柔性基底进行处理，包含：
步骤1.1：在所述柔性基底上辊涂聚氨酯，并烘干；
步骤1.2：在所述步骤1.1后辊涂丙烯酸酯，烘干后进行紫外线照射；
步骤1.3：在所述步骤1.2后对附有丙烯酸酯的柔性基底进行等离子处理；
步骤2：在所述柔性基底上溅射阻挡层；
步骤3：在所述阻挡层上溅射发热层；
其中，
所述步骤2中溅射采用的靶材的材质包含硅，在溅射过程中通入氧气作为反应气体，通入氩气作为保护气体；
所述步骤3中，溅射发热层时，所述柔性基底的温度为5摄氏度至40摄氏度；
通过上述方法得到所述薄膜；
所述步骤3中溅射采用的靶材的材质为锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡；锑掺入量为10～20wt％的氧化锡锑；镓的掺入量为2～8wt％的掺镓氧化锌；锡的掺入量为15～30wt％的掺锡氧化锌,铝的掺入量为0.9～2.7wt％的掺铝氧化锌中的一种或几种；
所述步骤3中溅射采用的靶材中还掺杂有高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化铟锡中的锡、氧化锡锑中的锑、掺镓氧化锌中的镓、掺锡氧化锌中的锡的掺杂量调节所述发热层的电阻率，所述发热层的电阻率的范围为10-3Ω.m～10-6Ω.m。
3.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述步骤3中溅射采用的靶材中氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％；
通过调节所述步骤3中溅射采用的靶材的氧化镍中的镍、氧化铬中的铬和氧化锰中的锰的掺杂量，调节所述发热层的红外发射率，所述发热层的红外发射率的范围为0.67-0.95。
4.复合半导体制热薄膜，其特征在于，包含柔性基底和发热层，所述柔性基底和发热层之间设有阻挡层；
在所述柔性基底与所述阻挡层之间设聚氨酯层和丙烯酸酯层；
在所述柔性基底上先形成所述聚氨酯层，再形成所述丙烯酸酯层；
所述阻挡层采用材质包含硅的靶材通过溅射工艺形成于所述柔性基底上；
所述发热层通过溅射形成，溅射所述发热层采用的靶材的材质包含氧化铟锡、氧化锡锑、掺镓氧化锌、掺锡氧化锌、掺铝氧化锌中的一种或几种；
溅射所述发热层采用的靶材的材质包含锡的掺入量为5～10wt％的氧化铟锡；锑掺入量为10～20wt％的氧化锡锑；镓的掺入量为2～8wt％的掺镓氧化锌；锡的掺入量为15～30wt％的掺锡氧化锌,铝的掺入量为0.9～2.7wt％的掺铝氧化锌中的一种或几种；
所述柔性基底为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜；
所述发热层的材质还包含高发射比氧化物，所述高发射比氧化物包含氧化镍、氧化铬、氧化锰中的一种或几种。
5.根据权利要求4所述的复合半导体制热薄膜，其特征在于，溅射所述发热层采用的靶材的氧化镍中镍的掺入量为0.2～0.5wt％，氧化铬中铬掺入量为0.5～2.5wt％,氧化锰中锰的掺入量为1～5wt％。
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- 2021-05-17 CN CN202110531857.6A patent/CN113038641B/zh active Active
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