CN113035728A - 一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法 - Google Patents

一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法 Download PDF

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Abstract

本发明的一个实施例公开了一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，在金凸点植球机和倒焊机中执行，该方法包括：利用所述金凸点植球机对芯片植金凸点；响应于用户的第一操作，设置所述芯片的安全高度，用于防止操作过程中所述倒焊机的吸头损坏；响应于用户的第二操作，设置所述芯片的搜索高度，用于完整识别所述芯片；响应于用户的第三操作，设置所述芯片的倒装焊参数；响应于用户的第四操作，所述芯片与硅转接板图像聚焦；响应于用户的第五操作，所述芯片与硅转接板图像重合；响应于用户的第六操作，拾取和倒装焊所述芯片。本申请所述技术方案使得芯片凸点与硅转接板精密连接，有效提升了倒装焊的可靠性，具有广泛的应用前景。

Description

一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法
技术领域
本发明涉及芯片领域。更具体地，涉及一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法。
背景技术
目前高密度微波子阵三维堆叠采用芯片-硅转接板倒装焊等形式，但是对于高频子阵，芯片凸点数量多，硅转接板面积大，经常出现芯片凸点与硅转接板连接不上，造成微波信号互联失效或者损耗大以及倒装焊可靠性低等问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提出了一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，该方法在金凸点植球机和倒装焊机中执行，包括：
利用所述金凸点植球机对芯片植金凸点；
响应于用户的第一操作，设置所述芯片的安全高度，用于防止操作过程中所述倒焊机的吸头损坏；
响应于用户的第二操作，设置所述芯片的搜索高度，用于完整识别所述芯片；
响应于用户的第三操作，设置所述芯片的倒装焊参数；
响应于用户的第四操作，所述芯片与硅转接板图像聚焦；
响应于用户的第五操作，所述芯片与硅转接板图像重合；
响应于用户的第六操作，拾取和倒装焊所述芯片。
在一个具体实施例中，所述对芯片植金凸点包括：
所述芯片放置于金凸点植球机上，打开真空吸附；
响应于用户的第七操作，设置金凸点植球参数；
所述芯片与所述金凸点植球机进行对位，响应于用户的第八操作，在芯片引脚处植金凸点。
在一个具体实施例中，所述金凸点植球参数包括植球温度、植球功率、植球时间、第一压力、尾丝长度。
在一个具体实施例中，所述植球温度设置为100℃-150℃；所述植球功率设置为0.5W-1.5W；所述植球时间设置为90ms-100ms；所述第一压力设置为25g/金凸点-35g/金凸点；所述尾丝长度设置为300um-7 00um。
在一个具体实施例中，所述安全高度为所述倒装焊的吸头距离所述硅转接板的距离。
在一个具体实施例中，所述安全高度设置为5-10mm。
在一个具体实施例中，所述芯片搜索高度为硅转接板贴装完芯片上方0.05mm-0.1mm处。
在一个具体实施例中，所述倒装焊参数包括温度、超声功率、超声时间、第二压力、吸头下降速度、吸头下降到碰触芯片时的速度以及吸头夹取芯片后的速度。
在一个具体实施例中，所述温度设置为150℃-200℃；所述超声功率设置为4W-6W；所述超声时间设置为0.8s-1.2s；所述第二压力设置为30g/金凸点-50g/金凸点；所述吸嘴下降速度设置为1mm/s-5mm/s；所述吸头下降到碰触芯片时的速度设置为10um/s-50mm/s；所述吸头夹取芯片后的速度设置为5mm/s-10mm/s。
在一个具体实施例中，所述芯片与硅转接板图像聚焦用于使得所述倒装焊机的显示界面清楚显示所述芯片和硅转接板的图像；所述芯片与硅转接板图像重合用于使得所述芯片与硅转接板对齐，实现所述芯片与硅转接板的精准互联。
本发明的有益效果如下：
本申请针对目前现有的问题，制定一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，通过采用芯片-硅转接板倒装焊的形式，使得芯片凸点与硅转接板精密连接，弥补了现有技术中信号互联失效以及损耗大的问题，有效提升了倒装焊的可靠性，此外，本申请依靠现有的金丝键合机完成金凸点植球操作，成本低，具有广泛的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出根据本申请的一个实施例的基于硅转接板的芯片倒装焊方法的流程示意图。
图2示出根据本申请的一个实施例的金凸点植球的流程示意图。
图3示出根据本申请的一个实施例的基于硅转接板的芯片示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本申请，下面结合优选实施例和附图对本申请做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本申请的保护范围。
目前高密度微波子阵三维堆叠采用芯片-硅转接板倒装焊等形式，但是对于高频子阵，芯片凸点数量多，硅转接板面积大，经常出现芯片凸点与硅转接板连接不上，造成微波信号互联失效或者损耗大以及倒装焊可靠性低等问题。为此，本申请提出了一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，该方法在金凸点植球机和倒装焊机中执行，包括：
利用所述金凸点植球机对芯片植金凸点；响应于用户的第一操作，设置所述芯片的安全高度，用于防止操作过程中所述倒焊机的吸头损坏；响应于用户的第二操作，设置所述芯片的搜索高度，用于完整识别所述芯片；响应于用户的第三操作，设置所述芯片的倒装焊参数；响应于用户的第四操作，所述芯片与硅转接板图像聚焦；响应于用户的第五操作，所述芯片与硅转接板图像重合；响应于用户的第六操作，拾取和倒装焊所述芯片。
本实施例针对目前现有的问题，制定一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，通过采用芯片-硅转接板倒装焊的形式，使得芯片凸点与硅转接板精密连接，弥补了现有技术中信号互联失效以及损耗大的问题，有效提升了倒装焊的可靠性，此外，本申请依靠现有的金丝键合机完成金凸点植球操作，成本低，具有广泛的应用前景。
在一个具体示例中，如图1所示，该基于硅转接板的芯片倒装焊方法包括：
S10、利用所述金凸点植球机对芯片植金凸点；
在一个具体示例中，如图2所示，所述S10包括：
S100、所述芯片放置于金凸点植球机上，打开真空吸附；
S102、响应于用户的第七操作，设置金凸点植球参数；
S104、所述芯片与所述金凸点植球机进行对位，响应于用户的第八操作，在芯片引脚处植金凸点。
例如，如图3所示，操作员将芯片1放到金凸点植球机上，打开真空吸附；编辑金凸点植球机中的程序“金凸点植球”，设定金凸点2植球的温度为100℃-150℃，设定植球的功率为0.5W-1.5W，设定植球时间为90ms-100ms，设定压力为25g-35g，尾丝长度300um-700um。进行对位，对位完毕后，移动操作手柄，在芯片相应引脚处，开始植球，直到所有的凸点植球完毕。
在一个具体示例中，植球的温度为120℃，设定植球的功率为0.8W，设定植球时间为90ms，设定压力为28g，尾丝长度400um。
需要说明的是，本申请主要是针对军工多品种小批量微波毫米波领域使用情况，其中凸点布局不规则且对凸点成型形状要求极高。普通的民品领域依靠专门的植球机进行金凸点互联，设备投入成本大，本申请依靠现有的金丝键合机完成金凸点，能够降低制作成本。此外，普通民用领域属于低频领域，对金球变形量要求不高，完成电信号互联即可，本申请主要针对微波毫米波领域金球倒装互联，对金球变形及变形一致性要求极高，从而不影响微波信号的传输一致性。
S20、响应于用户的第一操作，设置所述芯片的安全高度，用于防止操作过程中所述倒焊机的吸头损坏；
在一个具体示例中，操作员手动移动控制台，首先确保拾取台或加热台不在吸头正下方以避免吸头碰撞损坏，从下拉列表中选择crash detect，点击move，设置吸头下降到硅转接板高度上方5mm-10mm，例如8mm。点击move up/down来寻找crash detect的高度，并点击save保存。
需要说明的是，所述安全高度为所述倒装焊的吸头距离所述硅转接板的距离。
S30、响应于用户的第二操作，设置所述芯片的搜索高度，用于完整识别所述芯片；
在一个具体示例中，同S20操作设置芯片搜索(die search)高度，放置硅转接板(图3中的标号4)到加热台上，设置die search的高度在硅转接板贴装完芯片上方0.05mm-0.1mm，例如0.08mm。需要说明的是，当芯片尺寸大时，搜索高度低会导致芯片识别不全；当芯片尺寸小时。搜索高度高会导致芯片识别影响不清楚。因此，芯片搜索高度依据实际情况而定。
S40、响应于用户的第三操作，设置所述芯片的倒装焊参数；
在一个具体示例中，操作员设置温度为150℃-200℃，超声功率为4W-6W,超声时间为0.8s-1.2s，压力30g-50g/金凸点。设置吸头下降速度为(1mm-5mm)/s，吸头下降到碰触芯片时的速度为(10um-50mm)/s，吸头夹取芯片后的速度为(5mm-10mm)
在一个具体示例中，超声时间为0.8s，第二压力35g/金凸点。设置吸头下降速度为5mm/s，吸头下降到碰触芯片时的速度为50mm/s，吸头夹取芯片后的速度为10mm/s。
S50、响应于用户的第四操作，所述芯片与硅转接板图像聚焦；
在一个具体示例中，操作员选择die focus，在head面板下点击die tool后面vacuum按钮，打开吸嘴真空开关并放置芯片在吸嘴下方，加热台上放置硅转接板并打开真空开关吸住基板。依次点击mode-show main camera，待棱镜伸出后，在影像右面的光线调节条上调节光的亮度，通过“左、右三角形符号”调节焦距直至能看清吸嘴下方的芯片，并点击Focus-save保存。聚焦芯片和芯片焊盘和焊球重合。
S60、响应于用户的第五操作，所述芯片与硅转接板图像重合；
在一个具体示例中，移动加热台至棱镜的光斑下，同样在影像右面的光线调节条上调节光的亮度，通过“上、下箭头符号”调节焦距直至能看清芯片，并点击Focus-save保存。所有focus都设置完毕后，点击viewer后面in/out按钮控制棱镜返回，并关闭真空开关，点击macro-save保存所要编辑的程序。
需要说明的是，所述芯片与硅转接板图像聚焦用于使得所述倒装焊机的显示界面清楚显示所述芯片和硅转接板的图像；所述芯片与硅转接板图像重合用于使得所述芯片与硅转接板对齐，实现所述芯片与硅转接板的精准互联。
S70、响应于用户的第六操作，拾取和倒装焊所述芯片。
在一个具体示例中，首先将芯片盒放在芯片拾取台上；将待硅转接板放在工作台上，并打开真空开关吸附住。调节侧面显微镜目镜焦距,以便观察倒装焊状态；选取倒装焊程序，确认程序高度信息、焦距信息、参数完整后，点击“run”开始运行程序，程序自动依次执行拾取芯片和倒装焊芯片动作，直到程序结束，倒装焊芯片完成。
本领域技术人员应当理解，金凸点植球机和倒装焊机带有显示用户操作界面的显示屏，操作员或者用户依据实际工作需求点击显示屏，金凸点植球机和倒装焊机能够响应于用户的点击操作，完成基于硅砖接板的芯片倒装焊工艺流程。
本实施例针对目前现有的问题，制定一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，通过采用芯片-硅转接板倒装焊的形式，使得芯片凸点与硅转接板精密连接，弥补了现有技术中信号互联失效以及损耗大的问题，有效提升了倒装焊的可靠性，此外，本申请依靠现有的金丝键合机完成金凸点植球操作，成本低，具有广泛的应用前景。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
还需要说明的是，在本申请的描述中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种基于硅转接板的芯片倒装焊方法，其特征在于，在金凸点植球机和倒焊机中执行，包括：
利用所述金凸点植球机对芯片植金凸点；
响应于用户的第一操作，设置所述芯片的安全高度，用于防止操作过程中所述倒焊机的吸头损坏；
响应于用户的第二操作，设置所述芯片的搜索高度，用于完整识别所述芯片；
响应于用户的第三操作，设置所述芯片的倒装焊参数；
响应于用户的第四操作，所述芯片与硅转接板图像聚焦；
响应于用户的第五操作，所述芯片与硅转接板图像重合；
响应于用户的第六操作，拾取和倒装焊所述芯片。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对芯片植金凸点包括：
所述芯片放置于金凸点植球机上，打开真空吸附；
响应于用户的第七操作，设置金凸点植球参数；
所述芯片与所述金凸点植球机进行对位，响应于用户的第八操作，在芯片引脚处植金凸点。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金凸点植球参数包括植球温度、植球功率、植球时间、第一压力、尾丝长度。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述植球温度设置为100℃-150℃；
所述植球功率设置为0.5W-1.5W；
所述植球时间设置为90ms-100ms；
所述第一压力设置为25g/金凸点-35g/金凸点；
所述尾丝长度设置为300um-700um。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述安全高度为所述倒装焊的吸头距离所述硅转接板的距离。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述安全高度设置为5-10mm。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片搜索高度为硅转接板贴装完芯片上方0.05mm-0.1mm处。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倒装焊参数包括温度、超声功率、超声时间、第二压力、吸头下降速度、吸头下降到碰触芯片时的速度以及吸头夹取芯片后的速度。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，
所述温度设置为150℃-200℃；
所述超声功率设置为4W-6W；
所述超声时间设置为0.8s-1.2s；
所述第二压力设置为30g/金凸点-50g/金凸点；
所述吸嘴下降速度设置为1mm/s-5mm/s；
所述吸头下降到碰触芯片时的速度设置为10um/s-50mm/s；
所述吸头夹取芯片后的速度设置为5mm/s-10mm/s。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述芯片与硅转接板图像聚焦用于使得所述倒装焊机的显示界面清楚显示所述芯片和硅转接板的图像；
所述芯片与硅转接板图像重合用于使得所述芯片与硅转接板对齐，实现所述芯片与硅转接板的精准互联。
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