CN113032290B - 闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 266
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 230000004044 response Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000013507 mapping Methods 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 9
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
Classifications
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
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Abstract
本申请公开了一种闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质，属于电子设备技术领域。该方法包括：接收用户对目标闪存配置选项的第一输入；响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据；确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域；根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。根据本申请实施例，可以使用户灵活自主地配置闪存。
Description
技术领域
本申请属于电子设备技术领域，具体涉及一种闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质。
背景技术
在手机、平板电脑等电子设备成为用户日常生活必需品的情况下，电子设备技术的发展日新月异。其中，电子设备中使用的存储技术已经发展到了通用闪存存储(Universal Flash Storage，UFS)3.1。但是，UFS闪存在出厂时就已配置好，后续用户无法自主配置UFS闪存，用户使用体验较差。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质，能够使用户灵活自主地配置闪存。
第一方面，本申请实施例提供了一种闪存配置方法，该方法包括：
接收用户对目标闪存配置选项的第一输入；
响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据；
确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域；
根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。
第二方面，本申请实施例提供了一种闪存配置装置，该装置包括：
接收模块，用于接收用户对目标闪存配置选项的第一输入；
确定模块，用于响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据；
确定模块，还用于确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域；
配置模块，用于根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。
第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序或指令，程序或指令被处理器执行时实现如第一方面的方法的步骤。
第四方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，可读存储介质上存储程序或指令，程序或指令被处理器执行时实现如第一方面的方法的步骤。
第五方面，本申请实施例提供了一种芯片，芯片包括处理器和通信接口，通信接口和处理器耦合，处理器用于运行程序或指令，实现如第一方面的方法。
在本申请实施例中，可以先接收用户对目标闪存配置选项的第一输入，响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据，并确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域，然后根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。如此可以使用户灵活自主地配置闪存，提高用户使用体验。
附图说明
图1是本申请实施例提供的一种闪存配置界面示意图；
图2是本申请实施例提供的一种闪存配置方法的流程示意图；
图3是相关技术提供的一种闪存配置场景示意图；
图4是本申请实施例提供的一种闪存配置场景示意图；
图5是本申请实施例提供的另一种闪存配置界面示意图；
图6是本申请实施例提供的另一种闪存配置界面示意图；
图7是本申请实施例提供的另一种闪存配置界面示意图；
图8是本申请实施例的提供的一种闪存配置装置的结构示意图；
图9是本申请实施例的提供的一种电子设备的结构示意图；
图10是本申请实施例的提供的另一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
针对背景技术中出现的问题，本申请实施例提供了一种闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质。可以先接收用户对目标闪存配置选项的第一输入，响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据，并确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域，然后根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。如此可以使用户灵活自主地配置闪存，提高用户使用体验。
下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质进行详细地说明。
作为一个示例，本申请实施例提供的闪存配置方法可以应用于手机、平板电脑、笔记本电脑或者个人计算机等电子设备的闪存配置场景，本申请在此不做限制。
如图1所示，电子设备的显示界面上显示“闪存个性化配置”选项，用户可以对该选项进行点击。响应于用户的点击输入，电子设备可以确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据。其中，目标闪存配置数据是目标逻辑区域的配置参数。然后确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域，根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存，满足用户自主配置闪存的需求。
图2是本申请实施例提供的一种闪存配置方法的流程示意图，如图2所示，该闪存配置方法可以应用于电子设备，包括以下步骤：
S210，接收用户对目标闪存配置选项的第一输入。
具体地，在电子设备显示目标闪存配置选项的情况下，可以接收用户对目标闪存配置选项的第一输入。其中，目标闪存配置选项是电子设备提供给用户用于闪存配置的操作选项。可选地，闪存可以包括UFS闪存或者嵌入式多媒体控制器(Embedded Multi MediaCard，eMMC)等等。
如图1所示，电子设备可以在设置界面的“系统管理”选项下显示“闪存个性化配置”选项，以供用户操作。其中，第一输入可以是点击或者长按目标闪存配置选项。
S220，响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据。
在一个实施例中，响应于第一输入，可以获取电子设备的未使用运行内存与全部运行内存的比值，确定比值对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据，其中，目标闪存配置数据是目标逻辑区域的配置参数。如此可以根据运行内存的使用情况确定合适的闪存配置数据，以用于后续闪存的合理配置。
示例性地，可以根据比值与预设比值阈值，确定比值对应的闪存配置等级，并确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。如此可以精确确定用于闪存配置的目标闪存配置数据。
可选地，可以判断比值与多个预设比值阈值之间的大小，确定比值对应的闪存配置等级，进而确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。
作为一个示例，未使用运行内存与全部运行内存的比值为T，存在3个预设比值阈值，分别为t1、t2、t3，且t1<t2<t3。如果T<t1，确定T对应的闪存配置等级为等级4；如果t1<T<t2，确定T对应的闪存配置等级为等级3；如果t2<T<t3，确定T对应的闪存配置等级为等级2；如果T>t3，确定T对应的闪存配置等级为等级1，从而可以确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。
在另一个实施例中，响应于第一输入，可以确定目标闪存配置选项对应的闪存配置等级，确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。其中，目标闪存配置选项与闪存配置等级绑定。如此可以根据目标闪存配置选项，使用户自主直观地确定用于闪存配置的目标闪存配置数据。
作为一个示例，电子设备的显示界面上显示“等级1”选项、“等级2”选项、“等级3”选项和“等级4”选项。用户点击“等级1”选项，将“等级1”选项作为目标闪存配置选项，电子设备响应于用户点击“等级1”选项，确定“等级1”选项对应的闪存配置等级即等级1，确定等级1对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。
S230，确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域。
其中，目标逻辑区域是电子设备的闪存中需要配置的逻辑区域。目前，闪存配置方式会导致配置的逻辑区域只能是逻辑地址连续的一大块逻辑区域，其中可能存在一些不需要配置的逻辑区域。以UFS闪存中的主机性能提升器(Host Performance Booster，HPB)的配置为例，如图3所示，UFS闪存中的逻辑区域包括HPB Region0、HPB Region1、……、HPBRegionX。目前配置HPB固定区域(HPB Pinned Regions)只有两个字段(wHPBPinnedRegionStartIdx和wNumHPBPinnedRegions)，其中，HPB固定区域为将逻辑地址与物理地址的映射关系存储至运行内存的逻辑区域。wHPBPinnedRegionStartIdx＝00h表示HPB固定区域从HPB Region0开始配置，wNumHPBPinnedRegions＝03h表示HPB固定区域包含连续的3个HPB Regions。也就是说，HPB固定区域包括HPB Region0、HPB Region1和HPBRegion2。假如图3中的HPB Region1不需要配置，以目前的闪存配置方式来说，并不能将其规避，如此将会造成运行内存的浪费。
因此在一个实施例中，目标闪存配置数据可以包括子逻辑区域块的数量、子逻辑区域块的标识、子逻辑区域块的起始地址和子逻辑区域块中的逻辑区域的数量等参数。其中，每两个子逻辑区域块相互分离。进而可以确定目标闪存配置数据对应的至少一个子逻辑区域块，并确定至少一个子逻辑区域块中的逻辑区域为目标逻辑区域。如此可以通过分离的子逻辑区域块，灵活规避无需配置的逻辑区域，解决运行内存的浪费问题。
仍以UFS闪存中的HPB的配置为例，可以增加wCurHPBPinnedRegionArea字段即子逻辑区域块的标识来表示当前配置的是第几块分离的子逻辑区域块作为HPB固定区域，增加wMaxHPBPinnedRegionArea字段即子逻辑区域块的数量来表示最大能够配置多少块分离的子逻辑区域块作为HPB固定区域。如图4所示，UFS闪存中的逻辑区域包括HPB Region0、HPB Region1、……、HPB RegionX。wMaxHPBPinnedRegionArea为03h，配置出了三块分离式的子逻辑区域块。其中，wCurHPBPinnedRegionArea为00h表示配置第一块子逻辑区域块，wHPBPinnedRegionStartIdx即子逻辑区域块的起始地址为00h表示第一子逻辑区域块从HPB Region0开始配置，wNumHPBPinnedRegions即子逻辑区域块中的逻辑区域的数量为02h表示第一子逻辑区域块包含连续的2个HPB regions，第一子逻辑区域块包括HPB Region0和HPB Region1；wCurHPBPinnedRegionArea为01h表示配置第二块子逻辑区域块，wHPBPinnedRegionStartIdx为03h表示第二子逻辑区域块从HPB Region3开始配置，wNumHPBPinnedRegions为01h表示第二子逻辑区域块包含1个HPB regions，第二子逻辑区域块包括HPB Region3；wCurHPBPinnedRegionArea为02h表示配置第三块子逻辑区域块，wHPBPinnedRegionStartIdx为Nh表示第三子逻辑区域块从HPB RegionN开始配置，wNumHPBPinnedRegions为03h表示第三子逻辑区域块包含连续的3个HPB regions，第三子逻辑区域块包括HPB RegionN、HPB Region(N+1)和HPB Region(N+2)。进而可以确定第一子逻辑区域块、第二子逻辑区域块和第三子逻辑区域块中的逻辑区域为目标逻辑区域。
S240，根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。
在一个实施例中，可以将目标逻辑区域的逻辑地址与物理地址的映射关系存储至电子设备的运行内存。具体地，可以将目标逻辑区域的映射关系存储至运行内存中的目标区域，节省在数据读取过程中从闪存中读取映射关系的时间，提高数据读取速度。
在本申请实施例中，可以先接收用户对目标闪存配置选项的第一输入，响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据，并确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域，然后根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。如此可以使用户灵活自主地配置闪存，提高用户使用体验。
下面以UFS闪存中的HPB的配置为例，对本申请实施例提供的闪存配置方法进行详细说明，具体如下：
如图5所示，在电子设备显示“存储器个性化配置”选项的情况下，用户可以点击“存储器个性化配置”选项，之后电子设备会显示如图6所示的界面，提示用户是否应用系统推荐方案。用户可以点击“确定”选项，确定采用系统推荐的方案。然后，电子设备可以确定“确定”选项对应的闪存属性数据。具体地，电子设备中的上层进程可以申请10000缓存(buffer)，在电子设备亮屏的情况下，每隔1分钟统计一次可用内存剩余比值即未使用内存与全部内存的比值，写入buffer，超过10000次后再写入第1次的位置。每次电子设备关机的时候，上层进程将buffer中的数据写入目标分区P。在确定闪存属性数据时，可以从目标分区P读出记录的数据并进行判断，在目标分区P中的可用内存剩余比值数据大于10000条的情况下，计算所有数据的内存剩余比值的平均值T。存在3个预设比值阈值，分别为t1、t2、t3，且t1<t2<t3。如果T<t1，确定“关闭”闪存配置等级；如果t1<T<t2，确定“默认”闪存配置等级；如果t2<T<t3，确定“居中”闪存配置等级；如果T>t3，确定“最大”闪存配置等级。可以理解，在目标分区P中的可用内存剩余比值数据小于10000条的情况下，可以确定“默认”闪存配置等级。从而可以根据预设的闪存配置等级与闪存属性数据的对应关系，确定闪存配置等级对应的闪存属性数据，将确定的闪存属性数据写入目标分区P。其中，闪存属性数据包括闪存配置使能标识和待配置逻辑区域数量，待配置逻辑区域数量表示闪存中将要配置的逻辑区域的数量。
其中，闪存配置等级与闪存属性数据的对应关系可以如下：
“关闭”：bLuEnable＝1，wLUMaxActiveHPBRegions＝0；
“默认”：bLuEnable＝2，wLUMaxActiveHPBRegions＝2048；
“居中”：bLuEnable＝2，wLUMaxActiveHPBRegions＝4096；
“最大”：bLuEnable＝2，wLUMaxActiveHPBRegions＝8192。
其中，bLuEnable表示闪存配置使能标识，wLUMaxActiveHPBRegions表示待配置逻辑区域数量。
在用户点击“取消”选项的情况下，电子设备会显示如图7所示的界面，提示用户选择4种不同的闪存配置等级，分别为“关闭”、“默认”、“居中”、“最大”。以UFS闪存为256GB的手机为例，在用户点击“关闭”选项的情况下，电子设备会告知用户：“该操作会关闭UFS HPB功能，会降低数据读取速度，但是不会占用运行内存”；在用户点击“默认”选项的情况下，电子设备会告知用户：“该操作会打开HPB功能，会提高对于HPB入口(HPB entry)即UFS中的逻辑区域的逻辑地址与物理地址的映射关系的缓存命中率，提高数据读取速度，但是会占用64M运行内存”；在用户点击“居中”选项的情况下，电子设备会告知用户：“该操作会打开HPB功能，会提高对于HPB入口的缓存命中率，提高数据读取速度，但是会占用128M运行内存”；在用户点击“最大”选项的情况下，电子设备会告知用户：“该操作会打开HPB功能，会提高对于HPB入口的缓存命中率，提高数据读取速度，但是会占用256M运行内存”。如图7所示，在用户点击了“默认”选项，且点击了“确定”选项的情况下，电子设备可以确定“默认”选项对应的闪存配置等级即“默认”闪存配置等级，将“默认”闪存配置等级对应的闪存属性数据写入目标分区P。
然后电子设备进入重启过程，在启动加载(Boot Loader)阶段读取UFS闪存当前属性中的使能标识与待配置区域数量，即UFS闪存当前属性中的bLuEnable和wLUMaxActiveHPBRegions。以及读取目标分区中的bLuEnable和wLUMaxActiveHPBRegions。判断UFS闪存当前属性中的bLuEnable和wLUMaxActiveHPBRegions与目标分区P中的bLuEnable和wLUMaxActiveHPBRegions是否相同。若不相同，则将目标分区P中的bLuEnable和wLUMaxActiveHPBRegions更新至UFS闪存的属性中。若相同，则不更新。然后启动电子设备的内核，内核初始化UFS闪存过程中，确定UFS闪存的属性中的bLuEnable和wLUMaxActiveHPBRegions对应的目标闪存配置数据，并确定该目标闪存配置数据对应的至少一个子逻辑区域块。其中，全部子逻辑区域块中的逻辑区域的数量之和等于待配置逻辑区域数量。进而将子逻辑区域块中的逻辑区域作为目标逻辑区域，并将目标逻辑区域的HPB入口存储至运行内存。电子设备显示主界面，配置完成。
需要说明的是，本申请实施例提供的闪存配置方法，执行主体可以为应用于电子设备的闪存配置装置，或者该闪存配置装置中用于执行闪存配置方法的控制模块；本申请实施例中以应用于电子设备的闪存配置装置执行闪存配置方法为例，说明本申请实施例提供的应用于电子设备的闪存配置装置。
图8是本申请实施例提供的一种闪存配置装置的结构示意图，如图8所示，闪存配置装置800包括：
接收模块810，用于接收用户对目标闪存配置选项的第一输入。
确定模块820，用于响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据。
确定模块820，还用于确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域。
配置模块830，用于根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。
在本申请实施例中，可以先接收用户对目标闪存配置选项的第一输入，响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据，并确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域，然后根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。如此可以使用户灵活自主地配置闪存，提高用户使用体验。
在一个实施例中，确定模块820包括：获取单元，用于响应于第一输入，获取电子设备的未使用运行内存与全部运行内存的比值。
第一确定单元，用于确定比值对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。如此可以根据运行内存的使用情况确定合适的闪存配置数据，以用于后续闪存的合理配置。
在一个实施例中，第一确定单元，具体用于根据比值与预设比值阈值，确定比值对应的闪存配置等级。
确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。如此可以精确确定用于闪存配置的目标闪存配置数据。
在一个实施例中，确定模块820包括：第二确定单元，用于响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的闪存配置等级。
第二确定单元，还用于确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。如此可以根据目标闪存配置选项，使用户自主直观地确定用于闪存配置的目标闪存配置数据。
在一个实施例中，目标闪存配置数据包括子逻辑区域块的数量、子逻辑区域块的标识、子逻辑区域块的起始地址和子逻辑区域块中的逻辑区域的数量。
确定模块820包括：第三确定单元，用于确定目标闪存配置数据对应的至少一个子逻辑区域块。
第三确定单元，还用于确定至少一个子逻辑区域块中的逻辑区域为目标逻辑区域。如此可以通过分离的子逻辑区域块，灵活规避无需配置的逻辑区域，解决运行内存的浪费问题。
在一个实施例中，配置模块830包括：存储单元，用于将目标逻辑区域的逻辑地址与物理地址的映射关系存储至电子设备的运行内存，节省在数据读取过程中从闪存中读取映射关系的时间，提高数据读取速度。
在一个实施例中，闪存包括UFS闪存。
本申请实施例中的闪存配置装置800可以是装置，也可以是终端中的部件、集成电路、或芯片。该装置可以是移动电子设备，也可以为非移动电子设备。示例性的，移动电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机(Ultra-Mobile Personal Computer，UMPC)、上网本或者个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA)等，非移动电子设备可以为服务器、网络附属存储器(NetworkAttached Storage，NAS)、个人计算机(Personal Computer，PC)、电视机(Television，TV)、柜员机或者自助机等，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例中的闪存配置装置800可以是装置，也可以是终端中的部件、集成电路、或芯片。
本申请实施例中的闪存配置装置800可以为具有操作系统的装置。该操作系统可以为安卓(Android)操作系统，可以为IOS操作系统，还可以为其他可能的操作系统，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例提供的闪存配置装置800能够实现图2至图7的方法实施例实现的各个过程，为避免重复，这里不再赘述。
如图9所示，本申请实施例还提供一种电子设备900，包括处理器901，存储器902，存储在存储器902上并可在处理器901上运行的程序或指令，该程序或指令被处理器901执行时实现上述闪存配置方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
需要注意的是，本申请实施例中的电子设备包括移动电子设备和非移动电子设备。
图10是本申请实施例的提供的另一种电子设备的硬件结构示意图。该电子设备1000包括但不限于：射频单元1001、网络模块1002、音频输出单元1003、输入单元1004、传感器1005、显示单元1006、用户输入单元1007、接口单元1008、存储器1009以及处理器1010等部件。
本领域技术人员可以理解，电子设备1000还可以包括给各个部件供电的电源(比如电池)，电源可以通过电源管理系统与处理器1010逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。图10中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，电子设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。
其中，用户输入单元1007，用于接收用户对目标闪存配置选项的第一输入。
处理器1010，用于响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据。
处理器1010，还用于确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域。
处理器1010，用于根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。
在本申请实施例中，可以先接收用户对目标闪存配置选项的第一输入，响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据，并确定目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域，然后根据目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存。如此可以使用户灵活自主地配置闪存，提高用户使用体验。
在一个实施例中，处理器1010，具体用于响应于第一输入，获取电子设备的未使用运行内存与全部运行内存的比值。
确定比值对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。如此可以根据运行内存的使用情况确定合适的闪存配置数据，以用于后续闪存的合理配置。
在一个实施例中，处理器1010，具体用于根据比值与预设比值阈值，确定比值对应的闪存配置等级。
确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。如此可以精确确定用于闪存配置的目标闪存配置数据。
在一个实施例中，处理器1010，具体用于响应于第一输入，确定目标闪存配置选项对应的闪存配置等级。
确定闪存配置等级对应的闪存配置数据为目标闪存配置数据。如此可以根据目标闪存配置选项，使用户自主直观地确定用于闪存配置的目标闪存配置数据。
在一个实施例中，目标闪存配置数据包括子逻辑区域块的数量、子逻辑区域块的标识、子逻辑区域块的起始地址和子逻辑区域块中的逻辑区域的数量。
处理器1010，具体用于确定目标闪存配置数据对应的至少一个子逻辑区域块。
确定至少一个子逻辑区域块中的逻辑区域为目标逻辑区域。如此可以通过分离的子逻辑区域块，灵活规避无需配置的逻辑区域，解决运行内存的浪费问题。
在一个实施例中，处理器1010，具体用于将目标逻辑区域的逻辑地址与物理地址的映射关系存储至电子设备的运行内存，节省在数据读取过程中从闪存中读取映射关系的时间，提高数据读取速度。
在一个实施例中，闪存包括UFS闪存。
应理解的是，本申请实施例中，输入单元1004可以包括图形处理器(GraphicsProcessing Unit，GPU)和麦克风，图形处理器对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。显示单元1006可包括显示面板，可以采用液晶显示器、有机发光二极管等形式来配置显示面板。用户输入单元1007包括触控面板以及其他输入设备。触控面板，也称为触摸屏。触控面板可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其他输入设备可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。存储器1009可用于存储软件程序以及各种数据，包括但不限于应用程序和操作系统。处理器1010可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器1010中。
本申请实施例还提供一种可读存储介质，可读存储介质上存储有程序或指令，该程序或指令被处理器执行时实现上述闪存配置方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
其中，处理器为上述实施例中的电子设备中的处理器。可读存储介质，包括计算机可读存储介质，如计算机只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)、磁碟或者光盘等。
本申请实施例另提供了一种芯片，芯片包括处理器和通信接口，通信接口和处理器耦合，处理器用于运行程序或指令，实现上述闪存配置方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
应理解，本申请实施例提到的芯片还可以称为系统级芯片、系统芯片、芯片系统或片上系统芯片等。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。
Claims (9)
1.一种闪存配置方法，其特征在于，包括：
接收用户对目标闪存配置选项的第一输入；
响应于所述第一输入，确定所述目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据；
确定所述目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域；
根据所述目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存；
所述响应于所述第一输入，确定所述目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据，包括：
响应于所述第一输入，获取所述电子设备的未使用运行内存与全部运行内存的比值；
确定所述比值对应的闪存配置数据为所述目标闪存配置数据。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述比值对应的闪存配置数据为所述目标闪存配置数据，包括：
根据所述比值与预设比值阈值，确定所述比值对应的闪存配置等级；
确定所述闪存配置等级对应的闪存配置数据为所述目标闪存配置数据。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述响应于所述第一输入，确定所述目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据，包括：
响应于所述第一输入，确定所述目标闪存配置选项对应的闪存配置等级；
确定所述闪存配置等级对应的闪存配置数据为所述目标闪存配置数据。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述目标闪存配置数据包括子逻辑区域块的数量、子逻辑区域块的标识、子逻辑区域块的起始地址和子逻辑区域块中的逻辑区域的数量；
所述确定所述目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域，包括：
确定所述目标闪存配置数据对应的至少一个子逻辑区域块；
确定所述至少一个子逻辑区域块中的逻辑区域为所述目标逻辑区域。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存，包括：
将所述目标逻辑区域的逻辑地址与物理地址的映射关系存储至所述电子设备的运行内存。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，所述闪存包括UFS闪存。
7.一种闪存配置装置，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收用户对目标闪存配置选项的第一输入；
确定模块，用于响应于所述第一输入，确定所述目标闪存配置选项对应的目标闪存配置数据；
确定模块，还用于确定所述目标闪存配置数据对应的目标逻辑区域；
配置模块，用于根据所述目标逻辑区域对电子设备的闪存进行配置并保存；
所述确定模块包括：
获取单元，用于响应于所述第一输入，获取所述电子设备的未使用运行内存与全部运行内存的比值；
第一确定单元，用于确定所述比值对应的闪存配置数据为所述目标闪存配置数据。
8.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述的闪存配置方法的步骤。
9.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述的闪存配置方法的步骤。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110296039.2A CN113032290B (zh) | 2021-03-19 | 2021-03-19 | 闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质 |
| PCT/CN2022/080551 WO2022194068A1 (zh) | 2021-03-19 | 2022-03-14 | 闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110296039.2A CN113032290B (zh) | 2021-03-19 | 2021-03-19 | 闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113032290A CN113032290A (zh) | 2021-06-25 |
| CN113032290B true CN113032290B (zh) | 2024-01-19 |
Family
ID=76471852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110296039.2A Active CN113032290B (zh) | 2021-03-19 | 2021-03-19 | 闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113032290B (zh) |
| WO (1) | WO2022194068A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113032290B (zh) * | 2021-03-19 | 2024-01-19 | 维沃移动通信有限公司 | 闪存配置方法、装置、电子设备和存储介质 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2021
- 2021-03-19 CN CN202110296039.2A patent/CN113032290B/zh active Active
-
2022
- 2022-03-14 WO PCT/CN2022/080551 patent/WO2022194068A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022194068A1 (zh) | 2022-09-22 |
| CN113032290A (zh) | 2021-06-25 |
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