CN113013731B - 柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构及其制备方法 - Google Patents
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- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 144
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 294
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 145
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 17
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 17
- VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N hexamethylenetetramine Chemical compound C1N(C2)CN3CN1CN2C3 VKYKSIONXSXAKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 7
- 235000010299 hexamethylene tetramine Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000004312 hexamethylene tetramine Substances 0.000 claims description 6
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 1-(1-adamantyl)-3-aminothiourea Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(NC(=S)NN)C3 XIOUDVJTOYVRTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/341—Structures having reduced dimensionality, e.g. quantum wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2304/00—Special growth methods for semiconductor lasers
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Abstract
本发明公开了一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构及其制备方法。所述激光器阵列结构包括：柔性基底；结合在柔性基底上的GaN层；设置在GaN层上的底电极；外延生长于所述GaN层上的ZnO纳米线阵列，所述ZnO纳米线阵列包括多根竖立设置的ZnO纳米线，其中相邻ZnO纳米线的间隙内填充有保护材料；覆盖在ZnO纳米线阵列上的电介质层；以及，设置在电介质层上的、作为顶电极的金属层；其中，每一ZnO纳米线分别与一顶电极及一底电极配合形成一个纳米激光器单元。本发明提供的激光器阵列结构具有阵列规模大、高密度阵列化工作、可控性好等特点，且制备工艺简单，在可穿戴电子皮肤及柔性传感器等领域具有较好的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种激光器，具体涉及一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构及其制备方法，属于半导体技术领域。
背景技术
随着人工智能技术的飞速发展，电子皮肤及可穿戴电子产品的研究炙手可热，同时电子元器件也向着柔性、微型化、高集成度等方向发展。柔性电子器件因其良好的弯曲、折叠、扭转、压缩或拉伸等特性，在电子皮肤、人机界面交互、智能机器人等应用领域发挥至关重要的作用，因而电子器件柔性化的研究目前已经成为交叉学科中的研究热点之一。近年来，研究人员对于将纳米尺度激光器应用于芯片光子器件和超灵敏传感器越来越关注。但是，目前已报道的半导体纳米激光器多使用自上而下刻蚀的方法制备微纳米尺度的光学微腔，刻蚀过程中的高能量与高温过程不适用于柔性衬底，所以无法通过这些方法制备柔性纳米激光器。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种具有高分辨率的柔性电泵浦纳米激光器阵列的结构及制备方法，以克服现有技术的不足。
为实现前述发明目的，本发明采用的技术方案包括：
本发明实施例提供了一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其包括：
柔性基底；
结合在柔性基底上的GaN层；
设置在GaN层上的底电极；
外延生长于所述GaN层上的ZnO纳米线阵列，所述ZnO纳米线阵列包括多根竖立设置的ZnO纳米线，其中相邻ZnO纳米线的间隙内填充有保护材料，所述保护材料的折射率低于ZnO，以使ZnO纳米线与保护材料的界面处形成全反射面；
覆盖在ZnO纳米线阵列上的电介质层；以及
设置在电介质层上的、作为顶电极的金属层；
其中，每一ZnO纳米线分别与一顶电极及一底电极配合形成一个纳米激光器单元。
在一些实施方式中，所述ZnO纳米线为规则的六棱柱形，并且所述ZnO纳米线的顶端面、底端面均光滑平整。
本发明实施例还提供了一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的制备方法，其包括：
在柔性基底上设置GaN层；
在所述GaN层上设置底电极；
在所述GaN层上设置图形化掩模层，并利用所述图形化掩模层在GaN层上生长形成ZnO纳米线阵列；
在所述ZnO纳米线阵列内填充保护材料，所述保护材料的折射率低于ZnO，以使ZnO纳米线与保护材料的界面处形成全反射面；
在所述ZnO纳米线阵列上设置电介质层；以及
在所述电介质层上设置作为顶电极的金属层，且使每一ZnO纳米线分别与一顶电极及一底电极配合形成一个纳米激光器单元。
本发明实施例还提供所述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的用途，例如在制备电子皮肤、可穿戴器件等产品中的用途。
与现有技术相比，本发明以上实施例提供的技术方案至少具有下列优点：
(1)提供的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构具有良好耐弯曲特性，在受力产生形变后仍能正常工作，特别适用于可穿戴电子产品，并且激光出射率、散热率与柔韧性良好，同时能实现高均匀性的激光发射，还能实现高密度阵列化工作和对阵列结构中每个纳米激光器的精准控制；
(2)提供的制备所述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的整体工艺可以在低温、温和环境中完成，不仅可以降低工艺难度和成本，还能有效保障和提升器件的性能和良品率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一典型实施方式中一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的示意图；
图2是本发明一典型实施方式中一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的制备工艺流程图；
图3是本发明一典型实施方式中一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构中ZnO纳米线与顶电极、底电极配合的示意图；
附图标记说明：1—柔性基底、2—GaN层、3—图形化掩模层、4—保护材料、5—ZnO纳米线、6—电介质层、7—作为顶电极的金属层、8—底电极、9—电源正极、10—电源负极。
具体实施方式
鉴于现有技术的缺陷，本案发明人经长期研究和大量实践，得以提出本发明的技术方案，下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例的一个方面提供的一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构包括：
柔性基底；
结合在柔性基底上的GaN层；
设置在GaN层上的底电极；
外延生长于所述GaN层上的ZnO纳米线阵列，所述ZnO纳米线阵列包括多根竖立设置的ZnO纳米线，其中相邻ZnO纳米线的间隙内填充有保护材料，所述保护材料的折射率低于ZnO，以使ZnO纳米线与保护材料的界面处形成全反射面；
覆盖在ZnO纳米线阵列上的电介质层；以及
设置在电介质层上的、作为顶电极的金属层；
其中，每一ZnO纳米线分别与一顶电极及一底电极配合形成一个纳米激光器单元。
在本发明实施例中，采用的ZnO半导体纳米线因其组成材料本身具有激光发射的本征特性，而且其类一维结构同时具备光增益介质和光学谐振腔的特性，所以非常适合用来制备纳米尺度的激光器，而且纳米激光器由于其尺寸微小，可以与其他电子器件高度集成，尤其适于制作柔性化电泵浦纳米激光器阵列，对于实现高灵敏度生物传感、高集成度光通信等应用具有极大地推动作用，在下一代光电子器件中具有非常广阔的应用前景。
在一些实施方式中，所述ZnO纳米线的高度为800nm-10μm，直径为500nm-3μm。
在一些实施方式中，所述GaN层是n型的。
在一些实施方式中，所述GaN层可以是在柔性衬底上生长形成，也可以是通过将预先制备的GaN薄膜转移到柔性基底上形成。
其中，形成所述GaN层的方式包括但不限于金属有机化学气相沉积(MOCVD)、等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)等等。
例如，在一个较为具体的实施方式中，可以先利用MOCVD制备n-GaN/Al2O3晶片，再通过电镀方法在n-GaN表面沉积一层铜(Cu)膜层作为支撑，然后通过激光剥离工艺将Cu/n-GaN与Al2O3分离，之后通过化学方法将Cu膜层去除，只留下n-GaN薄膜，进而将其转移到柔性基底上。
在一些实施方式中，所述ZnO纳米线具有较高晶体质量，形貌规整。
在一些实施方式中，所述ZnO纳米线为规则的六棱柱形。
在一些实施方式中，所述ZnO纳米线的顶端面、底端面均光滑平整，如此有利于光反射、减少光吸收损耗，可以提供高质量的FP型光学微腔。
在一些实施方式中，相邻ZnO纳米线的间距在5μm以下。
在一些实施方式中，所述柔性基底选自柔性聚合物衬底。
在一些实施方式中，所述作为顶电极的金属层包括作为顶电极的金属层。
在一些实施方式中，所述GaN层上还设置有掩膜层，所述掩膜层具有与ZnO纳米线阵列相应的图形化结构，并且所述掩膜层具有与保护材料不同或相同的材质。
优选的，所述掩膜层具有与保护材料相同的材质。如此，在完成ZnO纳米线阵列的生长后，无需去除掩模层，可以避免因刻蚀掩模层等对ZnO纳米线阵列造成的损伤，而且还可以利用掩模层作为保护材料，提供前述的全反射界面，特别是，当ZnO纳米线的长度较长时(例如800nm-10μm)，通过采用厚度较大的掩模层，还可以避免向ZnO纳米线阵列内填充保护材料时，因ZnO纳米线之间的间隙的深径比过大而使保护材料无法有效填充ZnO纳米线阵列下部区域的问题。
在一些实施方式中，所述GaN层与柔性基底通过透明弹性的耐高温胶水粘接。如此可以保证激光器具有良好激光出射率、散热率与柔韧性。
在一些实施方式中，所述掩膜层的材质包括氧化硅或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等，但不限于此。
在一些实施方式中，所述保护材料的材质包括光刻胶(如SU8)或聚甲基丙烯酸甲酯等，但不限于此。
其中，所述保护材料至少具有如下功能：一，固定ZnO纳米线，防止ZnO纳米线倾倒或脱落；二，利用其良好的绝缘性能有效地防止顶电极和底电极(即顶电极、底电极)直接导通而导致的器件短路；三，以其将每根ZnO纳米线包围，因为保护材料的折射率远小于ZnO的折射率，这样使得在ZnO纳米线与保护材料的界面处形成一个全反射面，有利于将辐射光限制在ZnO纳米线内部，减小ZnO纳米线侧面漏光现象，从而提高纳米激光器的发光效率。
在一些实施方式中，所述柔性基底的材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚二甲基硅氧烷(PDMS)等，但不限于此。其中，所述柔性基底的厚度可以选择为0.5-10mm。
在一些实施方式中，所述作为顶电极的金属层的材质可以有多种选择，包括但不限于金(Au)、银(Ag)、铝(Al)等。其中，所述金属层的厚度可以选择为100-800nm。
在一些实施方式中，所述电介质层的材质包括但不限于氧化硅、氮化硅、氧化铝等。
在一些实施方式中，所述电介质层的厚度在1μm以下，例如可以为100～800nm。
在一些实施方式中，所述顶电极为多个且并行设置，所述底电极也为多个且并行设置，所述顶电极、底电极均为条形且延伸方向相互交叉。
在一些实施方式中，每一纳米激光器单元与多通路电源设备的一个工作通路电连接。
其中，通过设计交叉电极，并采用多通路电源设备为其供电，可以实现对阵列中每个纳米激光器的精准控制。当施加电信号激励后，可以使得ZnO纳米线阵列中每根ZnO纳米线都可以发射激光，进而实现高均匀性的柔性纳米激光器阵列。
在本发明的以上实施例中，在所述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构工作时，由于ZnO纳米线规则的六棱柱形状及光滑平整的端面特性，可以将每根ZnO纳米线作为一个独立的光学谐振腔，实现对发光的选模、谐振及激射过程，以及，利用ZnO纳米线阵列/电介质层/作为顶电极的金属层组成的MIS结构，在电注入激励源作用下，在半导体/电介质界面产生激发光，光波经过ZnO纳米线构成的光学谐振腔的选模、谐振作用下最终实现激射。
本发明以上实施例提供的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构具有良好耐弯曲特性，在受力产生形变后仍能正常工作，特别适用于可穿戴电子产品，同时，其中单个激光器结构直径最小可实现500nm，纳米激光器间距最小可实现300nm，并且电泵浦激光发射阈值约为7.5mA。
本发明实施例的另一个方面提供的一种制备所述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的方法包括：
在柔性基底上设置GaN层；
在所述GaN层上设置底电极；
在所述GaN层上设置图形化掩模层，并利用所述图形化掩模层在GaN层上生长形成ZnO纳米线阵列；
在所述ZnO纳米线阵列内填充保护材料，所述保护材料的折射率低于ZnO，以使ZnO纳米线与保护材料的界面处形成全反射面；
在所述ZnO纳米线阵列上设置电介质层；以及
在所述电介质层上设置作为顶电极的金属层，且使每一ZnO纳米线分别与一顶电极及一底电极配合形成一个纳米激光器单元。
在一些实施方式中，所述的制备方法包括：将自支撑的GaN薄膜转移到柔性基底上作为所述的GaN层。
在一些实施方式中，所述的制备方法包括：利用透明弹性的耐高温胶水将所述GaN层与柔性基底粘接固定。
在一些实施方式中，所述的制备方法包括：利用水热法在表面设置有图形化掩模层的GaN层上生长形成ZnO纳米线阵列。
进一步的，所述制备方法包括：将表面设置有图形化掩模层的GaN层置入氧化锌纳米线的生长溶液中，在70-100℃的温度条件下水热反应3-10h，从而生长形成ZnO纳米线阵列；其中，所述生长溶液包括摩尔比为1：1～1：3的可溶性锌盐和六亚甲基四胺，其中可溶性锌盐浓度为20-100mmol/L。
其中，所述可溶性锌盐包括但不限于硝酸锌等。
较之现有的化学气相沉积法(CVD)等，采用前述的水热法可以保证每一ZnO纳米线都具有较规整的形貌特征，呈现规则的六棱柱形状，尤其可以保证ZnO纳米线上、下两个端面均光滑平整，从而可以为激光器的实现提供优质FP型光学谐振腔。
其中，若采用有机材料形成前述图形化掩模层，可以在将表面设置有图形化掩模层的GaN层置入氧化锌纳米线的生长溶液之前，预先采用本领域已知的方式对图形化掩模层进行亲水化改性，以促进水热反应更为顺利地进行。
在一些实施方式中，所述图形化掩模层包括多个点阵图形，每一点阵图形的直径在100nm～2μm之间。
进一步的，其中相邻点阵图形的间距不大于5μm。
进一步的，所述多个点阵图形的排布方式不限，包括但不限于矩阵排列、六方形排列、三角形排列等。
进一步的，每一点阵图形与一ZnO纳米线对应。其中，每一点阵图形都可以视为一个具有设定形状的通孔，GaN层的表面能够透过所述通孔从图形化掩模层中露出。进而，每一点阵图形中都会生长一ZnO纳米线，从而最终生长形成ZnO纳米线阵列。
其中，所述图形化掩膜可以采用本领域已知的方式制备，例如光刻、激光直写和/或电子束曝光法等，但不限于此。
其中，所述图形化掩膜可以采用在水热方中表面不会生长ZnO纳米线的材料，例如SiO2、PMMA等材料，但不限于此。
在一些实施方式中，所述顶电极、底电极分别用于与电源的两极电连接。例如，其中顶电极、底电极分别用于与电源的正极、负极电连接。
在一些实施方式中，所述的制备方法包括：设置多个并行分布的顶电极和多个并行分布的底电极，所述顶电极、底电极均为条形且延伸方向相互交叉。
在一些实施方式中，所述的制备方法包括：使每一纳米激光器单元能够与多通路电源设备的一个工作通路电连接。
其中，通过采用交叉电极，并利用多通路电源设备为其供电，可以实现对阵列中每个纳米激光器的精准控制。
本发明以上实施例提供的制备柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的工艺整体可在低温、温和环境中完成，避免了高温、腐蚀性化学试剂对器件中各结构层，例如柔性基底、ZnO纳米线阵列等的损伤，从而可以有效保障器件的性能，提高其良品率，并还可降低成本，因此适于大规模生产。
本发明实施例还提供所述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构在制备电子皮肤或可穿戴器件中的用途。
下面结合若干优选实施例及附图对本发明的技术方案做进一步详细说明，本实施例在以发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
如无特殊说明，如下实施例中所采用的实验材料、生产设备、测试设备等均可以从市场途径获取，而相应的操作方法等也是本领域已知的。
在本发明的一个较为典型的实施例中一种具有高分辨率的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列具有图1所示结构，其包括：柔性基底1((PET或PDMS等材质，对蓝紫光360-400nm波长范围透光率约不低于60％)，结合在柔性基底上的n型GaN层2，覆盖于所述GaN层上的图形化掩模层3(SiO2或PMMA等材质)，直接外延生长于所述GaN层上的ZnO纳米线阵列，覆盖在ZnO纳米线阵列上的电介质层6(SiO2等材质)，以及，设置在SiO2层上的作为顶电极的金属层7(例如Au、Ag等材质)。进一步的，所述GaN层还设置有底电极8。该顶电极、底电极均为条状且延伸方向相互交叉。该顶电极、底电极分别用于与电源的正、负极9、10电连接。
其中，所述ZnO纳米线阵列包括多根竖立设置的ZnO纳米线5，其中相邻ZnO纳米线的间隙内填充有作为保护材料4的PMMA、SU8等。
其中，每根ZnO纳米线的形貌规整，呈现为规则的六棱柱形，而且ZnO纳米线的上、下两个端面光滑平整。所述ZnO纳米线的高度为800nm-10μm，直径为500nm-3μm，并且，相邻ZnO纳米线的间距在5μm以下。
其中，所述图形化掩模层3的厚度约100nm。
其中，所述图形化掩模层3具有阵列排布的多个点阵图形，使得GaN层表面从图形化掩模层中暴露出，且每个点阵图形直径在100nm～2μm之间，而相邻点阵图形的间距不大于5μm。该多个点阵图形的排布方式依据实际需求而定，例如可以是矩阵排列、六方形排列、三角形排列等，但不限于此。
其中，所述电介质层的厚度可以为100～800nm。
进一步的，参阅图2所示，一种制备所述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列的方法包括：
(1)提供带有n-GaN的蓝宝石(Al2O3)晶片，并利用电镀方法在n-GaN表面沉积一层铜(Cu)膜层作为支撑，通过激光剥离工艺将Cu/n-GaN与Al2O3分离；利用化学方法将Cu膜层去除，只留下n-GaN薄膜，进而将其转移到柔性高分子聚合物衬底上，形成柔性的n-GaN基底。
(2)利用光刻-磁控溅射工艺在n-GaN表面制备横向(或纵向)的条状电极，电极宽度可选但不限于5μm；电极材料为高导电率的金属材料，可选但不限于Au；金属电极厚度不大于1μm。
(3)继续在带有金属电极条的GaN样品表面通过光刻工艺制备阵列图形化掩膜，采用磁控溅射工艺沉积厚度为100nm的SiO2薄膜作为掩膜层。此时，在GaN表面形成阵列图形化的暴露区域。
(4)制备水热法合成ZnO氧化锌纳米线的生长溶液中，该生长溶液为六亚甲基四胺(HMTA)与六水合硝酸锌(ZnNO3·6H2O)的混合溶液，混合溶液的浓度可选20-100mmol/L，两种溶液的体积比HMTA:ZnNO3·6H2O可选范围为3:1-1:1(最终使ZnNO3与HMTA的摩尔比为1：1～1：3)。将上述带有图形掩膜的GaN衬底放入该生长溶液中，在温度为70-100℃的条件下进行水热反应3-10小时。
(5)通过旋涂方法，将上述合成的ZnO氧化锌纳米线阵列间隙内填充PMMA材料，并进行烘干固化。此处PMMA有三个作用：一，PMMA起到固定ZnO纳米线的作用，防止ZnO纳米线倾倒或脱落；二，PMMA是高分子聚合物，具有良好的绝缘性能，能够有效地防止顶电极和底电极直接导通，从而导致器件发生短路；三，每根ZnO纳米线被PMMA包围，因为PMMA的折射率远小于ZnO的折射率，这样使得在ZnO纳米线与PMMA的界面处形成一个全反射面，有利于将辐射光限制在ZnO纳米线内部，减小ZnO纳米线侧面漏光现象，从而提高纳米激光器的发光效率。
(6)通过反应离子刻蚀工艺将ZnO纳米线远离GaN一侧端面的PMMA刻蚀清除，以免影响ZnO半导体材料与电介质材料的接触。
(7)通过电子束蒸发工艺在ZnO纳米线阵列的顶端沉积一层SiO2电介质薄膜，厚度不限于150nm。SiO2膜层作为MIS结构中的介电层，是纳米线激光器中非常重要的组成部分。选用电子束蒸发工艺来制备SiO2薄膜，是因为电子束蒸发沉积过程中，SiO2薄膜中很容易形成空穴，这可以为后续电致发光过程提供部分空穴来源。
(8)在SiO2薄膜上面通过光刻-磁控溅射工艺制备条状顶电极，与条状底电极方向正交(纵向或横向)，电极宽度稍大于ZnO纳米线直径，并确保能覆盖ZnO纳米线端面，每个条状电极引出一个与外电源连接的接口；电极材料为高导电率的金属材料，可选但不限于Au；金属电极厚度不大于1μm。
参阅图1及图3所示，在前述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构制备完毕后，可以将上述多条状顶电极、底电极分别与外部多通路电源设备的正、负电极连接，在外加电信号的激励下，每根ZnO纳米线都作为一个独立的MIS激光器件发光，光波在器件底部(柔性高分子材料一侧)进行采集。
在以上实施例中，通过采用导电GaN基底和绝缘MIS结构，实现了柔性电致激光阵列的发射，与现有电致激光、光致激发器件相比，更易于实现阵列化的调控和电子皮肤等领域的应用。
在以上实施例中，器件结构为MIS结构，通过绝缘的电介质层的引入，在外加电场的作用下，产生复合载流子，绝缘层的引入同时会降低器件漏电，从而降低器件的静态功耗。
在以上实施例中，器件结构为上下结构，制作工艺简单，并且电极位于纳米线的两端，方便纳米线之间的互联，实现精准、独立控制阵列中每个纳米激光器的同时，电极的引入对器件的分辨率不产生影响。
此外，本案发明人还参照前述实施例，以本说明书述及的其它原料、工艺操作、工艺条件进行了试验，并均获得了较为理想的结果。
本发明的各方面、实施例、特征及实例应视为在所有方面为说明性的且不打算限制本发明，本发明的范围仅由权利要求书界定。在不背离所主张的本发明的精神及范围的情况下，所属领域的技术人员将明了其它实施例、修改及使用。
在本发明案中标题及章节的使用不意味着限制本发明；每一章节可应用于本发明的任何方面、实施例或特征。
在本发明案通篇中，在将组合物描述为具有、包含或包括特定组份之处或者在将过程描述为具有、包含或包括特定过程步骤之处，预期本发明教示的组合物也基本上由所叙述组份组成或由所叙述组份组成，且本发明教示的过程也基本上由所叙述过程步骤组成或由所叙述过程步骤组组成。
应理解，各步骤的次序或执行特定动作的次序并非十分重要，只要本发明教示保持可操作即可。此外，可同时进行两个或两个以上步骤或动作。
尽管已参考说明性实施例描述了本发明，但所属领域的技术人员将理解，在不背离本发明的精神及范围的情况下可做出各种其它改变、省略及/或添加且可用实质等效物替代所述实施例的元件。另外，可在不背离本发明的范围的情况下做出许多修改以使特定情形或材料适应本发明的教示。因此，本文并不打算将本发明限制于用于执行本发明的所揭示特定实施例，而是打算使本发明将包含归属于所附权利要求书的范围内的所有实施例。此外，除非具体陈述，否则术语第一、第二等的任何使用不表示任何次序或重要性，而是使用术语第一、第二等来区分一个元素与另一元素。
Claims (17)
1.一种柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于，包括：
柔性基底；
结合在柔性基底上的GaN层；
设置在GaN层上的多个底电极，多个所述底电极均为条形且相互平行设置；
设置在GaN层上的掩膜层，所述掩膜层是绝缘的，并具有与ZnO纳米线阵列相应的图形化结构；
外延生长于所述GaN层上的ZnO纳米线阵列，所述ZnO纳米线阵列包括多根竖立设置的ZnO纳米线，其中每一ZnO纳米线从掩膜层中穿过，并且相邻ZnO纳米线的间隙内填充有保护材料，所述保护材料的折射率低于ZnO，以使ZnO纳米线与保护材料的界面处形成全反射面；
覆盖在ZnO纳米线阵列上的电介质层，所述电介质层是采用电子束蒸发工艺制备的SiO2薄膜；以及
设置在电介质层上的、作为顶电极的金属层，所述顶电极为多个，多个所述顶电极均为条形并相互平行设置，且所述顶电极和底电极的延伸方向相互交叉；
其中，每一ZnO纳米线分别与一顶电极及一底电极配合形成一个纳米激光器单元，每一纳米激光器单元与多通路电源设备的一个工作通路电连接。
2.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述GaN层是n型的。
3.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述ZnO纳米线为规则的六棱柱形。
4.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述ZnO纳米线的顶端面、底端面均光滑平整。
5.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述ZnO纳米线的高度为800nm-10μm、直径为500nm-3μm，相邻ZnO纳米线的间距在5μm以下。
6.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述柔性基底选自柔性聚合物衬底。
7. 根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述电介质层的厚度为100~800 nm。
8.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述GaN层与柔性基底通过透明弹性的耐高温胶水粘接。
9.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述掩膜层具有与保护材料相同的材质。
10.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述掩膜层的材质包括氧化硅或聚甲基丙烯酸甲酯。
11.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述保护材料的材质包括光刻胶或聚甲基丙烯酸甲酯。
12.根据权利要求1所述的柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构，其特征在于：所述柔性基底的材质选自聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚二甲基硅氧烷。
13.根据权利要求1-12中任一项所述柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构的制备方法，其特征在于，包括：
在柔性基底上设置GaN层；
在所述GaN层上设置底电极；
在所述GaN层上设置图形化掩模层，并利用所述图形化掩模层在GaN层上生长形成ZnO纳米线阵列；
在所述ZnO纳米线阵列内填充保护材料，所述保护材料的折射率低于ZnO，以使ZnO纳米线与保护材料的界面处形成全反射面；
在所述ZnO纳米线阵列上设置电介质层；以及
在所述电介质层上设置作为顶电极的金属层，且使每一ZnO纳米线分别与一顶电极及一底电极配合形成一个纳米激光器单元。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，包括：将自支撑的GaN薄膜转移到柔性基底上作为所述的GaN层。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，包括：利用透明弹性的耐高温胶水将所述GaN层与柔性基底粘接固定。
16. 根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，具体包括：将表面设置有图形化掩模层的GaN层置入氧化锌纳米线的生长溶液中，在70-100℃的温度条件下水热反应3-10h，从而生长形成ZnO纳米线阵列；其中，所述生长溶液包括摩尔比为1：1 ~ 1：3的可溶性锌盐和六亚甲基四胺，其中可溶性锌盐浓度为20-100mmol/L。
17. 根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于：所述图形化掩模层包括多个点阵图形，每一点阵图形的直径在100 nm~2 µm之间，并且每一点阵图形与一ZnO纳米线对应。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110191414.7A CN113013731B (zh) | 2021-02-19 | 2021-02-19 | 柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113013731A CN113013731A (zh) | 2021-06-22 |
| CN113013731B true CN113013731B (zh) | 2023-12-12 |
Family
ID=76403828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110191414.7A Active CN113013731B (zh) | 2021-02-19 | 2021-02-19 | 柔性电泵浦ZnO纳米线激光器阵列结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113013731B (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102828240A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-19 | 南京大学 | 一种制备GaN薄膜材料的方法 |
| CN103760336A (zh) * | 2014-01-02 | 2014-04-30 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法 |
| CN104538837A (zh) * | 2015-01-09 | 2015-04-22 | 电子科技大学 | 一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法 |
| CN107342351A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-11-10 | 北京工业大学 | 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法 |
| CN107785355A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 中国科学院金属研究所 | 透明柔性GaN纳米棒阵列发光二极管器件及其制备方法 |
| CN111694200A (zh) * | 2019-03-13 | 2020-09-22 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种多光谱拉曼激光器 |
-
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- 2021-02-19 CN CN202110191414.7A patent/CN113013731B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102828240A (zh) * | 2012-08-31 | 2012-12-19 | 南京大学 | 一种制备GaN薄膜材料的方法 |
| CN103760336A (zh) * | 2014-01-02 | 2014-04-30 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法 |
| CN104538837A (zh) * | 2015-01-09 | 2015-04-22 | 电子科技大学 | 一种纳米等离子体阵列激光器及其制作方法 |
| CN107785355A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-09 | 中国科学院金属研究所 | 透明柔性GaN纳米棒阵列发光二极管器件及其制备方法 |
| CN107342351A (zh) * | 2017-06-22 | 2017-11-10 | 北京工业大学 | 一种基于斜向ZnO纳米线/GaN pn结的LED及制备方法 |
| CN111694200A (zh) * | 2019-03-13 | 2020-09-22 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种多光谱拉曼激光器 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Flexible electrically pumped random lasing from ZnO nanawires based on metal-insulator-semiconductor structure;Miao-Ling Que;《Chin.Phys.B》;第26卷(第6期);全文 * |
Also Published As
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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