KR101042333B1 - 광원용 구조물의 제조방법과 이를 이용한 광원의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 균일하고 잘 정렬된 발광물질로 이루어진 나노 구조물을 제조하여 이를 발광소자에 적용함으로써, CCFL이나 LED와 같은 종래의 후면광 유닛에 비해, 두께를 줄이고 소비전력을 낮추며 동시에 광원의 균일성을 우수하게 할 수 있는 광원용 구조물과 이를 이용한 광원의 제조방법에 관한 것이다.

본 발명에 따른 광원용 구조물의 제조방법은, 이중공중합체(DBC)로 나노패턴을 형성한 후, 이를 전극으로 사용하는 금속층에 전사하여, 금속층에 형성된 나노패턴을 마스크로 하여 발광물질의 나노구조를 형성함으로써, 종래에 비해 우수한 광원을 제공할 수 있도록 하는 것을 특징으로 한다.

후면광, 디스플레이, ZnO

Description

광원용 구조물의 제조방법과 이를 이용한 광원의 제조방법 {METHOD OF MANUFACTURING STRUCTURE FOR LIGHT SOURCE AND METHOD OF MANUFACTURING LIGHT SOURCE USING THE SAME}

본 발명은 액정디스플레이 등에 사용할 수 있는 광원용 구조물과 이를 이용한 광원의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 균일하고 잘 정렬된 발광물질의 나노 구조물을 제조한 후 이를 발광소자에 적용함으로써, CCFL이나 LED와 같은 종래의 후면광 유닛에 비해, 두께를 줄이고 소비전력을 낮추며 동시에 광원의 균일성을 우수하게 할 수 있는 것에 관한 것이다.

나노 광소자는 전자를 신호매체로 사용하는 일반적인 반도체 소자와 달리 빛을 신호의 매개체로 사용하여 광발생, 광검출, 광전달을 통해 신호의 조절을 가능하게 하기 때문에 전자소자의 한계를 넘어 소자의 새로운 지평을 열 것으로 기대되고 있다.

특히, 광발생 특성은 기존 GaAs, GaN으로 대표되는 화합물 반도체를 대체할 것으로 예상된다. 실리콘을 기반으로 한 전자소자는 초고집적, 초고효율 나노 소자의 발달에 따라 로직 및 메모리 소자로 전 세계적으로 많은 연구가 이루어지고 있으며 다양한 분야로의 그 응용이 확대되고 있는 반면, 광소자는 그 특성상 초고속의 소자가 가능하며 기존 전자 소자로 불가능했던 새로운 기능의 부여가 가능하다는 장점에도 불구하고 전 세계적으로도 아직은 초기 단계의 연구만이 행해지고 있다.

한편, 나노점 및 나노선 등 나노 소재 기반의 신개념 광소자 응용기술은 상용화가 멀지 않은 가변파장 발광소자로부터 장래에 응용이 가능할 것으로 예상되는 양자계산기 및 양자 암호시스템의 개발에 이르기까지 그 파급효과가 지대할 것으로 생각되고 있다.

이러한 광소자 응용 소재 중, ZnO는 증착 조건 및 다른 물질의 도핑에 따라서 부도체에서 전도체까지 다양한 전기적, 광학적, 자기적 특성을 보일 뿐 아니라, 밴드갭이 3.36 eV 정도로 투명한 산화물 반도체로서 가스센서, 표면 음향파 (SAW) 소자, 디스플레이 및 태양전지용 투명전극 및 차세대 디스플레이용 구동 소자인 투명 박막트랜지스터의 활성층(active layer)로서 널리 연구 및 이용되어오고 있다.

특히 직접 천이형이면서, 엑시톤 결합에너지가 60 meV로 상온에서 청색 및 자외선 영역의 LED 및 LD 등의 발광소자 및 광검출 소자 등으로 III-V족의 화합물 반도체인 GaN를 대체할 차세대 광전소자용 소재로의 응용이 가능하다.

한편, 평판디스플레이중 액정디스플레이는 대표적인 수광형 디스플레이 시스템으로서 필요한 정보를 디스플레이하기 위한 LED나 CCFL과 같은 외부 광원, 즉 후면광유닛(backlight unit, BLU)을 필요로 한다.

이러한 후면광에는 첫번째로 높은 휘도 특성이 요구되는데, 이는 액정디스플 레이의 특성상 투과율이 낮아 후면광의 휘도가 낮을 경우 디스플레이의 표시품질이 떨어지기 때문이다. 그러므로 후면광의 휘도 특성을 향상시키기 위하여 후면광원의 입력 전류를 높이거나 광원의 출광 면적과 개수를 증가시키거나 기능성 필름인 프리즘 시트(prism sheet)나 DBEF(dual brightness enhancement film)를 사용하기도 한다. 그러나 이러한 방법들은 소비전력를 증가시키고 후면광원의 제조원가를 증가시키는 원인이 될 뿐 아니라 기능성 필름을 사용함에 따른 후면광원 두께의 증가와 환경신뢰성에 있어서의 약점을 초래하다.

후면광에 두번째로 요구되는 특성은 균일성이다. 평판디스플레이의 면적이 넓어짐에 따라 현재 사용하고 있는 에지형(edge type)의 LED나 CCFL 소자를 이용하여 균일한 광휘도를 얻는 것은 매우 어렵다. 종래 도광판의 기하학적 구조와 표면 요철을 조절한 확산필름과 같은 기능성필름을 추가하여 광휘도의 균일성을 얻도록 하는 방법이 사용되고 있으나 90%이상의 균일성을 얻기는 어렵다.

후면광에 세번째로 요구되는 특성은 얇은 두께이다. 얇은 두께는 평판디스플레이의 대표적인 장점인데, 디스플레이의 크기가 증가함에 따라서 위에서 언급한 바와 같이 높은 휘도와 균일성을 얻기 위한 각종 구성의 추가로 인해 두께의 증가는 필연적이게 된다. 그리고 두께를 줄이게 되면 휘도특성과 균일성이 떨어져 표시품위가 떨어지는 단점이 나타나게 된다.

평판디스플레이의 대면적화에 따른 종래의 후면광원의 문제로 인해, 휘도, 균일성 그리고 두께의 세 가지 특성을 동시에 개선하는 후면광원의 필요성이 증대되고 있다.

한편, 나노 영역에서의 크기 효과에 의해 십수 nm 이하의 반도체 나노점은 그 크기의 조절에 의해 전기 및 광학적 특성을 조절할 수 있으며, 특히 나노 크기에서 발광효율이 증가하는 것으로 알려져 있다.

전술한 ZnO의 경우에도 크기에 따라 엑시톤 에너지가 변화되어 다양한 파장의 발광 특성을 나타냄이 보고되어 있어, ZnO가 고효율의 발광소자 또는 광 검출소자를 제작할 수 있는 것으로 기대되고 있다.

이러한 ZnO의 발광 소자로의 응용을 위해서는 ZnO를 나노선 또는 나노점의 형태로 제조할 수 있어야 한다. 그런데 종래에 알려진 VLS(Vapor Liquid Solid) 및 VPE(Vapor Phase Epitaxy)를 이용한 나노선 및 나노 막대의 제작과, 물리적 및 화학적 방법을 이용한 나노점의 형성 방법은 그 연구가 광범위하게 진행되어 왔음에도 불구하고 소자로의 집적화에 기본이 되는 나노구조의 정렬화나 균일한 크기로의 합성이 쉽지 않은 문제점이 있다.

따라서 ZnO와 같은 발광소자를 후면광원 등에 적용하기 위해서는 매우 균일하고 정렬이 잘된 나노점 또는 나노선의 형태로 제작할 수 있는 새로운 공정도 필요하다.

본 발명은 전술한 종래의 후면광 유닛이 갖는 여러 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 발광물질을 균일하고 잘 정렬된 나노선 또는 나노점의 형태로 금속층 상에 배열시켜 고집적 발광소자로 활용할 수 있는 광원용 구조물의 제조방법을 제공하는 것을 해결하고자 하는 과제로 한다.

또한, 본 발명의 다른 과제는 상기 구조물을 이용하여 CCFL이나 LED와 같은 종래의 후면광 유닛을 대체할 수 있는 광원을 제조할 수 있는 제조방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 또 다른 과제는 프리즘 필름이나 확산 필름 등과 같이 종래의 후면광 유닛에 포함되었던 각종 기능성 필름을 제거할 수 있어, 박형화가 가능한 광원의 제조방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 또 다른 과제는 종래의 후면광 유닛에 비해 소비전력이 낮은 광원의 제조방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 또 다른 과제는 대면적으로 제조하더라도 균일한 광도를 얻을 수 있는 광원의 제조방법을 제공하는 것이다.

상기 본 발명의 과제를 달성하기 위한 수단으로서 본 발명은, 금속층과 상기 금속층에 배열된 나노 구조물을 포함하는 광원용 구조물의 제조방법으로, (a) 산화물층이 형성된 기판 상에 상기 금속층을 형성하는 단계; (b) 상기 금속층 상에 나노 패턴이 형성된 나노 템플레이트를 형성하는 단계; (c) 상기 나노 패턴을 이용하여 상기 금속층을 식각하여 상기 금속층에 상기 나노 패턴이 전사되도록 하는 단계; (d) 상기 나노 템플레이트를 제거하는 단계; (e) 상기 금속층에 전사된 나노 패턴을 이용하여 상기 산화물층을 식각하는 단계; (f) 상기 산화물층의 공간에서 발광물질을 성장시켜 상기 금속층에 나노 구조물을 형성하는 단계; 및 (g) 상기 산화물층을 제거하여 상기 금속층 및 나노 구조물을 기판으로부터 분리시키는 단계;를 포함하는 광원용 구조물의 제조방법을 제공한다.

본 발명에 따른 광원용 구조물의 제조방법은, 산화물의 드라이 에칭시 이온에 의하여 손상을 받아 두꺼운 층을 제거할 수 없어 종횡비가 수십 대 일 정도로 제한되는 이중공중합체의 자기조립 나노패턴을 사용하지 않고, 전극으로 이용되는 금속층에 나노 패턴을 전사하여 이 전사된 나노패턴을 통해 산화물층을 식각함으로써, 발광물질의 정렬된 배열을 얻음과 동시에 종횡비를 조절할 수 있어, 종래의 후면광 유닛에 비해 발광특성이 크게 개선될 수 있는 광원용 구조물을 제조할 수 있게 되었다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 (g) 단계는 상기 (f) 단계 후에 금속층 및 발광물질 상에 글루코팅하는 단계와, 상기 산화물층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 있어서, 발광물질이란 가시광선을 물론 가시광선보다 파장이 길거나 짧은 적외선, 자외선 등의 전자기파를 방출할 수 있는 물질을 의미한다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 (g) 단계 이후에, 분 리된 상기 나노 구조물을 수지로 몰딩하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같이 나노 구조물을 수지로 몰딩함에 따라 배열된 나노 구조물에 기계적 강도와 안정성을 부여할 수 있게 된다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 기판은 그 표면에 산화물층을 용이하게 형성할 수 있는 것이면 어느 것이나 사용될 수 있으며, 대표적인 예로 실리콘이나 유리 등이 있다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 산화물층으로 기판에 형성될 수 있고 금속 나노 패턴을 이용하여 식각 가능한 것이라면 어느 것이나 사용될 수 있으며, SiO₂의 경우 실리콘 기판의 산화를 통해 용이하게 얻을 수 있으므로 바람직한 예의 하나이다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 금속층은 전극으로서 활용되므로 가급적 전기저항이 낮은 Au, Ag, Pt, Cu, Al 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하며, 비용의 관점에서는 Al이 가장 바람직하다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 나노 구조물은 나노선 또는 나노점의 형태로 이루어지도록 할 수 있으며, 액정디스플레이용 후면광으로 사용할 경우에는 나노선으로 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 금속층 상에 MPTS를 도포한 후, 상기 MPTS 상에 이중공중합체를 도포하고 자외선을 조사함으로써, 자기조립 나노 패턴이 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다. 이와 같 이 이중공중합체를 통해 형성된 나노 패턴을 이용하여 발광물질의 나노 구조물을 제조하게 되면, 종래의 할 경우, 종래의 VLS(Vapor Liquid Solid)나 VPE(Vapor Phase Epitaxy)에 의한 방법에 비해 집적화가 용이한 나노구조물을 얻을 수 있다.

또한, 상기 광원용 구조물의 제조방법에 있어서, 상기 발광물질로는 직접천이 에너지밴드갭을 갖는 물질이면 어느 것이나 사용될 수 있으며, 전술한 바와 같이 ZnO는 고효율 발광소자로 특히 적합하다.

또한, 본 발명의 다른 과제 및 또 다른 과제를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명은, 광원을 제조하는 방법으로서, 투명한 기판의 일면에 투명전극을 형성하는 단계; 상기 투명전극 상에 발광물질층을 형성하는 단계; 상기 기판의 타면에 상기 발광물질층에서 발생하는 광을 여기광으로 하여 발광하는 형광체를 도포하는 단계; 및 상기한 방법에 의해 제조된 광원용 구조물에 포함된 나노 구조물이 상기 발광물질층과 접촉하도록 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다.

상기 광원의 제조방법에 있어서, 상기 발광물질층은 P형 ZnO이며, 상기 나노 구조물은 n형 ZnO로 이루어진 것을 특징으로 한다. 상기 발광물질층은 원하는 파장의 광원을 얻기 위하여 ZnO 도핑을 하거나 GaN이나 GaAs와 같은 다른 종류의 직접천이 에너지밴드갭을 갖는 층을 코팅할 수도 있다.

이상과 같은 구성적 특징을 갖는 본 발명에 따른 광원용 구조물과 이를 이용한 광원의 제조방법에 의하면, 다음과 같은 효과를 갖는 광원을 기대할 수 있다.

첫째, 본 발명에 의해 제조된 광원은 나노 스케일의 소자가 각각 발광하는 방식이므로, LED나 CCFL을 광원으로 이용하는 액정디스플레이용 후면광 유닛을 대체하게 되면 후면광 유닛에 포함되는 도광판이나 각종 기능성 필름을 제거할 수 있게 되어, 종래에 비해 후면광원의 박형화가 가능하다.

둘째, 나노 스케일의 ZnO와 같은 물질로 이루어진 발광소자에 의해 발광되어 발광효율이 향상되기 때문에, 기존의 LED나 CCFL에 비해 고휘도를 얻는데 소요되는 소비전력이 감소한다.

셋째, 본 발명에 의해 제조된 광원은 자발광하는 나노스케일의 발광소자가 집적된 형태이므로, 기존의 도광판을 이용한 후면광 시스템에 대비하여 대면적의 후면광원 제작시 전체 면적에서 균일한 광원을 얻을 수 있다.

본 발명의 실시예들을 설명하기 위해 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함하는 의미이다. 그리고 "포함한다"의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및 /또는 성분을 구체화하며 다른 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소, 성분 및/또는 군의 존재나 부가를 제외하는 것은 아니다.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 ZnO 나노선 배열 구조물과 이를 이용한 액정디스플레이용 후면광의 제조방법에 대해 상세하게 설명하지만 본 발명이 하기 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. 따라서 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변경할 수 있음은 자명하다.

도 1 및 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원용 구조물과 이를 이용하여 광원을 제조하는 과정을 나타내는 공정도이며, 이하 이들 공정을 광원용 구조물을 제조하는 공정과 광원용 구조물을 이용하여 광원을 제조하는 공정으로 분리하여 상세하게 설명한다.

ZnO 나노선 배열 구조의 제조

먼저, 도 1의 1에 도시된 바와 같이, 먼저 SiO₂ 층이 형성된 실리콘 기판을 준비한다. 이때 SiO₂ 층의 두께는 이후 형성될 ZnO 나노선의 높이가 되므로, 원하는 종횡비(높이/나노선길이)에 맞추어 그 두께를 조절한다.

이어서 도 1의 2에 도시된 바와 같이 SiO₂ 층위에 금속층을 성장시킨다. 금속층은 일반적인 스퍼터링 방법이나 이베이퍼레이션 등 다양한 방법으로 성장시킬 수 있는데, 본 발명의 실시예에서는 스퍼터링 방법을 사용하여 성장시켰다.

향후 이 금속층은 ZnO 후면광 시스템의 후면전극으로 사용되므로 전원을 연결할 수 있는 리드 프레임 패드를 형성해야 한다. 한편, 금속 전극은 전체 저항이 낮으면 소비전력을 절감시키는 효과가 있으므로 가능한한 저항이 낮은 금속 전극을 사용하는 것이 유리하며, 저항과 비용의 측면을 고려할 때 알루미늄이 바람직한 예가 될 수 있다.

그리고 도 1의 3에 도시된 바와 같이, 상기 금속층 위로 MPTS(3-(p- methoxyphenyl)propyltrichlrosilane)를 코팅한다. 이 MPTS층은 금속층 박막위에 코팅되어 표면상태를 중성화시킴으로써, 다음 공정인 이중공중합체(diblock copolymer)의 코팅을 용이하게 하고 일정한 간격으로 자기조립(self-assembly)이 일어나도록 하기 위해 사용된다.

이때 MPTS위에 코팅되는 이중공중합체는 나노 템플레이트로서, 나노선과 같이 수 내지 수십 나노미터의 나노 패턴을 형성하기 위하여 사용되는 서브 리소그래피 마스크와 같은 역할을 한다.

상기 MPTS 층위에 도 1의 4와 같이 이중공중합체를 코팅하여 자외선을 조사하게 되면, 지름이 10nm ~ 30nm 정도의 나노 패턴이 형성된다(도 1의 5 참조). 나노 패턴의 지름은 이중공중합체의 PS와 PMMA의 분자량을 조절하여 다양하게 변경할 수 있다.

이상과 같이 자기조립 나노 패턴을 형성한 이중공중합체를 마스크로 하여 MPTS와 금속층을 화학 에칭공정을 통해 식각한다(도 1의 6 참조). 금속 에칭 용액은 SiO₂ 에칭액과 차이가 있으므로, 상기 금속층의 에칭 시에는 습식 또는 건식 에칭 공정을 모두 사용할 수 있다.

도 1의 6 및 7과 같이 MPTS와 금속층을 식각한 후에는, 도 1의 8과 같이 이중공중합체와 MPTS의 유기막을 톨루엔 용액을 사용하여 모두 제거함으로써, 이중공중합체의 나노 패턴이 전극용 금속층에 전사되도록 한다.

이와 같이 이중공중합체의 나노 패턴이 전사된 금속층 하부에 위치하는 SiO₂ 층은 도 2의 9에 도시된 바와 같이 건식에칭을 통해 식각한다. 일반적으로 나노 템플레이트로 사용되는 이중공중합체는 건식에칭시 이온에 의하여 손상을 받아 나노 단위의 두꺼운 층을 제거할 수 가 없기 때문에, 이중공중합체로 성장가능한 나노 물질의 종횡비는 수십 대 일 정도로 제한된다. 그러나 SiO₂ 건식에칭시 이중공중합체의 나노 패턴이 전사된 금속층을 사용하는 경우, 금속이 SiO₂ 건식에칭시 식각되지 않으므로, SiO₂를 나노 크기로 패턴화시키는 것이 가능하다.

상기와 같은 SiO₂의 건식에칭을 통해 SiO₂를 패턴화시킨 후, 도 2의 10에 도시된 바와 같이, 패턴 부위에 원자층증착법(Atomic layer deposition)을 이용하여 n형 ZnO 나노물질을 성장시키며, n형 ZnO 나노물질은 금속층 위까지 성장시킨다.

이와 같은 n형 ZnO 나노물질의 성장 후에, 도 2의 11과 같이, 그 상면을 접착제 성분이 포함된 글루 플레이트(glue plate)에 부착시킨다.

마지막으로 도 2의 12에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판 상에 형성된 SiO₂ 층만을 선택적으로 에칭하여 기판으로부터 글루 플레이트/금속층/n형 ZnO 나노선 배열을 분리해냄으로써, 광원용 구조물을 얻는다.

그리고 상기와 같이 분리된 ZnO 나노선의 기계적인 강도를 향상시키기 위하여 에폭시 용액에 침지시켜 몰딩한다(도 2의 13 참조).

ZnO 나노선 배열 구조를 이용한 액정디스플레이용 후면광의 제조

전술한 광원용 구조물을 액정디스플레이의 후면광원으로 이용하기 위하여, 투명한 기판 위에 ITO와 같은 전도성이 우수한 투명전도층을 도포하고 p형의 ZnO 층을 성장시킨다(도 2의 13 참조).

이때 원하는 광원의 파장을 얻기 위하여 상기 ZnO를 도핑하거나 GaN나 GaAs와 같은 이종(異種)의 직접에너지밴드갭(direct energy band gap)을 가지는 층을 코팅할 수도 있다.

상기 투명 전도층의 반대 부분에는 ZnO에 의해 방출되는 자외선 영역의 파장을 갖는 빛에 의해 여기되어 가시광을 방출할 수 있는 각종 형광체가 코팅된다.

그리고 투명전도층과 p형 ZnO가 도포된 투명기판은 도 2의 13에서 mold된 n형 ZnO 나노선과 부착됨으로써, 본 발명의 실시예에 따른 광원이 완성된다.

본 발명에 따른 광원의 금속층으로 이루어진 전극과 투명전극을 통해 전원이 가해지면, ZnO에서 자외선 영역의 파장을 갖는 빛이 방출되고, 이 여기광에 의해 투명한 기판의 반대측에 형성된 형광체층이 발광되어 최종적으로 백색 가시광의 형태로 방출되게 된다(도 2의 14 참조).

도 1 및 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 광원용 구조물과 이를 이용하여 광원을 제조하는 과정을 나타내는 공정도이다.

Claims (10)

1. 금속층과 상기 금속층에 배열된 나노 구조물을 포함하는 광원용 구조물의 제조방법으로,

   (a) 산화물층이 형성된 기판 상에 상기 금속층을 형성하는 단계;

   (b) 상기 금속층 상에 나노 패턴이 형성된 나노 템플레이트를 형성하는 단계;

   (c) 상기 나노 패턴을 이용하여 상기 금속층을 식각하여 상기 금속층에 상기 나노 패턴이 전사되도록 하는 단계;

   (d) 상기 나노 템플레이트를 제거하는 단계;

   (e) 상기 금속층에 전사된 나노 패턴을 이용하여 상기 산화물층을 식각하는 단계;

   (f) 상기 산화물층의 공간에서 발광물질을 성장시켜 상기 금속층에 나노 구조물을 형성하는 단계; 및

   (g) 상기 산화물층을 제거하여 상기 금속층 및 나노 구조물을 기판으로부터 분리시키는 단계;를 포함하는 광원용 구조물의 제조방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 (g) 단계는

   상기 (f) 단계 후에 금속층 및 발광물질 상에 글루코팅하는 단계와, 상기 산화물층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광원용 구조물 의 제조방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 (g) 단계 이후에, 분리된 상기 나노 구조물을 수지로 몰딩하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 광원용 구조물의 제조방법.
4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화물층은 SiO₂인 것을 특징으로 하는 광원용 구조물의 제조방법.
5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은 Au, Ag, Pt, Al 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광원용 구조물의 제조방법.
6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조물은 나노선 또는 나노점인 것을 특징으로 하는 광원용 구조물의 제조방법.
7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 금속층 상에 MPTS를 도포한 후, 상기 MPTS 상에 이중공중합체를 도포하고, 자외선을 조사함으로써, 자기조립 나노 패턴이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 광원용 구조물의 제조방법.
8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 발광물질은 ZnO 또는 직접천이 에너지밴드갭을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 광원용 구조물의 제조방법.
9. 광원을 제조하는 방법으로서,

   투명한 기판의 일면에 투명전극을 형성하는 단계;

   상기 투명전극 상에 발광물질층을 형성하는 단계;

   상기 기판의 타면에 상기 발광물질층에서 발생하는 광을 여기광으로 하여 발광하는 형광체를 도포하는 단계; 및

   상기 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의해 제조된 광원용 구조물을, 상기 광원용 구조물에 포함된 나노 구조물이 상기 발광물질층과 접촉하도록, 상기 투명전극에 결합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광원의 제조방법.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 발광물질층은 P형 ZnO로 이루어지고, 상기 나노 구조물은 n형 ZnO로 이루어진 것을 특징으로 하는 광원의 제조방법.

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