CN112997329A - 发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种发光元件，发光元件包括：基板，具有第一面以及与第一面对向的第二面；多个发光部，布置于所述基板的第一面上；以及光阻隔膜，布置于所述基板的第二面上，并暴露布置有各个所述发光部的发光区域的至少一部分，其中，所述光阻隔膜具有大于从所述发光部发出的光的波长中的最长波长的长度的厚度。

Description

发光元件
技术领域
本发明涉及一种发光元件，更为详细地涉及一种包含多个发光部的发光元件。
背景技术
发光二极管作为无机光源，正在多样地应用于诸如显示装置、车辆用灯具、一般照明之类的多种领域。发光二极管具有寿命长、耗电量低、响应速度快的优点，从而正在快速地替代现有光源。
尤其，显示装置一般利用蓝色、绿色以及红色的混合色实现多种颜色。显示装置的每个像素配备有蓝色、绿色以及红色的子像素，通过这些子像素的颜色而确定特定像素的颜色，并借由这些像素的组合而呈现图像。
发光二极管在显示装置中主要以背光光源使用。然而，最近正在开发利用发光二极管直接呈现图像的作为新一代显示器的微型LED(micro LED)。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种抑制颜色混合而提升颜色再现性的发光元件。
本发明要解决的技术问题并不局限于以上提到的技术问题，未提到的其他技术问题能够通过下文的记载而被本领域技术人员明确地理解。
为了解决所要解决的技术问题，根据本发明的实施例的发光元件包括：基板，具有第一面以及与第一面对向的第二面；多个发光部，布置于所述基板的第一面上；以及光阻隔膜，布置于所述基板的第二面上，并暴露布置有各个所述发光部的发光区域的至少一部分，其中，所述光阻隔膜具有大于从所述发光部发出的光的波长中的最长波长的长度的厚度。
根据实施例，所述光阻隔膜可以覆盖所述发光区域各自的端部而定义光提取面。
根据实施例，所述光提取面的宽度可以小于所述光阻隔膜的厚度。
根据实施例，所述光阻隔膜的侧壁可以具有凹凸面。
根据实施例，所述光阻隔膜可以具有与所述基板的第二面相面对的第一面和与所述光阻隔膜的第一面对向的第二面，并且所述光阻隔膜的第二面可以具有凹面。
根据实施例，所述光阻隔膜可以具有垂直的侧壁。
根据实施例，所述光阻隔膜可以具有倾斜的侧壁。
根据实施例，所述光阻隔膜可以具有与所述基板的第二面相面对的第一面和与所述光阻隔膜的第一面对向的第二面，所述光阻隔膜可以具有从所述光阻隔膜的第一面趋向所述光阻隔膜的第二面而逐渐增加的宽度。
其他实施例的具体事项包含在详细说明以及附图中。
根据本发明的实施例的发光元件，利用光阻隔膜定义比发光区域小的光提取面，从而可以提升发光元件的明暗比(constrast)。并且，利用充分厚的光阻隔膜使通过宽度较窄的光提取面发出的光的衍射消失，从而可以防止利用发光元件的显示装置的图像模糊。
附图说明
图1a以及图1b是用于说明根据本发明的一实施例的发光元件的平面图。
图2a至图2d是将图1a以及图1b所示的发光元件沿A-A’切割的剖面图。
图3a是用于说明图1a所示的发光元件的发光结构物的平面图。
图3b是将图3a的发光元件沿A-A’以及B-B’切割的剖面图。
图4至图8是用于说明根据本发明的一实施例的发光元件的制造方法的剖面图。
具体实施方式
为了充分理解本发明的构成及效果，参照附图对本发明的优选实施例进行说明。然而，本发明并不局限于以下公开的实施例，可以实现为多种形态，并且能够进行多样的变更。
并且，在本发明的实施例中使用的术语除非被另外定义，否则可以被解释为对相应技术领域中具有通常知识的人员通常已知的含义。
以下，参照附图针对根据本发明的实施例的发光元件进行详细说明。
图1a以及图1b是用于说明根据本发明的一实施例的发光元件的平面图。图2a至图2d是将图1a以及图1b所示的发光元件沿A-A’切割的剖面图。图3a是用于说明图1a所示的发光元件的发光结构物的平面图，图3b是将图3a的发光元件沿A-A’以及B-B’切割的剖面图。
图1a是从发光元件的垫观察的平面图，图1b是从发光元件的光提取面观察的平面图。图3a是从发光元件的垫观察的平面图。
参照图1a、图1b、图2a、图2b、图2c以及图2d，发光元件可以包括：基板100，具有第一面SF1_S以及与第一面SF1_S对向的第二面SF2_S；多个发光部LE1、LE2、LE3，布置于基板100的第一面SF1_S上；以及光阻隔膜LS，布置于基板100的第二面SF2_S上。
基板100是能够使氮化镓基半导体层生长的基板100，可以包括蓝宝石(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、铝氮化镓(AlGaN)、氮化铝(AlN)、氧化镓(Ga2O3)或者硅。并且，基板100可以是图案化(patterned)的蓝宝石基板。根据一实施例，基板100可以包括使可视光透过的物质。
根据图3a以及图3b所示的一实施例，发光元件可以包括第一发光部LE1、第二发光部LE2以及第三发光部LE3垂直层叠的发光结构物LED。基板100可以包括布置每个发光结构物LED的发光区域LEA和除了发光区域LEA以外的周边区域PPA。作为一例，在每个发光结构物LED具有从第三发光部LE3趋向第一发光部LE1逐渐增大的宽度的情况下，发光区域LEA可以具有与发光结构物LED的最大的宽度相同的第一宽度W1。
在基板100的第二面SF2_S具有光提取面LEX的情况下，从第一发光部LE1发出的光的波长可以最短，从第二发光部LE2发出的光的波长可以比从第一发光部LE1发出的光的波长长，且比从第三发光部LE3发出的光的波长短，从第三发光部发出的光的波长可以最长。例如，第一发光部LE1可以发出蓝光，第二发光部LE2可以发出绿光，第三发光部LE3可以发出红光。在此情况下，从第一发光部LE1发出的光可以具有450～495nm的波长，从第二发光部LE2发出的光可以具有495～570nm的波长，从第三发光部LE3发出的光可以具有620～750nm的波长。然而，本公开并非局限于此。例如，第二发光部LE2可以发出比第一发光部LE1更短的短波长的光。
第一发光部LE1可以包括第一n型半导体层102、第一活性层104、第一p型半导体层106以及第一欧姆层108，第二发光部LE2可以包括第二n型半导体层202、第二活性层204、第二p型半导体层206以及第二欧姆层208，第三发光部LE3可以包括第三n型半导体层302、第三活性层304、第三p型半导体层306以及第三欧姆层308。
第一n型半导体层102、第二n型半导体层202以及第三n型半导体层302中的每一个可以是掺杂有Si的氮化镓基半导体层。第一p型半导体层106、第二p型半导体层206以及第三p型半导体层306中的每一个可以是掺杂有Mg的氮化镓基半导体层。第一活性层104、第二活性层204以及第三活性层304中的每一个可以包括多量子阱结构(MQW：Multi QuantumWell)，并且其组成比可以决定为能够发出所需的峰值波长的光。第一欧姆层108、第二欧姆层208以及第三欧姆层308中的每一个可以使用诸如氧化锡(SnO)、氧化铟(InO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡(ITO)以及氧化铟锡锌(ITZO)之类的透明氧化物层(TCO：TransparentConductive Oxide)。
第一发光部LE1可以布置为与第二发光部LE2隔开。作为一例，第一发光部LE1的第一欧姆层108可以与第二发光部LE2的第二欧姆层208相面对。作为另外一例，第一发光部LE1的第一欧姆层108可以与第二发光部LE2的第二n型半导体层202相面对。
第二发光部LE2可以布置为与第三发光部LE3隔开。作为一例，第二发光部LE2的第二n型半导体层202可以与第三发光部LE3的第三欧姆层308相面对。作为另外一例，第二发光部LE2的第二欧姆层208可以与第三发光部LE3的第三n型半导体层302相面对。
发光元件还可以包括：第一粘合部AD1，在彼此隔开的第一发光部LE1与第二发光部LE2之间使第一发光部LE1以及第二发光部LE2之间粘合；以及第二粘合部AD2，在彼此隔开的第二发光部LE2与第三发光部LE3之间，使第二发光部LE2与第三发光部LE3之间粘合。第一粘合部AD1以及第二粘合部AD分别包括使可视光透过并具有绝缘性的物质。第一粘合部AD1以及第二粘合部AD2均可以包括聚合物(polymer)、抗蚀剂(resist)或者聚酰亚胺(polyimide)。例如，第一粘合部AD1以及第二粘合部AD2分别可以包括旋涂玻璃(SOG：SpinOn Glass)、苯并环丁烯(BCB：benzocyclobutene)、氢硅倍半环氧乙烷(HSQ：hydrogensilsesquioxane)或者SU-8光致抗蚀剂。
发光元件LED还可以包括布置于第一发光部LE1与第二发光部LE2之间的第一彩色滤光器CF1和布置于第二发光部LE2与第三发光部LE3之间的第二彩色滤光器CF2。第一彩色滤光器CF1可以布置于第一发光部LE1的的第一欧姆层108或第二发光部LE2的第二欧姆层208上。第二彩色滤光器CF2可以布置于第二发光部LE2的第二n型半导体层202或第三发光部LE3的第三欧姆层308上。第一彩色滤光器CF1可以反射从第一发光部LE1发出的光，并且使从第二发光部LE2以及第三发光部LE3中的每一个发出的光通过，以使从第一发光部LE1发出的光不会影像第二发光部LE2以及第三发光部LE3中的每一个。第二彩色滤光器CF2可以反射从第一发光部LE1以及第二发光部LE2中的每一个发出的光，以使从第一发光部LE1以及第二发光部LE2中的每一个发出的光并不对第三发光部LE3产生影响，并且可以使从第三发光部LE3发出的光通过。第一彩色滤光器CF1以及第二彩色滤光器CF2分别可以包括具有TiO2以及SiO2交替层叠的结构的分布布拉格反射器(DBR：Distributed BraggReflector)。第一彩色滤光器CF1的TiO2以及SiO2交替的顺序和次数可以与第二彩色滤光器CF2的TiO2以及SiO2交替的顺序和次数不同。根据一实施例，选择性地可以省略第一彩色滤光器CF1以及第二彩色滤光器CF2。
发光元件还可以包括：第一过孔图案VA1，贯通第三发光部LE3、第二彩色滤光器CF2、第二粘合部AD2、第二发光部LE2、第一粘合部AD1以及第一彩色滤光器CF1而与第一欧姆层108电接触；第二过孔图案VA2，贯通第三发光部LE3、第二彩色滤光器CF2、第二粘合部AD2、第二n型半导体层202、第二活性层204以及第二p型半导体层206而与第二欧姆层电接触；以及第三过孔图案VA3，贯通第三n型半导体层302、第三活性层304以及第三p型半导体层306而与第三欧姆层308电接触。并且，发光元件还可以包括：第四过孔图案VA4，贯通第三发光部LE3、第二彩色滤光器CF2、第二粘合部AD2、第二发光部LE2、第一粘合部AD1、第一彩色滤光器CF1、第一欧姆层108、第一p型半导体层106以及第一活性层104而与第一n型半导体层102电接触；第五过孔图案VA5，贯通第三发光部LE3、第二彩色滤光器CF2、第二粘合部AD2而与第二n型半导体层202电接触；以及第六过孔图案VA6，与第三n型半导体层302电接触。
发光元件还可以包括：通过第一过孔图案VA1与第一欧姆层108电连接的第一垫PD1；通过第二过孔图案VA2与第二欧姆层208电连接的第二垫PD2；通过第三过孔图案VA3与第三欧姆层308电连接的第三垫PD3；与第一n型半导体层102、第二n型半导体层202以及第三n型半导体层302共同电连接的共同垫CPD。根据一实施例，第一垫PD1、第二垫PD2、第三垫PD3以及共同垫CPD分别可以布置于第三发光部LE3上。
本实施例中示例性地说明了共同垫CPD与第一n型半导体层102、第二n型半导体层202以及第三n型半导体层302共同连接，然而共同垫CPD可以与第一欧姆层108、第二欧姆层208以及第三欧姆层308共同连接。
发光元件还可以包括围绕第一过孔图案VA1、第二过孔图案VA2、第三过孔图案VA3、第四过孔图案VA4、第五过孔图案VA以及第六过孔图案VA6中的每一个的外侧壁，并延伸至第三发光部LE3上部的钝化膜PVT。
本实施例中示例性地说明了发光部LE1、LE2、LE3包括垂直层叠的第一发光部LE1、第二发光部LE2以及第三发光部LE3，并且包括贯通第一发光部LE1、第二发光部LE2以及第三发光部LE3的过孔图案VA1、VA2、VA3、VA4、VA5、VA6的发光元件，然而发光元件可以具有通过蚀刻垂直层叠的第一发光部LE1、第二发光部LE2、第三发光部LE3而暴露第一n型半导体层102、第二n型半导体层202、第三n型半导体层302、第一欧姆层108、第二欧姆层208以及第三欧姆层308的台面机构(mesa structure)。并且，发光元件可以具有将第一发光部LE1、第二发光部LE2以及第三发光部LE3水平地布置于同一平面上的结构。
参照图1a、图1b、图2a、图2b、图2c以及图2d，光阻隔膜LS可以包括在基板100的第二面SF2_S暴露发光区域LEA各自的至少一部分的多个孔HL。光阻隔膜LS的孔HL各自可以定义光提取面LEX，从各个光提取面LEX发出的光可以通过暴露光提取面LEX的孔HL而发出。即，孔HL可以起到光发出路径(light extraction path)的功能。
根据一实施例，每个发光提取面可以在发光区域LEA内具有比发光区域LEA的第一宽度W1小的第二宽度W2。并且，光提取面LEX的中心可以与发光区域LEA的中心相同。
光阻隔膜LS可以包括如Ti、Ni、Al、Ag、Cr的金属，或者可以包括诸如光致抗蚀剂(photoresist)、环氧树脂(epoxy)、聚二甲基硅氧烷(PDMS：polydimethylsiloxane)以及黑色矩阵(black matrix)之类的物质。
根据一实施例，光阻隔膜LS的厚度TH可以大于或等于在发光部LE1、LE2、LE3发出的光中最长的波长的长度。作为一例，当第一发光部LE1发出具有450～490nm的波长的蓝光，第二发光部LE2发出具有495～570nm的波长的绿光，第三发光部LE3放出具有620～750nm的波长的红光时，光阻隔膜LS的厚度TH可以大于或等于从第三发光部LE3发出的光的波长。
根据一实施例，由光阻隔膜LS定义的光提取面LEX的第二宽度W2可以比光阻隔膜LS的厚度TH小。作为一例，在从一发光结构物LED的中心与另一发光结构物LED的中心之间的距离DT为80μm的情况下，第二宽度W2可以是5μm。
利用光阻隔膜LS定义比发光区域LEA小的光提取面LEX，以使发光元件的明暗比(contrast)提升，从而可以提升发光元件的颜色再现性。
然而，光提取面LEX的宽度越小，通过光阻隔膜LS的光由于衍射而扩散，据此，利用从发光元件发出的光而成像的画面可能看起来模糊。从而，将光阻隔膜LS的厚度TH形成为大于从发光部LE1、LE2、LE3发出的光的波长中的长的波长，从而可以在通过光阻隔膜LS的期间内使光的衍射消失以减少图像的模糊。
根据图2a所示的一实施例，由光阻隔膜LS的孔HL而暴露的侧壁SW可以是垂直的。并且，光阻隔膜LS可以具有预定的厚度TH。
以下，为了便于说明，发光结构物LED可以包括第一发光结构物LED1以及第二发光结构物LED2，孔HL可以包括第一孔HL1以及第二孔HL2。第一发光结构物LED1可以通过第一孔HL1发出光，第二发光结构物LED2可以通过第二孔HL2发出光。
从第一发光结构物LED1发出的光应通过第一孔HL1而发出，然而可能会利用基板100作为导光路径而被反射以及照射至相邻的第二孔HL2。反射以及照射至第二孔HL2的从第一发光结构物LED1发出的光在通过基板100的期间内由于光的一部分消失而强度减弱，从而在通过第二孔HL2并通过较厚的光阻隔膜LS的期间内可能会消失。并且，在从第一发光结构物LED1发出的光通过第一孔HL1发出时，也可以在通过较厚的光阻隔膜LS期间内使衍射现象消失。
根据图2b所示的实施例，由光阻隔膜LS的孔HL而暴露的侧壁SW可以是垂直的，并且光阻隔膜LS的侧壁SW可以具有凹凸面RGH。凹凸面RGH可以包括多个凹凸部CC。
如上所述，虽然从第一发光结构物LED1发出的光在通过第二孔HL2的期间内被较厚的光阻隔膜LS消失，然而由于第二孔HL2的侧壁SW利用凹凸面RGH构成，因此从第一发光结构物LED1发出的光在凹凸面RGH漫反射以及散射，从而可以更快地、完全地消失。
根据图2c所示的又一实施例，由光阻隔膜LS的孔HL暴露的侧壁可以具有倾斜度。作为一例，光阻隔膜LS包括与基板100的第二面SF2_S相面对的第一面SF1_LS和与第一面SF1_LS对向的第二面SF2_LS的同时，光阻隔膜LS可以具有从光阻隔膜LS的第二面SF2_LS趋向第一面SF1_LS而逐渐减少的宽度。即，光阻隔膜LS的侧壁SW可以具有反坡(reverseslope)。具有反坡的侧壁SW的面积可以比垂直的侧壁SW的面积大。
如上所述，从第一发光结构物LED1发出的光在通过第二孔HL2的期间内由于较厚的光阻隔膜LS而消失，并且由于第二孔HL2的侧壁SW是具有反坡的侧壁SW，从而可以将从多个角度照射的光有效地反射及吸收，从而能够更加有效地使该光消失。
根据图2d所示的实施例，光阻隔膜LS包括与基板100的第二面SF2_S相面对的第一面SF1_LS和与第一面SF1_LS对向的第二面SF2_LS，并且光阻隔膜LS的第二面SF2_LS可以具有凹面CVS。即，可以具有从光阻隔膜LS的第二面端部趋向中心逐渐减少的厚度TH。作为一例，光阻隔膜LS的端部可以具有第一厚度TH1，光阻隔膜LS的中心可以具有比第一厚度TH1小的第二厚度TH2。如此，较厚地维持光阻隔膜LS的端部的厚度TH1，即较厚地维持通过孔HL暴露的部分的厚度TH1而使孔HL较长地维持，从而可以如上所述地使相邻的光消失。同时，光阻隔膜LS的中心的厚度TH2形成得较薄，以减少施加于发光元件的张力(tension)，从而可以防止发光元件被破损。
以下，对制造根据本发明的实施例的发光元件的方法进行说明。本实施例中将示例性地说明图1a、图1b以及图2a所示的发光元件的制造方法。
图4至图8是用于说明根据本发明的一实施例的发光元件的制造方法的剖面图。
参照图4，可以在第一基板100的第一面上依次层叠第一发光部LE1、第二发光部LE2以及第三发光部LE3。
根据一实施例，第一基板100可以是使第一发光部LE1生长的生长基板100，同时也可以是用于贴装于目标装置的转移(transfer)基板100。例如，在将完成的发光元件应用于如手表的显示装置的情况下，可以在将第一基板100切割为与手表的显示部相同的尺寸之后，使第一发光部LE1生长。
在第一基板100上可以利用金属有机化学气相沉积(MOCVD：Metal-OrganicChemical Vapor Deposition)、分子束外延(MBE：Molecular Beam Epitaxy)、水解气相外延(HVPE：Hydride Vapor Phase Epitaxy)、金属有机氧化(MOC：Metal-Organic Chloride)等的生长法依次形成第一n型半导体层102、第一活性层104以及第一p型半导体层。并在第一p型半导体层106上通过化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)工序、物理气相沉积(PVD：Physical Vapour Deposition)工序等形成第一欧姆层108，从而可以形成第一发光部LE1。
在第二基板(未图示)上可以利用MOCVD、MBE、HVPE、MOC等的生长方法依次形成第二n型半导体层202、第二活性层204以及第二p型半导体层206。并在第二p型半导体层206上通过CVD、PVD工序等形成第二欧姆层208，从而可以形成第二发光部LE2。
颠倒第二基板而布置成使第二欧姆层208与第一欧姆层108相面对，并且可以通过第一粘合部AD1而将第二发光部LE2粘合于第一发光部LE1。在将第一发光部LE1以及第二发光部LE2粘合之后，可以通过激光剥离(LLO：Laser Lift Off)工序或化学剥离(CLO：Chemical Lift Off)工序去除第二基板。
在第三基板(未图示)上可以利用MOCVD、MBE、HVPE、MOC等的生长方法依次形成第三n型半导体层302、第三活性层304以及第三p型半导体层306。并在第三p型半导体层306上通过CVD、PVD工序等形成第三欧姆层308，从而可以形成第三发光部LE3。
颠倒第三基板而布置成使第二发光部LE2的第二n型半导体层202与第三发光部LE3的第三欧姆层308相面对，并且可以通过第二粘合部AD2而使第二发光部LE2以及第三发光部LE3粘合。在将第二发光部LE2以及第三发光部LE3以第二粘合部AD2粘合之后，可以通过LLO或CLO工序去除第三基板。
参照图3b以及图5，通过蚀刻第三发光部LE3、第二发光部LE2以及第一发光部LE1，从而可以形成暴露第一欧姆层108的第一贯通孔、暴露第二欧姆层208的第二贯通孔、暴露第三欧姆层308的第三贯通孔、暴露第一n型半导体层102的第四贯通孔、暴露第二n型半导体层202的第五贯通孔以及暴露第三n型半导体层302的第六贯通孔。
根据一实施例，在分别形成第一贯通孔、第二贯通孔、第三贯通孔、第四贯通孔、第五贯通孔以及第六贯通孔的期间内，蚀刻第一发光部LE1、第二发光部LE2以及第三发光部LE3，从而可以在第一基板100的第一面上形成元件分离的多个发光结构物LED。
可以形成将第一贯通孔、第二贯通孔、第三贯通孔、第四贯通孔、第五贯通孔以及第六贯通孔中的每一个不填满且延伸至第三n型半导体层302上部的钝化膜PVT。
通过蚀刻钝化膜PVT而在第一贯通孔底面暴露第一欧姆层108，在第二贯通孔底面暴露第二欧姆层20，在第三贯通孔底面暴露第三欧姆层308，在第四贯通孔底面暴露第一n型半导体层102，在第五贯通孔底面暴露第二n型半导体层202，并且在第六贯通孔底面暴露第三n型半导体层302。
可以分别形成填充形成有钝化膜PVT的第一贯通孔、第二贯通孔、第三贯通孔、第四贯通孔、第五贯通孔和第六贯通孔各自的第一过孔图案VA1、第二过孔图案VA2、第三过孔图案VA3、第四过孔图案VA4、第五过孔图案VA5以及第六过孔图案VA6。
并且，可以形成第一过孔图案VA1上的第一垫PD1、第二过孔图案VA2上的第二垫PD2、第三过孔图案VA3上的第三垫PD3以及与第四过孔图案VA4和第五过孔图案VA5以及第六过孔图案VA6共同地电连接的共同垫CPD。
参照图6，在第一基板100的第一面SF1_S上可以形成填满发光结构物LED之间的附加光阻隔膜ALS。除了形成有发光结构物LED的发光区域LEA之外的周边区域PPA可以被附加光阻隔膜ALS覆盖。
参照图7，在第一基板100的第二面SF2_S上可以形成有光阻隔膜LS。根据一实施例，光阻隔膜LS可以具有大于从第三发光部LE3发出的光的波长的厚度TH。
参照图8，在光阻隔膜LS上形成掩模图案，并将掩模图案使用为蚀刻图案而蚀刻光阻隔膜LS，从而可以形成暴露发光区域LEA各自的至少一部分的孔HL。各个孔HL可以是光从每个发光结构物LED发出的光发出路径。
根据一实施例，孔HL可以形成于发光区域LEA内，并且孔HL的中心可以与发光区域LEA的中心相同。
作为图2a所示的一例子，由孔而暴露的光阻隔膜LS的侧壁SW可以是垂直的。此时，可以选择掩模图案(未图示)，以使光阻隔膜LS的侧壁SW被垂直地蚀刻。
作为图2b所示的另一例子，将掩模图案利用为蚀刻掩模，以蚀刻具有垂直的侧壁SW的光阻隔膜LS的侧壁SW，从而可以形成凹凸面RGH。此时，蚀刻工序可以是湿式蚀刻。
作为图2c所示的又一例子，由孔而暴露的光阻隔膜LS的侧壁可以具有反坡面。此时，可以选择掩模图案(未图示)，以使光阻隔膜LS的侧壁SW蚀刻为反坡面。
作为图2d所示的又一例子，在光阻隔膜LS具有相邻于基板100的第二面SF2_S的第一面SF1_LS和与第一面SF1_LS对向的第二面SF2_LS的情况下，可以对光阻隔膜LS的第二面SF2_LS利用CMP工序形成碟形(dishing)区域。即，光阻隔膜LS的第二面的厚度TH可以从端部趋向中心而逐渐变薄。
据此，在第一基板100可以形成包含发光结构物LED、光阻隔膜LS以及附加光阻隔膜ALS的发光元件。如上所述，由于第一基板100具有与目标贴装装置的显示部相同的尺寸，从而可以省略针对形成于第一基板100的发光结构物LED的切割、转印以及贴装等工序，并可以将第一基板100直接贴装于目标装置。从而，可以更加容易地执行由于发光元件的尺寸变小而变难的切割、转印以及贴装。
以上，虽然参照附图对本发明的实施例进行了说明，但是在本发明所属技术领域中具有通常知识的人员可以理解本发明能够在不改变其技术思想或必要特征的情况下实施为其他具体的形态。因此，应该理解以上所述的实施例在所有方面均为示意性而并非限定性的。

Claims (8)

1.一种发光元件，其特征在于，包括：
基板，具有第一面以及与第一面对向的第二面；
多个发光部，布置于所述基板的第一面上；以及
光阻隔膜，布置于所述基板的第二面上，并暴露布置有各个所述发光部的发光区域的至少一部分，
其中，所述光阻隔膜具有大于从所述发光部发出的光的波长中的最长波长的长度的厚度。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述光阻隔膜覆盖所述发光区域各自的端部而定义光提取面。
3.如权利要求2所述的发光元件，其特征在于，
所述光提取面的宽度小于所述光阻隔膜的厚度。
4.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述光阻隔膜的侧壁具有凹凸面。
5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述光阻隔膜具有与所述基板的第二面相面对的第一面和与所述光阻隔膜的第一面对向的第二面，
所述光阻隔膜的第二面具有凹面。
6.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述光阻隔膜具有垂直的侧壁。
7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述光阻隔膜具有倾斜的侧壁。
8.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，
所述光阻隔膜具有与所述基板的第二面相面对的第一面和与所述光阻隔膜的第一面对向的第二面，
所述光阻隔膜具有从所述光阻隔膜的第一面趋向所述光阻隔膜的第二面而逐渐增加的宽度。
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