CN112992993A - 显示面板以及电子装置 - Google Patents

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Abstract

涉及显示技术领域，本申请公开一种显示面板以及电子装置。显示面板包括可拉伸显示区、像素电路区以及多条信号线；所述可拉伸显示区包括多个像素单元，所述像素电路区包括多个驱动单元；多个所述信号线一一对应连接多个所述驱动单元与多个所述像素单元。改变原有AMOLED中驱动电路单元与像素单元同步集成的结构，而将AMOLED中将驱动电路与像素单元进行分离，而将薄膜晶体管驱动电路设置在非拉伸区，从而不再承受拉伸带来的应力，可以真正避免发生损坏。

Description

显示面板以及电子装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示面板以及电子装置。
背景技术
随着信息技术的发展，LCD(liquid crystal display)、OLED(Organic LightEmitting Diode)、QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)、Micro LED(Micro LightEmitting Diode)等各种显示装置不断推陈出新，显示装置已经进入一个百花齐放的新时代。近年来，OLED显示由于具有独特的柔性性能，各种弯曲、可折叠的OLED柔性显示装置正在被积极的开发中，而更进一步的，可改变形状的可拉伸显示装置也是未来显示技术发展方向。
而拉伸状态下显示装置所受的应力是目前最大的挑战。现阶段，AMOLED背板上需要薄膜晶体管构成的像素电路，以实现主动驱动，而薄膜晶体管在拉伸变形带来的应力作用下，特性会发现极大的改变，并无法有效控制，因此传统的AMOLED背板难以应用在拉伸显示装置。
而在现有PM可拉伸显示面板结构中，一般是通过像素岛之间的镂空区释放拉伸时的应变量，来实现可拉伸显示。而这种镂空结构若直接转用到可拉伸AMOLED中，其中由于背板处具有由薄膜晶体管组成的阵列基板，在承受拉伸带来的应力时，会对薄膜晶体管特性造成损坏，会直接影响AMOLED显示面板的稳定性。
发明内容
本申请的一个主要目的在于克服上述现有技术的可拉伸AMOLED显示面板存在的驱动电路容易损坏的技术问题，提供一种显示面板以及电子装置。
为实现上述发明目的，本申请采用如下技术方案：
根据本申请的一个方面，提供了一种显示面板，包括可拉伸显示区、像素电路区以及多条信号线；所述可拉伸显示区包括多个像素单元，所述像素电路区包括多个驱动单元；多个所述信号线一一对应连接多个所述驱动单元与多个所述像素单元。
根据本申请的一实施方式，其中所述可拉伸显示区包括所述可拉伸显示区包括第一基底和依次形成在所述第一基底上的第一绝缘层、第一阴极层、发光层、第二绝缘层、第一走线层以及第一封装层，所述第一基底为可拉伸材料基底，所述第一走线层包括多个所述信号线。
所述可拉伸显示区包括第一基底和依次形成在所述第一基底上的第一走线层、第一绝缘层、发光层、第一阴极层以及第一封装层，所述第一基底为可拉伸材料基底，所述第一走线层包括多个所述信号线。
根据本申请的一实施方式，其中各个所述像素单元包括多个彼此隔开的岛形显示单元，多个镂空部包绕于各个显示单元外，各个所述显示单元均由所述信号线分别信号连通。
根据本申请的一实施方式，其中各个所述镂空部贯穿或部分贯穿所述第一基底。
根据本申请的一实施方式，其中所述第一阴极层为各所述显示单元的共用电极，而各所述显示单元均由至少一条所述信号线连接至所述像素电路区内对应的所述驱动单元。
根据本申请的一实施方式，其中所述像素电路区包括第二基底和依次形成在所述第二基底上的第三绝缘层、第二阴极层、驱动电路层、柔性拉伸层、第四绝缘层、第二走线层以及第二封装层，所述第二基底为可拉伸材料基底，所述第二走线层包括多个所述信号线。
所述像素电路区包括第二基底和依次形成在所述第二基底上的第二走线层、第三绝缘层、驱动电路层、柔性拉伸层、第二阴极层以及第二封装层，所述第二基底为可拉伸材料基底，所述第二走线层包括多个所述信号线。
根据本申请的一实施方式，其中所述像素电路区还具有多个开槽，所述开槽在垂直于所述信号线的方向上延伸，以间隔所述驱动电路层中各驱动单元。
根据本申请的一实施方式，其中所述像素电路区位于所述可拉伸显示区的一侧，或者，所述像素电路区位于所述可拉伸显示区相对的两侧。
根据本申请的一实施方式，其中所述信号线为透光导电材料。
根据本申请的一实施方式，其中所述信号线材质为金属纳米线、碳纳米管、石墨烯、导电聚合物或者液态金属。
根据本申请的一实施方式，其中所述可拉伸显示区与所述像素电路区共用基底、所述信号线的走线层以及/或者封装层。
根据本申请的另一方面，提供一种电子装置，包括如前所述的显示面板。
由上述技术方案可知，本申请的显示面板以及电子装置的优点和积极效果在于：
显示面板包括可拉伸显示区、像素电路区以及多条信号线；所述可拉伸显示区包括多个像素单元，所述像素电路区包括多个驱动单元；多条所述信号线一一对应连接多个所述驱动单元与多个所述像素单元。以将拉伸区AMOLED的各像素的驱动电路设置在拉伸区以外的像素电路区，而通过信号线连接至各像素显示区。以将薄膜晶体管驱动电路设置在非拉伸区，从而不再承受拉伸带来的应力，可以真正避免发生损坏。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据一示例性实施方式示出的一种显示面板平面结构示意图。
图2是图1中A处的像素单元放大后平面结构示意图。
图3是沿图1中B-B线的局部剖面结构示意图。
图4是沿图2中C-C线的剖面结构示意图。
图5是根据另一示例性实施方式示出的一种显示面板平面结构示意图。
其中，附图标记说明如下：
可拉伸显示区1；像素单元11；显示单元111；连接桥区112；第一基底10；第一柔性基底层101；第一阻挡层102；第一缓冲层103；第二阻挡层104；第二柔性基底层105；第一绝缘层11；第一阴极层13；发光层14；第一走线层15；第二绝缘层17；第一封装层18；像素电路区2；驱动单元21；第二基底20；第三柔性基底层201；第三阻挡层202；第二缓冲层203；第四阻挡层204；第四柔性基底层205；第三绝缘层21；第二阴极层22；驱动电路层23；柔性拉伸层24；第四绝缘层27；第二走线层25；第二封装层28；柔性信号线3。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为了解决可拉伸AMOLED显示面板存在的驱动电路容易损坏的技术问题，本申请人发现可以改变原有AMOLED结构中薄膜晶体管对应形成在像素单元下层的传统结构形式，从而来克服上述问题。具体考虑是将拉伸变形区AMOLED的各像素的驱动电路设置在拉伸区以外，并通过柔性信号线连接至各像素显示区。以将薄膜晶体管驱动电路设置在非拉伸区，从而不再承受拉伸带来的应力，可以真正避免驱动电路发生损坏。
由此来看，本申请实施例的关键技术思路在于，改变原有AMOLED中驱动电路单元与像素单元同步集成的结构，而将AMOLED中将驱动电路与像素单元进行分离，而将薄膜晶体管驱动电路设置在非拉伸区，从而不再承受拉伸带来的应力。本领域技术人员可以理解的是，基于此技术思路的各种变形或衍生技术方案应该均属于本申请基本技术思路涵盖的范围。
其中，本领域技术人员通常知晓的是，AMOLED是有源矩阵有机发光二极体面板。AM(有源矩阵)指的是像素寻址技术。它最大程度地减少了控制线路的数量，使其具备低能耗、高分辨率、快速响应和其他优良光电特性。
为便于对本申请技术思路进行理解，以下结合附图对本申请实施例进行示例性说明如下：
图1是根据一示例性实施方式示出的一种显示面板平面结构示意图，图2是图1中A处的像素单元放大后平面结构示意图，图3是沿图1中B-B线的局部剖面结构示意图，以及图4是沿图2中C-C线的剖面结构示意图。
参照图中示意，本申请一具体实施例中提供了一种显示面板，主要包括可拉伸显示区1、像素电路区2以及多条信号线3；所述可拉伸显示区1包括多个像素单元11，所述像素电路区2包括多个驱动单元21；多个所述柔性信号线3设置于所述像素电路区2与所述可拉伸显示区1之间，多条所述信号线3一一对应连接多个所述驱动单元21与多个所述像素单元11。
由图1中示意可见，可拉伸显示区1内包括排列为n行m列个像素单元11，对应地，在可拉伸显示区1外侧的一个像素电路区2形成有排列为n行m列个驱动单元21，而每个像素单元11可以赋予唯一的编号，如图中的坐标式编号第一行的第一列(1,1)……第n行的第m列(n,m)。每个驱动单元21也有唯一的编号，如图中的坐标式编号第一行的第一列(1,1)……第n行的第m列(n,m)。可将编号相对的驱动单元21与所述像素单元11，通过信号线3进行对应连接。
其中，本实施例中至少可拉伸显示区1的信号线3材质可选择为：金属纳米线、碳纳米管(CNT)、石墨烯(graphene)、导电聚合物、液态金属等柔性信号线。金属纳米线可包括铜纳米线、银纳米线(AgNW)。具体实施例中以银纳米线(AgNW)为例，银纳米线渗透网络拥有非常高的透明度，和氧化铟锡(ITO)相比，在近外红外波长下透明度较高，另外，银纳米线交叉处较低的熔合温度可进一步降低导电网络的电阻。可通过喷涂、真空抽滤-转移、压铸等方式将银纳米线从溶液中沉积到弹性基底表面，还可利用聚氨酯尿素(PUU)来增强银纳米线和可拉伸显示基底层的黏附性，以形成性能稳定的可拉伸透明电极，还可通过强脉冲光照射来固定银纳米线之间的结点,进一步增加电极稳定性。
铜纳米线不仅拥有与银相媲美的电导率，而且价格较为便宜，可利用等离子体焊接技术制备基于铜纳米线渗透网络的透明可拉伸导体，用激光照射铜纳米线渗透网络，借助等离子体效应在纳米线结点处产生的热量进行结点焊接，如此一来，不仅增加了纳米线之间的连接强度而且降低了接触电阻，大大提高了渗透网络的电导率.另外，由于该过程是在低温条件下进行的，而且激光扫描的速度很快(>100mm/s)，因此，铜纳米线的氧化是非常少的，这是传统的热处理方法(整体加热)不可能实现的。将等离子体焊接的铜纳米线渗透网络附着在可拉伸显示基底层上，进行弯曲、折叠、拉伸等各种机械变形，导体都能保持很好的电学稳定性。
像素电路区2中的信号线3材质则不受限制，可以为硬质材料也可以选择为以上柔性可位伸材料。同时为了便于出光，信号线3优选是透明导电材料。
见图2所示意，本实施例中各个像素单元11包括多个彼此隔开的岛形显示单元111，各个岛形显示单元111相互之间由连接桥区112互相连通。多个显示单元111组合可形成图像显示，连接桥区112用于走线和传递应力，镂空部16则用于在拉伸时提供变形空间。应该理解的是，一个像素单元11可包括一个或多个显示单元111，多个显示单元111可以为3个(红绿蓝)或4个一组的(红绿蓝白)出射不同颜色光线的发光单元，显示单元111可以是矩形或正方形。显示单元111外围的镂空部16可以呈十字形、工字形、L形、T型等形状，镂空部16的宽度可选择为10微米～500微米。连接桥区112位于显示单元111和镂空部16之间，或者位于相邻的镂空部16之间，与相邻的显示单元111连接，也就是说，连接桥区112环绕显示单元111和镂空部16。连接桥区112为L形，或者多个L形相连的形状，如┕┙形、T型等形状。连接桥区112的宽度可选择为10微米到500微米。而为了与像素电路区连接，各个显示单元111均由信号线3分别信号连通。
根据本申请的一实施方式，其中所述像素电路区2可位于所述可拉伸显示区1一侧、两侧或者周侧，所述像素电路区2的基板12可与所述可拉伸显示区1的基板12材质相同或不同。
该实施例提出的显示面板平面图如图1所示，可拉伸显示区1所需的像素电路设置在一侧的一个像素电路区，用于显示的OLED器件设置在拉伸显示区1，两者间使用跨接的柔性可拉伸信号线3一一对应连接，具体地，见图中像素电路(1,1)与显示单元(1,1)用柔性信号线3连接，像素电路(2,1)与显示单元(2,1)用柔性信号线3连接，以此类推，像素电路(m,n)与显示单元(m,n)用柔性信号线3连接。
可以理解的是，像素电路区2的位置设置方式不局限于设置在拉伸显示区单侧，像素电路区2也可设置在拉伸显示区1两侧，如图5所示。在相对拉伸显示区1单独配置像素电路区2的实施例中，像素电路区2可选择配置于拉伸显示区1无拉伸应力的一侧，比如，在图中上方和下方可由连接部件或刚性基底的面板连接，以便于在上下两端向拉伸显示区1施加拉伸应力。而像素电路区2则配置在拉伸显示区1的左侧或右侧，或者左侧及右侧均配置有，如此，像素电路区2并不会有拉伸应力的问题。
如图4所示，图4是沿图2中C-C线的剖面结构示意图。其中可拉伸显示区1主要包括第一基底10和由第一基底10上依次形成的第一绝缘层11、第一阴极层13、发光层14、第二绝缘层17、第一走线层15以及第一封装层18。其中，第一基底10包括叠设的第一柔性基底层101、第一阻挡层102、第一缓冲层103和第二阻挡层104及第二柔性基底层105。可以理解的是，以上所述发光层14可认为是主要包括空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)、空穴传输层(HTL，Hole Tranport Layer)、发光层(EML，Emission layer)以及电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)，本实施例中为简化描述形式，为了描述由信号线3和共用电极层的配置方式，而只是将贯用的“发光层”概念中两个电极部分独立出来描述而已。
其中，第一柔性基底层101的材料可以为聚酰亚胺，第一柔性基底层101的厚度可为2微米到10微米；第一阻挡层102与第二阻挡层104可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)或氮氧化硅(SiOxNx)等无机材料，第一阻挡层和第二阻挡层的材料可以相同，但不同于缓冲层材料。第一阻挡层102、第一缓冲层103和第二阻挡层104可以用于提高基底的抗水氧能力。第一缓冲层103可以为氮化硅(SiNx)，刻蚀方法可采用干刻。本实施例中的第一缓冲层103也可以是有机材料，如聚酰亚胺，或者其他可剥离的材料，通过涂布的方式形成。第二柔性基底层105的材料可以为聚酰亚胺。第二柔性基底层的厚度为2微米到10微米。
其中，第一绝缘层11、第二绝缘层17可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称之为阻挡(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力。第一阴极层13可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金，第一阴极层13可为可拉伸显示区1中各个像素单元11中显示单元111的共用电极。
第一走线层15可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层，第一走线层15可先形成信号线3的槽形图案，之后在信号线3的槽形图案中形成信号线3。信号线3可选择为：金属纳米线、碳纳米管(CNT)、石墨烯(graphene)、导电聚合物、液态金属等柔性信号线。金属纳米线可包括铜纳米线、银纳米线(AgNW)。具体实施例中以银纳米线(AgNW)为例，银纳米线渗透网络拥有非常高的透明度，和氧化铟锡(ITO)相比，在近外红外波长下透明度较高，另外，银纳米线交叉处较低的熔合温度可进一步降低导电网络的电阻。可通过喷涂、真空抽滤-转移、压铸等方式将银纳米线从溶液中沉积到第一走线层15，还可利用聚氨酯尿素(PUU)来增强银纳米线和第一走线层15的黏附性，以形成性能稳定的可拉伸透明电极，还可通过强脉冲光照射来固定银纳米线之间的结点,进一步增加电极稳定性。
见图2中示意，各行显示单元111的信号线3集中地连续横向延伸，绕行在各个连续的连接桥区112与岛形显示单元111区域，弯折形的信号线3也可以提升可拉伸柔韧性，通过弯折形状提供可变形量。
可拉伸显示区1的具体实施例中，发光层14一般包括空穴注入层(HIL，HoleInjection Layer)，空穴传输层(HTL，Hole Tranport Layer)，发光层(EML，Emissionlayer)和电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)，发光层14以及其中的显示单元材料与构造，在领域内有多种方案可供选择应用，所以在此不再赘述。封装层24的材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚芳酯、聚碳酸脂、聚醚酰亚胺或聚醚砜，封装层的厚度约为0.5微米到2微米。
另一方面，本领域技术人员可以理解的是，第一阴极层13与第一走线层15的位置可以互换，同样可以实施。具体可以是，可拉伸显示区1包括第一基底10和依次形成在所述第一基底10上的第一走线层15、第一绝缘层11、发光层14、第一阴极层13以及第一封装层18。也就是将两个电极层分别成型在发光层14相对两表面外即可。或者可理解为，将功能层发光层14配置在第一阴极层13与第一走线层15之间。相比前一实施方式，由于走线层是先形成绝缘基层，之后再形成对应所有信号线的凹槽图案，所以可以选择在基底与走线层之间可以配置绝缘层，也可以不再配置单独绝缘层。
可以理解的是，上述实施例可拉伸显示区1制备实施例中，可先在刚性衬底上成型图案化的第一基底10，此后再依次成型第一绝缘层11、第一阴极层13、发光层14、第一走线层15、第二绝缘层17以及第一封装层18。其中第一阴极层13可为各显示单元111的共用电极，而各显示单元111均有专属的一条信号线3连接至像素电路区2内对应的驱动单元21。
图3是沿图1中B-B线的局部剖面结构示意图。如图所示，本实施例中的像素电路区2，剖面上主要包括第二基底20、第三绝缘层21、第二阴极层22、驱动电路层23、柔性拉伸层24、第四绝缘层27、第二走线层25以及第二封装层28。其中，第二基底20包括叠设的第三柔性基底层201、第三阻挡层202、第二缓冲层203和第四阻挡层204及第四柔性基底层205。
第三柔性基底层201的材料可以为聚酰亚胺，第三柔性基底层201的厚度为2微米到10微米；第三阻挡层202与第四阻挡层204可以为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)或氮氧化硅(SiOxNx)等无机材料，第三阻挡层和第四阻挡层的材料可以相同，但不同于第二缓冲层材料。第三阻挡层202、第二缓冲层203和第四阻挡层204可以用于提高基底的抗水氧能力。第二缓冲层203可以为氮化硅(SiNx)，刻蚀方法采用干刻。本实施例中的第二缓冲层203也可以是有机材料，如聚酰亚胺，或者其他可剥离的材料，通过涂布的方式形成。第四柔性基底层205的材料可以为聚酰亚胺。第四柔性基底层205的厚度为2微米到10微米。
其中，第三绝缘层21、第四绝缘层27可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第三绝缘层称之为阻挡(Buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力。第二阴极层22可以采用镁Mg、银Ag、铝Al、铜Cu、锂Li等金属材料的一种，或上述金属的合金，第二阴极层22可为像素电路区2中各个驱动单元21的共用电极。
第二封装层28材料包括聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚芳酯、聚碳酸脂、聚醚酰亚胺或聚醚砜，第二封装层的厚度约为0.5微米到2微米。
可以理解的是，上述实施例像素电路区2制备实施例中，可先在刚性衬底上第二基底20，此后再依次成型第三绝缘层21、第二阴极层22、驱动电路层23、柔性拉伸层24、第四绝缘层27、第二走线层25以及第二封装层28。其中第二阴极层22可为像素电路区2中各个驱动单元21的共用电极，而各驱动单元21均有专属的一条信号线3连接至可拉伸显示区1内对应各显示单元111。
其中，驱动电路层23包括多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)组成的像素驱动电路。薄膜晶体管的具体结构与成型工艺已有多种成熟技术可供应用，在此不再详细展开赘述。
柔性拉伸层24可以采用苯酚基树脂、聚丙烯基树脂、聚酰亚胺基树脂、丙烯基树脂等具有弹性的树脂材料的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。柔性拉伸层24用于为信号线3提供变形缓冲。
另一方面，所述像素电路区2还具有多个开槽26，所述开槽26在垂直于所述信号线3的方向上延伸，以间隔所述驱动电路层23中各驱动单元21。这样，信号线3在厚度方向增加了呈U形弯曲，以便于为像素电路区2中信号线3的拉伸变形提供变形空间。
另一方面，本领域技术人员可以理解的是，第二阴极层22与第二走线层25的位置可以互换，同样可以实施。具体可以是，像素电路区2包括第二基底20和依次形成在所述第二基底20上的第二走线层25、第三绝缘层21、驱动电路层23、柔性拉伸层24、第二阴极层22以及第二封装层28，所述第二基底20为可拉伸材料基底，所述第二走线层25包括多个所述信号线3。相比前一实施方式，由于走线层是先形成绝缘基层，之后再形成对应所有信号线的凹槽图案，所以可以选择在基底与走线层之间可以配置绝缘层，也可以不再配置单独绝缘层。
本申请实施例中，为了解决可拉伸AMOLED显示面板存在的驱动电路容易损坏的技术问题，本申请人发现可以改变原有AMOLED结构中TFT对应形成在像素单元下层的传统结构形式，从而来克服上述问题。具体考虑是将拉伸变形区AMOLED的各像素的驱动电路设置在拉伸区以外的像素电路区，并通过柔性信号线连接至各像素显示区。以将薄膜晶体管驱动电路设置在非拉伸区，从而不再承受拉伸带来的应力，可以真正避免发生损坏。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (14)

1.一种显示面板，其特征在于，包括可拉伸显示区(1)、像素电路区(2)以及多条信号线(3)；所述可拉伸显示区(1)包括多个像素单元(11)，所述像素电路区(2)包括多个驱动单元(21)；多个所述信号线(3)一一对应连接多个所述驱动单元(21)与多个所述像素单元(11)。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述可拉伸显示区(1)包括第一基底(10)和依次形成在所述第一基底(10)上的第一绝缘层(11)、第一阴极层(13)、发光层(14)、第二绝缘层(17)、第一走线层(15)以及第一封装层(18)，所述第一基底(10)为可拉伸材料基底，所述第一走线层(15)包括多个所述信号线(3)。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述可拉伸显示区(1)包括第一基底(10)和依次形成在所述第一基底(10)上的第一走线层(15)、第一绝缘层(11)、发光层(14)、第一阴极层(13)以及第一封装层(18)，所述第一基底(10)为可拉伸材料基底，所述第一走线层(15)包括多个所述信号线(3)。
4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，各个所述像素单元(11)包括多个彼此隔开的岛形显示单元(111)，多个镂空部(16)包绕于各个显示单元(111)外，各个所述显示单元(111)均由所述信号线(3)分别信号连通。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，各个所述镂空部(16)贯穿或部分贯穿所述第一基底(10)。
6.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一阴极层(13)为各所述显示单元(111)的共用电极，而各所述显示单元(111)均由至少一条所述信号线(3)连接至所述像素电路区(2)内对应的所述驱动单元(21)。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路区(2)包括第二基底(20)和依次形成在所述第二基底(20)上的第三绝缘层(21)、第二阴极层(22)、驱动电路层(23)、柔性拉伸层(24)、第四绝缘层(27)、第二走线层(25)以及第二封装层(28)，所述第二基底(20)为可拉伸材料基底，所述第二走线层(25)包括多个所述信号线(3)。
8.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路区(2)包括第二基底(20)和依次形成在所述第二基底(20)上的第二走线层(25)、第三绝缘层(21)、驱动电路层(23)、柔性拉伸层(24)、第二阴极层(22)以及第二封装层(28)，所述第二基底(20)为可拉伸材料基底，所述第二走线层(25)包括多个所述信号线(3)。
9.如权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路区(2)还具有多个开槽(26)，所述开槽(26)在垂直于所述信号线(3)的方向上延伸，以间隔所述驱动电路层(23)中各驱动单元(21)。
10.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述信号线为透光导电材料。
11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述信号线(3)材质包括金属纳米线、碳纳米管、石墨烯、导电聚合物或者液态金属。
12.如权利要求1至11任一项所述的显示面板，其特征在于，
所述像素电路区(2)位于所述可拉伸显示区(1)的一侧，或者，
所述像素电路区(2)位于所述可拉伸显示区(1)相对的两侧。
13.如权利要求1至11任一项所述的显示面板，其特征在于，所述可拉伸显示区(1)与所述像素电路区(2)共用基底、所述信号线(3)的走线层以及/或者封装层。
14.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求1至13任一项所述的显示面板。
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