CN112992548A - 提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 - Google Patents
提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112992548A CN112992548A CN202110203736.9A CN202110203736A CN112992548A CN 112992548 A CN112992548 A CN 112992548A CN 202110203736 A CN202110203736 A CN 202110203736A CN 112992548 A CN112992548 A CN 112992548A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- anode
- tantalum
- solid electrolyte
- chip solid
- manganese dioxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 108
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 100
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 91
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 21
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 20
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 18
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002775 capsule Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 238000007723 die pressing method Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 abstract description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G2009/05—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure consisting of tantalum, niobium, or sintered material; Combinations of such electrodes with solid semiconductive electrolytes, e.g. manganese dioxide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
本发明属电子元器技术领域，尤其涉及提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，包括阳极设计和阴极被膜强化处理；所述阳极设计是将阳极钽块高度方向棱边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状；所述阴极被膜强化处理是将形成介质层的阳极钽块通过多次浸渍分解硝酸锰溶液和强化处理形成二氧化锰层。本发明提供的方法，能在钽阳极表面能形成厚度均匀、致密度高的二氧化锰层，消除钽阳极加工过程中出现的应力集中和局域薄弱现象。本发明所制的钽阳极能提高片式固体电解质钽电容器耐热应力、机械应力等应力冲击能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐应力能力强、可靠性高的片式固体电解质钽电容产品，扩大了电容器的应用范围。
Description
技术领域
本发明属电子元器技术领域，尤其涉及提高片式固体电解质电容器耐应力的方法。
背景技术
目前，随着集成电路技术的飞速发展和表面贴装技术的不断进步，作为电子线路中应用最广泛电子元器件，片式固体电解质钽电容器焊接条件不断提升，焊接温度最高达350℃以上，经历2次焊接条件已成常态。
片式固体电解质电容器焊接过程中耐热应力、机械应力等应力冲击的能力与其阴极氧化锰层致密度和均匀性密切相关，二氧化锰层厚度越均匀、致密度越高，其耐受热应力、机械应力等应力冲击的能力就越强。传统的片式固体电解质钽电容器阴极二氧化锰层是通过多次浸渍分解硝酸锰溶液和浸渍分解一次或多次二氧化锰粉强化液沉积而成，采用该方法制备的片式固体电解质钽电容器阴极二氧化锰层由于浸渍的不均匀性存在部分区域厚度不均和致密度较差现象，尤其是阳极钽块棱边位置由于存在直角尖锐，这种二氧化锰层厚度不均和致密度较差现象尤为明显，这导致片式固体电解质钽电容器耐热应力和机械应力冲击的能力下降，不能满足目前高焊接条件的要求。
申请号为CN201410835995.3的专利公开了一种轴向模压钽电容器，其中公开了在阳极钽丝表面制备二氧化锰阴极层：a.将形成电介质层后的阳极钽丝浸入硝酸锰溶液中，浸入深度与钽丝上的聚四氟乙烯片平齐；b.水蒸气分解；c.重复步骤a、步骤b至少5次；d.将表面被覆有二氧化锰的钽丝浸入强化液中，浸入深度与钽丝上的聚四氟乙烯片平齐；e.水蒸气中分解；f.重复步骤d、步骤e 3～5次；g.将被覆有二氧化锰的阳极钽丝浸入硝酸锰溶液中，浸入深度与钽丝上的聚四氟乙烯片平齐；h.水蒸气中分解；i.重复步骤g、步骤h 1～3次；j.将被覆有二氧化锰的阳极钽丝放入硝酸或乙酸电解液的形成槽内，施加电流对阳极钽丝进行补形成；k.烘干。步骤d的强化液包括浓度为50％的硝酸锰溶液、二氧化锰粉和二氧化硅。该专利技术为本申请人前期的研究，是采用多次浸渍分解硝酸锰溶液和多次浸渍分解二氧化锰粉强化液沉积而成；二氧化锰层由于浸渍的不均匀性存在部分区域厚度不均和致密度较差现象，其阴极制成的片式固体电解质钽电容器耐热应力、机械应力等应力冲击能力较差。
申请号为CN201510404554.2的专利公开了一种钽成型模具，包括凹模、上凸模和下凸模，所述凹模设有贯穿的长方形截面的第一成型孔，所述上凸模和所述下凸模分别设有在所述第一成型孔中相向滑动以实现压制钽芯的第一凸模头和第二凸模头，所述第一凸模头和所述第二凸模头的端部分别设有用以在钽芯的边角处压制倒角的第一内凹倒角和第二内凹倒角。成型模具下凸模带45°倒角，解决钽芯烧结下端堆积变形问题。该专利技术公开对钽芯进行倒角设置有利于解决钽芯制备过程中应力集中的问题，但是没有解决阴极二氧化锰层致密度、均匀性差的问题。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述技术问题，本发明提供了提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，通过消除阳极钽块的棱边、提高阴极二氧化锰层均匀性和致密度，提高了钽电容器的耐应力冲击能力，具体是通过以下技术方案实现的：
提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，包括阳极设计和阴极被膜强化处理；所述阳极设计是将阳极钽块高度方向棱边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状；所述阴极被膜强化处理是将形成介质层的阳极钽块通过多次浸渍分解硝酸锰溶液和强化处理形成二氧化锰层。
优选地，所述阴极被膜强化处理具体包括以下步骤：
(1)将倒角处理后的阳极钽块进行高温真空烧结，然后经过电化学处理，在阳极钽块表面形成无定型态介质氧化膜；
(2)将形成介质层的阳极钽块浸入硝酸锰溶液中，通过多次浸渍分解处理，形成阴极二氧化锰层内层；
(3)将形成阴极二氧化锰层内层的阳极钽块浸入硝酸锰混合溶液中，浸渍一定时间，取出蘸除阳极钽块底部多余硝酸锰混合溶液；
(4)取流化床，将干燥的二氧化锰粉平铺在流化床上；打开流化床，调节气流大小，使平铺的二氧化锰粉完全悬浮；然后将浸渍硝酸锰混合液的钽块加到流化床中，调节高度，使阳极钽块完全浸入二氧化锰粉层内，处理一段时间后取出，烘干，热分解，形成阴极二氧化锰强化层，制得被膜强化钽阳极。
优选地，多次浸渍分解处理为：将阳极钽块浸入1.1g/cm3～1.6g/cm3硝酸锰溶液中浸渍6min～12min，然后250℃～300℃及氧含量7％～12％条件热分解5min～8min，重复浸渍、分解6次～20次。
优选地，所述步骤(3)，阳极钽块浸入硝酸锰混合溶液中浸渍6min～12min,硝酸锰混合溶液的配制为：向浓度为(1.55±0.4)g/cm3硝酸锰溶液中通入质量含量为2.5％～8.0％的气相二氧化硅，充分搅拌混合均匀，即得硝酸锰混合溶液。
优选地，所述蘸取二氧化锰粉的阳极钽块烘干、热分解条件为：阳极钽块在(85±5)℃鼓风干燥箱内烘干6min～12min后，在210℃～260℃，氧含量为10％～15％条件下热分解5min～8min。
优选地，所述二氧化锰粉的粒度3.0μm～9.0μm。
优选地，所述步骤(4)，流化床采用压缩空气作为气流，气流流速为15LPM～90LPM。
优选地，所述步骤(4)，二氧化锰粉的悬浮浓度为1.5g/cm3～3.5g/cm3。
优选地，所述步骤(4)，流化床温度保持在(45±5)℃处理30s～90s。
需要说明的是，高温真空烧结、电化学处理按照常规加工工艺处理。
本发明的另一目的在于提供所述提高片式固体电解质电容器耐应力的方法制得的被膜强化钽阳极在制备钽电容器中的应用，包括以下过程：
先在被膜强化钽阳极的二氧化锰层外依次涂敷石墨层和银浆层；然后将涂敷石墨和银浆的阳极粘接至引线框架，正极钽丝通过点焊方式进行焊接，负极通过银浆将产品固定至引线框架；再通过模压封装形成最终成品。
优选地，所述石墨层为具有高导电性能的低温石墨。
本发明的有益效果在于：
本发明将传统的长方体或正方体形阳极钽块高度方向的四条边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状，消除棱边直角尖锐部分，使电容器加工中阳极不会出现应力集中和局域薄弱现象。
本发明的被膜强化处理方法，能在钽阳极表面形成致密均匀的阴极二氧化锰强化层。阴极二氧化锰强化层的主要作用之一是提高阳极钽块耐受应力冲击的能力，强化层越均匀致密，阳极钽块耐受应力冲击的能力就越强。当阳极钽块在受到各材料层间因热膨胀系数不同而造成的相互挤压等应力时，强化层相对较薄的区域，介质氧化膜更容易受到破坏，从而导致其性能劣化。
本发明提供的方法，能在钽阳极表面能形成厚度均匀、致密度高的二氧化锰层，消除钽阳极加工过程中出现的应力集中和局域薄弱现象。本发明所制的钽阳极能提高片式固体电解质钽电容器耐热应力、机械应力等应力冲击能力，提高其焊接性能；可用于制造出耐应力能力强、可靠性高的片式固体电解质钽电容产品，扩大了电容器的应用范围。
具体实施方式
下面结核具体的实施方式来对本发明的技术方案做进一步的限定，但要求保护的范围不仅局限于所作的描述。
实施例1
提高片式固体电解质电容器耐应力的方法：
1、所述阳极设计：将长方形阳极钽块高度方向棱边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状。
2、阴极被膜强化：
(1)将倒角处理后的阳极钽块进行高温真空烧结，然后经过电化学处理，在阳极钽块表面形成无定型态介质氧化膜；
(2)将形成介质层的阳极钽块浸入硝酸锰溶液中，通过多次浸渍分解处理，形成阴极二氧化锰层内层；
(3)将形成阴极二氧化锰层内层的阳极钽块浸入硝酸锰混合溶液中，浸渍6min～12min，取出蘸去阳极钽块底部多余硝酸锰混合溶液；
(4)取流化床，将干燥的二氧化锰粉平铺在流化床上；打开流化床，调节气流大小，使平铺的二氧化锰粉完全悬浮；然后将浸渍分解处理的钽块加到流化床中，调节高度，使阳极钽块完全浸入二氧化锰粉层内，处理一段时间后取出，烘干，热分解，形成阴极二氧化锰强化层，制得被膜强化钽阳极。
所述多次浸渍分解处理为：将阳极钽块浸入1.1g/cm3～1.6g/cm3硝酸锰溶液中浸渍6min～12min，然后250℃～300℃及氧含量7％～12％条件热分解5min～8min，重复浸渍、分解6次～20次。
所述硝酸锰混合溶液的配制为：向浓度为(1.55±0.4)g/cm3硝酸锰溶液中通入质量含量为2.5％～8.0％的气相二氧化硅，充分搅拌混合均匀，即得硝酸锰混合溶液。
所述蘸取二氧化锰粉的阳极钽块烘干、热分解条件为：阳极钽块在(85±5)℃鼓风干燥箱内烘干6min～12min后，在210℃～260℃，氧含量为10％～15％条件下热分解5min～8min。
所述二氧化锰粉的粒度3.0μm～9.0μm。
所述步骤(4)，流化床采用压缩空气作为气流，气流流速为15LPM～90LPM。
所述步骤(4)，二氧化锰粉的悬浮浓度为1.5g/cm3～3.5g/cm3。。
所述步骤(4)，流化床温度保持在(45±5)℃处理30s～90s。
钽电容器的制备：
先在被膜强化钽阳极的二氧化锰层外依次涂敷石墨层和银浆层；然后将涂敷石墨和银浆的阳极粘接至引线框架，正极钽丝通过点焊方式进行焊接，负极通过银浆将产品固定至引线框架；再通过模压封装形成35V22μF-E片式固体电解质钽电容器。
所述石墨层采用具有高导电性能的低温石墨。
电容器其余加工过程完全按照片式固体电解质钽电容器常规加工工艺进行生产。
对照组
采用传统长方体形阳极钽块和传统被膜方式加工一批35V22μF-E片式固体电解质钽电容器。电容器其余加工过程完全按照片式固体电解质钽电容器常规加工工艺进行生产。
试验例电容器焊接性能研究
从本发明实施例和对照组加工的两批片式钽电容器，随机抽取10只样品进行耐焊接热试验(350℃，保持时间10s)，按两种方式加工的样品耐焊接热前后电性能参数如下表1所示。
表1电容器焊接性能
从上表可以看出，与传统工艺加工的35V22μF-E片式固体电解质钽电容器相比，采用本发明方法加工的35V22μF-E片式固体电解质钽电容器经过350℃耐焊接热试验后电性能参数几乎无变化，具有较强抗热应力和机械应力性能稳定性。
随机从以上加工完成后的两批35V22μF-E片式固体电解质钽电容器中抽取10只，进行多次模拟回流焊(350℃/20s)试验。经3次模拟回流焊(350℃/20s)试验后，采用传统工艺加工的35V22μF-E片式固体电解质钽电容器电性能参数已出现明显异常增大，其中3只样品ESR值超标，2只样品漏电流超标；而采用本发明方法加工的35V22μF-E片式固体电解质钽电容器电性能参数变化幅度极小，可以忽略不计。本发明方法加工的35V22μF-E片式固体电解质钽电容器连续经历6次模拟回流焊后电性能参数才出现明显的电性能参数增长。
上述试验表明采用本发明的片式固体电解质钽电容器耐应力均明显优于现有工艺，可靠性高；本发明已经在现生产中进行小批次试生产，效果明显。
在此有必要指出的是，以上实施例和试验例仅限于对本发明的技术方案做进一步的阐述和理解，不能理解为对本发明的技术方案做进一步的限定，本领域技术人员作出的非突出实质性特征和显著进步的发明创造，仍然属于本发明的保护范畴。
Claims (10)
1.提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，包括阳极设计和阴极被膜强化处理；所述阳极设计是将阳极钽块高度方向棱边进行倒角处理，直角棱边变成圆弧状；所述阴极被膜强化处理是将形成介质层的阳极钽块通过多次浸渍分解硝酸锰溶液和强化处理形成二氧化锰层。
2.如权利要求1所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，所述阴极被膜强化处理具体包括以下步骤：
(1)将倒角处理后的阳极钽块进行高温真空烧结，然后经电化学处理，在阳极钽块表面形成无定型态介质氧化膜；
(2)将形成介质层的阳极钽块浸入硝酸锰溶液中，通过多次浸渍分解处理，形成阴极二氧化锰层内层；
(3)将形成阴极二氧化锰层内层的阳极钽块浸入硝酸锰混合溶液中，浸渍一定时间，取出蘸除阳极钽块底部多余硝酸锰混合溶液；
(4)取流化床，将干燥的二氧化锰粉平铺在流化床上；打开流化床，调节气流大小，使平铺的二氧化锰粉完全悬浮；然后将浸渍硝酸锰混合液的钽块加到流化床中，调节高度，使阳极钽块完全浸入二氧化锰粉层内，处理一段时间后取出，烘干，热分解，形成阴极二氧化锰强化层，制得被膜强化钽阳极。
3.如权利要求2所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，多次浸渍分解处理为：将阳极钽块浸入1.1g/cm3～1.6g/cm3硝酸锰溶液中浸渍6min～12min，然后在250℃～300℃及氧含量7％～12％条件下热分解5min～8min，重复浸渍、分解6次～20次。
4.如权利要求2所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，所述步骤(3)，将阳极钽块浸入硝酸锰混合溶液中浸渍6min～12min；硝酸锰混合溶液的配制为：向浓度为(1.55±0.4)g/cm3硝酸锰溶液中加入质量含量为2.5％～8.0％的气相二氧化硅，充分搅拌混合均匀，即得硝酸锰混合溶液。
5.如权利要求2所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，烘干、热分解条件为：流化床处理一段时间后的阳极钽块在(85±5)℃鼓风干燥箱内烘干6min～12min后，然后在210℃～260℃、氧含量为10％～15％条件下热分解5min～8min。
6.如权利要求2所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，所述二氧化锰粉的粒度为3.0μm～9.0μm。
7.如权利要求2所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，所述步骤(3)，流化床采用压缩空气作为气流，气流流速为15LPM～90LPM。
8.如权利要求2所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，所述步骤(3)，二氧化锰粉的悬浮浓度为1.5g/cm3～3.5g/cm3。
9.如权利要求2所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法，其特征在于，所述步骤(3)，流化床温度保持在(45±5)℃处理30s～90s。
10.如权利要求2-9任一项所述的提高片式固体电解质电容器耐应力的方法制得的被膜强化钽阳极在制备钽电容器中的应用，其特征在于，包括以下过程：
先在被膜强化钽阳极的二氧化锰层外依次涂敷石墨层和银浆层；然后将涂敷石墨和银浆的阳极粘接至引线框架，正极钽丝通过点焊方式进行焊接，负极通过银浆将产品固定至引线框架；再通过模压封装形成最终成品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110203736.9A CN112992548A (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110203736.9A CN112992548A (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112992548A true CN112992548A (zh) | 2021-06-18 |
Family
ID=76350340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110203736.9A Pending CN112992548A (zh) | 2021-02-24 | 2021-02-24 | 提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112992548A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334460A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 贵州师范学院 | 一种提高钽电解电容大纹波电流耐受能力的方法 |
| CN114974898A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-08-30 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 电容器芯子及其制造方法、电解电容器及其制造方法 |
| CN115132497A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-09-30 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种电容器制造方法及设备 |
| CN116110722A (zh) * | 2023-03-10 | 2023-05-12 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种固体电解电容器及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3950842A (en) * | 1975-04-21 | 1976-04-20 | Sprague Electric Company | Method for making a solid electrolyte capacitor |
| JPH0883735A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサの製造方法 |
| CN101842863A (zh) * | 2007-05-30 | 2010-09-22 | 凯米特电子公司 | 具有边角改进设计的阳极 |
| CN103366963A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-23 | 株洲宏达电子有限公司 | 高温片式钽电容器及其制作方法 |
| CN103680961A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 | 一种钽电容器的制造方法 |
-
2021
- 2021-02-24 CN CN202110203736.9A patent/CN112992548A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3950842A (en) * | 1975-04-21 | 1976-04-20 | Sprague Electric Company | Method for making a solid electrolyte capacitor |
| JPH0883735A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサの製造方法 |
| CN101842863A (zh) * | 2007-05-30 | 2010-09-22 | 凯米特电子公司 | 具有边角改进设计的阳极 |
| CN103680961A (zh) * | 2012-08-31 | 2014-03-26 | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 | 一种钽电容器的制造方法 |
| CN103366963A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-23 | 株洲宏达电子有限公司 | 高温片式钽电容器及其制作方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114334460A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 贵州师范学院 | 一种提高钽电解电容大纹波电流耐受能力的方法 |
| CN114974898A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-08-30 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 电容器芯子及其制造方法、电解电容器及其制造方法 |
| CN115132497A (zh) * | 2022-08-09 | 2022-09-30 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种电容器制造方法及设备 |
| CN115132497B (zh) * | 2022-08-09 | 2023-06-02 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种电容器制造方法及设备 |
| CN116110722A (zh) * | 2023-03-10 | 2023-05-12 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂) | 一种固体电解电容器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112992548A (zh) | 提高片式固体电解质电容器耐应力的方法 | |
| EP1583107B1 (en) | Conductive paste for terminal electrode of multilayer ceramic electronic part | |
| CN100472680C (zh) | 固体电解电容器阴极制造方法 | |
| CN111364016B (zh) | 一种ald辅助氮掺杂微纳铝粉制备多孔阳极铝箔的方法 | |
| JP2005167230A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP4655689B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその用途 | |
| CN115188597A (zh) | 一种基于多粒径搭配的烧结阳极材料的制备方法 | |
| US8057883B2 (en) | Abrasive process for modifying corners, edges, and surfaces of capacitor anode bodies | |
| CN117457397A (zh) | 全密封金属外壳封装导电聚合物钽电容器及其制造方法 | |
| EP1905742A1 (en) | MICROPOWDER OF Nb COMPOUND AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF | |
| JP4803741B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| CN115188593B (zh) | 一种钽电容二氧化锰阴极层界面处理方法 | |
| RU2463679C1 (ru) | Способ получения катодной обкладки конденсатора и оксидно-полупроводниковый конденсатор | |
| CN100369169C (zh) | 固体电解电容器的制造方法 | |
| JP2008205190A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| CN116206902A (zh) | 耐焊接钽电解电容器的二氧化锰阴极、电容器及其制备方法 | |
| JPH1174158A (ja) | 固体電解質形成用ペースト組成物、これを用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| RU2284070C9 (ru) | Способ получения катодной обкладки оксидно-полупроводникового конденсатора | |
| CN113674994B (zh) | 一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用 | |
| CN116246888A (zh) | 耐浪涌钽电解电容器的二氧化锰阴极、电容器及其制备方法 | |
| CN102956355B (zh) | 多层陶瓷电容器的制造方法及烧结铜端电极的设备 | |
| JP2002134351A (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| CN116844869A (zh) | 一种降低固体电解质钽电容器等效串联电阻的热处理方法 | |
| JP2008021761A (ja) | バルブ金属複合電極箔およびその製造方法 | |
| JP2908830B2 (ja) | 電解コンデンサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20210618 |