CN112968086A - 一种同轴生长pnp双色外延micro-led结构 - Google Patents

一种同轴生长pnp双色外延micro-led结构 Download PDF

Info

Publication number
CN112968086A
CN112968086A CN202110123472.6A CN202110123472A CN112968086A CN 112968086 A CN112968086 A CN 112968086A CN 202110123472 A CN202110123472 A CN 202110123472A CN 112968086 A CN112968086 A CN 112968086A
Authority
CN
China
Prior art keywords
color
type
layer
doped semiconductor
pnp
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110123472.6A
Other languages
English (en)
Inventor
李起鸣
游正璋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Xianyao Display Technology Co ltd
Jade Bird Display Shanghai Ltd
Original Assignee
Shanghai Xianyao Display Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Xianyao Display Technology Co ltd filed Critical Shanghai Xianyao Display Technology Co ltd
Priority to CN202110123472.6A priority Critical patent/CN112968086A/zh
Publication of CN112968086A publication Critical patent/CN112968086A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Abstract

本发明提供了一种同轴生长PNP双色外延MICRO‑LED结构，包括：第一P型电极、第二P型电极和N型电极；衬底；P型第一色掺杂半导体层，生长于衬底上；第一色发光层，生长于P型第一色掺杂半导体层上；N型第一色掺杂半导体层，生长于第一色发光层上；第二色发光层，生长于N型第一色掺杂半导体层上；P型第二色掺杂半导体层，生长于第二色发光层上；第一P型电极连接P型第一色掺杂半导体子层；第二P型电极连接P型第二色掺杂半导体子层；N型电极连接N型第一色掺杂半导体第二层和/或第一层。本发明将两种颜色发光外延结构生长在一起，无需键合工艺，简化了多色MICRO‑LED的制备工艺，降低了成本。并且避免了MICRO‑LED制备工艺中的对准问题，提高了器件质量和良率。

Description

一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构
技术领域
本发明涉及一种外延生长技术领域，具体涉及一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构。
背景技术
传统外延生长工艺中，均是NP或PN结构生长，导致后续的MICRO-LED制备工艺中，需要将两个不同颜色的外延结构垂直键合或并排键合在一起，不仅工艺复杂，导致成本较高，而且在键合过程中需要对准，对准精度要求更高，很容易出现对准误差，导致良率下降。
发明内容
为了克服以上问题，本发明旨在提供一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，两种颜色发光外延结构直接生长在一起，无需键合工艺。
为了达到上述目的，本发明提供了一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，包括：
第一P型电极，连接P型第一色掺杂半导体层；
P型第一色掺杂半导体层，生长于衬底上；
第一色发光层，生长于所述P型第一色掺杂半导体层上；
N型第一色掺杂半导体层，生长于所述第一色发光层上；
第二色发光层，生长于所述N型第一色掺杂半导体层上；
P型第二色掺杂半导体层，生长于所述第二色发光层上；
第二P型电极，连接P型第二色掺杂半导体层；
N型电极，连接N型第一色掺杂半导体层。
在一些实施例中，P型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：P型第一色掺杂半导体子层和P型第一电子阻挡层。
在一些实施例中，P型第一色掺杂半导体子层的厚度大于所述P型第一电子阻挡层的厚度；P型第一色掺杂半导体子层的掺杂浓度大于所述P型第一单子阻挡层的掺杂浓度。
在一些实施例中，所述P型第一色掺杂半导体子层的材料为GaN，其厚度为40～4000nm，掺杂浓度为5E19atoms/cm3～1.5E21atoms/cm3；
所述P型第一电子阻挡层的材料为pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的单层或多层、或这些材料的超晶格结构，厚度为10～70nm；掺杂浓度为2E19atoms/cm3～1.5E20atoms/cm3。
在一些实施例中，所述第一色发光层为多周期量子阱发光结构。
在一些实施例中，所述多周期量子阱发光结构为InbAlaGa1-b-a N/InbAlaGa1-b-a N)n，n为周期数；In的组分b为0～1，Al的组分a为0～1；势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm；周期数为6～12。
在一些实施例中，所述N型第一色掺杂半导体层与所述第一色发光层之间还生长有第一多周期应力调节层。
在一些实施例中，所述第一多周期应力调节层的结构为(AlxInyGa1-x-yN/Alx1Iny1Ga1-x1-y1N)n；其中，n为周期数。
在一些实施例中，所述周期n小于5，x为0～0.5，x1为0～0.5，y为0～0.5，y1为0～0.5。
在一些实施例中，AlxInyGa1-x-yN的厚度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度。
在一些实施例中，AlxInyGa1-x-yN的厚度为2.0～20nm，Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度为1.0～3.0nm。
在一些实施例中，AlxInyGa1-x-yN的禁带宽度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的禁带宽度。
在一些实施例中，所述第一多周期应力调节层中掺杂有N型元素。
在一些实施例中，所述第一多周期应力调节层中的掺杂浓度为1E17～3E17atoms/cm3。
在一些实施例中，所述N型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：N型第一色掺杂半导体第一层、电流扩散层、N型第一色掺杂半导体第二层。
在一些实施例中，所述N型第一色掺杂半导体第一层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；所述N型第一色掺杂半导体第二层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；所述电流扩散层的材料为单周期或多周期调变的GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、InN复合而成。
在一些实施例中，所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度大于所述N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度；所述电流扩散层中的掺杂浓度小于所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度。
在一些实施例中，所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度为1.5E19～3E19atoms/cm3；所述N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度为1E18～3E18 atoms/cm3；所述电流扩散层中的掺杂浓度为5E17～8E17 atoms/cm3。
在一些实施例中，所述N型第一色掺杂半导体第一层的厚度大于所述电流扩散层的厚度，所述N型第一色掺杂半导体第二层的厚度大于所述电流扩散层的厚度；所述N型第一色掺杂半导体第一层的厚度与所述N型第一色掺杂半导体第二层的厚度相同。
在一些实施例中，所述第二色发光层与所述N型第一色掺杂半导体层之间还生长有第二多周期应力调节层。
在一些实施例中，所述第二多周期应力调节层与所述第一多周期应力调节层的结构相同。
在一些实施例中，所述第一色发光层与所述第二色发光层的结构相同。
在一些实施例中，第一色发光层为多周期量子阱结构复合层(InbAlaGa1-b-a N/InbAlaGa1-b-a N)n，In的组分b是0～1，Al的组分a为0～1，势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm；所述第二色发光层为多周期量子阱结构复合层(InbAlaGa1-b-a N/InbAlaGa1-b-a N)n，In的组分b是0～1，Al的组分a为0～1，势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm。
在一些实施例中，所述第二色发光层与所述P型第二色掺杂半导体层之间还生长有P型第二电子阻挡层。
在一些实施例中，所述P型第二电子阻挡层的结构为pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的单层或多种、或这些材料的超晶格结构的一种或多种。
在一些实施例中，所述P型第二电子阻挡层的厚度与所述P型第一电子阻挡层的厚度相同，所述P型第二色掺杂半导体层的厚度大于所述P型第二电子阻挡层的厚度。
在一些实施例中，所述P型第二电子阻挡层中P型元素的掺杂浓度小于所述P型第二色掺杂半导体层中P型元素的掺杂浓度；所述P型第二电子阻挡层中P型元素的掺杂浓度与所述P型第一电子阻挡层的掺杂浓度相同。
在一些实施例中，所述P型第二电子阻挡层的厚度为10～70nm；P型元素掺杂浓度为2E19atoms/cm3～1.5E20atoms/cm3；
所述P型第二色掺杂半导体层的厚度为40～4000nm，P型元素掺杂浓度为5E19atoms/cm3～1.5E21atoms/cm3。
本发明的一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，将两种颜色发光外延结构生长在一起，无需键合工艺，简化了多色MICRO-LED的制备工艺，降低了成本。并且避免了MICRO-LED制备工艺中的对准问题，提高了器件质量和良率。
附图说明
图1为本发明的一个实施例的一种同轴生长PNP外延MICRO-LED的结构示意图
图2为本发明的一个实施例的一种较佳的同轴生长PNP外延MICRO-LED的结构示意图
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。
请参阅图1和图2，一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，包括：
P型第一色掺杂半导体层，生长于衬底上；具体的，P型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：P型第一色掺杂半导体子层和P型第一电子阻挡层。较佳的，P型第一色掺杂半导体子层的厚度大于P型第一电子阻挡层的厚度；P型第一色掺杂半导体子层的掺杂浓度大于P型第一单子阻挡层的掺杂浓度。举例来说，P型第一色掺杂半导体子层的材料为GaN，其厚度为40～4000nm，掺杂浓度为5E19atoms/cm3～1.5E21atoms/cm3；P型第一电子阻挡层的材料为pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的单层或多层、或这些材料的超晶格结构，厚度为10～70nm；掺杂浓度为2E19atoms/cm3～1.5E20atoms/cm3。
第一色发光层，生长于P型第一色掺杂半导体层上；这里具体为生长于P型第一电子阻挡层上。具体的，第一色发光层为多周期量子阱结构复合层(InbAlaGa1-b-a N/InbAlaGa1-b-a N)n，In的组分b是0～1，Al的组分a为0～1，势阱的厚度可以为2.0～4.0nm，势垒的厚度可以为4～15nm；周期数为6～12。
此外，N型第一色掺杂半导体层与第一色发光层之间还生长有第一多周期应力调节层。第一多周期应力调节层的结构为(AlxInyGa1-x-yN/Alx1Iny1Ga1-x1-y1N)n；其中，n为周期数。较佳的，周期n小于5，x为0～0.5，x1为0～0.5，y为0～0.5，y1为0～0.5。这里，AlxInyGa1-x-yN的厚度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度。举例来说，AlxInyGa1-x-yN的厚度为2.0～20nm，Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度为1.0～3.0nm。较佳的，AlxInyGa1-x-yN的禁带宽度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的禁带宽度。第一多周期应力调节层中掺杂有N型元素，第一多周期应力调节层中的掺杂浓度为1E17～3E17 atoms/cm3。
N型第一色掺杂半导体层，生长于第一色发光层上；具体的，N型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：N型第一色掺杂半导体第一层、电流扩散层、N型第一色掺杂半导体第二层。这里，N型第一色掺杂半导体第一层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；N型第一色掺杂半导体第二层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；电流扩散层的材料为单周期或多周期调变的GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、InN复合而成。较佳的，N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度大于N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度；电流扩散层中的掺杂浓度小于N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度。举例来说，N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度为1.5E19～3E19 atoms/cm3；N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度为1E18～3E18 atoms/cm3；电流扩散层中的掺杂浓度为5E17～8E17atoms/cm3。此外，N型第一色掺杂半导体第一层的厚度大于电流扩散层的厚度，N型第一色掺杂半导体第二层的厚度大于电流扩散层的厚度；N型第一色掺杂半导体第一层的厚度与N型第一色掺杂半导体第二层的厚度相同。举例来说，N型第一色掺杂半导体第一层的厚度为2～4μm，N型第一色掺杂半导体第二层的厚度为2～4μm，电流扩散层的厚度为1～300nm。此外，较佳的，第一多周期应力调节层中的掺杂浓度小于电流扩散层中的掺杂浓度。
此外，第二色发光层与N型第一色掺杂半导体层之间还生长有第二多周期应力调节层。第二多周期应力调节层与第一多周期应力调节层的结构相同。具体的，第二多周期应力调节层的结构为(AlxInyGa1-x-yN/Alx1Iny1Ga1-x1-y1N)n；其中，n为周期数。周期n小于5，x为0～0.5，x1为0～0.5，y为0～0.5，y1为0～0.5。AlxInyGa1-x-yN的厚度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度。AlxInyGa1-x-yN的厚度为2.0～20nm，Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度为1.0～3.0nm。AlxInyGa1-x-yN的禁带宽度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的禁带宽度。第二多周期应力调节层中掺杂有N型元素，掺杂浓度小于电流扩散层中的掺杂浓度。第二多周期应力调节层中的掺杂浓度为1E17～3E17 atoms/cm3。
第二色发光层，生长于N型第一色掺杂半导体层上；这里具体为生长于第二多周期应力调节层上；第一色发光层与第二色发光层的结构相同。具体的，第二色发光层为多周期量子阱结构复合层(InbAlaGa1-b-a N/InbAlaGa1-b-a N)n，In的组分b是0～1，Al的组分a为0～1，势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm。
此外，第二色发光层与P型第二色掺杂半导体层之间还生长有P型第二电子阻挡层。较佳的，P型第二电子阻挡层的结构为pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的单层或多种、或这些材料的超晶格结构的一种或多种。这里，P型第二电子阻挡层的厚度与P型第一电子阻挡层的厚度相同，P型第二色掺杂半导体层的厚度大于P型第二电子阻挡层的厚度。P型第二电子阻挡层中P型元素的掺杂浓度小于P型第二色掺杂半导体层中P型元素的掺杂浓度；P型第二电子阻挡层中P型元素的掺杂浓度与P型第一电子阻挡层的掺杂浓度相同。P型第二电子阻挡层的厚度为10～70nm；P型元素掺杂浓度为2E19atoms/cm3～1.5E20atoms/cm3。
P型第二色掺杂半导体层，生长于第二色发光层上。具体的，较佳的，P型第二色掺杂半导体层的厚度为40～4000nm，P型元素掺杂浓度为5E19atoms/cm3～1.5E21atoms/cm3。
本实施例中，第一色可以为红、蓝、绿等颜色的一种，第二色可以为不同于第一色的其它颜色。
本实施例中，还包括：第一P型电极，连接P型第一色掺杂半导体层；第二P型电极，连接P型第二色掺杂半导体层；N型电极，连接N型第一色掺杂半导体层。需要说明的是，N型电极连接N型第一色掺杂半导体第一层、N型第一色掺杂半导体第二层的一个或两个均可。需要说明的是，第一P型电极、第二P型电极和N型电极的连接方式不作限定，任何能够实现电连接的方式都可以涵盖在本发明的思想之内。
此外，如图1和2所示，在第二P型电极上还连接有电路衬底，例如IC衬底。图中所示的结构出光方向不作限制。
此外，需要说明的是，本实施例中虽然揭示了同轴生长的双色外延结构为基础的MICRO-LED结构，然则，同轴生长的多色外延MICRO-LED结构也同样涵盖于本发明的思想之内。
综上所述，本发明的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，将两种颜色发光外延结构生长在一起，无需键合工艺，简化了多色MICRO-LED的制备工艺，降低了成本。并且避免了MICRO-LED制备工艺中的对准问题，提高了器件质量和良率。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书为准。

Claims (28)

1.一种同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，包括：
第一P型电极，连接P型第一色掺杂半导体层；
P型第一色掺杂半导体层，生长于衬底上；
第一色发光层，生长于所述P型第一色掺杂半导体层上；
N型第一色掺杂半导体层，生长于所述第一色发光层上；
第二色发光层，生长于所述N型第一色掺杂半导体层上；
P型第二色掺杂半导体层，生长于所述第二色发光层上；
第二P型电极，连接P型第二色掺杂半导体层；
N型电极，连接N型第一色掺杂半导体层。
2.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，P型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：P型第一色掺杂半导体子层和P型第一电子阻挡层。
3.根据权利要求2所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，P型第一色掺杂半导体子层的厚度大于所述P型第一电子阻挡层的厚度；P型第一色掺杂半导体子层的掺杂浓度大于所述P型第一单子阻挡层的掺杂浓度。
4.根据权利要求3所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述P型第一色掺杂半导体子层的材料为GaN，其厚度为40～4000nm，掺杂浓度为5E19atoms/cm3～1.5E21atoms/cm3；
所述P型第一电子阻挡层的材料为pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的单层或多层、或这些材料的超晶格结构，厚度为10～70nm；掺杂浓度为2E19atoms/cm3～1.5E20atoms/cm3。
5.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第一色发光层为多周期量子阱发光结构。
6.根据权利要求5所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述多周期量子阱发光结构为InbAlaGa1-b-aN/InbAlaGa1-b-aN)n，n为周期数；In的组分b为0～1，Al的组分a为0～1；势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm；周期数为6～12。
7.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体层与所述第一色发光层之间还生长有第一多周期应力调节层。
8.根据权利要求7所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第一多周期应力调节层的结构为(AlxInyGa1-x-yN/Alx1Iny1Ga1-x1-y1N)n；其中，n为周期数。
9.根据权利要求8所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述周期n小于5，x为0～0.5，x1为0～0.5，y为0～0.5，y1为0～0.5。
10.根据权利要求8所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，AlxInyGa1-x-yN的厚度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度。
11.根据权利要求10所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，AlxInyGa1-x-yN的厚度为2.0～20nm，Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的厚度为1.0～3.0nm。
12.根据权利要求8所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，AlxInyGa1-x-yN的禁带宽度大于Alx1Iny1Ga1-x1-y1N的禁带宽度。
13.根据权利要求8所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第一多周期应力调节层中掺杂有N型元素。
14.根据权利要求13所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第一多周期应力调节层中的掺杂浓度为1E17～3E17atoms/cm3。
15.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体层从下往上依次包括：N型第一色掺杂半导体第一层、电流扩散层、N型第一色掺杂半导体第二层。
16.根据权利要求15所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；所述N型第一色掺杂半导体第二层的材料为GaN、AlGaN、AlInGaN的一种或多种；所述电流扩散层的材料为单周期或多周期调变的GaN、InGaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、InN复合而成。
17.根据权利要求16所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度大于所述N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度；所述电流扩散层中的掺杂浓度小于所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度。
18.根据权利要求17所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层中的掺杂浓度为1.5E19～3E19atoms/cm3；所述N型第一色掺杂半导体第二层中的掺杂浓度为1E18～3E18atoms/cm3；所述电流扩散层中的掺杂浓度为5E17～8E17atoms/cm3。
19.根据权利要求16所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述N型第一色掺杂半导体第一层的厚度大于所述电流扩散层的厚度，所述N型第一色掺杂半导体第二层的厚度大于所述电流扩散层的厚度；所述N型第一色掺杂半导体第一层的厚度与所述N型第一色掺杂半导体第二层的厚度相同。
20.根据权利要求14所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第二色发光层与所述N型第一色掺杂半导体层之间还生长有第二多周期应力调节层。
21.根据权利要求20所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第二多周期应力调节层与所述第一多周期应力调节层的结构相同。
22.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第一色发光层与所述第二色发光层的结构相同。
23.根据权利要求22所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，第一色发光层为多周期量子阱结构复合层(InbAlaGa1-b-aN/InbAlaGa1-b-aN)n，In的组分b是0～1，Al的组分a为0～1，势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm；所述第二色发光层为多周期量子阱结构复合层(InbAlaGa1-b-aN/InbAlaGa1-b-aN)n，In的组分b是0～1，Al的组分a为0～1，势阱的厚度为2.0～4.0nm，势垒的厚度为4～15nm。
24.根据权利要求1所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述第二色发光层与所述P型第二色掺杂半导体层之间还生长有P型第二电子阻挡层。
25.根据权利要求24所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述P型第二电子阻挡层的结构为pAlGaN、pAlInGaN、pInGaN的单层或多种、或这些材料的超晶格结构的一种或多种。
26.根据权利要求25所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述P型第二电子阻挡层的厚度与所述P型第一电子阻挡层的厚度相同，所述P型第二色掺杂半导体层的厚度大于所述P型第二电子阻挡层的厚度。
27.根据权利要求24所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述P型第二电子阻挡层中P型元素的掺杂浓度小于所述P型第二色掺杂半导体层中P型元素的掺杂浓度；所述P型第二电子阻挡层中P型元素的掺杂浓度与所述P型第一电子阻挡层的掺杂浓度相同。
28.根据权利要求27所述的同轴生长PNP双色外延MICRO-LED结构，其特征在于，所述P型第二电子阻挡层的厚度为10～70nm；P型元素掺杂浓度为2E19atoms/cm3～1.5E20atoms/cm3；
所述P型第二色掺杂半导体层的厚度为40～4000nm，P型元素掺杂浓度为5E19atoms/cm3～1.5E21atoms/cm3。
CN202110123472.6A 2021-01-29 2021-01-29 一种同轴生长pnp双色外延micro-led结构 Pending CN112968086A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110123472.6A CN112968086A (zh) 2021-01-29 2021-01-29 一种同轴生长pnp双色外延micro-led结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110123472.6A CN112968086A (zh) 2021-01-29 2021-01-29 一种同轴生长pnp双色外延micro-led结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112968086A true CN112968086A (zh) 2021-06-15

Family

ID=76272143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110123472.6A Pending CN112968086A (zh) 2021-01-29 2021-01-29 一种同轴生长pnp双色外延micro-led结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112968086A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023197519A1 (zh) * 2022-04-12 2023-10-19 华南理工大学 一种颜色可控单片led及其制备方法和应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023197519A1 (zh) * 2022-04-12 2023-10-19 华南理工大学 一种颜色可控单片led及其制备方法和应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101473288B1 (ko) 발광 다이오드 디스플레이 및 그 제조 방법
KR100641989B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
KR20050063924A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4503570B2 (ja) 窒化物半導体素子
CN110534622B (zh) 一种半导体超薄外延结构
CN104681676B (zh) 一种发光二极管外延片
KR101997020B1 (ko) 근자외선 발광 소자
KR101737981B1 (ko) 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
US11362134B2 (en) Vertical stacks of light emitting diodes and control transistors and method of making thereof
CN104576855B (zh) 近紫外光发射装置
KR20140002910A (ko) 근자외선 발광 소자
US20220020810A1 (en) Multi-colour electroluminescent display device and method for manufacturing such a device
CN112968086A (zh) 一种同轴生长pnp双色外延micro-led结构
TW201330314A (zh) 發光元件
KR20210036199A (ko) 반도체 장치, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2002185044A (ja) 窒化物半導体多色発光素子
CN110473942B (zh) 一种超薄led芯片
KR100646570B1 (ko) 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20210041931A (ko) 반도체 장치, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN112968087A (zh) 一种同轴生长npn双色外延micro-led结构
US10600936B2 (en) Semiconductor device
KR102539668B1 (ko) 반도체 소자, 이를 포함하는 표시패널, 표시장치, 통신장치
CN112951958A (zh) 一种同轴生长npn双色外延结构
CN112951959A (zh) 一种同轴生长pnp双色外延结构
US8409972B2 (en) Light emitting diode having undoped and unintentionally doped nitride transition layer

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination