CN112968033B - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，以避免平坦层的陡峭的坡度对触控性能造成影响。该阵列基板包括显示区域和位于所述显示区域中的安装孔，在所述安装孔中与所述显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um的所述安装孔阻挡柱所在的边记为第一边；所述阵列基板还包括第一金属电极结构，所述第一金属电极结构包括沿垂直于所述第一边的方向设置的多个第一金属电极，每一第一金属电极包括依次电连接的多个第一金属电极块；邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的尺寸在不与所述安装孔的第一边邻接的所述第一金属电极块的尺寸的基础上，沿第一边的方向向外扩大。该显示面板包括该阵列基板。该显示装置包括该显示面板。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在OLED产品中，为实现全面屏，常在显示面板的显示区域上设计通孔用以放置摄像头等功能器件。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及显示面板，通过扩大邻接于安装孔的第一边的第一金属电极块的尺寸，以避免在安装孔阻挡柱与显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um时，平坦层的陡峭的坡度对触控性能造成影响。
根据本申请实施例的第一方面，提供一种阵列基板。所述阵列基板包括：包括显示区域和位于所述显示区域中的安装孔，所述安装孔的外周缘处设有安装孔阻挡柱，所述显示区域的外周缘设有显示区域阻挡柱，在所述安装孔中与所述显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um的所述安装孔阻挡柱所在的边记为第一边；
所述阵列基板还包括第一金属电极结构，所述第一金属电极结构包括沿垂直于所述第一边的方向设置的多个第一金属电极，每一第一金属电极包括依次电连接的多个第一金属电极块；
邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的尺寸在不与所述安装孔的第一边邻接的所述第一金属电极块的尺寸的基础上，沿第一边的方向向外扩大。
可选的，邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的尺寸在不与所述安装孔的第一边邻接的所述第一金属电极块的尺寸的基础上，沿第一边的方向向两侧扩大、或者向邻近的所述第一边的端点方向单侧扩大。
可选的，邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的面积在不与所述安装孔的第一边邻接的所述第一金属电极块的面积的基础上扩大10％～50％。
可选的，所述邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的紧贴于所述安装孔的边缘的长度为3500um～4900um。
可选的，相邻的两个所述第一金属电极相互不重叠。
可选的，所述阵列基板还包括第二金属电极结构，所述第二金属电极结构包括沿平行于所述第一边方向设置的多个第二金属电极，每一第二金属电极包括依次电连接的多个第二金属电极块。
可选的，邻接于所述安装孔的第一边的所述第二金属电极块的尺寸在不与所述安装孔邻接的所述第二金属电极块的形状的基础上，沿所述第一边的方向向内缩小，所述第二金属电极块向内缩小的尺寸对应于与其邻接的所述第一金属电极块的向外扩大的尺寸。
可选的，所述第一金属电极结构的下方形成有平坦层，所述平坦层包括爬坡区域，所述爬坡区域为位于所述安装孔阻挡柱与所述显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um的区域，所述第一金属电极块的尺寸扩大后具有至少部分区域与所述平坦层的爬坡区域不具有重叠面积。
可选的，所述安装孔还包括与所述第一边相对设置的第二边，所述第一金属电极分别邻接于所述第一边和所述第二边的所述第一金属电极块通过第一金属连接线连接，且所述第一金属连接线沿所述安装孔的外周缘设置。
根据本申请实施例的第二方面，提供一种显示面板。该显示面板包括上述的阵列基板。
根据本申请实施例的第三方面，提供一种显示装置。该显示装置包括上述的显示面板。
本申请的阵列基板、显示面板及显示装置，通过扩大邻接于安装孔的第一边的第一金属电极块的尺寸，以避免在安装孔阻挡柱与显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um时，平坦层的陡峭的坡度对触控性能造成影响。
附图说明
图1是在情况一下形成的平坦层的截面结构示意图。
图2是在情况二下形成的平坦层的截面结构示意图。
图3是本申请的一示例性实施例的阵列基板的俯视结构示意图。
图4是本申请的一示例性实施例的阵列基板的安装孔阻挡柱、显示区域阻挡柱与平坦层的俯视结构示意图。
图5是本申请的一示例性实施例的邻接于安装孔的第一边的第一金属电极块的尺寸为扩大前的第一金属电极结构和第二金属电极结构的俯视结构示意图。
图6是本申请的一示例性实施例的在邻接于安装孔的第一边的第一金属电极块的尺寸扩大后的第一金属电极结构和第二金属电极结构的俯视结构示意图。
图7是本申请的一示例性实施例的邻接于安装孔的第一边的第一金属电极块的尺寸为扩大前的第一金属电极结构和第二金属电极结构的俯视实际结构图。
图8是本申请的一示例性实施例的在邻接于安装孔的第一边的第一金属电极块的尺寸扩大后的第一金属电极结构和第二金属电极结构的俯视实际结构图。
图9是本申请的一示例性实施例的第一金属电极块A的尺寸为扩大前的俯视实际结构图。
图10是本申请的一示例性实施例的第一金属电极块A的尺寸为扩大后的俯视实际结构图。
图11是本申请的一示例性实施例的第一金属电极块B的尺寸为扩大前的俯视实际结构图。
图12是本申请的一示例性实施例的第一金属电极块B的尺寸为扩大后的俯视实际结构图。
图13是本申请的一示例性实施例的第二金属电极块C和D的尺寸为缩小前的俯视实际结构图。
图14是本申请的一示例性实施例的第二金属电极块C和D的尺寸为缩小后的俯视实际结构图。
图15是图8中E部分的局部放大图。
图16是本申请的一示例性实施例的触控单元的结构示意图。
图17是本申请的一示例性实施例的显示面板的俯视结构示意图。
图18为图17所示的一实施例所述的显示面板在E-E方向上的截面图。
图19是本申请的一示例性实施例的安装孔阻挡柱的截面图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。
在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。除非另作定义，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本申请说明书以及权利要求书中使用的“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而且可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“多个”包括两个，相当于至少两个。在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
针对显示面板在显示区域设有安装孔的产品，安装孔的尺寸及位置常会影响到FMLOC(英文全称Flexible Multi-Layer On Cell，中文名称柔性AMOLED触控一体化显示器件)的触控金属层的形成。当安装孔的阻挡柱距离显示区域的沿外边缘设置的显示区域阻挡柱(如上边缘)过近时，例如从约3000um减小至2000um以下，留给形成平坦层的爬坡空间缩短，其打印形貌会呈现出陡峭的山包形状，坡度及段差均会增大，最大段差近10um。特别是在安装孔为跑道孔的时候，由于跑道孔包括相对设置的两条较长的与显示区域的外边缘平行的边，从而影响尤为突出。
其中，当安装孔阻挡柱21’距离显示区域阻挡柱11’的距离d’为3000um左右时(记为情况一)，形成的平坦层30’的截面结构示意图如图1所示，在这种情况下，平坦层会受到通孔阻挡柱与显示区域阻挡柱两方挤压，形成中间位置高，而靠近两边的阻挡柱的位置低的形貌。在一些实施例中，坡度角α’约为0.3-0.4°。
在一些实施例中，安装孔阻挡柱21’距离显示区域阻挡柱11’的距离d’为2800-3500um左右。
当安装孔阻挡柱21距离显示区域阻挡柱11的距离d为2000um时(记为情况二)，形成的平坦层30的截面结构示意图如图2所示，在这种情况下，由于留给平坦层的爬坡距离明显缩窄，导致坡度变陡。在一些实施例中，坡度角α约为0.7-1°。
在一些实施例中，平坦层30的打印厚度约为12um。在一些实施例中，当安装孔阻挡柱21距离显示区域阻挡柱11的距离d为2000um时，平坦层的最大厚度大于安装孔阻挡柱21’距离显示区域阻挡柱11’的距离d’为2800-3500um左右时的最大厚度。
平坦层的陡峭的坡度直接导致在形成触控金属层的曝光工艺中，金属线上无法正常被负性光刻胶覆盖，发生过曝甚至断开，开孔的上方的信号无法接入显示区域，从而对触控性能造成影响。
请结合图3、图4和图6予以理解，本实施案例提供一种阵列基板1。阵列基板1包括显示区域10a和位于显示区域10a中的安装孔20。在一些实施例中，安装孔如图3中所示为跑道孔20。在一些实施例中，安装孔还可以为圆形，方形等其他形状。在一些实施例中，安装孔20的最大跨度为4500-10000um之间。
在一些实施例中，跑道孔20的最大跨度为9700-10000um之间。圆形孔的最大跨度为4500um左右。上述提及的最大跨度即图形内部之间最远的两个点之间的直线距离。在一些实施例中，如图16所示，一个触控单元的尺寸为约3500-4500um之间。这里一个触控单元的定义为相邻的四个触控电极的各二分之一组成的单元，其尺寸如图中的双向箭头所示的距离。在一些实施例中，所述安装孔的最大跨度为一个触控单元的尺寸的2-3倍。
当然本公开中所有实施例中所有的数值并不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值，并允许一定程度的上下浮动，比如上面提及的安装孔20的最大跨度为4500-10000um之间，可以上下浮动10％左右。
在一些实施例中，安装孔可以为通孔或盲孔或其组合。通孔即贯穿阵列基本的所有膜层和结构，盲孔即至少贯穿部分膜层和结构。
进一步如图4和图6所示，安装孔20的外周缘处设有安装孔阻挡柱21，显示区域10a的外周缘设有显示区域阻挡柱11。
在安装孔20中与显示区域阻挡柱11之间的距离d小于或等于2000um的安装孔阻挡柱21所在的边记为第一边22。也就是更靠近显示区域10a的外周缘的一条边。
阵列基板1还包括第一金属电极结构40和第二金属电极结构50。第一金属电极结构40和第二金属电极结构50共同形成触控金属层。
第一金属电极结构40包括沿垂直于第一边22的方向设置的多个第一金属电极41，每一第一金属电极41包括依次电连接的多个第一金属电极块42。
第二金属电极结构50包括沿平行于第一边22方向设置的多个第二金属电极51，每一第二金属电极51包括依次电连接的多个第二金属电极块52。
在本实施例中，第一金属电极结构40为Tx驱动通道层，第二金属电极结构50为Rx响应通道层。但不限于此，也可以是第一金属电极结构40为Rx响应通道层，第二金属电极结构50为Tx驱动通道层。
在一些实施例中，第一金属电极结构40还包括电连接多个第一金属电极块42的连接部。在一些实施例中，所述连接部和多个第一金属电极块42同层设置。
在一些实施例中，第二金属电极结构50还包括电连接多个第二金属电极块52的桥接部。在一些实施例中，所述桥接部和多个第二金属电极块52异层设置。
邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42的尺寸在不与安装孔20的第一边22邻接的第一金属电极块42的尺寸的基础上，大致沿第一边22的方向向外扩大。其向外扩大的方式，可以是沿第一边22的方向向两侧扩大，也可以是向邻近的第一边22的端点方向单侧扩大。也可以是沿着安装孔20的延伸方向向外扩大(安装孔20的延伸方向是指由安装孔20的中心位置沿安装孔20的径向向外延伸的方向)。上述中大致是说向外扩大的方向可以与第一边22的方向有一定的夹角，但是方向上是大致在第一边22的方向上扩大的。向外扩大是指相比电极图案自身而言，指向其他电极图案的方向。
相对应地，邻接于安装孔20的第一边22的第二金属电极块52的尺寸在不与安装孔20邻接的第二金属电极块52的形状的基础上，大致沿第一边22的方向向内缩小。向内缩小是指相比电极图案自身而言，指向自身图案的方向。第二金属电极块52向内缩小的尺寸对应于与其邻接的第一金属电极块42的向外扩大的尺寸。
这样，通过扩大邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42的尺寸，以避免在安装孔阻挡柱与显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um时，平坦层30的陡峭的坡度对触控性能造成影响。也就是说，平坦层30包括爬坡区域31，爬坡区域31为位于安装孔阻挡柱21与显示区域阻挡柱11之间的距离小于或等于2000um的区域。第一金属电极块42以及第二金属电极块52均形成在平坦层30上。位于爬坡区域31的平坦层30安装孔阻挡柱21与显示区域阻挡柱11之间的距离过近(小于或等于2000um)，留给形成平坦层的爬坡空间缩短，其打印形貌会呈现出陡峭的山包形状，坡度及段差均会增大，最大段差近10um。
在一些实施例中，所述平坦层30的坡度角α为0.3～1°。在一些实施例中，所述平坦层30的坡度角α为0.7～1°。
安装孔20的相邻的两个第一金属电极41相互不重叠，也就是说，即使第一金属电极块42向外扩大后，相邻的第一金属电极41任然保持相互不重叠，以保持位于相邻的两个第一金属电极41之间的第二金属电极51的有效性。
如图5所示，为在邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42的尺寸为扩大前的结构示意图，在图5中，沿垂直于第一边22的方向设置的第一金属电极41，即，第一金属电极41是从上下两端中至少一端接入信号。沿第一边22的方向由左至右，与安装孔20邻接的第一个第一金属电极41记为金属电极Tx(n)，与安装孔20的第一边22邻接的金属电极Tx(n)的第一金属电极块42记为第一金属电极块A；与安装孔20邻接的第二个第一金属电极41记为Tx(n+1)，与安装孔20的第一边22邻接的金属电极Tx(n)的第一金属电极块42记为第一金属电极块B。
沿平行于第一边22的方向设置的第二金属电极51，即，第二金属电极51是从左右两端接入。沿垂直于第一边22的方向由上至下，与安装孔20邻接的第一个第二金属电极51记为金属电极Rx(n)，其与第一金属电极块A左侧邻接的金属电极Rx(n)的第二金属电极块52记为第二金属电极块C；其与第二金属电极块52B右侧邻接的金属电极Rx(n)的第二金属电极块52记为第二金属电极块D。与安装孔20邻接的第二个第二金属电极51记为Rx(n-1)。
邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42与其他位置的第一金属电极块42(不与安装孔20邻接的第一边22的第一金属电极块42)的尺寸是一样的大小。但是，第一金属电极块A和第一金属电极块B会受到平坦层30的爬坡陡峭的区域的影响。在一些实施例中，所述平坦层30的爬坡区域31与第一金属电极块A和/或第一金属电极块B具有至少部分重叠面积。
如图6所示，在邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42的尺寸扩大后，与安装孔20的第一边22邻接的金属电极Tx(n)的第一金属电极块A的尺寸，其向邻近的第一边22的端点方向扩大，包括面积的扩大、以及其紧贴于安装孔20的边缘的长度的延长和沿第一边22的方向的尺寸的变大中的至少一种，即向图中第一边22的左侧的端点方向扩大，通过占用了与它左侧相邻的第二金属电极块C的部分空间，以尽量远离平坦层30的爬坡陡峭的区域。在一些实施例中，所述第一金属电极块42的尺寸扩大后具有至少部分区域与平坦层30的爬坡区域31不具有重叠面积。
与安装孔20的第一边22邻接的金属电极Tx(n+1)的第一金属电极块B的尺寸，其向邻近的第一边22的端点方向扩大，包括面积的扩大、以及其紧贴于安装孔20的边缘的长度的延长和沿第一边22的方向的尺寸的变大中的至少一种，即，向图中第一边22的右侧的端点方向扩大，通过占用了与它右侧相邻的第二金属电极块D的部分空间，以尽量远离平坦层30的爬坡陡峭的区域。在一些实施例中，所述第一金属电极块42的尺寸扩大后具有至少部分区域与所述平坦层的爬坡区域不具有重叠面积。
较佳地，邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42的面积在不与安装孔20的第一边22邻接的第一金属电极块42的面积的基础上扩大10％～50％。
邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42的紧贴于安装孔20的边缘的长度为3500um～4900um。即，沿第一边22的方向的尺寸相比原先的尺寸大大约400um。
需要说明的是，第一金属电极块42的形状通常为菱形，其的沿第一边22的方向的通常尺寸为3500um～4500um，沿垂直于第一边22的方向的通常尺寸也为3500um～4500um。同样，第二金属电极块52的形状通常为菱形，其的沿第一边22的方向的通常尺寸为3500um～4500um，沿垂直于第一边22的方向的通常尺寸也为3500um～4500um。请复参阅图5、图6、图9至图12，在邻接于跑道孔安装孔20的第一边22的第一金属电极块42的尺寸扩大后，与跑道孔安装孔20的第一边22邻接的金属电极Tx(n)的第一金属电极块A的边缘沿安装孔的外周缘向外延伸，从而长度比原先要大，延伸后的边缘的长度为3500um～4900um。由于，安装孔20的第一边22的安装孔阻挡柱21显示区域阻挡柱11之间的距离d小于或等于2000um，也就是说位于该区域的第一金属电极块A由于遇到安装孔20，会被截去部分结构，而使其边缘的长度小于或等于其沿第一边22的方向的通常尺寸，为3100um～4500um，而延伸后的尺寸为3500um～4900um(遇到安装孔20的两侧第一金属电极块A的边缘沿安装孔的外周缘还会向下延伸，从而其长度相较于沿第一边22的方向的最大通常尺寸4500um会更长)。与跑道孔安装孔20的第一边22邻接的金属电极Tx(n+1)的第一金属电极块B也有相同的情况。由于不与安装孔20邻接的第一边22的第一金属电极块42所对应的平坦层30不会出现的陡峭的坡度，因此，还保留原来的通常尺寸(参照上述内容，在此不再累述)。而邻接于安装孔20的第一边22的第一金属电极块42，为了避免平坦层30的陡峭的坡度对触控性能造成影响，因此对其沿平行于第一边22的方向进行扩大，即通过占用左右两侧相邻第二金属电极块52的面积，让其尽量远离平坦层30的爬坡陡峭的区域，从而保留正常的金属走线以保证刻蚀均一性，来保证正常的双向驱动功能。
需要说明的是，在图5和图6中的部件结构为示意结构，以说明第一金属电极块42以及第二金属电极块52的变化，其实际的结构请参阅图7至图15，其中，为了更好的说明第一金属电极块A、第一金属电极块B的扩大前和扩大后、以及第二金属电极块C、第二金属电极块D的缩小前和缩小后的情况，在图9至图14中，分别单独展示各金属电极块的变化。
其中，第一金属电极块A、第一金属电极块B的扩大前和扩大后、以及第二金属电极块C、第二金属电极块D的缩小前和缩小后的对比情况如下表(见后页)：
Figure BDA0002945802260000111
第一金属电极块42与第二金属电极块52的外周缘设置有对应的凸起及凹槽，以加大感应面积。在一些实施例中，所述第一金属电极块42与第二金属电极块52均为金属网格。
安装孔20还包括与第一边22相对设置的第二边23，第一金属电极41分别邻接于第一边22和第二边23的第一金属电极块42通过第一金属连接线43连接，且第一金属连接线43沿安装孔20的外周缘设置。
如图17至图19所示，本实施例还提供一种显示面板。该显示面板包括上述的阵列基板。具体地，所述显示面板可以为OLED显示面板，包括衬底基板以及依次叠设于该衬底基板上驱动背板、显示器件、封装层和上述的阵列基板。所述封装层包括第一无机封装薄膜层，有机封装薄膜层和第二无机封装薄膜层，所述有机封装薄膜层即为上述的平坦层。阵列基板的第一金属电极结构和第二金属电极结构均形成于所述平坦层上。
显示面板10包括显示区10a和开孔区10b，阵列基板的显示区域对应于显示区10a，阵列基板的安装孔对应于开孔区10b。
该衬底基板可为单层结构，也可为多层结构。沿厚度方向Z，该衬底基板可包括依次层叠设置的聚酰亚胺层101和缓冲层102，在另一些实施例中，衬底基板可包括多个依次层叠设置的聚酰亚胺层101和缓冲层102；缓冲层102可为氮化硅、氧化硅等材料制作而成，以达到阻水氧和阻隔碱性离子的效果；需要说明的是，该衬底基板的结构不限于此，可根据实际需求而定。
需要说明的是，为了便于后续在显示面板的各区域加工所需部件，可在衬底基板先定义出各区域，举例而言，可先在衬底基板上划分出显示区和开孔区。
驱动背板中位于显示区的部位可包括薄膜晶体管和电容结构。
薄膜晶体管可为顶栅型，此薄膜晶体管可包括有源层104、第一栅绝缘层105、栅极106、第二栅绝缘层108、层间介质层103、源极110、漏极111。具体地，有源层104可形成在缓冲层102上，第一栅绝缘层105覆盖缓冲层102及有源层104，栅极106形成在第一栅绝缘层105背离有源层104的一侧，第二栅绝缘层108覆盖栅极106和第一栅绝缘层105，层间介质层103覆盖第二栅绝缘层108，源极110和漏极111形成在层间介质层103背离衬底基板的一侧并分别位于栅极106的相对两侧，该源极110和漏极111可分别通过过孔(例如：金属过孔)与有源层104的相对两侧接触。应当理解的是，此薄膜晶体管也可为底栅型。层间介质层103与第一电极112之间还形成有平坦化部116。
电容结构可包括第一极板130和第二极板131，此第一极板130与栅极106同层设置，第二极板131位于第二栅绝缘层108与层间介质层103之间，并与第一极板130相对设置。
举例而言，栅极106和第一极板130、第二极板131的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。源极110和漏极111可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Al/Ti/Al)等。
显示器件位于显示区，该显示器件可包括依次形成在层间介质层103上的第一电极112和像素界定部113，应当理解的是，该显示器件还可包括发光部114a和第二电极115。
需要说明的是，第一电极112、发光部114a和第二电极115可构成一个发光子像素1d。其中，此显示器件中位于显示区10a的部分可包括多个阵列排布的发光子像素1d。此外，还需说明的是，各发光子像素1d的第一电极112相互独立，各发光子像素1d的第二电极115整面连接；即第二电极115为设置在显示面板10上的整面结构，为用于多个显示器件的公共电极。
像素界定部113背离层间介质层103的一侧还可设置支撑部132，该支撑部132可起到支撑保护膜层(图中未示出)的作用，以避免保护膜层与第一电极112或其他走线接触而导致第一电极112或其他走线容易损坏的情况。需要说明的是，此保护膜层主要出现在半成品转移的过程中，以避免转移过程中半成品出现损坏的情况，具体地：在将制作完支撑部132的基板转移到蒸镀产线的过程中，可覆盖一层保护膜层，当需要进行发光材料的蒸镀时，而将保护膜层移除。
安装孔阻挡柱环绕开孔区10b设置，可以包括至少一个子安装孔阻挡柱。所述至少一个子安装孔阻挡柱可以包括至少一层有机层，例如可以是平坦化部116，像素界定部113和支撑部132中的至少一层。多个子安装孔阻挡柱膜层组成结构可以相同，也可以不同。多个子安装孔阻挡柱的高度可以相同，也可以不同。当然，所述至少一个子安装孔阻挡柱还可以包括其他膜层，例如金属层或无机层等。具体地，在本实施例中，安装孔阻挡柱包括第一安装孔阻挡柱1a和第二安装孔阻挡柱1b。
第一安装孔阻挡柱1a环绕开孔区10b设置，该第一安装孔阻挡柱1a可包括第一阻隔部117，在通过封装层118对此显示面板10进行封装时，该第一阻隔部117能够对封装层118中的有机封装薄膜层材料的流动形成限制，避免封装层118中的有机封装薄膜层材料流动至开孔区10b引起封装失效的问题，也就是说，该第一安装孔阻挡柱1a的第一阻隔部117可与封装层118配合，以有效阻隔水、氧通过开孔区10b进入到显示区10a，从而可避免显示区10a的发光部114a失效而导致显示效果差的情况，延长了产品的使用寿命。
第一安装孔阻挡柱1a还包括形成在层间介质层103上的第一保护部119，该第一保护部119背离层间介质层103的一侧设置有前述第一阻隔部117。也就是说，本公开的实施例在制作第一安装孔阻挡柱1a之前，可先在位于过渡区10c的层间介质层103的表面形成第一保护部119，然后再在第一保护部119背离层间介质层103的一侧形成第一阻隔部117；通过设置第一保护部119，可在制作第一阻隔部117之前对位于过渡区10c的层间介质层103的表面进行保护，以减少位于过渡区10c的层间介质层103被刻蚀液清洗的次数，从而可提高位于过渡区10c的层间介质层103的粘附力，保证第一安装孔阻挡柱1a与层间介质层103的结合稳定，有效的降低工艺过程中第一安装孔阻挡柱1a脱落的风险，继而可降低封装失效风险，提高封装良率，保证显示效果及产品使用寿命。
第二安装孔阻挡柱1b位于第一安装孔阻挡柱1a远离显示区10a的一侧并环绕开孔区10b，其中，第二安装孔阻挡柱1b的厚度大于第一安装孔阻挡柱1a的厚度；以进一步对封装层118的有机封装薄膜层材料流动形成限制，避免封装层118的有机封装薄膜层材料流动至开孔区10b引起封装失效的问题。
第二安装孔阻挡柱1b可包括第二保护部120和形成在第二保护部120背离层间介质层103一侧的第二阻隔部121，且第二阻隔部121与第一阻隔部117同层设置，即：通过一次构图工艺即可同时形成第二阻隔部121、第一阻隔部117和像素界定部113，可减少加工步骤及掩膜板的使用，从而可降低成本。
此外，应当理解的是，该第一阻隔部117与第二阻隔部121应相互断开，这样设计可增大阻隔和封装路径，因此，可进一步提高封装效果。
在一些实施例中，在第一保护部119和第二保护部120与平坦化部116同层设置时，若平坦化部116为包括第一平坦化膜层和第二平坦化膜层的两层结构，那么第一保护部119、第二保护部120也可为两层结构，该第一保护部119和第二保护部120均包括与第一平坦化膜层同层设置的一膜层和与第二平坦化膜层同层设置的膜层。但不限于此，也可第二保护部120为两层结构，第一保护部119为单层结构(即：仅包括与第二平坦化膜层同层设置的膜层)；还可第一保护部119和第二保护部120均为，仅包括与第二平坦化膜层同层设置的膜层的单层结构。
其中，如图5所示，第一安装孔阻挡柱1a和第二安装孔阻挡柱1b中的至少一者还包括隔垫部(Photo Spacer，简称：PS)，此隔垫部可形成在第一阻隔部117或第二阻隔部121背离层间介质层103的一侧，其可以增加第一安装孔阻挡柱1a和第二安装孔阻挡柱1b的厚度，该隔垫部可阻挡封装层118中有机封装薄膜材料流向开孔区10b，进一步提高了对封装层118中有机封装薄膜材料流动的限制，进一步提高了显示面板10封装的可靠性。
举例而言，前述隔垫部可与显示区10a的支撑部132同层设置。其中，形成在第一阻隔部117上的隔垫部可定义为第一隔垫部122，形成在第二阻隔部121上的隔垫部可定义为第二隔垫部123，该第一隔垫部122与第一阻隔部117的材料可相同，且第一隔垫部122与第一阻隔部117可采用同一次构图工艺(例如：灰阶掩膜工艺)形成，以提高第一安装孔阻挡柱1a中各层的结构稳定性；但不限于此，第一隔垫部122与第一阻隔部117的材料也可不相同，且第一隔垫部122与第一阻隔部117可采用不同构图工艺形成；同理，该第二隔垫部123与第二阻隔部121的材料可相同，且第二隔垫部123与第二阻隔部121可采用同一次构图工艺(例如：灰阶掩膜工艺)形成，以提高第一安装孔阻挡柱1a中各层的结构稳定性；但不限于此，第二隔垫部123与第二阻隔部121的材料也可不相同，且第二隔垫部123与第二阻隔部121可采用不同构图工艺形成。
显示区域阻挡柱围绕显示区10a的外周缘设置，显示区域阻挡柱的结构可以与安装孔阻挡柱的结构相同，在此不在累述。在一些实施例中，显示区域阻挡柱的结构可以与安装孔阻挡柱不相同，例如包括不同数量的子阻挡柱，或子阻挡柱的高度，膜层组成结构等不同。
封装层118可包括依次层叠设置的第一无机封装薄膜层118a、有机封装薄膜层118b和第二无机封装薄膜层118c，所述有机封装薄膜层118b即为上述的平坦层。此第一无机封装薄膜层118a封装显示器件和第一安装孔阻挡柱1a和第二安装孔阻挡柱1b，有机封装薄膜层118b封装显示器件，并在第一安装孔阻挡柱1a靠近显示区10a的一侧阻断；第二无机封装薄膜层118c封装显示器件和第一安装孔阻挡柱1a和第二安装孔阻挡柱1b。第一无机封装薄膜层118a、第二无机封装薄膜层118c用于防止水、氧从显示功能的显示侧及开孔区10b进入到显示区10a的发光部114a中；该第一无机封装薄膜层118a和第二无机封装薄膜层118c可采用氮化硅、氧化硅等无机材料制作而成。有机封装薄膜层118b用于实现平坦化作用，以便于第二无机封装薄膜层118c层的制作，此有机封装薄膜层118b可采用丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料制作而成。
本公开的一实施例中还提供了一种显示装置，可包括前述实施例中所描述的显示面板，可对显示面板的开孔区进行开孔处理，以形成开孔；显示装置还包括安装于开孔的摄像头、传感器、HOME键、听筒或扬声器等功能器件。
根据本申请的实施例，该显示装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的显示装置类型均可，具体例如OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示屏、手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该显示装置除了显示面板及摄像头、传感器、HOME键、听筒或扬声器等器件以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电源线，驱动芯片等等，本领域技术人员可根据该显示装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区域和位于所述显示区域中的安装孔，所述安装孔的外周缘处设有安装孔阻挡柱，所述显示区域的外周缘设有显示区域阻挡柱，在所述安装孔中与所述显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um的所述安装孔阻挡柱所在的边记为第一边；
所述阵列基板还包括第一金属电极结构，所述第一金属电极结构包括沿垂直于所述第一边的方向设置的多个第一金属电极，每一第一金属电极包括依次电连接的多个第一金属电极块；
邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的尺寸在不与所述安装孔的第一边邻接的所述第一金属电极块的尺寸的基础上，沿第一边的方向向外扩大。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的尺寸在不与所述安装孔的第一边邻接的所述第一金属电极块的尺寸的基础上，沿第一边的方向向两侧扩大、或者向邻近的所述第一边的端点方向单侧扩大。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的面积在不与所述安装孔的第一边邻接的所述第一金属电极块的面积的基础上扩大10％～50％。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述邻接于所述安装孔的第一边的所述第一金属电极块的紧贴于所述安装孔的边缘的长度为3500um～4900um。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两个所述第一金属电极相互不重叠。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二金属电极结构，所述第二金属电极结构包括沿平行于所述第一边方向设置的多个第二金属电极，每一第二金属电极包括依次电连接的多个第二金属电极块。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，邻接于所述安装孔的第一边的所述第二金属电极块的尺寸在不与所述安装孔邻接的所述第二金属电极块的形状的基础上，沿所述第一边的方向向内缩小，所述第二金属电极块向内缩小的尺寸对应于与其邻接的所述第一金属电极块的向外扩大的尺寸。
8.如权利要求1-5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属电极结构的下方形成有平坦层，所述平坦层包括爬坡区域，所述爬坡区域为位于所述安装孔阻挡柱与所述显示区域阻挡柱之间的距离小于或等于2000um的区域，所述第一金属电极块的尺寸扩大后具有至少部分区域与所述平坦层的爬坡区域不具有重叠面积。
9.如权利要求1-5中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述安装孔还包括与所述第一边相对设置的第二边，所述第一金属电极分别邻接于所述第一边和所述第二边的所述第一金属电极块通过第一金属连接线连接，且所述第一金属连接线沿所述安装孔的外周缘设置。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的显示面板。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107122077A (zh) * 2017-05-02 2017-09-01 上海天马微电子有限公司 一种触控显示装置
CN109375802A (zh) * 2018-09-29 2019-02-22 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示面板和装置
CN110007804A (zh) * 2019-04-16 2019-07-12 京东方科技集团股份有限公司 一种触控模组及显示装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102326069B1 (ko) * 2015-07-29 2021-11-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102168042B1 (ko) * 2018-12-27 2020-10-20 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109950296B (zh) * 2019-04-10 2021-12-28 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN112968033B (zh) * 2021-02-20 2022-06-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107122077A (zh) * 2017-05-02 2017-09-01 上海天马微电子有限公司 一种触控显示装置
CN109375802A (zh) * 2018-09-29 2019-02-22 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示面板和装置
CN110007804A (zh) * 2019-04-16 2019-07-12 京东方科技集团股份有限公司 一种触控模组及显示装置

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