CN112951998B - 基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管 - Google Patents

基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管。所述可拉伸有机场效应晶体管的结构如下：由下至上依次为可拉伸衬底、可拉伸栅电极、可拉伸绝缘层和可拉伸有机半导体层；可拉伸有机半导体层上设有可拉伸源电极和可拉伸漏电极；可拉伸有机半导体层与可拉伸源电极和可拉伸漏电极之间设有修饰层；修饰层由有机小分子制成；有机小分子为并四苯、并五苯、酞菁铜、钛菁氧钒、红荧烯、并五噻唑和富勒烯C60中任一种。本发明通过界面修饰，明显提高了可拉伸有机场效应晶体管的迁移率和开关比，以及高的性能均匀性和高拉伸下性能稳定性；同时，可拉伸有机场效应晶体管可以被广泛应用于柔性电子器件中，具有很好的应用前景。

Description

基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管
技术领域
本发明涉及一种基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管，可拉伸有机场效应晶体管技术领域。
背景技术
随着人类生活逐步的智能化，柔性(可穿戴)电子器件拥有巨大的市场前景，尤其是在生理监测、体内植入治疗、电子皮肤、人机接口等生物医学领域((a)Kim,D.H.；Lu,N.S.；Ma,R.；et al.Science 2011,333,838.(b)Kang,S.K.；Murphy,R.K.；Hwang,S.W.；etal.Nature 2016,530,71.(c)Tee,B.C.；Chortos,A.；Berndt,A.；et al.Science 2015,350,313.(d)Kaltenbrunner,M.；Sekitani,T.；Reeder,J.；et al.Nature 2013,399,458.)。虽然柔性电子器件具有广泛的应用范围和很大的使用价值，但从技术上来说依然是一个巨大的挑战。人体的运动过程中，不可避免会导致电子器件发生不同程度的变形，这就要求此类器件在保持良好电学性能的前提下，兼具优异的耐久性、韧性和可拉伸性。然而，目前的电子材料尤其是半导体材料大多不可拉伸，人们主要通过将其设计出特殊结构以实现可拉伸的目的，比如引入褶皱、波纹状图案、三维结构或采用剪纸工艺等器件构型设计手段((a)Sun,Y.；Choi,W.M.；Jiang,H.；et al.Nature Nanotechnology2006,1,201.(b)Kim,D.H.；Ahn,J.H.；Choi,M.；et al.Science 2008,320,507.(c)Shyu,T.C.；Damasceno,P.F.；Dodd,P.M.；et al.Nature Materials 2015,14,785.)，但这些方法存在制作工艺繁复、结构可靠性差、制作成本高等缺点，难以实现大规模商业化。同时，采用本身具备柔性特征的导电材料进行电子器件构筑，能够显著提高其力学性能，但是由于缺乏高性能的可拉伸半导体材料，使得该方法的应用受到一定限制。
近年来，美国斯坦福大学鲍哲南课题组致力于本质可拉伸有机场效应晶体管的制备。他们采用新的纳米限域方法，以共轭聚合物DPPT-TT与弹性体SEBS共混物为半导体材料，以碳纳米管为电极材料，以SEBS为衬底和绝缘层材料，首次制备了本质可拉伸的有机场效应晶体管，并且可在100％拉伸应变下保持较高的场效应性能(Xu,J.；Wang,S.；Wang,G.N.；et al.Science 2017,355.)。然而，通过喷涂法得到的碳纳米管电极表面具有较高的粗糙度，且碳纳米管与有机半导体的相容性较差，所以碳纳米管源漏电极与半导体的接触电阻明显升高，导致可拉伸有机场效应晶体管的场效应性能和拉伸下性能稳定性降低。因此，开发简单、有效且具有普适性的方法改善碳纳米管电极与有机半导体的接触界面，对于制备高性能且高变形下性能稳定的可拉伸有机场效应晶体管具有十分重要的研究意义和商业价值。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管，本发明采用有机小分子对源漏电极/有机半导体界面层进行修饰，从而降低了碳纳米管电极的粗糙度、提高了源漏电极与有机半导体层间相容性及调节源漏电极与有机半导体层间接触区域，从而降低了源漏电极与有机半导体层的接触电阻。
具体地，本发明提供的可拉伸有机场效应晶体管的结构如下：
由下至上依次为可拉伸衬底、可拉伸栅电极、可拉伸绝缘层和可拉伸有机半导体层；
所述可拉伸有机半导体层上设有可拉伸源电极和可拉伸漏电极；
所述可拉伸有机半导体层与所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极之间设有修饰层；
所述修饰层由有机小分子制成。
本发明采用的有机小分子可为并四苯、并五苯、酞菁铜、钛菁氧钒、红荧烯、并五噻唑和富勒烯C60中任一种；
所述修饰层的厚度可为5～65nm，如5～20nm、5nm或20nm。
上述的可拉伸有机场效应晶体管中，所述可拉伸衬底和所述可拉伸绝缘层均由弹性体聚合物制成；
所述弹性体聚合物为聚二甲基硅氧烷(PDMS)、苯乙烯热塑性弹性体(SBS)、氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物和三元乙丙橡胶(SEBS)中任一种；
所述可拉伸衬底的厚度可为100μm～2mm，如300μm；
所述可拉伸绝缘层的厚度可为800～2000nm，如1600nm。
上述的可拉伸有机场效应晶体管中，所述可拉伸有机半导体层由可拉伸有机半导体材料制成；
所述可拉伸有机半导体材料可为半导体聚合物和弹性体聚合物的混合物；
所述半导体聚合物可为聚(2,5-双(2-辛基十二烷基)-3,6-二(噻吩-2-基)二酮吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮-3-噻吩并[3,2-b]噻吩)、聚-[2,5-双(7-癸基十一烷基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-(2H,5H)二酮-(E)-(1,2-双(5-(噻吩-2-基)硒代苯-2-基)乙烯)]和聚[2,5-双(4-癸基十四烷基)吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-(2H,5H)二酮-(E)-1,2-二(2,2’-联噻吩-5-基)乙烯]和吲哚二噻吩并苯并噻二唑中任一种；
所述半导体聚合物与所述弹性体聚合物的质量比可为1～9：1～9，具体可为1：1～9或1：2.33；
所述有机半导体层的厚度可为40～120nm，如80nm。
上述的可拉伸有机场效应晶体管中，所述可拉伸栅电极、所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极均由碳纳米管材料制成；
所述碳纳米管材料可为单壁碳纳米管，型号可为P2-SWNT、P3-SWNT、P5-SWNT、P7-SWNT、P8-SWNT和P9-SWNT。
本发明可拉伸有机场效应晶体管可按照下述方法制备：
(1)分别在带有自组装单分子层的基板上制备所述可拉伸衬底、所述可拉伸绝缘层、所述可拉伸有机半导体层、所述可拉伸栅电极、所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极；
(2)在所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极上分别沉积所述修饰层；
(3)通过热贴合法，将所述可拉伸栅电极转移至所述可拉伸衬底上，然后依次将所述可拉伸绝缘层和所述可拉伸有机半导体层转移至所述可拉伸栅电极上，最后将所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极分别转移至所述可拉伸有机半导体层上即得。
所述基板的材质可为玻璃、陶瓷、硅片或聚合物；
使用前，所述基板依次用洗洁精溶液、自来水、二次水、乙醇和丙酮进行超声清洗；
通过将所述基板与十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、八烷基三氯硅烷、苯基三氯硅烷中至少一种于真空条件下加热处理或溶液中浸泡处理，即在所述基板上得到所述自组装单分子层。
具体可采用旋涂、刮涂、滚涂或刷膜的方式制备所述可拉伸衬底、所述可拉伸绝缘层和所述可拉伸有机半导体层；
采用的溶剂可为甲苯、氯苯、环己烷或正己烷；
制备所述可拉伸衬底时，采用的分散液中所述弹性体聚合物的浓度可为100～300mg/mL，如200mg/mL；
制备所述可拉伸绝缘层时，采用的分散液中所述弹性体聚合物的浓度可为40～100mg/mL，如80mg/mL；
制备所述可拉伸有机半导体层时，采用的分散液中所述可拉伸有机半导体材料的浓度可为3～15mg/mL，如10mg/mL。
上述的制备方法中，采用喷涂的方式制备所述可拉伸栅电极、所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极；
所述喷涂的条件为：喷涂速率为1～5mL/min，如1.5mL/min；喷枪与基板距离为3～15mm，如8mm；基板温度为40～120℃，如80℃；
采用的溶剂为乙醇、丙醇或水；
分散液中所述碳纳米管材料的浓度可为0.05～0.6mg/mL，如0.2mg/mL。
上述的制备方法中，采用真空蒸镀法沉积所述修饰层；
蒸镀条件为：真空度为10-4～10-7帕斯拉，优选4～8×10-4或5×10-4帕斯拉；蒸镀速度为1～10埃/秒，优选2埃/秒；有机小分子的厚度5～65nm。
所述热贴合法的条件如下：
在真空烘箱内进行，真空度为0.1～10帕斯卡，加热处理时的温度为60～150℃，加热时间为0.2～6小时。
本发明提供的基于电极/半导体层界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管，制备工艺简单，成本低；通过界面修饰，明显提高了可拉伸有机场效应晶体管的迁移率和开关比，以及高的性能均匀性和高拉伸下性能稳定性；同时，所述可拉伸有机场效应晶体管可以被广泛应用于柔性电子器件中，具有很好的应用前景。
附图说明
图1为本发明基于电极/半导体层界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管的结构示意图。
图2为碳纳米管源漏电极的扫描电镜图，其中，图2(a)为实施例1制备的带有修饰层的碳纳米管源漏电极的扫描电镜图，图2(b)为对比例1制备的碳纳米管源漏电极的扫描电镜图。
图3为本发明实施例1和对比例1制备的可拉伸有机场效应晶体管的转移特性曲线。
图4为可拉伸有机场效应晶体管在不同变形率下的转移特性曲线，其中，图4(a)为实施例1制得的可拉伸有机场效应晶体管在不同变形率下的转移特性曲线，图4(b)为对比例1制得的可拉伸有机场效应晶体管在不同变形率下的转移特性曲线。
图5为本发明实施例2和对比例2制备的可拉伸有机场效应晶体管的转移特性曲线。
图6为本发明实施例3和对比例3制备的可拉伸有机场效应晶体管的转移特性曲线。
具体实施方式
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法。
下述实施例中所用的材料、试剂等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
本发明提供的基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管为上电极结构，包括可拉伸衬底、栅电极、绝缘层、半导体层、修饰层和源漏电极，结构如图1所示；其中修饰层为有机小分子材料。
制备基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管，包括以下步骤：
第一步，带有自组装单分子层的基板的制备
基板的清洗，采用传统方法洗洁精溶液，自来水，二次水，乙醇，丙酮依次超声清洗至洁净并烘干。采用硅烷分子于真空条件下对洁净的衬底进行加热处理，以得到带有自组装单分子层的基板。
第二步，衬底的制备
在上述带有自组装单分子层的基板上通过传统的滴涂、刮涂或滚涂法得到厚度为100μm-2mm的衬底1；
第三步，绝缘层的制备
在上述带有自组装单分子层的基板上通过传统的旋涂、刮涂、滚涂或刷膜法得到厚度为600-2000nm的绝缘层3；
第四步，栅电极的制备
在上述带有自组装单分子层的基板上通过喷涂法制备栅电极2；
第五步，有机半导体层的制备
在上述带有自组装单分子层的基板上通过旋涂、刮涂、滚涂或刷膜法制备厚度为50-150nm的有机半导体层4；
第六步，源漏电极的制备
在上述带有自组装单分子层的基板上通过喷涂法制备源漏电极6和7；
第七步，修饰层的制备
在第五步得到的源漏电极上通过真空蒸镀的方法制备厚度为5-65nm的有机小分子层5；
第八步，可拉伸有机场效应晶体管的制备
通过热贴合法用上述制备的衬底依次将上述制备的绝缘层、栅电极、有机半导体层、修饰层及源漏电极转移下来，得到本质可拉伸的有机场效应晶体管。
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明，但本发明并不限于以下实施例。
下述实施例中，可拉伸有机场效应晶体管的力学性能和电学性能均在大气环境和室温条件下测量的。
实施例1、
本实施例按照下述步骤制备基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管：
1)以硅片为基板，依次用洗洁精、去离子水、乙醇、丙酮超声清洗一次后，用氮气枪吹干，然后对硅基板进行20分钟的紫外过氧化(UVO)处理，再将十八烷基三甲氧基硅烷同基板一起置于一培养皿中，放入真空烘箱，抽真空至0.1帕斯拉，加热至120℃处理3小时后，自然冷却至室温，以得到带有自组装单分子层的硅片。
2)将上述带有自组装单分子层的硅片置于80℃的热台上10分钟，然后将碳纳米管的异丙醇溶液(浓度为0.2mg/mL)喷涂于硅片上，以得到碳纳米管栅电极。其中，喷涂条件为：喷涂速率为2mL/min，喷枪与基本距离为10mm。
3)在上述带有自组装单分子层的硅片上，滴加SEBS H1052的环己烷溶液(浓度80mg/ml)，再以2000转/分钟的速度甩膜处理1分钟，然后在热台上以90℃退火20分钟，以得到可拉伸绝缘层，厚度为1600nm。
4)在上述带有自组装单分子层的硅片上，滴加聚(2,5-双(2-辛基十二烷基)-3,6-二(噻吩-2-基)二酮吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮-3-噻吩并[3,2-b]噻吩)/氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物的氯苯溶液(其中，两种聚合物的质量比为3:7，浓度为10mg/ml)，再以2000转/分钟的速度甩膜处理1分钟，然后再热台上以150℃退火30分钟，以得到可拉伸有机半导体材料，厚度为80nm。
5)将上述带有自组装单分子层的硅片置于130℃的热台上10分钟，然后将碳纳米管P3-SWNT的异丙醇溶液(浓度为0.2mg/mL)喷涂于硅片上，以得到碳纳米管源电极和漏电极。其中，喷涂条件为：喷涂速率为1.5mL/min，喷枪与基板距离为8mm，基板温度为80℃。
6)步骤5)中得到的带有碳纳米管源电极和漏电极的硅片置于真空镀膜机中，将真空度抽至5×10-4Pa以下，采用热蒸镀的方式，以2埃每秒的速度沉积并五苯有机层，至厚度为20nm。
7)在上述带有自组装单分子层的硅片上，将1mL的SEBS H1221的甲苯溶液(溶度为200mg/mL)均匀滴涂于硅片上，然后置于热台上先以60℃退火3小时，再以120℃退火1小时，以得到可拉伸衬底，厚度为300μm。
8)将步骤7)制得的可拉伸衬底覆盖于带有碳纳米管栅电极的硅片上，然后置于真空烘箱中(真空度为0.1帕斯卡，温度为80℃)保持30分钟，待温度降至室温，将可拉伸衬底从硅片上转移下来，即可得到带有碳纳米管栅电极的可拉伸衬底；然后再以相同的方法将带有碳纳米管栅电极的可拉伸衬底依次覆盖于带有绝缘层、有机半导体层、修饰层和碳纳米管源漏电极的硅片上，并且依次将绝缘层、有机半导体层、修饰层和碳纳米管源漏电极转移下来，即可得到本质可拉伸得有机场效应晶体管，结构如图1所示。
对比例1、
按照与实施例1完全相同的制备方法，仅将步骤6)中的蒸镀并五苯小分子步骤省去。
图2为实施例1(图2(a))和对比例1(图2(b))制备得到的碳纳米管源漏电极的扫描电镜图，由图2(b)可知，纯碳纳米管源漏电极表面呈现网络状，不仅存在许多孔洞，而且纳米管网络重叠严重，同时在表面出现了很多碳纳米管团簇颗粒，因此导致碳纳米管源漏电极表面粗糙不均；而图2(a)显示，经并五苯分子修饰后，碳纳米管源电极和漏电极表面的团簇颗粒减少，且纳米管网络空隙处存在许多结晶区域。图3为实施例1和对比例1两种可拉伸有机场效应晶体管的转移特性曲线，由图3可知，相比对比例1而言，实施例1制得的基于电极/半导体层界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管的迁移率由0.25cm2V-1s-1升至0.48cm2V- 1s-1，开关比由4.5×103升至2.5×106，亚阈值斜率由6.2V/de降至1.4V/de，说明经并五苯分子对电极/半导体界面修饰后，可拉伸有机场效应晶体管的场效应性能得以明显改善。而由图4可知，相比对比例1而言，实施例1制得的基于电极/半导体层界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管在100％应变下的性能稳定性更高。
实施例2、
按照与实施例1完全相同的制备方法，仅将步骤6)中的有机小分子厚度改为5nm，得到基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管。
对比例2、
按照与实施例1完全相同的制备方法，仅将步骤6)中的蒸镀并五苯小分子步骤省去。
图5为实施例2和对比例2两种可拉伸有机场效应晶体管的转移特性曲线，由图5可知，相比对比例2而言，实施例2制得的基于电极/半导体层界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管的迁移率由0.25cm2V-1s-1升至0.36cm2V-1s-1，开关比由6.2×103升至2.5×105，亚阈值斜率由6.2V/de降至2.7V/de，进一步说明电极/半导体界面修饰后，可改善可拉伸有机场效应晶体管的场效应性能。
实施例3、
按照与实施例1完全相同的制备方法，仅将步骤4)中的半导体聚合物改为吲哚二噻吩并苯并噻二唑，得到基于电极/半导体界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管。
对比例3、
按照与实施例1完全相同的制备方法，仅将步骤6)中的蒸镀并五苯小分子步骤省去。
通过对比实施例3和对比例3两种可拉伸有机场效应晶体管的转移特性曲线(图6)可知，相比对比例3而言，实施例3制得的基于电极/半导体层界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管的迁移率由0.31cm2V-1s-1升至0.82cm2V-1s-1，开关比由1.1×103升至9.3×106，亚阈值斜率由6.2V/de降至1.1V/de，说明本发明提供的界面修饰方法对其他类型半导体材料也适用。

Claims (7)

1.一种基于源漏电极/有机半导体层界面修饰的可拉伸有机场效应晶体管，其结构如下：
由下至上依次为可拉伸衬底、可拉伸栅电极、可拉伸绝缘层和可拉伸有机半导体层；
所述可拉伸有机半导体层上设有可拉伸源电极和可拉伸漏电极；
所述可拉伸有机半导体层与所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极之间设有修饰层；
所述修饰层由有机小分子制成；
所述有机小分子为并四苯、并五苯、酞菁铜、钛菁氧钒、红荧烯、并五噻唑和富勒烯C60中任一种；
所述修饰层的厚度为5~65 nm；
采用真空蒸镀法沉积所述修饰层；
所述可拉伸有机半导体层由可拉伸有机半导体材料制成；
所述可拉伸有机半导体材料为半导体聚合物和弹性体聚合物的混合物；
所述半导体聚合物为聚（2,5-双（2-辛基十二烷基）-3,6-二（噻吩-2-基）二酮吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-二酮-3-噻吩并[3,2-b]噻吩）、聚-[2,5-双（7-癸基十一烷基）吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-（2H,5H）二酮-（E）-（1,2-双（5-（噻吩-2-基）硒代苯-2-基）乙烯）]和聚[2,5-双（4-癸基十四烷基）吡咯并[3,4-c]吡咯-1,4-（2H, 5H）二酮-（E）-1,2-二（2,2’-联噻吩-5-基）乙烯]和吲哚二噻吩并苯并噻二唑中任一种；
所述弹性体聚合物为聚二甲基硅氧烷、苯乙烯热塑性弹性体、氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物和三元乙丙橡胶中任一种；
所述半导体聚合物与所述弹性体聚合物的质量比为1~9：1~9；
所述可拉伸有机半导体层的厚度为40~120 nm；
所述可拉伸栅电极、所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极均由碳纳米管材料制成；
所述碳纳米管材料为单壁碳纳米管；
所述可拉伸有机场效应晶体管的制备方法包括如下步骤：
（1）分别在带有自组装单分子层的基板上制备所述可拉伸衬底、所述可拉伸绝缘层、所述可拉伸有机半导体层、所述可拉伸栅电极、所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极；
（2）采用真空蒸镀法在所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极上分别沉积所述修饰层；
（3）通过热贴合法，将所述可拉伸栅电极转移至所述可拉伸衬底上，然后依次将所述可拉伸绝缘层和所述可拉伸有机半导体层转移至所述可拉伸栅电极上，最后将所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极分别转移至所述可拉伸有机半导体层上即得。
2.根据权利要求1所述的可拉伸有机场效应晶体管，其特征在于：所述可拉伸衬底和所述可拉伸绝缘层均由弹性体聚合物制成；
所述弹性体聚合物为聚二甲基硅氧烷、苯乙烯热塑性弹性体、氢化苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物和三元乙丙橡胶中任一种；
所述可拉伸衬底的厚度为100 μm~2 mm；
所述可拉伸绝缘层的厚度为800~2000 nm。
3.权利要求1或2所述可拉伸有机场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：
（1）分别在带有自组装单分子层的基板上制备所述可拉伸衬底、所述可拉伸绝缘层、所述可拉伸有机半导体层、所述可拉伸栅电极、所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极；
（2）采用真空蒸镀法在所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极上分别沉积所述修饰层；
（3）通过热贴合法，将所述可拉伸栅电极转移至所述可拉伸衬底上，然后依次将所述可拉伸绝缘层和所述可拉伸有机半导体层转移至所述可拉伸栅电极上，最后将所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极分别转移至所述可拉伸有机半导体层上即得。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述基板的材质为玻璃、陶瓷、硅片或聚合物；
通过将所述基板与十八烷基三甲氧基硅烷、十八烷基三氯硅烷、八烷基三氯硅烷、苯基三氯硅烷中至少一种于真空条件下加热处理或溶液中浸泡处理，即在所述基板上得到所述自组装单分子层。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于：采用旋涂、刮涂、滚涂或刷膜的方式制备所述可拉伸衬底、所述可拉伸绝缘层和所述可拉伸有机半导体层；
采用的溶剂为甲苯、氯苯、环己烷或正己烷。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：采用喷涂的方式制备所述可拉伸栅电极、所述可拉伸源电极和所述可拉伸漏电极；
所述喷涂的条件为：喷涂速率为1~5 mL/min；喷枪与基板距离为3~15 mm；基板温度为40~120 ℃；
采用的溶剂为乙醇、丙醇或水；
分散液中碳纳米管材料的浓度为0.05~0.6 mg/mL。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述热贴合法的条件如下：
在真空烘箱内进行，真空度为0.1~10帕斯卡，加热处理时的温度为60~150 ℃，加热时间为0.2~6小时。
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