CN112951132A - 检测电路、驱动电路、显示面板及其驱动方法 - Google Patents

检测电路、驱动电路、显示面板及其驱动方法 Download PDF

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Abstract

本公开是关于一种检测电路、驱动电路、显示面板及其驱动方法，涉及显示技术领域。本公开的像素电路包括驱动晶体管和像素开关单元，像素开关单元连接于驱动晶体管的控制端与数据信号端之间，数据信号端用于提供数据信号；检测电路包括采集电路和处理电路，采集电路包括测试晶体管和储能元件，测试晶体管的控制端用于与数据信号端耦接，第一端用于写入检测信号，第二端与储能元件耦接；测试晶体管的结构特性与驱动晶体管的结构特性相同；处理电路与测试晶体管的第二端连接，用于检测测试晶体管的第二端的电压，作为检测电压，并根据检测电压调节数据信号。

Description

检测电路、驱动电路、显示面板及其驱动方法
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种检测电路、驱动电路、显示面板及显示面板的驱动方法。
背景技术
目前，OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板已经广泛的应用于手机等多种电子设备，其中，硅基OLED显示面板的结构简单，响应时间快获得了较多关注。在使用过程中，OLED显示面板容易出现偏色，甚至黑屏，影响显示效果，特别是对于硅基OLED显示面板而言，更易出现偏色，甚至黑屏现象。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种检测电路、驱动电路、显示面板及显示面板的驱动方法，可避免偏色和黑屏。
根据本公开的一个方面，提供一种检测电路，用于像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管和像素开关单元，所述像素开关单元连接于所述驱动晶体管的控制端与数据信号端之间，所述数据信号端用于提供数据信号；所述检测电路包括：
采集电路，包括测试晶体管和储能元件，所述测试晶体管的控制端用于与所述数据信号端耦接，第一端用于写入检测信号，第二端与所述储能元件耦接；所述测试晶体管的结构特性与所述驱动晶体管的结构特性相同；
处理电路，与所述测试晶体管的第二端耦接，用于检测所述测试晶体管的第二端的电压，作为检测电压，并根据所述检测电压调节所述数据信号。
在本公开的一种示例性实施例中，所述测试晶体管的第一端和控制端连接，所述检测信号为所述数据信号。
在本公开的一种示例性实施例中，所述采集电路还包括：
第一开关单元，连接于所述测试晶体管的控制端和所述数据信号端之间；
第二开关单元，连接于所述测试晶体管的第二端与所述储能元件之间；
第三开关单元，连接于所述测试晶体管的第二端和所述处理电路之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述像素电路还包括：
存储电容，连接于所述数据信号端与所述驱动晶体管的控制端和第一电位端之间；
所述储能元件包括：
测试电容，耦接于所述测试晶体管的第二端与第二电位端之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一电位端和所述第二电位端的电位相同。
在本公开的一种示例性实施例中，所述处理电路包括：
比较电路，所述比较电路的输入端与所述测试晶体管的第二端耦接，用于在多个参考电压范围内确定所述检测电压所处的参考电压范围，作为目标电压范围；
调节电路，与所述比较电路的输出端连接，用于根据所述目标电压范围调节所述数据信号。
在本公开的一种示例性实施例中，所述调节电路包括：
查找单元，用于根据所述目标电压范围在预设的参考数据信息映射中查找对应于所述目标电压范围的参考数据信息作为目标数据信息；
执行单元，用于根据所述目标数据信息调节所述数据信号。
在本公开的一种示例性实施例中，所述处理电路还包括：
存储元件，用于存储所述参考电压范围；
输出电路，连接于所述存储元件与所述比较电路之间，用于向所述比较电路输出所述参考电压范围。
在本公开的一种示例性实施例中，所述处理电路还包括：
第四开关单元，耦接于所述测试晶体管的第二端和所述比较电路的输入端之间；
第五开关单元，耦接于所述比较电路的输入端和放电端之间。
在本公开的一种示例性实施例中，所述采集电路的数量至少有两个，各个所述采集电路的所述测试晶体管的第二端均与所述处理电路连接，且各个所述测试晶体管的控制端均与所述数据信号端连接。
根据本公开的一个方面，提供一种驱动电路，包括：
像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管和像素开关单元，所述像素开关单元连接于所述驱动晶体管的控制端与数据信号端之间，所述数据信号端用于提供数据信号；
上述任意一项所述检测电路。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括上述任意一项所述的驱动电路。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板具有显示区和位于所述显示区外的外围区；
所述像素电路位于所述显示区，所述检测电路位于所述外围区。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板包括：
温度检测装置，用于检测所述驱动电路所处环境的温度，得到检测温度；
温度处理电路，用于在所述检测温度位于阈值范围以外时，控制所述像素开关单元关断，并通过所述检测电路调节所述数据信号。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的驱动方法，所述显示面板包括：
驱动电路，所述驱动电路包括上述任意一项所述的像素电路和检测电路；
所述驱动方法包括：
在显示阶段，导通所述像素开关单元，关断所述第一开关单元；
在检测阶段，关断所述像素开关单元和所述第三开关单元，导通所述第一开关单元和所述第二开关单元；
在调节阶段，导通所述第二开关单元和所述第三开关单元，关断所述像素开关单元和所述第一开关单元；通过所述处理电路检测所述测试晶体管的第二端的电压，作为检测电压，并根据所述检测电压调节所述数据信号。
在本公开的一种示例性实施例中，所述处理电路包括：
比较电路，所述比较电路的输入端与所述测试晶体管的第二端耦接，用于在多个参考电压范围内确定所述检测电压所处的参考电压范围，作为目标电压范围；
调节电路，与所述比较电路的输出端连接，用于根据所述目标电压范围调节所述数据信号；
第四开关单元，耦接于所述测试晶体管的第二端和所述比较电路的输入端之间；
第五开关单元，耦接于所述比较电路的输入端和放电端之间；
所述驱动方法还包括：
在所述调节阶段，导通所述第四开关单元，关断所述第五开关单元；
在放电阶段，导通所述第二开关单元、所述第三开关单元和所述第五开关单元，关断所述第一开关单元和所述第四开关单元，使所述储能元件向所述放电端放电。
在本公开的一种示例性实施例中，所述显示面板还包括：
温度检测装置，用于检测所述驱动电路所处环境的温度，得到检测温度；
温度处理电路，用于在所述检测温度位于阈值范围以外时，控制所述像素开关单元关断，并向所述检测电路输出检测信号；
所述驱动方法还包括：
所述驱动电路在接收到所述检测信号后，进入所述检测阶段。
本公开的检测电路、驱动电路、显示面板及其驱动方法，可将数据信号写入测试晶体管的控制端，并向测试晶体管的第一端写入检测信号，测试晶体管可向储能元件充电，测试晶体管的第二端的电压为检测电压。由检测电压受到测试晶体管的阈值电压Vth偏移的影响，而不会受到显示面板的发光元件的影响，故可用检测电压反映测试晶体管的阈值电压Vth偏移情况。同时，测试晶体管的结构特性与驱动晶体管的结构特性相同，使得检测电压可反映测试晶体管的阈值电压Vth偏移情况，从而可根据检测电压对数据信号进行调节，消除阈值电压Vth偏移对显示效果的影响，避免出现偏色和黑屏的情况，从而改善显示效果。
由于温度对可驱动晶体管的阈值电压Vth偏移影响较大，故可对显示面板的温度进行检测，在温度超出预设的阈值范围时，再对数据信号进行上述的调节，而在温度位于阈值范围以内时，则可不对数据信号进行调节。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开像素电路一实施方式的示意图。
图2为本公开检测电路一实施方式的示意图。
图3为本公开检测电路另一实施方式的示意图。
图4为本公开检测电路再一实施方式的示意图。
图5为本公开显示面板一实施方式的示意图。
图6为本公开显示面板一实施方式中温度检测装置和温度处理电路的示意图。
图7为本公开驱动方法一实施方式的时序图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式的晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极与源极之间具有沟道区域，并且电流可以流过漏极、沟道区域以及源极。沟道区域是指电流主要流过的区域。同时，栅极可为控制端，漏极可为第一端、源极可为第二端，或者第一端可以为源极、第二端可以为漏极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时可以互相调换。因此，在本公开中，晶体管的第一端和第二端可以互相调换。
本公开实施方式所采用的晶体管可以包括P型晶体管和N型晶体管中的任一种，其中，P型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时关断，N型晶体管在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时关断。
本公开实施方式提供了一种像素电路的检测电路，该像素电路和检测电路均属于显示面板的驱动电路，该显示面板可以是OLED显示面板，其通常是将发光元件阵列设置在包含驱动电路的驱动背板上，像素电路和检测电路均可位于该驱动背板内。
以微型OLED(Micro OLED)显示面板为例，其通常具有小于100微米的尺寸，例如小于50微米的尺寸等，驱动电路可以集成于硅基板上，形成驱动背板。发光元件形成于包括硅基板的驱动背板上。该硅基板的材料可以是单晶硅或者高纯度硅。驱动电路可通过半导体工艺形成于硅基板上，例如，通过掺杂工艺在硅基板中形成晶体管的有源层(即半导体层)、第一端和第二端，并通过硅氧化工艺形成绝缘层、以及通过溅射工艺形成多个导电层等。驱动电路可包括一一对应地连接于各发光元件的多个像素电路。
如图1所示，在本公开的实施方式中，像素电路1可用于驱动一发光元件OLED发光，像素电路1可以是2T1C、4T2C、6T1C或7T1C等nTmC(n、m为正整数)像素电路，在此不对其结构进行特殊限定，只要能驱动发光元件OLED发光即可。以2T1C结构的像素电路为例：像素电路1可包括驱动晶体管Md和像素开关单元SWp，像素开关单元SWp连接于驱动晶体管Md的控制端与数据信号端Data之间，驱动晶体管Md的第一端与第一电源端ELVDD连接，驱动晶体管Md的第一端与第二电源端VCOM连接。
此外，像素电路1还可包括存储电容Cs，存储电容Cs连接于驱动晶体管Md的控制端和第一电位端GND1之间。
数据信号端Data用于提供数据信号，第一电源端ELVDD用于提供第一电源信号，第二电源端VCOM用于提供第二电源信号，第一电位端GND1可用于提供一固定电位，例如第一电位端GND1可接地。在显示图像时，可导通像素开关单元SWp，通过数据信号端Data向驱动晶体管Md的控制端输入数据信号，并向存储电容Cs充电。可通过存储电容Cs向驱动晶体管Md的控制端提供稳定的电压，使驱动晶体管Md产生电流，从而使发光元件OLED发光。
其中，像素开关单元SWp可以是传输门，其可由一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管并联而成，即PMOS晶体管的源极与NMOS晶体管的源极连接，PMOS晶体管的漏极与NMOS晶体管的漏极连接。通过控制向PMOS晶体管的源极与和NMOS晶体管的栅极输入的信号，可使传输门源极和漏极之间导通或者关断，传输门的详细工作原理在此不再详述。当然，像素开关单元SWp也可以采用其它开关结构。
在工作时，驱动晶体管Md所处环境的环境温度过高或过低，即温度超出阈值范围，会使驱动晶体管Md的阈值电压Vth的偏移较大，使得在使用原先调试好的数据信号驱动发光元件OLED时，容易发生偏色，甚至黑屏的现象。举例而言，该阈值范围可为-20℃～60℃，若环境温度在阈值范围内，阈值电压Vth偏移较小，对显示效果的影响可以忽略。而在温度小于-20℃，或大于60℃时，即超出阈值范围，则会使阈值电压Vth的偏移较大，若继续使用原先调试好的数据信号，难以保证正常的显示效果。
如图2所示，每个像素电路1可连接一检测电路2，检测电路2包括采集电路21和处理电路22，其中：
采集电路21包括测试晶体管Mt和储能元件Ct，测试晶体管Mt的控制端用于与数据信号端Data耦接，第一端用于写入检测信号，第二端通过储能元件Ct耦接；测试晶体管Mt的结构特性与驱动晶体管的结构特性相同；
处理电路22与测试晶体管Mt的第二端耦接，用于检测测试晶体管Mt的第二端的电压，作为检测电压，并根据检测电压调节数据信号。
本公开的检测电路，可将数据信号写入测试晶体管Mt的控制端，并向测试晶体管Mt的第一端写入检测信号，测试晶体管Mt可向储能元件Ct充电，测试晶体管Mt的第二端的电压为检测电压。由检测电压受到测试晶体管Mt的阈值电压Vth偏移的影响，而不会受到显示面板的发光元件OLED的影响，故可用检测电压反映测试晶体管Mt的阈值电压Vth偏移情况。同时，测试晶体管Mt的结构特性与驱动晶体管的结构特性相同，使得检测电压可反映测试晶体管Mt的阈值电压Vth偏移情况，从而可根据检测电压对数据信号进行调节，消除阈值电压Vth偏移对显示效果的影响，避免出现偏色和黑屏的情况，从而改善显示效果。
需要说明的是，驱动晶体管Md和测试晶体管Mt的结构特性相同是指，二者的材料、结构和尺寸相同，从而具有相同的特性参数，例如阈值电压Vth等。同时，本公开实施方式中以驱动晶体管Md和测试晶体管Mt均为N型晶体管为例进行说明，二者的第一端为漏极，第二端为源极。但在本公开的其它实施方式中不限于此，驱动晶体管Md和测试晶体管Mt可以均为P型晶体管，或者二者也可采用不同类型的晶体管，源极和漏极可以互换。
进一步的，在本公开的一些实施方式中，测试晶体管Mt的第一端为漏极、第二端为源极。可将测试晶体管Mt的第一端和控制端在N节点连接，即栅极和漏极在N节点短接。此时，测试晶体管Mt可等效为一电阻，向测试晶体管Mt的第一端输入的检测信号即为数据信号。由于该电阻直接受到测试晶体管Mt的阈值电压Vth的影响，因此，可利用该电阻对信号的影响反映阈值电压Vth的偏移。由此，可避免采用专门的电路输入独立的检测信号，有利于简化结构，并可避免因检测信号本身不稳定而影响对数据信号的调节效果。
进一步的，为了便于进行控制，如图2所示，在本公开的一些实施方式中，采集电路21还包括多个开关单元，具体而言，采集电路21可包括第一开关单元SW1、第二开关单元SW2和第三开关单元SW3，其中：
第一开关单元SW1连接于测试晶体管Mt的控制端和数据信号端Data之间；
第二开关单元SW2连接于测试晶体管Mt的第二端与储能元件Ct之间；
第三开关单元SW3连接于测试晶体管Mt的第二端和处理电路22之间。
第一开关单元SW1-第三开关单元SW3的结构在此不做特殊限定，只要能实现关断和导通功能即可，例如，第一开关单元SW1-第三开关单元SW3中至少一个可为传输门，传输门的结构详细工作原理在此不再详述。当然，第一开关单元SW1-第三开关单元SW3也可以采用其它开关结构。
第一开关单元SW1导通时，数据信号可写入N节点，即输入测试晶体管Mt的控制端和第一端。同时，若第二开关单元SW2的导通，数据信号通过测试晶体管Mt向储能单元Ct充电，模拟存储电容Cs的充电过程，充电时长可为一帧的时间。若储能单元Ct包括测试电容，测试电容的容值可与存储电容Cs的容值不同，例如，测试电容的容值小于存储电容Cs的容值，以便满足处理电路2所能识别的电位的要求。若第三开关单元SW3导通，则处理电路22可获取测试晶体管Ct的第二端的电压。
第一开关单元SW1关断时，采集电路2无法接收数据信号，此时，检测电路2不对数据信号进行调节。若第二开关单元SW2关闭，储能单元Ct无法充电。若第三开关单元SW3关闭，则处理电路22无法获取测试晶体管Ct的第二端的电压。
进一步的，如图2所示，在本公开的一些实施方式中，储能元件Ct可包括测试电容，其可耦接于测试晶体管Mt的第二端与第二电位端GND2之间。如前所述，第一开关单元SW1和第二开关单元SW2的导通时，数据信号通过测试晶体管Mt向测试电容充电，在处理电路22获取测试晶体管Ct的第二端的电压时，测试电容可为处理电路22提供稳定的电压。同时，可使第二电位端GND2和第一电位端GND1的电位相同，例如，第二电位端GND2和第一电位端GND1均接地。
处理电路22用于根据检测电压对数据信号进行调节，以消除阈值电压Vth偏移对显示效果的影响。
如图4所示，在本公开的一些实施方式中，处理电路22可包括比较电路221和调节电路222，其中：
比较电路221的输入端可与测试晶体管Mt的第二端耦接，可获取测试晶体管Mt的第二端的电压，作为检测电压。同时，比较电路221可在多个参考电压范围内确定检测电压所处的参考电压范围，作为目标电压范围。各个参考电压范围不同，即任意两个参考电压范围不存在重合的区间，使得每个检测电压至多只能对应到一个参考电压范围内。比较电路221可为一比较器，其具体类型和结构在此不做特殊限定，只能能对电压进行比较即可。
可选取多个处于阈值范围外的温度范围，预先通过试验确定各个温度范围下的参考电压范围，每个温度范围对应一参考电压范围。
调节电路222可与比较电路221的输出端连接，用于根据目标电压范围调节数据信号。举例而言，调节电路222可包括查找单元2221和执行单元2222，其中：
查找单元2221与比较单元221连接，用于根据目标电压范围在预设的参考数据信息映射中查找对应于目标电压范围的参考数据信息作为目标数据信息。
查找单元2221可存储或调用该参考数据信息映射，该映射是关于参考电压范围和参考数据信息的一一对应的映射，也就是说，一个参考电压范围对应一个参考数据信息。同时，参考数据信息可作为调节数据信号的基础，可根据参考数据信息重新生成数据信号。可预先通过试验确定在各个参考电压范围内，能够实现正常显示所需的关于数据信号的参考数据信息，作为目标数据信息，从而可根据目标电压范围确定出对应的目标数据信息。
执行单元2222与所述查找单元2221连接，用于根据目标数据信息调节数据信号。
可根据目标数据信息生成新的数据信号，防止偏色和黑屏的发生。执行单元2222可与数据驱动电路连接，执行单元2222可通过数据驱动电路向数据信号端Data输入新的数据信号。
进一步的，如图4所示，处理电路22还可包括存储元件223和输出电路224，其中：
存储元件223用于存储参考电压范围，当然，还可上述的存储参考数据信息映射。存储元件223可以是RAM存储器(随机存取存储器)，其具体结构、容量和接口类型等在此不做特殊限定，只要能实现存储功能，并能被调用即可。当然，还可以是其它具有存储功能的电路或元件。
输出电路224连接于存储元件223与比较电路221之间，用于向比较电路221输出参考电压范围，还可输入数据信息映射。输出电路224的具体结构在此不做特殊限定。
如图4所示，为了便于控制处理电路22，处理电路22还可包括第四开关单元SW4和第五开关单元SW5，其中：
第四开关单元SW4的输入端与测试晶体管Mt的第二端耦接，输出端与比较电路221的输入端连接。第五开关单元SW5的输入端与第四开关单元SW4的输入端耦接，第五开关单元SW5的输出端与放电端GND3连接，放电端GND3可接地。
在第四开关单元SW4导通，且第一开关单元SW1导通时，比较电路221可获取测试晶体管Mt的第二端的检测电压。
在第四开关单元SW4关断，比较单元221不获取检测电压，此时，若第三开关单元SW3导通，且第五开关单元SW5导通时，储能单元Ct可向放电端GND3放电，即对测试晶体管Mt的第二端进行复位。
当遇到可能的温度过低的情况时，用于显示低灰阶图像的数据信号的电压较低，储能单元Ct存储的电荷量较少，可能无法达到处理电路222所能检测到的下限值，从而影响对数据信号的调节。为此，如图3所示，在本公开的一些实施方式中，检测电路2可包括至少两个采集电路21，并使各个采集电路21并联，从而得到多个并联的测试电容，可增大存储的电荷量，便于处理电路222检测。具体而言，各个采集电路21的测试晶体管Mt的第二端均与处理电路22连接，且各个测试晶体管Mt的控制端均与数据信号端Data连接，从而将各个采集电路21并联。
采集电路21的具体数量在此不做特殊限定，可以是两个、三个或更多，只要大于处理电路222所能检测到的下限值即可。
本公开提供一种驱动电路，用于显示面板，通过该驱动电路驱动发光元件OLED发光，如图2-图4所示，该驱动电路可包括像素电路1和上述任意实施方式的检测电路2，像素电路1和检测电路2的具体结构及工作原理均已在上文中进行了详细说明，在此不再赘述。
本公开实施方式提供一种显示面板，该显示面板可包括上述任意实施方式的驱动电路。驱动电路的具体结构和工作原理可参考上文中的实施方式，在此不再赘述。
在本公开的一些实施方式中，显示面板可包括驱动背板和设于驱动背板上的发光元件，驱动背板可包括硅基板和形成与硅基板的驱动电路，其中，像素开关单元SWp以及第一开关单元SW1-第五开关单元SW5均采用传输门，各个开关单元的晶体管的有源层、第一端和第二端均位于硅基板内，驱动晶体管Md和测试晶体管Mt可位于硅基板一侧，即位于各个开关单元一侧，并可采用过孔实现电连接。由此，可对驱动晶体管Md的结构专门设计，而不受硅基板内部尺寸的限制，以便获得更好的性能，而由于测试晶体管Mt的结构特性与驱动晶体管Md的结构特性相同，故二者采用相同的工艺。
如图5所示，显示面板100可具有显示区101和位于显示区101外的外围区102。像素电路1和发光元件OLED可阵列分布于显示区101内，检测电路2位于外围区102内。由于每个像素电路1均连接一检测电路2，检测电路2的数量较多，因此，在外围区102内，检测电路2可分布在显示区101的两侧。当然，也可采用其它分布方式。
为了便于检测环境温度，以便确定检测电路2的工作时机，如图6所示，显示面板还可包括温度检测装置110和温度处理电路120，其中：
温度检测装置110可用于驱动电路所处的环境的温度，得到检测温度。温度检测装置110可以是温度传感器，其具体位置和类型在此不做特殊限定。
温度处理电路120与温度检测装置110连接，用于接收检测温度，并将检测温度与阈值范围进行比较。在检测温度位于阈值范围以外时，控制像素开关单元SWp关断，并输出检测信号，检测电路2收到该检测信号后，可调节数据信号。也就是说，检测电路2可仅在驱动电路所处的环境的温度过高或过低时调节数据信号，调节的具体原理可参考上文中检测电路2的实施方式，在此不再赘述。
本公开还提供一种显示面板的驱动方法，显示面板的具体结构已在上文中进行了详细说明，可参考上文中的各实施方式，在此不再赘述。
如图7所示，本公开的驱动方法可包括：
在显示阶段T1，导通像素开关单元SWp，关断第一开关单元SW1。
显示阶段T1内，像素电路1接收数据信号，检测电路2不对测试晶体管Mt的第二端的电压进行检测。
在检测阶段T2，关断像素开关单元SWp和第三开关单元SW3，导通第一开关单元SW1和第二开关单元SW2。
在接收到检测信号test后，驱动电路进入检测阶段T2，此时像素电路1不再接收数据信号，检测电路2接收数据信号，并向储能元件Ct充电。
在调节阶段T3，导通第三开关单元SW3，关断像素开关单元SWp和第一开关单元SW1；通过处理电路22检测测试晶体管Mt的第二端的电压，作为检测电压，并根据检测电压调节数据信号。
进一步的，本公开的驱动方法还可包括：
在调节阶段T3，导通第二开关单元SW2和第四开关单元SW4，关断第五开关单元SW5。
在放电阶段T4，导通第二开关单元SW2、第三开关单元SW3和第五开关单元SW5，关断第一开关单元SW1和第四开关单元SW4，使测测试电容Mt向放电端GND3放电。
在图7中，各个开关单元为高电平时导通，低电平时关断，但图7仅示意性示出了各个开关单元的时序，并不限定为实际驱动信号的具体波形。本领域技术人员可以知晓的是，若各个开关单元为传输门或其它电路，则驱动信号可能发射相应的变化，但各个开关单元导通和关断的顺序仍符合图7中的时序。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中驱动方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (17)

1.一种检测电路，用于像素电路，其特征在于，所述像素电路包括驱动晶体管和像素开关单元，所述像素开关单元连接于所述驱动晶体管的控制端与数据信号端之间，所述数据信号端用于提供数据信号；所述检测电路包括：
采集电路，包括测试晶体管和储能元件，所述测试晶体管的控制端用于与所述数据信号端耦接，第一端用于写入检测信号，第二端与所述储能元件耦接；所述测试晶体管的结构特性与所述驱动晶体管的结构特性相同；
处理电路，与所述测试晶体管的第二端耦接，用于检测所述测试晶体管的第二端的电压，作为检测电压，并根据所述检测电压调节所述数据信号。
2.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述测试晶体管的第一端和控制端连接，所述检测信号为所述数据信号。
3.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述采集电路还包括：
第一开关单元，连接于所述测试晶体管的控制端和所述数据信号端之间；
第二开关单元，连接于所述测试晶体管的第二端与所述储能元件之间；
第三开关单元，连接于所述测试晶体管的第二端和所述处理电路之间。
4.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述像素电路还包括：
存储电容，连接于所述数据信号端与所述驱动晶体管的控制端和第一电位端之间；
所述储能元件包括：
测试电容，耦接于所述测试晶体管的第二端与第二电位端之间。
5.根据权利要求4所述的检测电路，其特征在于，所述第一电位端和所述第二电位端的电位相同。
6.根据权利要求1所述的检测电路，其特征在于，所述处理电路包括：
比较电路，所述比较电路的输入端与所述测试晶体管的第二端耦接，用于在多个参考电压范围内确定所述检测电压所处的参考电压范围，作为目标电压范围；
调节电路，与所述比较电路的输出端连接，用于根据所述目标电压范围调节所述数据信号。
7.根据权利要求6所述的检测电路，其特征在于，所述调节电路包括：
查找单元，用于根据所述目标电压范围在预设的参考数据信息映射中查找对应于所述目标电压范围的参考数据信息作为目标数据信息；
执行单元，用于根据所述目标数据信息调节所述数据信号。
8.根据权利要求6所述的检测电路，其特征在于，所述处理电路还包括：
存储元件，用于存储所述参考电压范围；
输出电路，连接于所述存储元件与所述比较电路之间，用于向所述比较电路输出所述参考电压范围。
9.根据权利要求6所述的检测电路，其特征在于，所述处理电路还包括：
第四开关单元，耦接于所述测试晶体管的第二端和所述比较电路的输入端之间；
第五开关单元，耦接于所述比较电路的输入端和放电端之间。
10.根据权利要求1-9任一项所述的检测电路，其特征在于，所述采集电路的数量至少有两个，各个所述采集电路的所述测试晶体管的第二端均与所述处理电路连接，且各个所述测试晶体管的控制端均与所述数据信号端连接。
11.一种驱动电路，其特征在于，包括：
像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管和像素开关单元，所述像素开关单元连接于所述驱动晶体管的控制端与数据信号端之间，所述数据信号端用于提供数据信号；
权利要求1-10任一项所述检测电路。
12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求11所述的驱动电路。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板具有显示区和位于所述显示区外的外围区；
所述像素电路位于所述显示区，所述检测电路位于所述外围区。
14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
温度检测装置，用于检测所述驱动电路所处环境的温度，得到检测温度；
温度处理电路，用于在所述检测温度位于阈值范围以外时，控制所述像素开关单元关断，并通过所述检测电路调节所述数据信号。
15.一种显示面板的驱动方法，其特征在于，所述显示面板包括：
驱动电路，所述驱动电路包括权利要求3所述的像素电路和检测电路；
所述驱动方法包括：
在显示阶段，导通所述像素开关单元，关断所述第一开关单元；
在检测阶段，关断所述像素开关单元和所述第三开关单元，导通所述第一开关单元和所述第二开关单元；
在调节阶段，导通所述第二开关单元和所述第三开关单元，关断所述像素开关单元和所述第一开关单元；通过所述处理电路检测所述测试晶体管的第二端的电压，作为检测电压，并根据所述检测电压调节所述数据信号。
16.根据权利要求15所述的驱动方法，其特征在于，所述处理电路包括：
比较电路，所述比较电路的输入端与所述测试晶体管的第二端耦接，用于在多个参考电压范围内确定所述检测电压所处的参考电压范围，作为目标电压范围；
调节电路，与所述比较电路的输出端连接，用于根据所述目标电压范围调节所述数据信号；
第四开关单元，耦接于所述测试晶体管的第二端和所述比较电路的输入端之间；
第五开关单元，耦接于所述比较电路的输入端和放电端之间；
所述驱动方法还包括：
在所述调节阶段，导通所述第四开关单元，关断所述第五开关单元；
在放电阶段，导通所述第二开关单元、所述第三开关单元和所述第五开关单元，关断所述第一开关单元和所述第四开关单元，使所述储能元件向所述放电端放电。
17.根据权利要求15所述的驱动方法，其特征在于，所述显示面板还包括：
温度检测装置，用于检测所述驱动电路所处环境的温度，得到检测温度；
温度处理电路，用于在所述检测温度位于阈值范围以外时，控制所述像素开关单元关断，并向所述检测电路输出检测信号；
所述驱动方法还包括：
所述驱动电路在接收到所述检测信号后，进入所述检测阶段。
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