CN112928229A - 断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置 - Google Patents

断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置 Download PDF

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Abstract

本公开涉及显示技术领域,提供一种断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置。断线修复方法包括:提供一阵列基板,具有设置于底周边区的数据驱动电路、自数据驱动电路引出的经有效显示区延伸至顶周边区的多条数据线、自数据驱动电路引出的沿侧周边区和顶周边区延伸的修复线;检测阵列基板的各数据线,确定断线数据线;在顶周边区,激光焊接断线数据线的与修复线的交叉位置,使断线数据线与修复线熔接;在顶周边区,靠近交叉位置处断开修复线,形成自数据驱动电路接通断线数据线的修复段,断线数据线断开的两段分别自数据驱动电路、以及数据驱动电路和修复段导入信号。本公开可以实现断线数据线的高修复成功率和修复后的小电阻‑电容负载。

Description

断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置。
背景技术
有源矩阵显示装置在生产过程中,由于半导体工艺的限制,产品良率会受到影响。例如,在高分辨率的工艺中,数据线断开的现象越来越严重。
激光修复可被用于修复断开的数据线,以改善产量损失。现有的修复方案通常对数据线断开处直接焊接,存在着修复成功率和产品负载无法两全的问题。
具体来说,在有源矩阵显示装置中,数据线所在的金属层与修复线所在的金属层之间设有绝缘层,该绝缘层的厚度会影响修复成功率和修复后的电阻-电容负载。若数据线断开在绝缘层较厚的区域,在该处进行激光修复的成功率低,但修复成功后电阻-电容负载小,对产品影响小;若数据线断开在绝缘层较薄的区域,在该处进行激光修复的成功率高,但同时导致修复成功后电阻-电容负载大,影响产品运行。
需要说明的是,在上述背景技术部分申请的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
有鉴于此,本公开提供一种断线修复方法、阵列基板和有源矩阵显示装置,实现断线数据线的高修复成功率和修复后的小电阻-电容负载。
本公开的第一方面提供一种断线修复方法包括:提供一阵列基板,所述阵列基板包括有效显示区和合围所述有效显示区的底周边区、侧周边区和顶周边区,所述阵列基板具有设置于所述底周边区的数据驱动电路、自所述数据驱动电路引出的经所述有效显示区延伸至所述顶周边区的多条数据线、以及自所述数据驱动电路引出的沿所述侧周边区和所述顶周边区延伸的修复线;检测所述阵列基板的各所述数据线,确定断线数据线;在所述顶周边区,激光焊接所述断线数据线与所述修复线的交叉位置,使所述断线数据线与所述修复线熔接;以及在所述顶周边区,靠近所述交叉位置处断开所述修复线,形成自所述数据驱动电路引出并沿一第一侧周边区和部分所述顶周边区延伸至接通所述断线数据线的修复段,所述断线数据线断开的两段中,第一段自所述数据驱动电路导入信号,第二段自所述数据驱动电路和所述修复段导入信号。
在一个实施例中,所述断线修复方法还包括:在所述顶周边区,激光切割位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段的交叉位置,使位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段断开。
在一个实施例中,所述阵列基板的所有所述数据线以多条所述数据线为一组,形成多组数据线组;在所述顶周边区,每组所述数据线组中各所述数据线通过公共接线连接所述修复线;以及,激光切割位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组的公共接线,使位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组中的各所述数据线与所述修复段断开。
在一个实施例中,所述激光焊接所述断线数据线与所述修复线的交叉位置的步骤中,在所述断线数据线与所述修复线的交叉位置设置两个以上激光焊接点,且所有所述激光焊接点均位于所述顶周边区。
在一个实施例中,在所述顶周边区,所述阵列基板包括依次叠置的衬底基板、第一金属层、中间绝缘层和第二金属层,所述修复线设置于所述第一金属层,各所述数据线设置于所述第二金属层。
本公开的第二方面提供一种阵列基板,包括:有效显示区和合围所述有效显示区的底周边区、侧周边区和顶周边区;数据驱动电路,设置于所述底周边区;多条数据线,分别自所述数据驱动电路引出并经所述有效显示区延伸至所述顶周边区,所述多条数据线中包括至少一条断线数据线;修复线,自所述数据驱动电路引出并沿所述侧周边区和所述顶周边区延伸;以及激光焊接点,设置于所述断线数据线与所述修复线的交叉位置,且位于所述顶周边区,所述断线数据线通过所述激光焊接点与所述修复线熔接;在所述顶周边区,所述修复线靠近所述交叉位置处断开,形成自所述数据驱动电路引出并沿一第一侧周边区和部分所述顶周边区延伸至接通所述断线数据线的修复段,所述断线数据线断开的两段中,第一段自所述数据驱动电路导入信号,第二段自所述数据驱动电路和所述修复段导入信号。
在一个实施例中,所述阵列基板还包括:激光切割点,设置于位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段的交叉位置、且位于所述顶周边区,位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段断开。
在一个实施例中,所述阵列基板的所有所述数据线以多条所述数据线为一组,形成多组数据线组;在所述顶周边区,每组所述数据线组中各所述数据线通过公共接线连接所述修复线;以及,所述激光切割点设置于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组的公共接线上,位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组中的各所述数据线与所述修复段断开。
在一个实施例中,所述断线数据线与所述修复线的交叉位置设置有两个以上激光焊接点,且所有所述激光焊接点均位于所述顶周边区。
在一个实施例中,在所述顶周边区,所述阵列基板包括依次叠置的衬底基板、第一金属层、中间绝缘层和第二金属层,所述修复线设置于所述第一金属层,各所述数据线设置于所述第二金属层。
本公开的第三方面提供一种有源矩阵显示装置,所述有源矩阵显示装置包括上述任意实施例所述的阵列基板。
本公开与现有技术相比的有益效果至少包括:
修复线沿周边区延伸,在周边区进行激光焊接对断线数据线进行修复,成功率高,且不会影响有效显示区;通过在断线数据线与修复线的交叉位置附近断开修复线,一方面降低修复线与其他数据线的耦合,另一方面修复线可用于修复其他断开的数据线;通过激光切割、设置两个以上激光焊接点等方式,实现降低修复后的电阻-电容负载。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出本公开实施例中断线修复方法的步骤流程图;
图2示出本公开一实施例中阵列基板的俯视示意图;
图3示出图2所示实施例中激光焊接的剖视示意图;
图4示出图2所示实施例中激光切割的剖视示意图;
图5示出图2所示实施例中断线数据线修复后的剖视示意图;
图6示出本公开另一实施例中阵列基板的俯视示意图;以及
图7示出图6所示实施例中激光焊接的剖视示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。相反,提供这些实施方式使得本公开将全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。
图1示出实施例中断线修复方法的主要步骤,参照图1所示,本实施例中断线修复方法包括:S10、提供一阵列基板,阵列基板包括有效显示区和合围有效显示区的底周边区、侧周边区和顶周边区,阵列基板具有设置于底周边区的数据驱动电路、自数据驱动电路引出的经有效显示区延伸至顶周边区的多条数据线、以及自数据驱动电路引出的沿侧周边区和顶周边区延伸的修复线;S20、检测阵列基板的各数据线,确定断线数据线;S30、在顶周边区,激光焊接断线数据线与修复线的交叉位置,使断线数据线与修复线熔接;以及S40、在顶周边区,靠近交叉位置处断开修复线,形成自数据驱动电路引出并沿一第一侧周边区和部分顶周边区延伸至接通断线数据线的修复段,断线数据线断开的两段中,第一段自数据驱动电路导入信号,第二段自数据驱动电路和修复段导入信号。
本实施例的断线修复方法中修复线沿阵列基板的周边区延伸,对断线数据线的激光修复在周边区进行,周边区阵列基板的绝缘层较薄,激光修复成功率高,且不会影响有效显示区,保证产品功能稳定。通过在断线数据线与修复线的交叉位置附近断开修复线,一方面降低修复线与其他数据线的耦合,另一方面断开后修复线除修复段外的部分可用于修复其他断开的数据线,增加修复线的利用率。
图2示出实施例中阵列基板的俯视结构,参照图2所示,本实施例中阵列基板1包括有效显示区(Active Area)111和围绕有效显示区111一圈设置的底周边区112、侧周边区(包括第一侧周边区1131和第二侧周边区1132)和顶周边区114。有效显示区111内设置像素单元,像素单元由扫描线传递的扫描信号和数据线传递的数据信号驱动(本公开主要涉及数据线的断线修复,因此图2中未具体示出像素单元、扫描线等结构)。每条数据线121自设置于阵列基板1的底周边区112的数据驱动电路(Driver IC)12引出,受数据驱动电路12驱动控制,与有效显示区111内的一列像素单元连接,经有效显示区111竖直延伸至顶周边区114。修复线122设置于数据线121外围,自数据驱动电路12引出后沿侧周边区和顶周边区114延伸。图2中虚线“×”号标示的数据线是经检测后确定的断线数据线121’,虚线“×”号标示处指示该断线数据线121’的断点位置,位于有效显示区111内。该断线数据线121’被断点分成断开的两段,包括第一段121’a和第二段121’b。其中,第一段121’a与数据驱动电路12连接,仍可实现自数据驱动电路12导入信号以驱动与之连接的像素单元;而断开的第二段121’b无法导入数据驱动电路12的驱动信号,影响与之连接的像素单元的发光。因此,通过在顶周边区114激光焊接该断线数据线121’与修复线122的交叉位置,使该断线数据线121’的第二段121’b与修复线122熔接,从而该断线数据线121’的第二段121’b实现自数据驱动电路12和修复线122导入信号,以驱动与之连接的像素单元。激光焊接点13设置于断线数据线121’与修复线122的交叉位置处,位于顶周边区114,在顶周边区114进行激光焊接修复的成功率高,且不会影响有效显示区111。
进一步的,参照图2所示,在顶周边区114,修复线122延伸至接通断线数据线121’后断开,也即修复线122靠近与断线数据线121’的交叉位置处断开,设有一缺口122’,形成自数据驱动电路12引出并沿第一侧周边区1131和部分顶周边区114延伸至接通断线数据线121’的修复段1221。断线数据线121’断开的两段中,第一段121’a自数据驱动电路12导入信号,第二段121’b自数据驱动电路12和修复段1221导入信号。
为减小修复后的电阻-电容负载(Resistance and Capacitance Loading,即RC负载),在优选的实施方式中,断线修复方法还包括:在顶周边区,激光切割位于断线数据线与第一侧周边区之间的各数据线与修复段的交叉位置,使位于断线数据线与第一侧周边区之间的各数据线与修复段断开。激光切割可以防止其他数据线与修复线之间产生不必要的电容耦合,从而防止修复线和其上的像素驱动不足。通过多次激光切割操作,减小修复后的RC负载。修复后的寄生电容是激光切割点的数量的函数,修复后的寄生电容CP=CTOTAL/(n+1),其中CP是断线数据线修复后的寄生电容,CTOTAL是总寄生电容,n是激光切割点的数量。可见,通过激光切割可以降低RC负载。
激光切割一方面可以降低RC负载,另一方面,激光切割也会影响激光修复成功率。激光修复成功率PL1=P12*PC n,其中P12是激光焊接的成功率,PC是激光切割的成功率。P12、PC n的具体数值取决于工艺条件和激光设备条件。随着激光切割点的数量n增多,即随着激光切割的次数增多,激光修复成功率会受到影响。因此,在优选的实施方式中,将多条数据线作为一组实现与修复线切割。具体来说,阵列基板的所有数据线以多条数据线为一组,形成多组数据线组;在顶周边区,每组数据线组中各数据线通过公共接线连接修复线;激光切割时,切割位于断线数据线与第一侧周边区之间的各组数据线组的公共接线,使位于断线数据线与第一侧周边区之间的各组数据线组中的各数据线与修复段断开。
参照图2所示,示例性标示出第一组数据线组1211和第二组数据线组1212,每组数据线组中包括四条数据线121。第一组数据线组1211中每条数据线121通过第一公共接线12110连接修复线122的修复段1221,第一公共接线12110即位于第一组数据线组1211中各条数据线121与修复段1221的交叉位置处;第二组数据线组1212中每条数据线121通过第二公共接线12120连接修复线122的修复段1221,第二公共接线12120即位于第二组数据线组1212中各条数据线121与修复段1221的交叉位置处。激光切割时,激光切割点14的位置如第一公共接线12110和第二公共接线12120上的斜线所示,切割第一公共接线12110和第二公共接线12120,使第一组数据线组1211中的各数据线121和第二组数据线组1212中的各数据线121与修复段1221断开。从而,可以减少激光切割的次数,实现降低RC负载的同时提高激光修复的成功率。
图3示出上述实施例中激光焊接的剖视结构,图4示出上述实施例中激光切割的剖视结构,图5示出上述实施例中断线数据线修复后的剖视结构。结合图2至图5所示,在顶周边区114,阵列基板1包括依次叠置的衬底基板101、第一金属层102、中间绝缘层103和第二金属层104,其中修复线122设置于第一金属层102,各数据线121设置于第二金属层104。第一金属层102和第二金属层104可以由钼(Mo)等金属制成,中间绝缘层103可以由SiNX单层、SiO2单层、SiNX堆栈和SiO2堆栈等制成。激光焊接时,如图2和图3所示,激光焊接点13作用于设置于第二金属层104的断线数据线121’上,使断线数据线121’与设置于第一金属层102的修复线122熔接,形成图5所示的结构,图5中虚线圈示区域13’即激光焊接形成的熔接结构。激光切割时,如图2和图4所示,激光切割点14作用于设置于第二金属层104的数据线121上,使对应的数据线121的端部被切断,从而有无限的电阻,避免与修复线122耦合。
在一个实施例中,可以通过增加激光焊接的次数实现增大修复成功率并减小RC负载。图6示出该实施例中的阵列基板,图6所示的阵列基板1中与图2所示的阵列基本1的相同标号代表相同的部件和原理,因此不再重复介绍。本实施例中,在激光焊接断线数据线121’与修复线122的交叉位置的步骤中,在断线数据线121’与修复线122的交叉位置处设置两个以上激光焊接点(例如包括第一激光焊接点131和第二激光焊接点132),且所有激光焊接点均位于顶周边区114。为了减小总寄生电容,这些激光焊接点彼此紧密排列,以便实现激光操作的便利性。修复后的寄生电容CP=CTOTAL/m,其中CP是断线数据线修复后的寄生电容,CTOTAL是总寄生电容,m是激光焊接点的数量。在本实施例中,设置两个激光焊接点,则修复后的寄生电容减小为原先的一半。可见,通过增加激光焊接次数,可以降低RC负载。
图7示出上述实施例中激光焊接的剖视结构,结合图6和图7所示,在顶周边区114,阵列基板1包括依次叠置的衬底基板101、第一金属层102、中间绝缘层103和第二金属层104,其中修复线122设置于第一金属层102,各数据线121设置于第二金属层104。激光焊接时,第一激光焊接点131和第二激光焊接点132作用于设置于第二金属层104的断线数据线121’上,优选覆盖在第二金属层104的边缘处,通过激光焊接使断线数据线121’与设置于第一金属层102的修复线122熔接,完成修复。
在其他实施例中,可以对断线数据线121’进行三次、四次甚至更多次激光焊接,以更大程度上减小修复后的寄生电容。另一方面,增加一次激光焊接,则修复成功率会受到影响,例如在两次激光焊接的实施例中,焊激光修复成功率PL2=P12 2,其中P12是激光焊接的成功率。因此在优选的实施例中,可以通过两次或三个激光焊接,实现降低RC负载的同时提高激光修复的成功率。
本公开实施例还提供一种阵列基板,包括有效显示区和合围有效显示区的底周边区、侧周边区和顶周边区;数据驱动电路,设置于底周边区;多条数据线,分别自数据驱动电路引出并经有效显示区延伸至顶周边区,多条数据线中包括至少一条断线数据线;修复线,自数据驱动电路引出并沿侧周边区和顶周边区延伸;以及激光焊接点,设置于断线数据线与修复线的交叉位置,且位于顶周边区,断线数据线通过激光焊接点与修复线熔接;在顶周边区,修复线靠近交叉位置处断开,形成自数据驱动电路引出并沿一第一侧周边区和部分顶周边区延伸至接通断线数据线的修复段,断线数据线断开的两段中,第一段自数据驱动电路导入信号,第二段自数据驱动电路和修复线导入信号。该阵列基板的断线数据线可以通过上述任意实施例介绍的断线修复方法进行修复。
在一个实施例中,该阵列基板的结构可以参照图2所示,在阵列基板1的顶周边区114,修复线122延伸至接通断线数据线121’后断开,形成自数据驱动电路12引出并沿第一侧周边区1131和部分顶周边区114延伸至接通断线数据线121’的修复段1221。进一步的,阵列基板1还设置有激光切割14,设置于位于断线数据线121’与第一侧周边区1131之间的各数据线121与修复线122的交叉位置处、且位于顶周边区114,位于断线数据线121’与第一侧周边区1131之间的各数据线121与修复段1221断开。在优选的实施方式中,阵列基板1的所有数据线121以多条数据线为一组,形成多组数据线组,例如包括位于断线数据线121’与第一侧周边区1131之间的第一组数据线组1211和第二组数据线组1212。在顶周边区114,第一组数据线组1211和第二组数据线组1212中各数据线121分别通过第一公共接线12110和第二公共接线12120连接修复线122的修复段1221。激光切割点14设置于第一公共接线12110和第二公共接线12120上,使位于断线数据线121’与第一侧周边区1131之间的第一组数据线组1211和第二组数据线组1212中的各数据线121与修复段1221断开。本实施例的阵列基板1通过激光焊接和激光切割相结合,实现实现降低RC负载的同时提高激光修复的成功率。
在一个实施例中,参照图6所示的阵列基板1,断线数据线121’与修复线122的交叉位置处设置有两个以上激光焊接点,例如包括第一激光焊接点131和第二激光焊接点132,且所有激光焊接点均位于顶周边区114。本实施例的阵列基板1通过多次激光焊接,实现降低RC负载的同时提高激光修复的成功率。
阵列基板的其余结构和原理,与上述断线修复方法中介绍的一致,因此不再重复说明。
本公开实施例还提供一种有源矩阵显示装置,例如有源矩阵有机发光二极体(AM-OLED)或有源液晶显示器(AM-LCD),该有源矩阵显示装置包括上述任意实施例介绍的阵列基板,并通过上述任意实施例介绍的断线修复方法进行断线数据线的修复,以实现降低RC负载的同时提高激光修复的成功率,修复后产品功能稳定,可靠性高。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本公开所作的进一步详细说明,不能认定本公开的具体实施只局限于这些说明。对于本公开所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本公开构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本公开的保护范围。

Claims (11)

1.一种断线修复方法,其特征在于,包括:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括有效显示区和合围所述有效显示区的底周边区、侧周边区和顶周边区,所述阵列基板具有设置于所述底周边区的数据驱动电路、自所述数据驱动电路引出的经所述有效显示区延伸至所述顶周边区的多条数据线、以及自所述数据驱动电路引出的沿所述侧周边区和所述顶周边区延伸的修复线;
检测所述阵列基板的各所述数据线,确定断线数据线;
在所述顶周边区,激光焊接所述断线数据线与所述修复线的交叉位置,使所述断线数据线与所述修复线熔接;
在所述顶周边区,靠近所述交叉位置处断开所述修复线,形成自所述数据驱动电路引出并沿一第一侧周边区和部分所述顶周边区延伸至接通所述断线数据线的修复段,所述断线数据线断开的两段中,第一段自所述数据驱动电路导入信号,第二段自所述数据驱动电路和所述修复段导入信号。
2.如权利要求1所述的断线修复方法,其特征在于,还包括:
在所述顶周边区,激光切割位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段的交叉位置,使位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段断开。
3.如权利要求2所述的断线修复方法,其特征在于,所述阵列基板的所有所述数据线以多条所述数据线为一组,形成多组数据线组;
在所述顶周边区,每组所述数据线组中各所述数据线通过公共接线连接所述修复线;以及
激光切割位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组的公共接线,使位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组中的各所述数据线与所述修复段断开。
4.如权利要求1所述的断线修复方法,其特征在于,所述激光焊接所述断线数据线与所述修复线的交叉位置的步骤中,在所述断线数据线与所述修复线的交叉位置设置两个以上激光焊接点,且所有所述激光焊接点均位于所述顶周边区。
5.如权利要求1所述的断线修复方法,其特征在于,在所述顶周边区,所述阵列基板包括依次叠置的衬底基板、第一金属层、中间绝缘层和第二金属层,所述修复线设置于所述第一金属层,各所述数据线设置于所述第二金属层。
6.一种阵列基板,其特征在于,包括:
有效显示区和合围所述有效显示区的底周边区、侧周边区和顶周边区;
数据驱动电路,设置于所述底周边区;
多条数据线,分别自所述数据驱动电路引出并经所述有效显示区延伸至所述顶周边区,所述多条数据线中包括至少一条断线数据线;
修复线,自所述数据驱动电路引出并沿所述侧周边区和所述顶周边区延伸;以及
激光焊接点,设置于所述断线数据线与所述修复线的交叉位置,且位于所述顶周边区,所述断线数据线通过所述激光焊接点与所述修复线熔接;
在所述顶周边区,所述修复线靠近所述交叉位置处断开,形成自所述数据驱动电路引出并沿一第一侧周边区和部分所述顶周边区延伸至接通所述断线数据线的修复段,所述断线数据线断开的两段中,第一段自所述数据驱动电路导入信号,第二段自所述数据驱动电路和所述修复段导入信号。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
激光切割点,设置于位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段的交叉位置、且位于所述顶周边区,位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各所述数据线与所述修复段断开。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板的所有所述数据线以多条所述数据线为一组,形成多组数据线组;
在所述顶周边区,每组所述数据线组中各所述数据线通过公共接线连接所述修复线;以及
所述激光切割点设置于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组的公共接线上,位于所述断线数据线与所述第一侧周边区之间的各组所述数据线组中的各所述数据线与所述修复段断开。
9.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述断线数据线与所述修复线的交叉位置设置有两个以上激光焊接点,且所有所述激光焊接点均位于所述顶周边区。
10.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在所述顶周边区,所述阵列基板包括依次叠置的衬底基板、第一金属层、中间绝缘层和第二金属层,所述修复线设置于所述第一金属层,各所述数据线设置于所述第二金属层。
11.一种有源矩阵显示装置,其特征在于,所述有源矩阵显示装置包括如权利要求6-10任一项所述的阵列基板。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11475837B2 (en) * 2020-03-27 2022-10-18 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Silicon-based organic light-emitting diode display device and silicon-based organic light-emitting diode display method
CN113745194A (zh) * 2021-07-30 2021-12-03 惠科股份有限公司 一种显示面板、显示器及显示面板修复方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010005221A (ko) * 1999-06-30 2001-01-15 윤종용 수리선을 가지는 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
JP2004004287A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Fujitsu Display Technologies Corp アクティブマトリクス型液晶表示パネル
KR20060094198A (ko) * 2005-02-23 2006-08-29 삼성전자주식회사 표시장치
CN101211026A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 三星电子株式会社 显示器基板、包括该基板的液晶显示设备及其修补方法
US20090021665A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Au Optronics Corp. Active array substrate for flat panel display
CN102929050A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板、面板和显示装置
CN103869513A (zh) * 2014-03-31 2014-06-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其线修复方法
CN106094293A (zh) * 2016-08-18 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其修复方法及显示装置
CN106297646A (zh) * 2015-05-20 2017-01-04 上海和辉光电有限公司 一种阵列基板及其修复方法
CN207408719U (zh) * 2017-10-31 2018-05-25 信利半导体有限公司 一种易修复的阵列基板
US20190324334A1 (en) * 2018-04-20 2019-10-24 Century Technology (Shenzhen) Corporation Limited Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2712764B2 (ja) * 1990-06-08 1998-02-16 三菱電機株式会社 マトリクス型液晶表示装置
CN101592797A (zh) * 2008-05-27 2009-12-02 上海广电Nec液晶显示器有限公司 液晶显示装置及修复方法
US8264631B2 (en) * 2009-11-11 2012-09-11 Au Optronics Corporation Common repair structures for close bus in a liquid crystal display

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010005221A (ko) * 1999-06-30 2001-01-15 윤종용 수리선을 가지는 액정 표시 장치 및 그 수리 방법
JP2004004287A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Fujitsu Display Technologies Corp アクティブマトリクス型液晶表示パネル
KR20060094198A (ko) * 2005-02-23 2006-08-29 삼성전자주식회사 표시장치
CN101211026A (zh) * 2006-12-27 2008-07-02 三星电子株式会社 显示器基板、包括该基板的液晶显示设备及其修补方法
US20090021665A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Au Optronics Corp. Active array substrate for flat panel display
CN102929050A (zh) * 2012-10-31 2013-02-13 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板、面板和显示装置
CN103869513A (zh) * 2014-03-31 2014-06-18 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种液晶显示面板及其线修复方法
CN106297646A (zh) * 2015-05-20 2017-01-04 上海和辉光电有限公司 一种阵列基板及其修复方法
CN106094293A (zh) * 2016-08-18 2016-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其修复方法及显示装置
CN207408719U (zh) * 2017-10-31 2018-05-25 信利半导体有限公司 一种易修复的阵列基板
US20190324334A1 (en) * 2018-04-20 2019-10-24 Century Technology (Shenzhen) Corporation Limited Thin film transistor substrate and liquid crystal display panel

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