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一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法，其结构包括活动道、衔接操作头、离子校对输出口、护环，活动道安装于衔接操作头内部，离子校对输出口包括校对口杆、直射道、完整卡扣、灵活压球、整体囊、隔层、定向顶杆，当离子注入口受到损坏时，其前者将会掉落，后者主杆将会往下滑动，由空格受力将其回力镖撑开，其滑润层辅助其边角往两侧滑动，当回力镖被撑开的同时，折弯限向杆将会被挤压，其卡勾与固定柱之间的定位，其顶壳将对整体囊进行推动，整体囊内部的外压弧将受到力，使其能够顶在新的主杆表面，对其进行固定，能够在离子校对直射的口受到损坏时，及时的补上备用，以防操作的过程中有所失误，这次操作结束后在对其进行检修。

Description

一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法
本申请是申请日为2019年4月23日，申请号为CN201910326226.3的发明名称为一种用于晶圆生产离子注入的控制装置的分案申请。
技术领域
本发明属于半导体领域，更具体地说，尤其是涉及到一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法。
背景技术
晶圆生产的过程中有一步程序是需要将离子注入，其离子是通过内部加速后，位于垂直方向通过输出口对照相对应的位置，直射于晶圆表面上，在持续下序的变化，其离子在加速直射的过程中会产生一定的热量。
基于上述本发明人发现，现有的晶圆生产离子注入控制装置主要存在以下几点不足，比如：
由于离子注入直射存在有一定的热度，当长时间通过聚焦的输出口快速输出时，输出口会有所损坏，从而容易造成离子输出时分散，难以直射到相对应的位置。
因此需要提出一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法。
发明内容
为了解决上述技术由于离子注入直射存在有一定的热度，当长时间通过聚焦的输出口快速输出时，输出口会有所损坏，从而容易造成离子输出时分散，难以直射到相对应的位置的问题。
本发明一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法的目的与功效，由以下具体技术手段所达成：
其结构包括活动道、衔接操作头、离子校对输出口、护环。
所述活动道安装于衔接操作头内部，所述衔接操作头底端与离子校对输出口顶端相连接，所述护环嵌套于离子校对输出口外表面且位于同一轴心上。
所述离子校对输出口包括校对口杆、直射道、完整卡扣、灵活压球、整体囊、隔层、定向顶杆，所述校对口杆位于直射道左右两侧，所述完整卡扣与隔层为一体化结构，所述灵活压球位于整体囊内部，所述定向顶杆设有两个。
作为本发明的进一步改进，所述校对口杆包括重力倾向块、顺滑层、卡位槽、耐磨底、缓冲角、主杆，所述重力倾向块安装于主杆内部，所述顺滑层与主杆为一体化结构，所述卡位槽安装于缓冲角与耐磨底之间，所述重力倾向块呈水滴状结构。
作为本发明的进一步改进，所述缓冲角包括滑润层、缓冲球、回折条、回力镖、空格，所述滑润层设有两个，所述缓冲球与回力镖相连接，所述回折条位于回力镖外表面，所述回折条安装于空格内部，所述缓冲球为球体结构，所述回折条设有两个。
作为本发明的进一步改进，所述回折条包括软条、耐压夹角、折弯限向杆，所述折弯限向杆安装于软条内部，所述耐压夹角嵌入于软条内部，所述折弯限向杆设有两个。
作为本发明的进一步改进，所述定向顶杆包括顶壳、稳定三角、固定柱、卡勾、稳固杆，所述顶壳与稳固杆相连接，所述稳定三角嵌入于稳固杆内部，所述卡勾卡于固定柱内部，所述固定柱呈圆柱体结构。
作为本发明的进一步改进，所述稳定三角包括三角条、顶角、实芯，所述实芯嵌入于三角条内部，所述三角条与顶角相连接，所述三角条设有三个，所述实芯为圆柱体结构。
作为本发明的进一步改进，所述灵活压球包括中撑层、外压弧、内囊、限位角，所述限位角安装于中撑层内壁，所述内囊位于限位角内部，所述中撑层远离限位角的一端与外压弧相连接，所述限位角呈圆形均匀分布，所述外压弧为半弧形结构。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
当离子注入口受到损坏时，其前者将会掉落，后者主杆将会往下滑动，由空格受力将其回力镖撑开，其滑润层辅助其边角往两侧滑动，当回力镖被撑开的同时，折弯限向杆将会被挤压，其卡勾与固定柱之间的定位，其顶壳将对整体囊进行推动，整体囊内部的外压弧将受到力，使其能够顶在新的主杆表面，对其进行固定，能够在离子校对直射的口受到损坏时，及时的补上备用，以防操作的过程中有所失误，这次操作结束后在对其进行检修。
附图说明
图1为本发明一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法的结构示意图。
图2为本发明一种离子校对输出口的正视内部结构示意图。
图3为本发明一种校对口杆的正视内部结构示意图。
图4为本发明一种缓冲角的正视内部结构示意图。
图5为本发明一种回折条的正视内部结构示意图。
图6为本发明一种定向顶杆的正视内部结构示意图。
图7为本发明一种稳定三角的正视内部结构示意图。
图8为本发明一种灵活压球的正视内部结构示意图。
图中：活动道-1、衔接操作头-2、离子校对输出口-3、护环-4、校对口杆-31、直射道-32、完整卡扣-33、灵活压球-34、整体囊-35、隔层-36、定向顶杆-37、重力倾向块-311、顺滑层-312、卡位槽-313、耐磨底-314、缓冲角-315、主杆-316、滑润层-3151、缓冲球-3152、回折条-3153、回力镖-3154、空格-3155、软条-31531、耐压夹角-31532、折弯限向杆-31533、顶壳-371、稳定三角-372、固定柱-373、卡勾-374、稳固杆-375、三角条-3721、顶角-3722、实芯-3723、中撑层-341、外压弧-342、内囊-343、限位角-344。
具体实施方式
以下结合附图对本发明做进一步描述：
实施例：
如附图1至附图8所示：
本发明提供一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法，其结构包括活动道1、衔接操作头2、离子校对输出口3、护环4。
所述活动道1安装于衔接操作头2内部，所述衔接操作头2底端与离子校对输出口3顶端相连接，所述护环4嵌套于离子校对输出口3外表面且位于同一轴心上。
所述离子校对输出口3包括校对口杆31、直射道32、完整卡扣33、灵活压球34、整体囊35、隔层36、定向顶杆37，所述校对口杆31位于直射道32左右两侧，所述完整卡扣33与隔层36为一体化结构，所述灵活压球34位于整体囊35内部，所述定向顶杆37设有两个。
其中，所述校对口杆31包括重力倾向块311、顺滑层312、卡位槽313、耐磨底314、缓冲角315、主杆316，所述重力倾向块311安装于主杆316内部，所述顺滑层312与主杆316为一体化结构，所述卡位槽313安装于缓冲角315与耐磨底314之间，所述重力倾向块311呈水滴状结构，所述重力倾向块311能够控制该零件的整体重心与倾向，缓冲角315能够对外界物体撞击时及时的得到缓冲，耐磨底314能够让零件与外界物体产生更大的摩擦。
其中，所述缓冲角315包括滑润层3151、缓冲球3152、回折条3153、回力镖3154、空格3155，所述滑润层3151设有两个，所述缓冲球3152与回力镖3154相连接，所述回折条3153位于回力镖3154外表面，所述回折条3153安装于空格3155内部，所述缓冲球3152为球体结构，所述回折条3153设有两个，所述回力镖3154能在连接的物体之间失去阻力时，带动其回位，滑润层3151能够辅助连接在一起的部位顺利的移动，缓冲球3152对弯曲的物体加大防护面，回折条3153能够有效的助力弯曲效果。
其中，所述回折条3153包括软条31531、耐压夹角31532、折弯限向杆31533，所述折弯限向杆31533安装于软条31531内部，所述耐压夹角31532嵌入于软条31531内部，所述折弯限向杆31533设有两个，所述折弯限向杆31533之间的角会成为受力弯曲的角，耐压夹角31532能够在物体弯曲之间增加缓冲。
其中，所述定向顶杆37包括顶壳371、稳定三角372、固定柱373、卡勾374、稳固杆375，所述顶壳371与稳固杆375相连接，所述稳定三角372嵌入于稳固杆375内部，所述卡勾374卡于固定柱373内部，所述固定柱373呈圆柱体结构，所述卡勾374能够将连接一起的零件通过固定柱373卡住不动，稳定三角372三角能够更稳当的辅助稳固杆375受力。
其中，所述稳定三角372包括三角条3721、顶角3722、实芯3723，所述实芯3723嵌入于三角条3721内部，所述三角条3721与顶角3722相连接，所述三角条3721设有三个，所述实芯3723为圆柱体结构，所述三角条3721呈三角分布是更为稳固的效果，由实芯3723对其进行辅助支撑。
其中，所述灵活压球34包括中撑层341、外压弧342、内囊343、限位角344，所述限位角344安装于中撑层341内壁，所述内囊343位于限位角344内部，所述中撑层341远离限位角344的一端与外压弧342相连接，所述限位角344呈圆形均匀分布，所述外压弧342为半弧形结构，所述限位角344能够限制内囊343被挤压的最底位置，外压弧342能够对外界物体增大摩擦，使其受力更为容易，中撑层341用来传递内部与外部的力。
本实施例的具体使用方式与作用：
本发明中，当离子注入口受到损坏时，其前者将会掉落，后者主杆316将会往下滑动，使其卡位槽313卡于完整卡扣33上，其卡入的一瞬间，由空格3155受力将其回力镖3154撑开，其滑润层3151辅助其边角往两侧滑动，回力镖3154将被撑开，缓冲球3152对其进行防护，当回力镖3154被撑开的同时，折弯限向杆31533将会被挤压，对其耐压夹角31532进行压迫，形成一个弯曲角，其卡勾374与固定柱373之间的定位，让其稳固杆375推动顶壳371往右侧推动，由三角条3721对其进行巩固，其顶壳371将对整体囊35进行推动，整体囊35内部的外压弧342将受到力，通过中撑层341对其限位角344进行挤压推动，使其能够顶在新的主杆316表面，对其进行固定。
利用本发明所述技术方案，或本领域的技术人员在本发明技术方案的启发下，设计出类似的技术方案，而达到上述技术效果的，均是落入本发明的保护范围。

Claims (6)

1.一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其结构包括活动道(1)、衔接操作头(2)、离子校对输出口(3)、护环(4)，其特征在于：
所述活动道(1)安装于衔接操作头(2)内部，所述衔接操作头(2)底端与离子校对输出口(3)顶端相连接，所述护环(4)嵌套于离子校对输出口(3)外表面且位于同一轴心上；
所述离子校对输出口(3)包括校对口杆(31)、直射道(32)、完整卡扣(33)、灵活压球(34)、整体囊(35)、隔层(36)、定向顶杆(37)，所述校对口杆(31)位于直射道(32)左右两侧，所述完整卡扣(33)与隔层(36)为一体化结构，所述灵活压球(34)位于整体囊(35)内部，所述定向顶杆(37)设有两个；
所述校对口杆(31)包括重力倾向块(311)、顺滑层(312)、卡位槽(313)、耐磨底(314)、缓冲角(315)、主杆(316)，所述重力倾向块(311)安装于主杆(316)内部，所述顺滑层(312)与主杆(316)为一体化结构，所述卡位槽(313)安装于缓冲角(315)与耐磨底(314)之间。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其特征在于：所述缓冲角(315)包括滑润层(3151)、缓冲球(3152)、回折条(3153)、回力镖(3154)、空格(3155)，所述滑润层(3151)设有两个，所述缓冲球(3152)与回力镖(3154)相连接，所述回折条(3153)位于回力镖(3154)外表面，所述回折条(3153)安装于空格(3155)内部。
3.根据权利要求2所述的一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其特征在于：所述回折条(3153)包括软条(31531)、耐压夹角(31532)、折弯限向杆(31533)，所述折弯限向杆(31533)安装于软条(31531)内部，所述耐压夹角(31532)嵌入于软条(31531)内部。
4.据权利要求1所述的一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其特征在于：所述定向顶杆(37)包括顶壳(371)、稳定三角(372)、固定柱(373)、卡勾(374)、稳固杆(375)，所述顶壳(371)与稳固杆(375)相连接，所述稳定三角(372)嵌入于稳固杆(375)内部，所述卡勾(374)卡于固定柱(373)内部。
5.据权利要求4所述的一种用于晶圆生产离子注入的控制装置，其特征在于：所述稳定三角(372)包括三角条(3721)、顶角(3722)、实芯(3723)，所述实芯(3723)嵌入于三角条(3721)内部，所述三角条(3721)与顶角(3722)相连接。
6.根据权利要求1-5项中任一项所述的一种晶圆生产离子注入的控制系统及方法，其特征在于：
当离子注入口受到损坏时，其前者将会掉落，后者主杆(316)将会往下滑动，使其卡位槽(313)卡于完整卡扣(33)上，其卡入的一瞬间，由空格(3155)受力将其回力镖(3154)撑开，其滑润层(3151)辅助其边角往两侧滑动，回力镖(3154)将被撑开，缓冲球(3152)对其进行防护，当回力镖(3154)被撑开的同时，折弯限向杆(31533)将会被挤压，对其耐压夹角(31532)进行压迫，形成一个弯曲角，其卡勾(374)与固定柱(373)之间的定位，让其稳固杆(375)推动顶壳(371)往右侧推动，由三角条(3721)对其进行巩固，其顶壳(371)将对整体囊(35)进行推动，整体囊(35)内部的外压弧(342)将受到力，通过中撑层(341)对其限位角(344)进行挤压推动，使其能够顶在新的主杆(316)表面，对其进行固定。
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