CN112885962A - 一种电磁膜及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电磁膜及电子设备,电磁膜包括:所述载体层上开设有多个贯穿所述载体层的通孔,所述通孔供入射的电磁波通过;所述通孔内填充有相变材料,所述相变材料用于响应刺激源的输入,至少从第一状态转换为第二状态,从而改变电磁波的传播方向,能够实现电磁波的定向传输,或实现电磁波的发散功能,增大电磁波发射的空间范围,尽可能避免通信盲区。
Description
技术领域
本发明涉及通信设备技术领域,尤其涉及一种电磁膜及电子设备。
背景技术
电磁波通信是使用波长在0.1毫米至1米之间的电磁波进行的通信。该波长段电磁波所对应的频率范围是300MHz(0.3GHz)-3THz。与同轴电缆通信、光纤通信和卫星通信等现代通信网传输方式不同的是,电磁波通信是直接使用电磁波作为介质进行的通信,不需要固体介质,当两点间直线距离内无障碍时就可以使用电磁波传送。
电磁波通信因电磁波直线传输的特性而具有直线性,当用户未处于该规定的方向区域内,则无法接收到信号,造成通信盲区。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种电磁膜,电磁波通过该电磁膜后传播方向发生改变,使其沿指定方向传播,或向四周发散,增大电磁波发射的空间范围,尽可能避免通信盲区。
本发明的另一个目的在于提供一种电子设备,该设备可沿指定方向发射电磁波,或增大电磁波发射的空间范围。
第一方面,本发明实施例提供了一种电磁膜,该电磁膜包括载体层;
所述载体层上开设有多个贯穿所述载体层的通孔,所述通孔供入射的电磁波通过;
所述通孔内填充有相变材料,所述相变材料用于响应刺激源的输入,至少从第一状态转换为第二状态,从而改变电磁波的传播方向。
可选的,多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿预设方向呈现中间小、两边大的变化趋势,所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
可选的,多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿预设方向呈现中间大、两边小的变化趋势,所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
可选的,多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿预设方向递增或递减,所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
可选的,所述第一状态为非晶相,所述第二状态为至少部分结晶的相。
可选的,所述相变材料为硫族化合物材料。
可选的,电磁膜还包括凸起结构,设置于所述载体层的第一表面。
可选的,所述凸起结构包括多个凸部。
可选的,所述载体层的第一表面还设置有绝缘层,所述凸起结构伸入所述绝缘层。
可选的,电磁膜还包括连接层,所述连接层设置于所述载体层的第二表面,所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。
第二方面,本发明实施例还提供了一种电子设备,包括如本发明第一方面提供的电磁膜,还包括天线装置,所述天线装置的一表面与所述电磁膜连接。
本发明实施例提供的电磁膜,通过在载体层上开设有多个贯穿载体层的通孔,通孔内填充有相变材料,相变材料用于响应刺激源的输入,发生相变,至少从第一状态转换为第二状态,相变材料对电磁波的折射率发生改变,从而改变电磁波的传播方向,能够实现电磁波的定向传输,或实现电磁波的发散功能,增大电磁波发射的空间范围,尽可能避免通信盲区。
附图说明
下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。
图1为本发明实施例提供的一种电磁膜的剖视图;
图2为本发明实施例提供的另一种电磁膜的剖视图;
图3为本发明实施例提供的另一种电磁膜的剖视图;
图4为本发明实施例提供的电子设备的剖视图。
附图标记:
110、载体层;111、通孔;112、相变材料;120、载体层;121、通孔;122、相变材料;130、载体层;131、通孔;132、相变材料;200、绝缘层;300、第一凸起结构;301、凸部;400、连接层;500、第二凸起结构;10、电磁膜;20、天线装置;21、天线线路;22、基板;100、载体层;101、通孔;102、相变材料。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚,下面将结合附图对本发明实施例的技术方案作进一步的详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
本发明实施例提供了一种电磁膜,电磁膜包括载体层,载体层的材质可以是金属,示例性的,可以是铜、铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、银或金中的任意一种金属材料或两种及以上的合金材料。载体层上开设有多个贯穿载体层的通孔,所述通孔供入射的电磁波通过,通孔内填充有相变材料,相变材料用于响应刺激源的输入,至少从第一状态转换为第二状态,从而改变电磁波的传播方向。
一束电磁波入射到介质上后会向介质之中折射率大的地方偏折,本发明实施例中,相变材料响应于外界刺激源的输入,发生相变,至少从第一状态转换为第二状态,相变材料对电磁波的折射率发生改变,进而可以控制电磁波的传播方向,实现电磁波的定向传输,增大了电磁波发射的空间范围,尽可能避免通信盲区。
本发明实施例提供的电磁膜,通过在载体层上开设有多个贯穿载体层的通孔,通孔内填充有相变材料,相变材料用于响应刺激源的输入,相变材料发生相变,至少从第一状态转换为第二状态,相变材料对电磁波的折射率发生改变,从而改变电磁波的传播方向,能够实现电磁波的定向传输,或实现电磁波的发散功能,增大电磁波发射的空间范围,尽可能避免通信盲区。
为了使本领域技术人员能够更清楚地理解本发明的技术方案,下面结合具体附图对本实施例提供的掩膜组件进行具体说明:
图1为本发明实施例提供的一种电磁膜的剖视图,如图1所示,电磁膜包括载体层110,示例性的,载体层110的材质为铜。载体层110开设有多个贯穿载体层110的通孔111,通孔111供入射的电磁波通过。示例性的,多个通孔111可以呈阵列排布,具体的,多个通孔111沿载体层110表面的X方向和Y方向(图中未示出)呈阵列排布,其中X方向可以是载体层110的长度方向,Y方向可以是载体层110的宽度方向。示例性的,如图1所示,以通孔的横截面形状为圆形,与Z方向(垂直于载体层110的方向)垂直的任意截面截得的圆形的直径相同,即通孔111为圆柱形通孔为例,对本发明实施例进行说明。示例性的,各通孔111的直径相同。
通孔111内填充有相变材料112,相变材料112可以响应于外界刺激源的输入,相变材料112发生相变,从第一状态变为第二状态。示例性的,外界刺激源的输入可以是电信号(电流、电压)、热信号或光信号,第一状态可以是非晶相,第二状态可以是结晶相或部分结晶相。当相变材料112发生相变时,相变材料112对电磁波的折射率发生改变,从而可以通过控制外界刺激源的输入,控制每一个通孔111内的相变材料112的折射率。如图1所示,在该实施例中,控制外界刺激源的输入,使得通孔111内的相变材料112响应于外界刺激源的输入发生相变时,对电磁波的折射率沿X方向呈现中间小、两边大的变化趋势,使得电磁波在通过电磁膜后,在X方向上向两边发散,增大了电磁波发射的空间范围,尽可能避免通信盲区。
图2为本发明实施例提供的另一种电磁膜的剖视图,如图2所示,电磁膜包括载体层120,示例性的,载体层120的材质为铜。载体层120开设有多个贯穿载体层120的通孔121,示例性的,多个通孔121可以呈阵列排布,具体的,多个通孔121沿载体层120表面的X方向和Y方向呈阵列排布,其中X方向可以是载体层120的长度方向,Y方向可以是载体层120的宽度方向。示例性的,以通孔的横截面形状为圆形,与Z方向(垂直于载体层120的方向)垂直的任意截面截得的圆形的直径相同,即通孔121为圆柱形通孔为例,对本发明实施例进行说明。示例性的,各通孔121的直径相同。
通孔121内填充有相变材料122,相变材料122可以响应于外界刺激源的输入,发生相变,从第一状态变为第二状态。示例性的,外界刺激源的输入可以是电信号(电流、电压)、热信号或光信号,第一状态可以是非晶相,第二状态可以是结晶相或部分结晶相。当相变材料122发生相变时,相变材料122对电磁波的折射率发生改变,从而可以通过控制外界刺激源的输入,控制每一个通孔121内的相变材料122的折射率。如图2所示,在该实施例中,控制外界刺激源的输入,使得通孔121内的相变材料122响应于外界刺激源的输入发生相变时,对电磁波的折射率沿X方向呈现中间大、两边小的变化趋势,使得电磁波在通过电磁膜后,在X方向上向中间聚集,实现电磁波的定向传输。
图3为本发明实施例提供的另一种电磁膜的剖视图,如图3所示,电磁膜包括载体层130,示例性的,载体层130的材质为铜。载体层130开设有多个贯穿载体层130的通孔131,示例性的,多个通孔131可以呈阵列排布,具体的,多个通孔131沿载体层130表面的X方向和Y方向呈阵列排布,其中X方向可以是载体层130的长度方向,Y方向可以是载体层130的宽度方向。示例性的,以通孔的横截面形状为圆形,与Z方向(垂直于载体层130的方向)垂直的任意截面截得的圆形的直径相同,即通孔131为圆柱形通孔为例,对本发明实施例进行说明。示例性的,各通孔131的直径相同。
通孔131内填充有相变材料132,相变材料132可以响应于外界刺激源的输入,发生相变,从第一状态变为第二状态。示例性的,外界刺激源的输入可以是电信号(电流、电压)、热信号或光信号,第一状态可以是非晶相,第二状态可以是结晶相或部分结晶相。当相变材料132发生相变时,相变材料132对电磁波的折射率发生改变,从而可以通过控制外界刺激源的输入,控制每一个通孔131内的相变材料132的折射率。如图3所示,在该实施例中,控制外界刺激源的输入,使得各通孔131内的相变材料132响应于外界刺激源的输入发生相变时,对电磁波的折射率沿X的正方向呈现递增的变化趋势,使得电磁波在通过电磁膜后,向X的正方向上向中间聚集,实现电磁波的定向传输。
上述实施例中,以电磁波在通过电磁膜后向X方向的两边发散、向X方向的中间聚集或向X的正方向聚集为示例,对本发明进行说明,在其他实施例中,电磁波在通过电磁膜后的传播方向也可以呈现其他变化趋势,本发明在此不做限定。
上述实施例中,各通孔内的相变材料响应于外界刺激源的输入发生相变,对电磁波的折射率沿X方向呈现一定的变化趋势,可以是各通孔内的相变材料不同,响应于同一外界刺激源的输入发生相变,导致各通孔内的相变材料对电磁波的折射率沿X方向呈现一定的变化趋势;也可以是各通孔内的相变材料相同,各通孔内的相变材料的外界刺激输入不同,导致各通孔内的相变材料的相变程度不同,进而导致各通孔内的相变材料对电磁波的折射率沿X方向呈现一定的变化趋势。
上述实施例中,相变材料被配置为响应外界刺激源的输入而在第一状态和第二状态之间转换。在本发明另一实施例中,相变材料被配置为响应外界刺激源的输入而在第一状态、第二状态和第三状态之间转换。例如,相变材料可被配置为响应进一步的外部输入,从第二状态转换到第三状态,其中,第一状态可以是非晶相,第二状态可以是中间相,以及第三状态可以是水晶相。然而,在本发明其他实施例中,相变材料不限于上述三种状态。相变材料可被配置为响应外界刺激源的输入而在多种状态之间转换。
需要说明的是,上述实施例中,需要说明的是,上述实施例中,对通孔的横截面形状不做限定,可以是圆形,方形等规则形状,也可以是不规则的多边形;与Z方向垂直的任意截面,截得通孔的横截面的面积可以相同,也可以不相同,即沿Z方向,同一通孔的孔径可以不变,也可以变化,本发明实施例在此不做限定。在本发明的一些实施例中,为了便于通孔成型,通孔的横截面形状可以是圆形、正方形等规则的形状,与Z方向垂直的任意截面,截得通孔的横截面的面积相同。本实施例中的孔径指的是通孔的任意横截面的轮廓上任意两点的距离中的最大值。
上述实施例中,沿X方向上,所有通孔内的相变材料响应刺激源的输入发生相变,对电磁波的折射率沿X方向呈现一定的变化趋势。在本发明其他实施例中,也可以是沿X方向上,部分通孔内的相变材料响应刺激源的输入发生相变,对电磁波的折射率沿X方向呈现一定的变化趋势,本发明实施例在此不做限定。
在上述实施例中。相变材料可以为硫族化合物材料,示例性的,相变材料可以是Ge2Sb2Tb5(GST)。
在本发明的一些实施方案中,在上述实施例的基础上,如图1-图3所示,电磁膜还包括绝缘层200,绝缘层200覆盖设置于载体层的第一表面,绝缘层200具有绝缘和保护作用,防止电磁膜使用过程中,其载体层与其他外部的电子元件接触而出现短路的问题,也可以保护载体层在使用过程中免于破损。示例性的,绝缘层200采用PPS(Polyphenylenesulfide,聚苯硫醚)薄膜层、PEN(Polyethylene naphthalate two formic acid glycolester,聚萘二甲酸乙二醇酯)薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、环氧树脂油墨固化后形成的膜层、聚氨酯油墨固化后形成的膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层或者聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层中的任意一种。
示例性的,如图1-图3所示,在上述实施例的基础上,电磁膜还包括第一凸起结构300,第一凸起结构300设置于载体层的第一表面,第一凸起结构300伸入绝缘层200,提高载体层110与绝缘层200之间的连接可靠性,防止出现绝缘层200与载体层之间出现剥离脱落的情况。第一凸起结构300的高度小于绝缘层200的厚度,通过所述设计保证第一凸起结构300伸入绝缘层200内,但不伸出绝缘层200,以免绝缘层200失效。
示例性的,第一凸起结构300包括多个凸部301,提高载体层与绝缘层200之间的连接可靠性。相邻凸部301之间可以相连设置,也可以相互间隔设置。对于凸部301的尺寸本发明并不作具体限制,多个凸部301的尺寸可以相同,也可以不同。本发明的实施例中,第一凸起结构300的形状根据实际需要可具有多样性,可为规则的或不规则的立体几何形状,本发明实施例在此不做限定。在一些示例中,第一凸起结构300的形状为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种。例如,图1-图3的示例中,第一凸起结构300为不规则的曲面形状。
需要注意的是,当第一凸起结构300包括多个高度不一的凸部301时,此时的第一凸起结构300的高度指所有凸部301中的最高高度。示例性的,绝缘层200的厚度为1μm-25μm,第一凸起结构300的高度为0.1μm-15μm。
示例性的,如图1所示,当电磁膜用于发散电磁波时,第一凸起结构300优选采用金属材质的第一凸起结构300,当然,本发明对此并不作限制,能实现电磁波反射功能的材料均可适用于本发明,例如还可以采用合金材质的第一凸起结构300。当电磁波经过该第一凸起结构300时,则会发生漫反射,使得原先只定向传输的电磁波的运动路径产生了改变,经过漫反射产生了多个方向的传输路径,进一步扩大电磁波的发散范围。
在本发明其中一实施方案中,如图1所示,第一凸起结构300可以是设置于载体层110上的金属凸起。载体层110和第一凸起结构300采用相同的材料一体制成,可以提高两者的结合力,使得第一凸起结构300不易脱落,保证该电磁膜的使用寿命和稳定性。
为了便于本发明的电磁膜与其他部件的连接,如图1-图3所示,电磁膜还包括连接层400,连接层400设置于载体层的第二表面,第二表面为与第一表面相对的表面。示例性的,连接层400为胶膜层。通过设置胶膜层,可以使本实施例的电磁膜容易实现与其他部件的连接。示例性的,胶膜层所用材料选自以下材料中任意一种:环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸、改性橡胶、热塑性聚酰亚胺、改性热塑性聚酰亚胺、聚氨酯、聚丙烯酸酯、有机硅。
如图1-图3所示,载体层的第二表面还设置有伸入连接层400的第二凸起结构500,提高载体层与连接层400之间的连接可靠性,防止出现连接层400与载体层之间出现剥离脱落的情况。连接层400覆盖所有第二凸起结构500,因此,本实施例的第二凸起结构500的高度小于或等于连接层400的厚度。通过所述设计,保证第二凸起结构500伸入连接层400,但不伸出连接层400。需要说明的是,图1-图3中的第二凸起结构500的形状仅仅是示例性的,由于工艺手段及参数上的差异,各第二凸起结构500的形状为规则或不规则的立体几何状,比如,第二凸起结构500的形状可以为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种。本发明实施例中的第二凸起结构500并不受图示及上述形状的限制,只要是有利于改善连接层400与载体层之间的连接稳定性的第二凸起结构500,均在本发明的保护范围之内。多个第二凸起结构500的形状可以相同或不同,第二凸起结构500的尺寸也可以相同或不同,也就是说,多个第二凸起结构500的形状可以为尖角状、倒锥状、颗粒状、树枝状、柱状、块状中的一种或多种,并且,同样形状的多个第二凸起结构500的尺寸可不完全相同。另外,多个第二凸起结构500在载体层靠近连接层400的一侧连续或不连续地分布,例如,当多个第二凸起结构500的形状为尖角状且连续分布时,可形成规则的、周期性的齿纹状立体图案,或是不规则的、无序的齿纹状立体图案,当然,这里只是列举了其中一种情况,上述中的其他形状的组合也均在本申请的保护范围内,在此就不一一列举。
需要注意的是,多个第二凸起结构500可能高度不一,此时,第二凸起结构500的高度指所有第二凸起结构500的最高高度。连接层400的外表面以及载体层的表面可以为无起伏的平面,也可以为平缓起伏的非平面,本发明实施例对此并不做限定。
在本发明的一些实施例中,第二凸起结构500为导电材料制成,以便于在电磁膜的使用过程中,将载体层中积聚的干扰电荷导出,进而避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源。示例性,载体层和第二凸起结构500为同种材料一体成型。在与其他部件连接时,通过挤压,使得多个第二凸起结构500刺穿连接层400并接地,以将载体层内积聚的干扰电荷导出。
在本发明实施例中,第二凸起结构500的高度优选为0.1μm-30μm,连接层400的厚度优选为0.1μm-45μm,以确保电磁膜在使用时,第二凸起结构500能够刺穿连接层400,从而确保了电磁膜能够接地。
为了适应更多的应用场景,本发明所述的电磁膜为柔性可折叠、可弯曲结构。具体地,可以通过将载体层采用柔性的结构,例如,FPC线路板,在载体层一表面设置的连接用的连接层400具有可弯折性,以及在载体层的另一表面设置的保护用的绝缘层200也具备可弯折性,使得本发明的电磁膜具有可折叠和可弯曲的性能。实际使用时,可根据需要将电磁膜弯曲或折叠成环状结构或半封闭结构等任意形状,例如,弧形结构、椭圆形结构、堆叠结构。
本发明实施例还提供了一种电子设备,图4为本发明实施例提供的电子设备的剖视图,如图4所示,电子设备包括电磁膜10和天线装置20。其中,天线装置20包括天线线路21和用于设置天线线路21的基板22。电磁膜10包括载体层100,示例性的,载体层100的材质可以为铜。载体层100上开设有多个贯穿载体层100的通孔101。通孔101内填充有相变材料102,相变材料102能够响应外界刺激源的输入,发生相变,至少从第一状态转换为第二状态,从而改变电磁波的传播方向。示例性的,多个通孔101内的相变材料102响应于刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿X方向呈现中间小、两边大的变化趋势,实现电磁波的发散;或多个通孔101的相变材料102响应于刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿X方向呈现中间大、两边小的变化趋势,实现电磁波的定向传播;或多个通孔101的相变材料102响应于刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿预设方向递增或递减,实现电磁波的定向传播。示例性的,外界刺激源的输入可以是电信号(电流、电压)、热信号或光信号,第一状态可以是非晶相,第二状态可以是结晶相或部分结晶相。相变材料可以为硫族化合物材料,示例性的,相变材料可以是Ge2Sb2Tb5(GST)。
在一些实施例中,电磁膜10还可以包括设置于载体层100的第一表面的第绝缘层200,绝缘层200具有绝缘和保护作用,防止电磁膜10使用过程中,其载体层100与其他外部的电子元件接触而出现短路的问题,也可以保护载体层100在使用过程中免于破损。
在一些实施例中,电磁膜10还可以包括第一凸起结构300,第一凸起结构300设置于载体层的第一表面,第一凸起结构300伸入绝缘层200,提高载体层110与绝缘层200之间的连接可靠性,防止出现绝缘层200与载体层之间出现剥离脱落的情况。示例性的,第一凸起结构300可以包括多个凸部301,提高载体层100与绝缘层200之间的连接可靠性。
在一些实施例中,电磁膜10还可以包括连接层400,连接层400设置于载体层的第二表面,第二表面为与第一表面相对的表面。基板22的一表面与电磁膜10的连接层400的贴合连接,实现天线装置20和电磁膜10的连接。
在一些实施例中,载体层100的第二表面还设置有伸入连接层400的第二凸起结构500,提高载体层与连接层400之间的连接可靠性,防止出现连接层400与载体层之间出现剥离脱落的情况。示例性的,第二凸起结构500为导电材料制成,以便于在电磁膜的使用过程中,将载体层中积聚的干扰电荷导出,进而避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源。
通过将电磁膜10连接到天线装置20上,天线线路21发射的电磁波信号经过电磁膜10后,在X方向上,电磁波向两边发散,实现电磁波的发散功能,增大了电磁波发射的空间范围;或在X方向上,电磁波向中间或一边聚集,实现电磁波的定向传播。
于本文的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“右”、等方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述和简化操作,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”,仅仅用于在描述上加以区分,并没有特殊的含义。
在本说明书的描述中,参考术语“一实施例”、“示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理,而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释,本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式,这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (11)
1.一种电磁膜,其特征在于,包括载体层;
所述载体层上开设有多个贯穿所述载体层的通孔,所述通孔供入射的电磁波通过;
所述通孔内填充有相变材料,所述相变材料用于响应刺激源的输入,至少从第一状态转换为第二状态,从而改变电磁波的传播方向。
2.根据权利要求1所述的电磁膜,其特征在于,多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿预设方向呈现中间小、两边大的变化趋势,所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
3.根据权利要求1所述的电磁膜,其特征在于,多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿预设方向呈现中间大、两边小的变化趋势,所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
4.根据权利要求1所述的电磁膜,其特征在于,多个所述通孔的相变材料响应于所述刺激源的输入,对电磁波的折射率至少沿预设方向递增或递减,所述预设方向为所述电磁膜表面内的任意方向。
5.根据权利要求1所述的电磁膜,其特征在于,所述第一状态为非晶相,所述第二状态为至少部分结晶的相。
6.根据权利要求1-5任一所述的电磁膜,其特征在于,所述相变材料为硫族化合物材料。
7.根据权利要求6所述的电磁膜,其特征在于,还包括凸起结构,设置于所述载体层的第一表面。
8.根据权利要求7所述的电磁膜,其特征在于,所述凸起结构包括多个凸部。
9.根据权利要求7所述的电磁膜,其特征在于,所述载体层的第一表面还设置有绝缘层,所述凸起结构伸入所述绝缘层。
10.根据权利要求7-9任一所述的电磁膜,其特征在于,还包括连接层,所述连接层设置于所述载体层的第二表面,所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。
11.一种电子设备,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的电磁膜,还包括天线装置,所述天线装置的一表面与所述电磁膜连接。
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