CN112885746A - 一种裂片装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置用于对切割后的晶圆进行裂片，该裂片装置包括支撑结构、承片环、绷膜框、裂片台，裂片台具有用于抵压在晶圆膜的第二面上的凸起曲面，裂片台能够相对承片环沿承片环的轴向穿过承片环。通过使凸起曲面抵压在晶圆膜上，使裂片台不与晶圆直接接触。在裂片台相对承片环沿承片环的轴向穿过承片环时，覆盖在凸起曲面上的晶圆膜使粘附在晶圆膜上的晶圆都沿同一方向折弯，晶圆切割道内部裂纹沿着切割道生成，使晶圆会沿切割道裂开。且由于晶圆膜沿同一方向折弯，使裂开后切割道的两个侧壁具有V字形的夹角，防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。

Description

一种裂片装置

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种裂片装置。

背景技术

目前，硅晶圆、碳化硅晶圆经激光切割后未完全切断，在晶圆表面或内部产生纵向和横向的裂痕，需要配套裂片装置将晶圆裂开。现有的裂片装置包含下部刀头、上部左刀头以及上部右刀头，下部刀头竖立安装于工作台上，上部左刀头和上部右刀头位于下部刀头安装座上方，三个刀刃相互平行，上部左刀头和上部右刀头可分合移动。具体应用时，先对晶圆进行覆膜，使晶圆背面粘附在晶圆膜上；之后将晶圆膜固定在绷膜孔上，同时使晶圆表面或内部的切割道与下部刀头的刀刃平行，下部刀头的刀刃顶住切割道，上部左刀头和上部右刀头相互分开并分列在下部刀头的两侧，且分开后的上部右刀头与上部左刀头之间的中心线与下部刀头的刀刃平行。通过升级机构驱动上部右刀头与上部左刀头同时下降压在晶圆上表面，继续下降使晶圆沿切割道裂开，然后上部左刀头和上部右刀头上升，完成一个裂片动作。

采用现有技术中的裂片装置进行裂片时，上部左刀头及上部右刀头不可避免的接触晶圆表面，可能对晶圆造成损伤。同时，上部左刀头和上部右刀头在接触到晶圆表面继续下压时，位于上部的两个刀头和位于下部的刀头分别抵压在晶圆的不同侧，从而会使晶圆折弯。且晶圆在上部左刀头及上部右刀头位置的折弯方向为正V字形折弯，而晶圆在下部刀头位置的折弯方向为倒V字型，晶圆在其他位置并没有折弯，由于晶圆在不同位置的折弯方式不同，从而会使晶圆切割道两侧的侧壁可能发生碰撞。由于晶圆的材料较脆，在晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞时，很可能会导致晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，造成产品良率低下。

发明内容

本发明提供了一种裂片装置，用于无接触的对切割后的晶圆进行裂片，同时防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。

本发明提供了一种裂片装置，该裂片装置用于对切割后的晶圆进行裂片，该裂片装置包括支撑结构，在支撑结构上设置有承片环、以及用于将晶圆膜固定在承片环上的绷膜框。其中，晶圆膜具有相对的第一面及第二面，晶圆粘附在晶圆膜的第一面上。在支撑结构上还设置有裂片台，该裂片台具有用于抵压在晶圆膜的第二面上的凸起曲面，且裂片台能够相对承片环沿承片环的轴向穿过承片环。

在上述的方案中，通过使凸起曲面抵压在晶圆膜的第二面上，从而使裂片台不与晶圆进行直接的接触，防止对晶圆表面的微电路结构造成损伤或破坏。同时由于抵压在晶圆膜的第二面上的裂片台为凸起曲面，在裂片台相对承片环沿承片环的轴向穿过承片环时，覆盖在凸起曲面上的晶圆膜使粘附在晶圆膜上的晶圆都沿同一方向折弯，同时随着晶圆膜被拉伸，晶圆切割道内部裂纹沿着切割道生成，使晶圆会沿切割道裂开，且由于晶圆膜沿同一方向折弯，从而使裂开后切割道的两个侧壁具有V字形的夹角，从而防止晶圆切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆的切割道崩边、晶圆的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。另外，由于凸起曲面相对承片环移动时，凸起曲面能够沿相互垂直的两个方向拉伸晶圆膜，使晶圆膜上的晶圆也具有向两个相互垂直方向被拉伸的力，从而能够使晶圆上不同延伸方向的切割道内的裂纹都能够生长，引起切割道的裂开，从而提高裂片效率。且采用本申请的裂片装置裂片后，可以不进行扩片操作，即可满足特殊加工要求。

在一个具体的实施方式中，凸起曲面上分布有多个气孔，多个气孔用于向晶圆膜吹气以使晶圆膜与凸起曲面之间脱离接触，多个气孔还用于将晶圆膜吸附在凸起曲面上。通过在凸起曲面上设置多个气孔，且能够通过多个气孔向晶圆膜吹气以使晶圆膜与凸起曲面之间脱离接触，在应用时，可以边将裂片台穿过承片环，边吹气，实现裂片台与晶圆膜之间的无接触前移，防止晶圆膜与裂片台之间的接触而导致对晶圆造成损伤。且在吹气时，高压气体能够对晶圆上朝向晶圆膜的表面施加均匀冲击，使整片晶圆均匀受力。同时在前移到一定距离后，通过多个气孔将晶圆膜进行吸附，使晶圆膜贴附在凸起曲面上，使晶圆的切割道内的裂纹沿切割道的延伸方向生长。且可以采用上述方式进行循环前进，直到晶圆沿切割道裂开为止。

在一个具体的实施方式中，支撑结构上设置有与多个气孔连通的真空发生器，真空发生器用于向多个气孔通压缩空气，使晶圆膜与凸起曲面之间脱离接触。真空发生器还用于通过多个气孔抽气，使晶圆膜吸附在凸起曲面上。以便于通过多个气孔抽气或向多个气孔吹入压缩空气。

在一个具体的实施方式中，凸起曲面为球冠，使晶圆吸附在裂片台的球冠上时，由于球冠的曲率相同，从而使整片晶圆均匀受力。

在一个具体的实施方式中，球冠的高为4nm～10nm，以提高裂片效果。

在一个具体的实施方式中，球冠为陶瓷面，使球冠较为光滑，减少摩擦，也防止球冠对晶圆膜造成损伤。

在一个具体的实施方式中，裂片台滑动装配在支撑结构上，承片环固定在支撑结构上，球冠的底的直径小于承片环的内径，且裂片台的滑动方向与承片环的轴线重合。通过采用承片环固定，裂片台运动的装配方式，便于实现裂片台与承片环之间的相对运动。

在一个具体的实施方式中，支撑结构上设置有延伸方向与承片环的轴线重合的伸缩轴，裂片台装配在伸缩轴的端部位置，且球冠的凸起方向朝向晶圆膜。以便于实现裂片台的滑动装配。

在一个具体的实施方式中，裂片台可拆卸的装配在伸缩轴上，以便于针对不同厚度、不同晶粒大小的晶圆，更换不同半径球冠的裂片台，以达到最好的裂片效果。

在一个具体的实施方式中，球冠的中心轴、晶圆的中心轴及承片环的中心轴位于同一条直线上，以保证整片晶圆均匀受力。

在一个具体的实施方式中，该裂片装置还包括用于控制裂片台向晶圆膜靠近以使球冠的顶点与晶圆膜接触的控制单元。在球冠的顶点与晶圆膜接触后，控制单元还用于控制多个气孔向晶圆膜通压缩空气，同时控制裂片台按设定速度向靠近晶圆膜方向滑动第一设定距离。在裂片台滑动第一设定距离后，控制单元还用于控制多个气孔吸气，将晶圆膜吸附在球冠上设定时间段。在晶圆膜吸附在球冠上设定时间段后，控制单元还用于控制裂片台、多个气孔按照上述方式循环进行，直到裂片台向靠近晶圆膜方向滑动第二设定距离。通过设置控制单元，以便于实现自动化操作。同时可以通过选择设定速度、第一设定距离及第二设定距离的大小，优化裂片效果。

在一个具体的实施方式中，在承片环上还设置有用于将绷膜框压紧在承片环上的夹持机构，以便于对晶圆膜进行固定。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种裂片装置的立体示意图；

图2为本发明实施例提供的一种裂片装置的侧视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种裂片装置的俯视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种裂片台的侧视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的多个气孔向晶圆膜吹气时的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的多个气孔吸附晶圆膜时的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的裂片完成时相邻两个晶粒的切割道呈V字形夹角的示意图；

图8a为本发明实施例提供的一种切割后的晶圆的侧视结构示意图；

图8b为本发明实施例提供的另一种切割后的晶圆的侧视结构示意图。

附图标记：

10-晶圆 11-承片环 12-绷膜框 13-晶圆膜

14-夹持机构 15-定位结构 20-裂片台

21-凸起曲面 22-气孔 23-圆盘 30-伸缩轴

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为了方便理解本发明实施例提供的裂片装置，下面首先说明一下本发明实施例提供的裂片装置的应用场景，该裂片装置用于对切割后的晶圆进行裂片，以将晶圆裂片为多个晶粒。下面结合附图对该裂片装置进行详细的叙述。

参考图1、图2、图3及图4，本发明实施例提供的裂片装置包括支撑结构(图中未示出)，在支撑结构上设置有承片环11、以及用于将晶圆膜13固定在承片环11上的绷膜框12。其中，晶圆膜13具有相对的第一面及第二面，晶圆10粘附在晶圆膜13的第一面上。在支撑结构上还设置有裂片台20，该裂片台20具有用于抵压在晶圆膜13的第二面上的凸起曲面21，且裂片台20能够相对承片环11沿承片环11的轴向穿过承片环11。

在上述的方案中，通过使凸起曲面21抵压在晶圆膜13的第二面上，从而使裂片台20不与晶圆10进行直接的接触，防止对晶圆10表面的微电路结构造成损伤或破坏。同时由于抵压在晶圆膜13的第二面上的裂片台20为凸起曲面21，在裂片台20相对承片环11沿承片环11的轴向穿过承片环11时，覆盖在凸起曲面21上的晶圆膜13使粘附在晶圆膜13上的晶圆10都沿同一方向折弯，同时随着晶圆膜13被拉伸，晶圆10切割道内部裂纹沿着切割道生成，使晶圆10会沿切割道裂开，且由于晶圆膜13沿同一方向折弯，从而使裂开后切割道的两个侧壁具有V字形的夹角，从而防止晶圆10切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆10的切割道崩边、晶圆10的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。另外，由于凸起曲面21相对承片环11移动时，凸起曲面21能够沿相互垂直的两个方向拉伸晶圆膜13，使晶圆膜13上的晶圆10也具有向两个相互垂直方向被拉伸的力，从而能够使晶圆10上不同延伸方向的切割道内的裂纹都能够生长，引起切割道的裂开，从而提高裂片效率。且采用本申请的裂片装置裂片后，可以不进行扩片操作，即可满足特殊加工要求。下面结合附图对上述各个结构进行详细的介绍。

在设置支撑结构时，支撑结构可以为诸如框架结构、台体结构等具有支撑功能的结构。参考图1、图2及图3，在支撑结构上设置有承片环11，承片环11可以通过诸如焊接、卡接、螺栓紧固等方式固定在支撑结构上。承片环11为一个环体结构，且承片环11的内径大于晶圆10的直径。承片环11具有支撑晶圆膜13的支撑端面。承片环11及绷膜框12可以为不锈钢结构。在应用时，先将晶圆10进行切割，参考图8a，具体的切割方式可以采用刀锯切割或者激光切割方式，在晶圆10表面留有切割口，切割口延伸形成切割道。切割的槽深可以占晶圆10厚度的1/3左右，如图8b所示，也可以通过激光隐形切割加工晶圆10，以在晶圆10内部形成由裂纹组成的切割道。该晶圆10可以为4寸、6寸、8寸、12寸等不同尺寸的晶圆10。之后，将晶圆10粘附在晶圆膜13的第一面上，具体的，可以通过覆膜机将晶圆10粘附在晶圆膜13的第一面上，另外可以将晶圆10的正面粘附在晶圆膜13的第一面上，也可以将晶圆10的背面粘附在晶圆膜13的第一面上，具体与晶圆10上晶粒的种类有关。在选择晶圆膜13时，应当选择黏度适中、延展性较好的晶圆膜13。晶圆膜13具有相对的第一面及第二面，为了便于说明，图中晶圆膜13的第一面是指位于晶圆膜13上方一侧的表面，晶圆膜13的第二面是指位于晶圆膜13下方一侧的表面。应当理解的是，上述描述并不作为对整体方案的限定。之后，将晶圆膜13的边缘平铺在承片环11的支撑端面上。之后采用绷膜框12将晶圆膜13固定在承片环11上。

参考图1，可以在承片环11上设置有用于将绷膜框12压紧在承片环11上的夹持机构14，通过夹持机构14将绷膜框12压紧在承片环11上，使绷膜框12与承片环11之间的晶圆膜13能够固定，便于对晶圆膜13进行固定。夹持机构14为现有技术中常规能够将绷膜框12紧固在承片环11上的机构。参考图1，在承片环11上还设置有定位结构15，防止晶圆膜13及晶圆10转动。在设置定位结构15时，可以采用定位销作为定位结构15。

参考图1、图2及图3，在支撑结构上还设置有裂片台20，该裂片台20具有用于抵压在晶圆膜13的第二面上的凸起曲面21，且裂片台20能够相对承片环11沿承片环11的轴向穿过承片环11。具体的，裂片台20位于晶圆膜13的第二面一侧，即裂片台20与晶圆10分列在晶圆膜13的两侧。在具体裂片时，首先使裂片台20相对承片环11沿承片环11的轴线方向移动，使裂片台20上的凸起曲面21抵压在晶圆膜13上，并继续移动，随时晶圆膜13被拉伸而延展，使粘附在晶圆膜13上的晶圆10也具有拉伸力，从而使晶圆10表面或晶圆10内部的切割道中的裂纹生长，在裂纹生长到一定程度后，晶圆10沿切割道裂开，从而形成多个晶粒。

与现有技术中的裂片装置相比，本申请的方案通过使凸起曲面21抵压在晶圆膜13的第二面上，从而使裂片台20不与晶圆10进行直接的接触，防止对晶圆10表面的微电路结构造成损伤或破坏。参考图7，同时由于抵压在晶圆膜13的第二面上的裂片台20为凸起曲面21，在裂片台20相对承片环11沿承片环11的轴向穿过承片环11时，覆盖在凸起曲面21上的晶圆膜13使粘附在晶圆膜13上的晶圆10都沿同一方向折弯，同时随着晶圆膜13被拉伸，晶圆10切割道内部裂纹沿着切割道生成，使晶圆10会沿切割道裂。且由于晶圆膜13沿同一方向折弯，从而使裂开后切割道的两个侧壁具有V字形的夹角，从而防止晶圆10切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆10的切割道崩边、晶圆10的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。另外，由于凸起曲面21相对承片环11移动时，凸起曲面21能够沿相互垂直的两个方向拉伸晶圆膜13，使晶圆膜13上的晶圆10也具有向两个相互垂直方向被拉伸的力，从而能够使晶圆10上不同延伸方向的切割道内的裂纹都能够生长，引起切割道的裂开，从而提高裂片效率。且采用本申请的裂片装置裂片后，可以不进行扩片操作，即可满足特殊加工要求。

参考图5及图6，可以在凸起曲面21上分布有多个气孔22，多个气孔22用于向晶圆膜13吹气以使晶圆膜13与凸起曲面21之间脱离接触，多个气孔22还用于将晶圆膜13吸附在凸起曲面21上。通过在凸起曲面21上设置多个气孔22，且能够通过多个气孔22向晶圆膜13吹气以使晶圆膜13与凸起曲面21之间脱离接触，在应用时，可以边将裂片台20穿过承片环11，边吹气，实现裂片台20与晶圆膜13之间的无接触前移，防止晶圆膜13与裂片台20之间的接触而导致对晶圆10造成损伤。且在吹气时，高压气体能够对晶圆10上朝向晶圆膜13的表面施加均匀冲击，使整片晶圆10均匀受力。同时在前移到一定距离后，通过多个气孔22将晶圆膜13进行吸附，使晶圆膜13贴附在凸起曲面21上，使晶圆10的切割道内的裂纹沿切割道的延伸方向生长。且可以采用上述方式进行循环前进，直到晶圆10沿切割道裂开为止。在具体布置多个气孔22时，多个气孔22可以均匀的分布在凸起曲面21上，使对晶圆膜13的吹气及吸气较为均匀。

在具体实现通过多个气孔22吹气或吸气时，可以在支撑结构上设置有与多个气孔22连通的真空发生器，真空发生器用于向多个气孔22通压缩空气，使晶圆膜13与凸起曲面21之间脱离接触。真空发生器还用于通过多个气孔22抽气，使晶圆膜13吸附在凸起曲面21上。以便于通过多个气孔22抽气或向多个气孔22吹入压缩空气。应当理解的是，除了采用真空发生器的方式，还可以采用其他的方式，例如，还可以采用气泵的方式实现。

在具体设置上述凸起曲面21时，凸起曲面21为球冠，使晶圆10吸附在裂片台20的球冠上时，由于球冠的曲率相同，从而使整片晶圆10均匀受力。在具体确定球冠的尺寸时，可以使球冠的高为4nm～10nm，具有的，球冠的高可以为4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm等介于4nm～10nm之间的任意值，以提高裂片效果。在应用时，可以针对不同厚度、不同晶粒大小的晶圆10，更换不同半径的球冠，以达到最好的裂片效果。需要解释的是，这里面的球冠是指一个球面被平面所截后剩下的曲面。截得的圆面是底，垂直于圆面的直径被截得的部分是高。也可看作圆弧绕过它的一个端点的圆的直径旋转一周得到的面。应当理解的是，凸起曲面21并不限于球冠，还可以采用其他的凸起曲面21。例如，该凸起曲面21还可以由抛物线绕其对称轴旋转180度后形成的曲面。参考图1、图2、图3及图4，可以使球冠的中心轴、晶圆10的中心轴及承片环11的中心轴位于同一条直线上，以保证整片晶圆10均匀受力。

另外，球冠可以为陶瓷面，使球冠较为光滑，减少摩擦，也防止球冠对晶圆膜13造成损伤。在具体设置时，可以采用一个球缺组成裂片台20的一部分，由球缺上的球冠作为凸起曲面21。球缺的材料可以为陶瓷材料，使形成的球冠为陶瓷面。需要解释的是，一个球被平面截下的一部分叫做球缺，截面叫做球缺的底面，垂直于截面的直径被截后被截下的线段长叫做球缺的高。参考图2、图4、图5及图6，裂片台20还可以包括一个圆盘23，将球缺的底固定在圆盘23上，以形成一个裂片台20。当然，球缺可以与圆盘23为一体结构，以便于加工。且圆盘23的边缘可以与球缺的边缘重合，以对球缺上较薄的边缘处进行支撑，同时，防止圆盘23接触到晶圆膜13。

在具体实现裂片台20与承片环11之间的相对运动时，可以使裂片台20滑动装配在支撑结构上，承片环11固定在支撑结构上，球冠的底的直径小于承片环11的内径，且裂片台20的滑动方向与承片环11的轴线重合。通过采用承片环11固定，裂片台20运动的装配方式，便于实现裂片台20与承片环11之间的相对运动。在具体实现裂片台20滑动装配在支撑结构上时，参考图2，可以在支撑结构上设置有延伸方向与承片环11的轴线重合的伸缩轴30，裂片台20装配在伸缩轴30的端部位置，且球冠的凸起方向朝向晶圆膜13，通过伸缩轴30沿承片环11的方向的伸缩，实现裂片台20的滑动，以便于实现裂片台20的滑动装配。该伸缩轴30具体可以为气缸上的活塞杆，还可以为其他能够伸缩的轴结构。在将裂片台20装配在伸缩轴30上时，参考图2，可以使圆盘23固定在伸缩轴30的端部位置。当然，可以使裂片台20可拆卸的装配在伸缩轴30上，以便于针对不同厚度、不同晶粒大小的晶圆10，更换不同半径球冠的裂片台20，以达到最好的裂片效果。具体实现时，可以使圆盘23与伸缩轴30通过卡接、螺钉紧固等方式进行固定连接。应当注意的是，裂片台20相对承片环11运动的装配方式并不限于上述的方式，除此之外，还可以采用其他的装配方式。例如，可以使裂片台20固定在支撑结构上，使承片环11滑动装配在支撑结构上，且承片环11的滑动方向沿承片环11的轴线方向。还可以使裂片台20与承片环11均滑动装配在支撑结构上，且承片环11的滑动方向沿承片环11的轴线方向，裂片台20的滑动方向也沿承片环11的轴线方向。

还可以设置一控制单元，该控制单元作为对裂片台20的运动的控制，还用于对多个气孔22的吸气或吹气进行控制。控制单元可以为工控机，也可以为具有控制功能的终端。该控制单元不仅包括控制程序，还包括用于存储及运行控制程序的硬件。在具体控制时，该控制单元首先控制裂片台20向晶圆膜13靠近以使球冠的顶点与晶圆膜13接触的控制单元。具体的，可以使裂片台20上升到顶面刚好接触到晶圆膜13为止。在球冠的顶点与晶圆膜13接触后，控制单元还用于控制多个气孔22向晶圆膜13通压缩空气，同时控制裂片台20按设定速度向靠近晶圆膜13方向滑动第一设定距离，即通过边吹气、边前进的方式，使晶圆膜13与球冠之间没有接触，防止球冠对晶圆膜13造成损伤。且在吹气时，高压气体能够对晶圆10上朝向晶圆膜13的表面施加均匀冲击，使整片晶圆10均匀受力。该第一设定距离的大小具体与晶圆10的大小及厚度、球冠的大小等有关。在裂片台20滑动第一设定距离后，控制单元还用于控制多个气孔22吸气，将晶圆膜13吸附在球冠上设定时间段，即在前移到一定距离后，通过多个气孔22将晶圆膜13进行吸附，使晶圆膜13贴附在球冠上，使晶圆10的切割道内的裂纹沿切割道的延伸方向生长。该设定时间段可以为数秒时间。在晶圆膜13吸附在球冠上设定时间段后，控制单元还用于控制裂片台20、多个气孔22按照上述方式循环进行，直到裂片台20向靠近晶圆膜13方向滑动第二设定距离，即采用上述控制方式进行循环前进，直到晶圆10沿切割道裂开为止。通过设置控制单元，以便于实现自动化操作。同时可以通过选择设定速度、第一设定距离及第二设定距离的大小，优化裂片效果。

通过使凸起曲面21抵压在晶圆膜13的第二面上，从而使裂片台20不与晶圆10进行直接的接触，防止对晶圆10表面的微电路结构造成损伤或破坏。同时由于抵压在晶圆膜13的第二面上的裂片台20为凸起曲面21，在裂片台20相对承片环11沿承片环11的轴向穿过承片环11时，覆盖在凸起曲面21上的晶圆膜13使粘附在晶圆膜13上的晶圆10都沿同一方向折弯，同时随着晶圆膜13被拉伸，晶圆10切割道内部裂纹沿着切割道生成，使晶圆10会沿切割道裂开，且由于晶圆膜13沿同一方向折弯，从而使裂开后切割道的两个侧壁具有V字形的夹角，从而防止晶圆10切割道两侧的侧壁发生碰撞，从而防止晶圆10的切割道崩边、晶圆10的金属层断裂等不良缺陷，提高产品良率。另外，由于凸起曲面21相对承片环11移动时，凸起曲面21能够沿相互垂直的两个方向拉伸晶圆膜13，使晶圆膜13上的晶圆10也具有向两个相互垂直方向被拉伸的力，从而能够使晶圆10上不同延伸方向的切割道内的裂纹都能够生长，引起切割道的裂开，从而提高裂片效率。且采用本申请的裂片装置裂片后，可以不进行扩片操作，即可满足特殊加工要求。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种裂片装置，用于对切割后的晶圆进行裂片，其特征在于，包括：

支撑结构；

设置在所述支撑结构上的承片环、以及用于将晶圆膜固定在所述承片环上的绷膜框，其中，所述晶圆膜具有相对的第一面及第二面，所述晶圆粘附在所述晶圆膜的第一面上；

设置在所述支撑结构上的裂片台，所述裂片台具有用于抵压在所述晶圆膜的第二面上的凸起曲面；且所述裂片台能够相对所述承片环，沿所述承片环的轴向穿过所述承片环。

2.如权利要求1所述的裂片装置，其特征在于，所述凸起曲面上分布有多个气孔；所述多个气孔用于向所述晶圆膜吹气以使所述晶圆膜与所述凸起曲面之间脱离接触，所述多个气孔还用于将所述晶圆膜吸附在所述凸起曲面上。

3.如权利要求2所述的裂片装置，其特征在于，所述支撑结构上设置有与所述多个气孔连通的真空发生器；所述真空发生器用于向所述多个气孔通压缩空气，使所述晶圆膜与所述凸起曲面之间脱离接触；所述真空发生器还用于通过所述多个气孔抽气，使所述晶圆膜吸附在所述凸起曲面上。

4.如权利要求2所述的裂片装置，其特征在于，所述凸起曲面为球冠。

5.如权利要求4所述的裂片装置，其特征在于，所述球冠的高为4nm～10nm。

6.如权利要求4所述的裂片装置，其特征在于，所述球冠为陶瓷面。

7.如权利要求4所述的裂片装置，其特征在于，所述球冠的中心轴、所述晶圆的中心轴、所述承片环的中心轴位于同一条直线上。

8.如权利要求4所述的裂片装置，其特征在于，所述裂片台滑动装配在所述支撑结构上，所述承片环固定在所述支撑结构上，所述球冠的底的直径小于所述承片环的内径，且所述裂片台的滑动方向与所述承片环的轴线重合。

9.如权利要求8所述的裂片装置，其特征在于，所述支撑结构上设置有延伸方向与所述承片环的轴线重合的伸缩轴，所述裂片台装配在所述伸缩轴的端部位置，且所述球冠的凸起方向朝向所述晶圆膜。

10.如权利要求9所述的裂片装置，其特征在于，所述裂片台可拆卸的装配在所述伸缩轴上。

11.如权利要求8所述的裂片装置，其特征在于，还包括用于控制所述裂片台向所述晶圆膜靠近以使所述球冠的顶点与所述晶圆膜接触的控制单元；

在所述球冠的顶点与所述晶圆膜接触后，所述控制单元还用于控制所述多个气孔向所述晶圆膜吹气，同时控制所述裂片台按设定速度向靠近所述晶圆膜方向滑动第一设定距离；

在所述裂片台滑动所述第一设定距离后，所述控制单元还用于控制所述所述多个气孔吸气，将所述晶圆膜吸附在所述球冠上设定时间段；

在所述晶圆膜吸附在所述球冠上所述设定时间段后，所述控制单元还用于控制所述裂片台、多个气孔按照上述方式循环进行，直到所述裂片台向靠近所述晶圆膜方向滑动第二设定距离。

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