CN112882348A - 一种光学临近效应修正方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光学临近效应修正方法及装置，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，光学临近效应修正方法包括：获取目标布局图形；将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段上设置控制点；线条的线条端和/或狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，控制点位于片段两个端点之间的区域；通过控制点对所述片段进行修正，获取修正图形和模拟轮廓；计算模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值；根据偏差值对控制点进行调整，获得调整后的修正图形。本发明提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以对光学临近效应引起的光刻的图形畸变进行修正。

Description

一种光学临近效应修正方法及装置

技术领域

本发明涉及光学临近效应技术领域，尤其涉及一种光学临近效应修正方法及装置。

背景技术

随着集成电路元件缩小化以及集成化，各膜层的关键尺寸越来越小，在半导体工艺中，往往通过光刻将掩膜图形转移至硅片上形成各膜层图形，但是因为各元件的尺寸减小，光刻的准确率越低。

具体的，在光刻过程中，因为光的干涉效应和衍射效应，使得硅片上实际的光刻图形与掩膜图形之间存在一定的畸变和偏差，即光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。光学临近效应引起的图形畸变主要表现为线宽偏移、线端缩短、遗漏图案或连条、角部变圆等特征。这些特征直接影响元器件性能，并降低生产成品率，浪费生产成本，不利于现在的集成电路的工业化生产。

发明内容

本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以对光学临近效应引起的光刻过程的图形畸变进行修正。

第一方面，本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，所述光学临近效应修正方法包括：

获取所述目标布局图形；

将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置若干个控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；

调整所述控制点对所述片段进行修正，获取修正图形；

根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；

计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。

第二方面，本发明实施例还提供了一种光学临近效应修正装置，应用于至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝的目标布局图形，包括：

片段及控制点设置模块，用于获取所述目标布局图形；将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置若干个控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；

修正模块，用于调整所述控制点对片段进行修正，获取修正图形；

轮廓模块，用于根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；

偏差计算模块，用于计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；

迭代模块，用于循环调用所述修正模块和所述轮廓模块，直到所述偏差计算模块获取的所述偏差值满足工艺需求。

本发明中，通过将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段两端之间的区域内设置若干个控制点，调整控制点对片段进行修改从而获取修改图形，通过修正图形可获取目标布局图形的模拟轮廓，并对比目标布局图形与模拟轮廓之间的偏差值，判断修正图形是否满足工艺需求，值得注意的是，对于目标布局图形中的线条端和狭缝端，其边缘被分为奇数个片段，则线条端和狭缝端的中点则不会被片段之间的端点，即片段的切割点分割，使得线条端和狭缝端的中点的模拟轮廓不会向目标局部图形外侧移动，避免模拟轮廓外扩造成的转移图形偏移过大的问题，尤其在线条端和狭缝端尺寸较小的情况下，有助于提高光学临近效应修正的精准率，使得最终得到的修正图形更加贴合目标布局图形。

附图说明

图1是本发明实施例提供的掩膜图形为目标布局图形时，掩膜图形和曝光图形的示意图；

图2是本发明实施例提供的掩膜图形为补偿后图形时，掩膜图形和曝光图形的示意图；

图3是本发明实施例提供的一种光学临近效应修正方法的流程示意图；

图4是本发明实施例提供的一种目标布局图形的示意图；

图5是本发明实施例提供的一种线条端奇数分割的光学临近效应修正效果图；

图6是本发明实施例提供的一种线条段偶数分割的光学临近效应修正效果图；

图7是本发明实施例提供的一种狭缝端奇数分割的光学临近效应修正效果图；

图8是本发明实施例提供的一种狭缝端偶数分割的光学临近效应修正效果图；

图9是本发明实施例提供的另一种光学临近效应修正方法的流程示意图；

图10是本发明实施例提供的一种光学临近效应修正装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

在半导体工艺过程中，在0.18微米及以下技术节点的关键膜层，例如，有源区层、栅氧化层、金属连接层的关键尺寸越来越小，有些关键尺寸已经接近设置小于光刻步骤中所使用的光波波长，在光刻步骤中，图形转移容易受到光线的影响而产生偏差，即光学临近效应，形成光学临近效应的因素是当光束透过掩膜版上的掩膜图形投影在光刻胶上时，一方面光束的强度频谱的能量分布和位相分布相对于理想像频谱有一定畸变，即衍射效应，另一方面，光束透过光刻胶再经过芯片的半导体基底反射回来，产生干涉现象，因此会反复曝光，从而改变光刻胶层的实际曝光量。图形畸变主要表现为线宽偏移、线条变短、遗漏图案或连条、角部变圆等特征，示例性的，如图1所示，图1是本发明实施例提供的掩膜图形为目标布局图形时，掩膜图形和曝光图形的示意图，图1中的掩膜图形11经过曝光形成曝光图形12，曝光图像12相对于掩膜图形11，拐角变圆滑，并且窄线条的长度变短，线条端也变得尖锐。则需要在光刻之前对掩膜版上的掩膜图形进行适当的修改以补偿光学临近效应，从而使得掩膜图形经过该光学临近效应之后产生的图形恰好为目标布局图形。示例性的，如图2所示，图2是本发明实施例提供的掩膜图形为补偿后图形时，掩膜图形和曝光图形的示意图，掩膜图形11’经过曝光后，形成的曝光图形12’恰为用户需要的目标布局图形，从而完成了光学临近效应的修正。

本发明实施例提供了一种光学临近效应修正方法，图3是本发明实施例提供的一种光学临近效应修正方法的流程示意图，该光学临近效应修正方法适用的目标布局图形至少包括主体上凸起的线条或主体上凹陷的狭缝，如图4所示，图4是本发明实施例提供的一种目标布局图形的示意图，目标布局图形可以包括主体10，主体10上凸出的线条13，和/或主体10上凹陷的狭缝14,继续参考图3，光学临近效应修正方法包括如下步骤：

S110、获取目标布局图形。

目标布局图形为用户最终想要形成在芯片或硅片上的图形，本实施例对掩膜版上的掩膜图形进行预设计，使得掩膜图形经过光刻工艺后，在光刻胶层上形成目标布局图形。

S120、将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段上设置若干个控制点；其中，线条的线条端和/或狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，控制点位于片段两个端点之间的区域。

S130、调整控制点对片段进行修正，获取修正图形。

S140、根据修正图形获取目标布局图形的模拟轮廓。

继续参考图4，目标布局图形的边缘可被分割成若干个片段(Segment)15，并在若干个片段15上设置若干个控制点16，需要注意的是，控制点16不与片段15的端点重合，即控制点16位于片段15两个端点之间的区域。

本实施例中通过调整控制点16对片段15进行修正，获取修正图形，并将修正图形依次连接形成目标布局图形的模拟轮廓，具体的，本实施例可通过修正模型对目标布局图形进行修正，经由仿真模拟得到模拟轮廓，例如光学临近修正模型的模块规则，光学邻近修正模型包括光学模型(optical model)与光刻胶模型(resist model)。在光学邻近修正过程中，先使用光学模型，上述光学模型是模拟曝光光束照射掩膜图形，通过透镜组发生衍射后在硅片表面的空间光强分布，接着使用光刻胶模型，光刻胶模型是模拟上述硅片表面的光强分布在光刻胶上，高于一定曝光阈值的光刻胶部分发生化学反应而变性，从而被溶于显影液。本实施例中的光刻胶模型采用固定阈值的光刻胶模型(constant thresholdresist model)，即光刻胶曝光参考阈值固定，相对于可变曝光阈值的光刻胶模型(variable threshold resist model)，简化光刻胶模型可以避免复杂光刻胶模型对光学邻近修正模型的获取造成的复杂化。模拟轮廓与目标布局图形不能完全的重叠，而存在一定的误差。

本实施例中，若目标布局图形中包括线条13，则线条13的线条端13a包括奇数个片段15，则线条端13a的中点一般不为片段15的端点，使得根据修正图形形成的模拟轮廓的线条端13a的中点不会在两侧控制点16的作用下向目标布局图形的外侧进行扩散。若目标布局图形中包括狭缝14，则狭缝14的狭缝端14a包括奇数个片段15，则狭缝端14a的中点一般不为片段15的端点，使得根据修正图形形成的模拟轮廓的狭缝端14a的中点不会在两侧控制点16的作用下向目标布局图形的外侧进行扩散。

可选的，若干个片段15之间的长度可以相同或者相异，示例性的，在模拟轮廓的某一些区域容易受到周围环境的影响，例如，线条区域、狭缝区域、内侧转角区域和外侧转角区域等，本实施例中线条区域即目标布局图形中线条所在区域，狭缝区域即狭缝所在区域，内侧转角区域即内侧转角17所在区域，外侧转角区域即为外侧转角18所在区域，上述区域的片段15的长度可以较短设置，而不容易受到周围环境的影响的区域，其片段15的长度可以较长设置。

S150、计算模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值；根据偏差值判断修正图形是否满足工艺需求。

具体的，可在目标布局图形上选取测试点，将测试点在目标局部图形上的位置，与测试点对应在模拟轮廓上的位置进行比较，能够获取测试点的偏差量，从而获取不同图形位置处目标布局图形与模拟轮廓之间的差异。

可选的，可根据工艺需求对上述偏差值预设一规格参数，若偏差值在规格参数之内则修改图形满足工艺需求，若上述偏差值超出预设一规格参数则修改图形不能够满足工艺需求。在本实施例的具体示例中，可选的，规则参数为目标布局图形尺寸的5％，则偏差值在目标布局图形尺寸的5％范围内时，判断修改正图像满足工艺需求。示例性的，目标布局图形尺寸可以为所述偏差值对应的测试点所在目标布局图形的边缘的边缘长度，或者为所述目标布局图形在一选定方向上的尺寸，或者为所述目标布局图形的最大尺寸，本实施例对此不进行限定。

可知上述模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值可能存在不符合工艺需求的情况，可选的，本实施例中的光学临近效应修正方法还包括：调整控制点对片段进行多次修正，直至获取的模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值满足工艺需求。则在模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值不符合工艺需求时，本实施例需要通过多次调节控制点的个数和设置位置从而更新片段和修正图形，并通过更新后的修改图形获取更新后的模拟轮廓，最终使得获取的模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值满足工艺需求。

可选的，在调整控制点对片段进行多次修正中，依据前次修正中获取的偏差值进行后次修正中控制点的调整，便于对片段进行快速修正，从而能够使得模拟轮廓逐渐趋向目标布局图形，使得模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值满足工艺需求。

本发明实施例中，通过将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段两端之间的区域内设置若干个控制点，调整控制点对片段进行修改从而获取修改图形，通过修正图形可获取目标布局图形的模拟轮廓，并对比目标布局图形与模拟轮廓之间的偏差值，判断修正图形是否满足工艺需求，值得注意的是，对于目标布局图形中的线条端和狭缝端，其边缘被分为奇数个片段，则线条端和狭缝端的中点则不会被片段之间的端点，即片段的切割点分割，使得线条端和狭缝端的中点的模拟轮廓不会向目标局部图形外侧移动，避免模拟轮廓外扩造成的转移图形偏移过大的问题，尤其在线条端和狭缝端尺寸较小的情况下，有助于提高光学临近效应修正的精准率，使得最终得到的修正图形更加贴合目标布局图形。此外，能够通过修正图形获取掩膜版上的掩膜图形，从而使得形成至芯片或硅片上的掩膜图形光刻形成的图形更加接近于目标布局图形，从而提高芯片或集成电路的生产良率。

图5是本发明实施例提供的一种线条端奇数分割的光学临近效应修正效果图，图6是本发明实施例提供的一种线条段偶数分割的光学临近效应修正效果图，图6作为图5中方案的对比例，图5中线条端13a被均分为3个片段15，参考图5中区域T的放大图，则线条端13a的中点设置有控制点16，最终形成的修正图形不会凸出目标布局图形的边缘，而图6中的线条端13a被均分为4个片段15，则线条端13a的中点为片段15的端点，参考图6中区域T’的放大图，线条端13a的中点两侧的控制点16相互连接，使得最终形成的修正图形发生外扩，实验证明，图5中的线条端13a的中点仅具有0.25nm的偏差，而图6中线条端13a的中点则具有2nm左右的偏差，本实施例方案相较于图6中的方案，提高了修正图形的获取精度，并且降低了最终形成在光刻胶上的目标布局图形的精度，提高了产品的精品率。

图5和图6对线条端13a的分割情况进行了分析，参考图7和图8，图7是本发明实施例提供的一种狭缝端奇数分割的光学临近效应修正效果图，图8是本发明实施例提供的一种狭缝端偶数分割的光学临近效应修正效果图，图8作为图7中方案的对比例，图7中狭缝端14a被均分为3个片段15，参考图7中区域P的放大图，则狭缝端14a的中点设置有控制点16，最终形成的修正图形不会凸出目标布局图形的边缘，而图8中的狭缝端14a被均分为4个片段15，则狭缝端14a的中点为片段15的端点，参考图8中区域P’的放大图，狭缝端14a的中点两侧的控制点16相互连接，使得最终形成的修正图形发生外扩，实验证明，图7中的狭缝端14a的中点仅具有0.25nm的偏差，而图8中狭缝端14a的中点则具有1.5nm左右的偏差，本实施例方案相较于图8中的方案，提高了修正图形的获取精度，并且降低了最终形成在光刻胶上的目标布局图形的精度，提高了产品的精品率。

可选的，线条13的线条端13a的片段15的宽度均相等，和/或狭缝14的狭缝端14a的片段15的宽度均相等。当线条端13a和狭缝端14a的片段15均为等距离分割获取时，因为片段15的个数为奇数，则线条端13a和狭缝端14a的中点不为片段15的端点，防止修正图形与目标布局图形之间产生较大偏差，提高产品的精品率。

可选的，线条端13a或狭缝端14a的每个片端15内包括至少一个控制点16。可选的，线条端13a或狭缝端14b的每个片段15中包括奇数个控制点16。优选的，线条端13a或狭缝端14b的每个片段15中包括一个控制点16。在本实施例的一个具体示例中，每个片段15仅包括一个控制点16，每个控制点16位于每个片段16的中点位置，从而使得线条端13a或狭缝端14b的中点设置有控制点16，以提高修正图形的设置精度。

值得注意的是，本实施方案优选适用于线端和狭缝尺寸较小，容易发生光的衍射的情况，继续参考图4，可选的，线条端13a的宽度d1或狭缝端14a的宽度d2小于宽度阈值，宽度阈值为1.5～1.6倍的最小特征尺寸；线条端13a的临边d3的长度以及狭缝端14a的临边d4的长度大于长度阈值；长度阈值为0.2～0.3倍的最小特征尺寸。

上述最小特征尺寸为版图设计中的最小尺寸。当线条端13a的宽度d1或狭缝端14a的宽度d2小于宽度阈值时，根据本实施例方案获取的修正图形的偏差越小，有利于获取精准度更高的修正图形。同理，线条端13a从主体伸出的距离，即线条端13a的临边d3的长度大于长度阈值时，狭缝端14a凹进主体的距离，即狭缝端14a的临边d4的长度大于长度阈值时，本实施例方案获取的修正图形的偏差越小，有利于获取精准度更高的修正图形。

在本发明实施例的另一示例中，光学临近效应修正方法还包括根据各控制点所处区域的权重对片段进行修正，如图9所示，图9是本发明实施例提供的另一种光学临近效应修正方法的流程示意图，光学临近效应修正方法包括如下步骤：

S210、获取目标布局图形。

S220、将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段上设置若干个控制点；其中，线条的线条端和/或狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，控制点位于片段两个端点之间的区域。

S230、根据各控制点所处区域的权重对片段进行修正，获取修正图形。

目标布局图形的不同区域受环境影响的程度不同，即在光刻过程中的畸变的程度不同，则可将受环境影响严重的区域的权重增加，将受环境影响较低的区域的权重降低，从而根据权重的高低对区域修正顺序进行排序，从而根据各控制点的偏差值和各控制点所在区域的权重对模拟轮廓进行多次调整，使得模拟轮廓的边缘逐渐向目标布局图形的边缘收敛，最终当模拟轮廓与目标布局图形的偏差值位于预设一规格参数内时，可将该模拟轮廓可作为最终轮廓图形，并根据轮廓图形对掩膜版上的掩膜图形进行重新规划，使得掩膜图形经过光刻工艺之后，在光刻胶上形成目标布局图形，从而提高芯片或集成电路的生产良率，提高芯片或集成电路的生产效率。

因为某些区域容易发生修改图形修正不足，或者修正图形修正过量的问题，其均可以导致偏差，本实施例可对目标布局图形进行区域划分，对每个区域的偏差所占百分比进行比对，每个区域中偏差所占百分比即为该区域中偏差所占整个目标布局图形偏差的百分比，示例性的，若目标布局图形包括A区域、B区域和C区域，若A区域所占偏差百分比最高，B区域所占偏差百分比次之，C区域所占百分比最少，则可设置A区域权重最高，B区域权重次之，C区域权重最少。

可选的，线条区域和/或狭缝区域的权重大于主体区域的权重；线条区域为线条所在区域，狭缝区域为狭缝所在区域。因为线条区域和狭缝区域容易在光刻工艺中发生畸变，则线条区域和/或狭缝区域的权重大于主体区域的权重。

可选的，目标布局图形还可以包括内侧转角区域和外侧转角区域；内侧转角区域和外侧转角区域的权重大于主体区域的权重；内侧转角区域和外侧转角的每条边缘的片段的个数为奇数。内侧转角区域和外侧转角区域同样为图形畸变容易发生的区域，其权重一般也大于主体区域的权重。本实施例中，主体区域即尺寸较大，面积相对集中的区域。并且，内侧转角区域和外侧转角的每条边缘的片段的个数为奇数，同样有利于获取更加精准的修正图形。

S240、根据修正图形获取目标布局图形的模拟轮廓。

S250、计算模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值；根据偏差值判断修正图形是否满足工艺需求。

S260、调整控制点对片段进行多次修正，直至获取的模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值满足工艺需求。

本实施例根据权重由大到小对各区域进行排序，将偏差值较大以及所处区域权重较大的修正图形的控制点首先进行调整，并逐次对后续偏差值较小以及所处区域权重较小的修正图形的控制点进行逐渐调整，该调整策略能够较快的获取修正图形，对模拟轮廓进行较快的调整，提高光学临近效应校正效率。

基于同一构思，本发明实施例还提供一种光学临近效应修正装置。图10是本发明实施例提供的一种光学临近效应修正装置的结构示意图，如图10所示，本发明实施例提供的光学临近效应修正装置可用于执行本发明任意实施例所述的光学临近效应修正方法，可应用于至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝的目标布局图形，光学临近效应修正装置，包括：

片段及控制点设置模块21，用于获取目标布局图形；将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段上设置若干个控制点；其中，线条的线条端和/或狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，控制点位于片段两个端点之间的区域；

修正模块22，用于调整控制点对片段进行修正，获取修正图形；

轮廓模块23，用于根据修正图形获取目标布局图形的模拟轮廓；

偏差计算模块24，用于计算模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值；

迭代模块25，用于循环调用修正模块22和轮廓模块23，直到偏差计算模块24获取的偏差值满足工艺需求。

本发明中，通过将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段两端之间的区域内设置若干个控制点，调整控制点对片段进行修改从而获取修改图形，通过修正图形可获取目标布局图形的模拟轮廓，并对比目标布局图形与模拟轮廓之间的偏差值，判断修正图形是否满足工艺需求，值得注意的是，对于目标布局图形中的线条端和狭缝端，其边缘被分为奇数个片段，则线条端和狭缝端的中点则不会被片段之间的端点，即片段的切割点分割，使得线条端和狭缝端的中点的模拟轮廓不会向目标局部图形外侧移动，避免模拟轮廓外扩造成的转移图形偏移过大的问题，尤其在线条端和狭缝端尺寸较小的情况下，有助于提高光学临近效应修正的精准率，使得最终得到的修正图形更加贴合目标布局图形。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (13)

1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，所述光学临近效应修正方法包括：

获取所述目标布局图形；

将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；

调整所述控制点对所述片段进行修正，获取修正图形；

根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；

计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。

2.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，还包括：

调整所述控制点对所述片段进行多次修正，直至获取的所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值满足工艺需求。

3.根据权利要求2所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，还包括：

在所述多次修正中，依据前次修正中获取的所述偏差值进行后次修正中所述控制点的调整。

4.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求的步骤，还包括：

预设一规格参数，所述偏差值在所述规格参数之内，则所述修正图形满足工艺需求。

5.根据权利要求4所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述规则参数为所述目标布局图形尺寸的5％。

6.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，

所述线条的线条端的片段的宽度均相等，和/或所述狭缝的狭缝端的片段的宽度均相等。

7.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，

所述线条端的宽度或所述狭缝端的宽度小于宽度阈值，所述宽度阈值为1.5～1.6倍的最小特征尺寸；

所述线条端的临边的长度或所述狭缝端的临边的长度大于长度阈值；所述长度阈值为0.2～0.3倍的最小特征尺寸。

8.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，

所述线条端或所述狭缝端的每个片端内包括至少一个控制点。

9.根据权利要求8所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，

所述线条端或所述狭缝端的每个片段中包括奇数个控制点。

10.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，还包括：

根据各控制点所处区域的权重对所述片段进行修正。

11.根据权利要求10所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，

所述线条区域和/或狭缝区域的权重大于所述主体区域的权重；所述线条区域为所述线条所在区域，所述狭缝区域为所述狭缝所在区域。

12.根据权利要求10所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，

所述目标布局图形还可以包括内侧转角区域和外侧转角区域；所述内侧转角区域和所述外侧转角区域的权重大于所述主体区域的权重；

所述内侧转角区域和所述外侧转角的每条边缘的片段的个数为奇数。

13.一种光学临近效应修正装置，其特征在于，应用于至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝的目标布局图形，包括：

片段及控制点设置模块，用于获取所述目标布局图形；将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；

修正模块，用于调整所述控制点对片段进行修正，获取修正图形；

轮廓模块，用于根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；

偏差计算模块，用于计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；

迭代模块，用于循环调用所述修正模块和所述轮廓模块，直到所述偏差计算模块获取的所述偏差值满足工艺需求。

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