CN112864345B - 一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法，具有：表面处理模块，能够向基板发射等离子流；赋电模块，能够对基板上的杂质颗粒附加电荷；磁场模块，能够对基板上的带电杂质颗粒施加电磁力；输送机构，能够使基板在表面处理模块、赋电模块、磁场模块内输送；基板能够在赋电模块和磁场模块之间往复运动，减少基板表面杂质颗粒，提高产品良品率，同时，在基板表面赋予电荷的同时，可以减小其表面能，使得后续界面接触更加紧密。

Description

一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法
技术领域
本发明属于Micro OLED显示领域，尤其涉及一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法。
背景技术
随着科技的进步与科技的发展，人们在追求显示效果的体验上也有着更高的需求，加之穿戴配套显示设备使其物理意义上的方法路径可行，5G时代的到来会解决数据量传输的问题，因此近年来Micro OLED(Organic Light Emitting Display)被称为下一代显示技术的黑马，现已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且随着AR/VR以及自动驾驶等新技术的应用，Micro OLED微显示器将迎来爆发式的增长。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：由于MicroOLED子像素及线宽线距非常小(0.1～0.8um)，对Particle(杂质颗粒)的管控非常严格，极小的Particle就会带来不良，损失良率。而在正常生产过程中，环境或者传送Particle基本占有80％，因此，如何管控环境或者传送particle至关重要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种减少基板表面杂质颗粒，提高产品良品率，同时，在基板表面赋予电荷的同时，可以减小其表面能，使得后续界面接触更加紧密的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置及处理方法。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置，具有：
表面处理模块，能够向基板发射等离子流；
赋电模块，能够对基板上的杂质颗粒附加电荷；
磁场模块，能够对基板上的带电杂质颗粒施加电磁力；
输送机构，能够使基板在所述表面处理模块、赋电模块、磁场模块内输送；所述基板能够在所述赋电模块和磁场模块之间往复运动。
所述表面处理模块为等离子腔，所述等离子腔内能够朝向所述基板发射等离子流。
所述赋电模块为电场腔，所述磁场模块为磁场腔。
所述磁场腔内还设有杂质颗粒收集模块。
所述等离子腔和电场腔之间还设有真空过渡腔，由于等离子腔在工作时真空度约为10-2Pa，而电场腔在工作时真空度约为10-6Pa，二者之间有真空度差异，因此，需要设置真空过渡腔。
所述等离子腔的前端和磁场腔的后端还设有传送腔，所述传送腔内设有具有传片功能的机械手。
所述磁场腔与后端的传送腔之间还设有真空过渡腔，由于磁场腔在工作时真空度约为10-6Pa，而传送腔在工作时真空度约为10-2Pa，二者之间有真空度差异，因此，需要设置真空过渡腔。
前端的传送腔上设有上料口，后端的传送腔上设有出料口。
相邻腔室之间均通过阀门连接。
一种上述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，包括如下步骤：
1)用等离子流轰击基板表面杂质颗，使杂质颗失去电中性变为带上正/负电荷；
2)通过电场腔进一步给带有正/负电荷的杂质颗粒赋予能量；
3)在磁场腔中，在特定磁场方向上，通过基板的速度，带电粒子会向特定方向移动到杂质颗粒收集模块中，从而实现基板表面的杂质颗粒去除功能；
其中，基板在电场腔和磁场腔中往复运动多次。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点或有益效果，减少基板表面杂质颗粒，提高产品良品率，同时，在基板表面赋予电荷的同时，可以减小其表面能，使得后续界面接触更加紧密。
附图说明
图1为本发明实施例中提供的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的原理图；
图2为图1的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的结构示意图；
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
参见图1-2，一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置，具有：
表面处理模块，能够向基板发射等离子流；
赋电模块，能够对基板上的杂质颗粒附加电荷；
磁场模块，能够对基板上的带电杂质颗粒施加电磁力；
输送机构，能够使基板在表面处理模块、赋电模块、磁场模块内输送；基板能够在赋电模块和磁场模块之间往复运动。
表面处理模块为等离子腔，等离子腔内能够朝向基板发射等离子流。
赋电模块为电场腔，磁场模块为磁场腔。
磁场腔内还设有杂质颗粒收集模块。
等离子腔和电场腔之间还设有真空过渡腔。
等离子腔的前端和磁场腔的后端还设有传送腔，传送腔内设有具有传片功能的机械手。磁场腔与后端的传送腔之间还设有真空过渡腔。
前端的传送腔上设有上料口，后端的传送腔上设有出料口。
相邻腔室之间均通过阀门连接。
首先将基板表面赋予电荷，基板在电场和磁场中反复移动若干次，带有电荷的particle将会在电场和磁场的双重作用下与基板分离，到达Particle收集器，从而减少基板表面的Particle数量。同时，在基板表面赋予电荷的同时，可以减小其表面能，使得后续界面接触更加紧密。
一种上述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，包括如下步骤：
首先用高能PLASMA(等离子)流等轰击基板表面Particle，使Particle失去电中性变为带上正/负电荷。紧接着，通过电场进一步给这些带有正负电荷的粒子赋予能量，最后，在特定磁场方向上，通过基板的移动速度，带电粒子会向特定方向移动到Particle收集模块中，从而实现基板表面的Particle去除功能。需要注意的是，基板表面以及由密集的金属线路，因此，PLASMA及电场赋能的值不能过大，否则会损伤基板的金属线路，所以需要基板反复通过电场赋能单元及磁场分离单元，少量多次地对Particle进行分离。在此过程中，基板表面的断裂键与悬挂键也会因此变多，会使得基板表面亲和性增强，改善表面性能。
装置构成：1、上料口1个，内含25层(Slots)，最大可存放25片基板，可对接前端设备，也可单独使用；2、传送腔2个，内含机械手一个，可实现传片功能；3、Plasma腔1个，实现对基板的plasma处理；4、真空过渡腔2个，快速实现高低真空转换；5、电场腔1个，提供可调电场；6、磁场腔1个，提供可调电场；7、下料口1个，可对接下游设备，也可单独使用；8、门阀8个，干泵8个，冷泵3个。
采用上述的结构后，减少基板表面杂质颗粒，提高产品良品率，同时，在基板表面赋予电荷的同时，可以减小其表面能，使得后续界面接触更加紧密。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，具有：
表面处理模块，能够向基板发射等离子流；
赋电模块，能够对基板上的杂质颗粒附加电荷；
磁场模块，能够对基板上的带电杂质颗粒施加电磁力；
输送机构，能够使基板在所述表面处理模块、赋电模块、磁场模块内输送；所述基板能够在所述赋电模块和磁场模块之间往复运动；
所述表面处理模块为等离子腔，所述等离子腔内能够朝向所述基板发射等离子流；
所述赋电模块为电场腔，所述磁场模块为磁场腔；
包括如下步骤：
1）用等离子流轰击基板表面杂质颗，使杂质颗失去电中性变为带上正/负电荷；
2）通过电场腔进一步给带有正/负电荷的杂质颗粒赋予能量；
3）在磁场腔中，在特定磁场方向上，通过基板的速度，带电粒子会向特定方向移动到杂质颗粒收集模块中，从而实现基板表面的杂质颗粒去除功能；
其中，基板在电场腔和磁场腔中往复运动多次。
2.如权利要求1所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述磁场腔内还设有杂质颗粒收集模块。
3.如权利要求2所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述等离子腔和电场腔之间还设有真空过渡腔。
4.如权利要求3所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述等离子腔的前端和磁场腔的后端还设有传送腔，所述传送腔内设有具有传片功能的机械手。
5.如权利要求4所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，所述磁场腔与后端的传送腔之间还设有真空过渡腔。
6.如权利要求5所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，前端的传送腔上设有上料口，后端的传送腔上设有出料口。
7.如权利要求6所述的Micro OLED去除杂质颗粒的基板前处理装置的处理方法，其特征在于，相邻腔室之间均通过阀门连接。
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EP0790642A2 (en) * 1996-02-02 1997-08-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing contaminant particles from surfaces in semiconductor processing equipment
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