CN112864218A - 发光基板和发光装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及照明技术领域,尤其涉及一种发光基板和发光装置。可以避免发光器件发生短路缺陷,并能够提高发光基板的产品良率。一种发光基板,包括:衬底,设置于所述衬底上的多条供电线;以及设置于所述衬底上的多个发光器件和多条电阻线,每个发光器件包括:沿所述衬底的厚度方向,层叠设置的第一电极和第二电极,以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极相比于所述第二电极更靠近所述衬底,每个发光器件通过各自的第一电极与所述多条供电线耦接;每条电阻线的一端与一条供电线耦接,另一端与一个发光器件的第一电极耦接,且每条电阻线与所述第一电极同层设置。
Description
技术领域
本公开涉及照明技术领域,尤其涉及一种发光基板和发光装置。
背景技术
自发光器件,尤其是OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)在用于照明时,一个显著的优点是可以实现任意形状的大尺寸面光源。
发明内容
本发明的主要目的在于,提供一种发光基板和发光装置。可以避免发光器件发生短路缺陷,并能够提高发光基板的产品良率。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一方面,提供一种发光基板,包括:衬底,设置于所述衬底上的多条供电线;以及设置于所述衬底上的多个发光器件和多条电阻线,每个发光器件包括:沿垂直于所述衬底的方向,层叠设置的第一电极和第二电极,以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极相比于所述第二电极更靠近所述衬底,每个发光器件通过各自的第一电极与所述多条供电线耦接;每条电阻线的一端与一条供电线耦接,另一端与一个发光器件的第一电极耦接,且每条电阻线与所述第一电极同层设置。
在一些实施例中,所述多个发光器件形成沿第一方向排列的多排发光器件,每排发光器件中的各个发光器件沿第二方向排列;所述第一方向和所述第二方向交叉;所述多条供电线包括:沿所述第二方向延伸,且沿所述第一方向排列并相邻的第一供电线和第二供电线,所述第一供电线和所述第二供电线之间间隔设置有至少一排发光器件,所述至少一排发光器件中每个发光器件的第一电极与所述第一供电线或所述第二供电线耦接。
在一些实施例中,所述多个发光器件包括:沿所述第一方向或所述第二方向相邻的第一发光器件和第二发光器件;所述多条电阻线包括:第一电阻线和第二电阻线;所述第一电阻线与所述第一发光器件的第一电极耦接,所述第二电阻线绕过所述第一发光器件的第一电极的至少一条边与所述第二发光器件的第一电极耦接。
在一些实施例中,所述第二电阻线和所述第一发光器件的第一电极相邻。
在一些实施例中,所述第一发光器件和所述第二发光器件位于所述第一供电线和所述第二供电线之间,且所述第一供电线、所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第二供电线沿所述第一方向依次排列;所述第一发光器件的第一电极通过所述第一电阻线与所述第二供电线耦接,所述第二发光器件的第一电极通过所述第二电阻线与所述第一供电线耦接;所述第一电阻线绕过所述第二发光器件的第一电极的至少一条边与所述第一发光器件的第一电极耦接。
在一些实施例中,所述第一电阻线的至少一部分和所述第二电阻线的至少一部分分布在所述第一发光器件的第一电极和所述第二发光器件的第一电极沿所述第二方向的相对两侧。
在一些实施例中,所述第一电阻线与所述第一发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第一发光器件的第一电极靠近所述第一供电线的边缘处;和/或,所述第二电阻线与所述第二发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第二发光器件的第一电极靠近所述第二供电线的边缘处。
在一些实施例中,所述第一供电线包括第一耦接部;所述第一发光器件和所述第二发光器件沿所述第二方向排列;所述第一电阻线包括相互连接的第一电阻段和第二电阻段,所述第一电阻段远离连接点的一端与所述第一耦接部耦接,所述第二电阻段远离所述连接点的一端与所述第一发光器件的第一电极耦接,所述连接点为第一电阻段和第二电阻段连接的位置;所述第二电阻线包括所述第一电阻段和与所述连接点连接的第三电阻段,所述第三电阻段远离所述连接点的一端与所述第二发光器件的第一电极耦接。
在一些实施例中,所述第一电阻段在所述衬底上的正投影与所述第一供电线在所述衬底上的正投影具有重叠区域。
在一些实施例中,所述第一发光器件的第一电极和所述第二发光器件的第一电极均与所述第一电阻段相邻,所述第二电阻段沿所述第一方向延伸,且所述第二电阻段位于所述第一发光器件的第一电极远离所述第二发光器件的第一电极的一侧,所述第三电阻段沿所述第二方向延伸,所述第三电阻段位于所述第一电阻段和所述第一发光器件的第一电极之间。
在一些实施例中,所述第二电阻段与所述第一发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第一发光器件的第一电极靠近所述第二供电线的边缘处;所述第三电阻段与所述第二发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第二发光器件的第一电极靠近所述第一供电线的边缘处。
在一些实施例中,所述第二发光器件的第一电极在所述第一方向上的尺寸大于所述第一发光器件的第一电极在所述第一方向上的尺寸。
在一些实施例中,所述多个发光器件还包括第三发光器件和第四发光器件;所述多条电阻线还包括:第三电阻线和第四电阻线,所述第三电阻线的一端与所述第一耦接部耦接,另一端与所述第三发光器件的第一电极耦接,所述第四电阻线的一端与所述第一耦接部耦接,另一端与所述第四发光器件的第一电极耦接;过所述第一耦接部,在所述衬底所在的平面作垂直于所述第一供电线的第一直线,所述第一电阻线、所述第二电阻线、所述第三电阻线和所述第四电阻线的结构相对于所述第一直线呈轴对称,和/或,所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件和所述第四发光器件的结构相对于所述第一直线呈轴对称。
在一些实施例中,所述第二供电线包括:第二耦接部;所述多个发光器件还包括:第五发光器件和第六发光器件;所述多条电阻线还包括:第五电阻线和第六电阻线,所述第五电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第五发光器件的第一电极耦接,所述第六电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第六发光器件的第一电极耦接;在所述衬底上,作平行于所述第一供电线和所述第二供电线,并位于所述第一发光器件和所述第五发光器件之间的第二直线,所述第一电阻线、所述第二电阻线、所述第五电阻线和所述第六电阻线的结构相对于所述第二直线呈镜像对称,和/或,所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第五发光器件和所述第六发光器件的结构相对于所述第二直线呈轴对称。
在一些实施例中,所述多个发光器件还包括:第七发光器件和第八发光器件;所述多条电阻线还包括:第七电阻线和第八电阻线;所述第七电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第七发光器件的第一电极耦接,所述第八电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第八发光器件的第一电极耦接;过所述第二耦接部,在衬底上作垂直于所述第二供电线的第三直线,所述第五电阻线、所述第六电阻线、所述第七电阻线和所述第八电阻线的结构相对于所述第三直线呈轴对称,和/或,所述第五发光器件、所述第六发光器件、所述第七发光器件和所述第八发光器件的结构相对于所述第三直线呈轴对称。
在一些实施例中,所述多条供电线还包括:第三供电线,所述第三供电线与所述第一供电线平行,且所述第三供电线位于所述第二供电线远离所述第一供电线的一侧,并与所述第二供电线相邻;过所述第二耦接部,在所述衬底上作平行于所述第一供电线的第四直线,与所述第二供电线耦接的每条电阻线的结构相对于所述第四直线呈轴对称,和/或,与所述第二供电线耦接的每个发光器件的结构相对于所述第四直线呈轴对称。
在一些实施例中,所述多条供电线和所述多条电阻线之间设置有绝缘层,所述绝缘层中设置有多个过孔;所述多个过孔包括:与所述第一耦接部的位置对应的第一过孔和与所述第二耦接部的位置对应的第二过孔,所述第二过孔的尺寸与所述第一过孔的尺寸大致相等。
在一些实施例中,每条电阻线的阻值大致相同。
另一方面,提供一种发光装置,包括:如上所述的发光基板。
本发明实施例提供一种发光基板和发光装置。与相关技术中发光器件在工作时,电流更趋向于从短路点通过相比。通过设置多条电阻线,由于每条电阻线的存在,能够防止电流更趋向于从短路点流过,从而能够起到防短路的作用。与相关技术中,通过在发光器件中加入一层可以导电的功能层,以增大阳极和阴极之间的距离,从而会加厚发光器件的整体厚度相比,不会对发光器件的厚度产生影响。另外,与相关技术中发光基板仅包括一个发光器件的情况相比,通过设置多个发光器件,将发光基板像素化,能够降低阳极和阴极直接接触的机会,同时,通过在每个发光器件的第一电极和与其耦接的供电线之间均连接一条电阻线,还能够在任意一个发光器件发生短路的情况下,不会对其他发光器件发光造成影响,从而能够提高整个发光基板的产品良率。另外,通过将每条电阻线与第一电极同层设置,还能够减少制作工序,降低制作难度。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案,下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图2为基于图1的A-A’方向的剖视结构图;
图3为相关技术提供的未设置多条电阻线的情况下,阳极和阴极发生短路时的结构图和等效电路图;
图4为根据一些实施例的设置多条电阻线的情况下,阳极和阴极发生短路时的结构图和等效电路图;
图5为根据一些实施例的发光器件的尺寸为100微米和发光器件的尺寸为50微米的开口率对比图;
图6为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图7为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图8为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图9为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图10为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图11为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图12为根据另一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图13为根据又一些实施例的发光基板的俯视结构图;
图14为根据一些实施例的发光基板的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时,可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如,描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如,描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而,术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触,但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义,均包括以下A、B和C的组合:仅A,仅B,仅C,A和B的组合,A和C的组合,B和C的组合,及A、B和C的组合。
“A和/或B”,包括以下三种组合:仅A,仅B,及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言,其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外,“基于”的使用意味着开放和包容性,因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样,“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值,其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了一种发光装置,该发光装置包括发光基板,当然还可以包括其他部件,例如可以包括用于向发光基板提供电信号,以驱动该发光基板发光的电路,该电路可以称为控制电路,可以包括与发光基板电连接的电路板和/或IC(IntegrateCircuit,集成电路)。
该发光装置可以为照明装置,例如,发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组,用于内部或外部照明的灯(如车灯等),或各种信号灯等。
在一些实施例中,上述发光基板可以是OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)发光基板和QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes,量子点发光二极管)发光基板等自发光型发光基板中的任一种。
上述自发光型发光基板的一个显著优点是:可以实现任意形状的大尺寸面光源,然而,由于自发光型发光器件(例如OLED发光器件)为层状的薄膜器件,阳极和阴极之间的间距比较小,特别是在发光器件的制备过程中,不可避免地会引入灰尘颗粒,灰尘颗粒的引入,以及发光器件的结构中的针孔、裂纹、段差和涂布粗糙度等缺陷的存在,都有可能造成阳极和阴极之间直接接触,从而形成缺陷点(也可以称为短路点),影响自发光型发光基板的产品良率。
上述发光基板可以包括一个发光器件或多个发光器件,在采用一个发光器件的情况下,发光器件的尺寸较大,阳极和阴极之间直接接触的机会较大,不利于提高发光基板的产品良率。在采用多个发光器件的情况下,虽然可以有效降低阳极和阴极直接接触的机会,但是,仍然难以避免上述短路不良。
在相关技术中,一般采用在发光器件中加入一层可以导电的功能层的方式,来增大阳极和阴极之间的距离,降低它们直接接触的机会,从而避免短路缺陷的发生,然而,发光器件厚度的增加必然导致发光器件的开启电压增加,效率降低,从而导致发光器件的整体性能降低。
本公开的一些实施例提供一种发光基板,参考图1和图2,该发光基板1包括:衬底11、设置于衬底11上的多条供电线12,以及设置于衬底11上的多个发光器件13。每个发光器件13包括:沿垂直于衬底11的方向,层叠设置的第一电极131和第二电极132,以及设置于第一电极131和第二电极132之间的发光功能层133,第一电极131相比于第二电极132更靠近衬底11。其中,每个发光器件13可以通过各自的第一电极131和一条供电线12耦接。
其中,如图1所示,多条供电线12可以呈网格状,此时,该多条供电线12可以通过多条供电线12中的部分或者全部与控制电路连接,以根据控制电路输入的电信号,驱动每个发光器件13发光。
其中,上述发光器件13可以是OLED发光器件,此时,发光功能层133可以包括有机发光层。在另一些实施例中,上述发光器件13可以为QLED发光器件,此时,发光功能层133可以包括量子点发光层。在以下的实施例中,将以该发光器件13为OLED发光器件为例,对本公开的实施例进行说明。
在一些实施例中,如图2所示,该第一电极131可以为阳极,此时,该第二电极132为阴极。在另一些实施例中,该第一电极131可以为阴极,此时,该第二电极132为阳极。
在一些实施例中,阳极的材料可以选自高功函材料,如ITO(Indium Tin Oxides,氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide,氧化铟锌)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电材料,也可以是银及其合金、铝及其合金等金属材料,或上述材料堆叠的复合材料(如Ag/ITO,Al/ITO,Ag/IZO或Al/IZO,其中,“Ag/ITO”命名由金属银电极和ITO电极堆叠的叠层结构)等,阴极的材料可以选自低功函材料,如LiF/Al、金属Al、Ag或Mg,或者低功函的金属合金材料(如镁铝合金、镁银合金)等。
在一些实施例中,如图1所示,发光基板1还包括:多条电阻线14,每条电阻线14的一端与一条供电线12耦接,另一端与一个发光器件13的第一电极131耦接,且每条电阻线14与第一电极131同层设置。
如图3中的(a)所示,为未设置多条电阻线14的情况下,发光器件13的阳极和阴极发生短路的结构图,如图3中的(b)所示,为未设置多条电阻线14的情况下,发光器件13的阳极和阴极发生短路的等效电路图,如图4中的(a)所示,为设置上述多条电阻线14的情况下,发光器件13的阳极和阴极发生短路的结构图,如图4中的(b)所示,为设置上述多条电阻线14的情况下,发光器件13的阳极和阴极发生短路的等效电路图。
由图3和图4可知,在未设置上述多条电阻线14的情况下,发光器件13在工作时,电流更趋向于从短路点通过,从而使得电流几乎不流过该发光器件13的其他位置,使该发光器件13的光输出减少甚至消失。而通过设置上述多条电阻线14,由于每条电阻线14的存在,能够防止电流更趋向于从短路点流过,从而能够起到防短路的作用。与相关技术中,通过在发光器件13中加入一层可以导电的功能层,以增大阳极和阴极之间的距离,从而会加厚发光器件13的整体厚度相比,不会对发光器件13的厚度产生影响。另外,与相关技术中发光基板1仅包括一个发光器件13的情况相比,通过设置多个发光器件13,将发光基板1像素化,能够降低阳极和阴极直接接触的机会,同时,通过在每个发光器件13的第一电极131和与其耦接的供电线12之间均连接一条电阻线14,还能够在任意一个发光器件13发生短路的情况下,不会对其他发光器件13发光造成影响,从而能够提高整个发光基板1的产品良率。
另外,通过将每条电阻线14与第一电极131同层设置,还能够减少制作工序,降低制作难度。
其中,需要说明的是,虽然上述通过将发光基板1像素化,能够降低阳极和阴极直接接触的机会,提高良率,但是,并不是说发光器件13的尺寸越小越好。示例的,如图5所示,为发光器件13的第一电极131的尺寸为100微米和发光器件13的第一电极131的尺寸为50微米的开口率对比图,其中,如图5中的(a)所示,为发光器件13的第一电极131的尺寸为100微米的结构图,如图5中的(b)所示,为发光器件13的第一电极131的尺寸为50微米的结构图,由图5可知,在将发光器件13的尺寸由100微米变化到50微米的情况下,开口率大大降低,同时,通过计算发现,在发光器件13的尺寸为100微米的情况下,开口率可以做到80%以上,但是在发光器件13的尺寸为50微米的情况下,开口率就只能做到不足50%,严重影响发光器件13的亮度,进而影响发光器件13的寿命,尤其是对于车灯而言,要求寿命在15年以上,因此较大的开口率就显得尤为重要。
根据上述每条电阻线14与第一电极131同层设置,可以得知,为了保证每条电阻线14足够的长度,以保证每条电阻线14足够的电阻值用以防止短路,每条电阻线14可以均围绕在多个第一电极131的周围,并与每个第一电极131之间均具有缝隙,如图6所示,示出了每条电阻线14均围绕在一个第一电极131的周围的示例,这样一来,对于底发射型发光器件而言,每个第一电极131的尺寸除与多条供电线12的占地面积有关之外,还与多条电阻线14的占地面积有关。
在一些实施例中,每条供电线12在衬底11上的正投影,位于每个发光器件13的发光功能层133与第一电极131接触的部分在衬底11上的正投影之外。
每条供电线12在衬底11上的正投影,位于每个发光器件13的发光功能层133与第一电极131接触的部分在衬底11上的正投影之外,是指,每条供电线12在衬底11上的正投影,与每个发光器件13中发光功能层133和第一电极131接触的部分在衬底11上的正投影之间均无交叠。也即,在每个发光器件13发出的光经衬底11一侧出射的情况下,每条供电线12不会对出射光产生影响,这时,该发光基板1可以是底发射型发光基板,第一电极131可以是透明阳极。
在一些实施例中,如图2所示,该发光基板1还可以包括:设置于衬底11上的像素界定层15,像素界定层15限定出多个开口K,每个发光器件13可以设置于一个开口K中。
这时,如图2所示,发光器件13的第一电极131可以设置于像素界定层15靠近衬底11的一侧,发光功能层133与第一电极131接触的部分如图2中虚线框W所示,在该发光基板1为底发射型发光基板的情况下,每条供电线12在衬底11上的正投影均位于虚线框W所示区域之外。如图6所示,为每条供电线12在衬底11上的正投影,均位于每个发光器件13中发光功能层133与第一电极131接触的部分在衬底11上的正投影之外的一种示例,在该示例中,多条供电线12呈网格状,每条电阻线14围绕一个发光器件13的第一电极131的一周设置,在供电时,电流在流经供电线12后,再依次流经供电线12、电阻线14、第一电极131、发光功能层133和第二电极132,根据该电流的流经路径,在实际应用中,可以对电阻线14的材料、长度、粗细等进行选择以对该电阻线14的电阻进行合理设置,以起到防短路的作用。
在一些实施例中,如图6所示,每条电阻线14的阻值大致相同。根据电压等于电流乘以电阻,可以得知,在施加在电阻线14与供电线12耦接的一端和第二电极132之间的电压大致相同的情况下,由于每条电阻线14的阻值大致相同,因此,可以保证施加在每个发光器件13的第一电极131和第二电极132之间的分压大致相同,从而能够最大程度上保证多个发光器件13发光的亮度均匀性。
在一些实施例中,根据上述每条电阻线14与第一电极131同层设置,可以得知,如图2所示,每条电阻线14和多条供电线12之间可以设置有绝缘层10,绝缘层10中设置有多个过孔O,每条电阻线14可以通过绝缘层10中的过孔O与一条供电线12耦接。
在一些实施例中,如图7、图8、图9和图10所示,多个发光器件13形成沿第一方向(如图7、图8、图9和图10中的箭头a所示)排列的多排发光器件13,每排发光器件13中的各个发光器件13沿第二方向(如图7、图8、图9和图10中的箭头b所示)排列;第一方向和第二方向交叉。多条供电线12包括:沿第二方向延伸,且沿第一方向排列并相邻的第一供电线12a和第二供电线12b,第一供电线12a和第二供电线12b之间间隔设置有至少一排发光器件13,至少一排发光器件13中每个发光器件13的第一电极131与第一供电线12a或第二供电线12b耦接。
其中,多个发光器件12可以呈行列形式排布,示例的,如图7、图8、图9和图10所示,第一方向和第二方向垂直,此时,如图7和图8所示,第一方向可以是多个发光器件13的列方向,第二方向是多个发光器件13的行方向,或者,如图9和图10所示,第一方向可以是多个发光器件13的行方向,第二方向是多个发光器件13的列方向。
在第一方向是多个发光器件13的列方向,第二方向是多个发光器件13的行方向的情况下,如图7和图8所示,第一供电线12a和第二供电线12b沿多个发光器件13的行方向延伸,沿多个发光器件13的列方向排列。在第一方向是多个发光器件13的行方向的情况下,第二方向是多个发光器件的列方向的情况下,如图9和图10所示,第一供电线12a和第二供电线12b沿多个发光器件13的列方向延伸,沿多个发光器件13的行方向排列。
无论上述哪种情况,第一供电线12a和第二供电线12b之间设置有至少一排发光器件13,是指,第一供电线12a和第二供电线12b之间设置有一排或两排以上的发光器件13,示例的,如图7和图8所示,以第一供电线12a和第二供电线12b沿多个发光器件13的行方向延伸,沿多个发光器件13的列方向排列为例,第一供电线12a和第二供电线12b之间设置有至少一排发光器件13,是指,第一供电线12a和第二供电线12b之间设置有一行或两行以上的发光器件13;再示例的,如图9和图10所示,以第一供电线12a和第二供电线12b沿多个发光器件13的列方向延伸,沿多个发光器件13的行方向排列为例,第一供电线12a和第二供电线12b之间设置有至少一排发光器件13,是指,第一供电线12a和第二供电线12b之间设置有一列或两列以上的发光器件13。
在这些实施例中,与第一供电线12a和第二供电线12b之间设置有一排发光器件13相比,通过在第一供电线12a和第二供电线12b之间设置两排以上的发光器件13,可以在保证向每个发光器件13供电的同时,减少供电线12的占地面积,增大位于第一供电线12a和第二供电线12b之间的每个发光器件13的第一电极131的面积,从而能够增大开口率。
结合图6、图2和图8所示,从设计极限来看,假设每条供电线12、绝缘层10、像素界定层15和第一电极131在两个相邻的发光器件13之间的最小占地尺寸均为2微米,那么,原本50微米尺寸的区域减去一个发光器件13两侧的最小占地尺寸(以供电线12、绝缘层10、像素界定层15和第一电极131的最小占地尺寸均为2微米,这四者的最小占地尺寸为2×4等于8微米,一个发光器件13两侧的最小占地尺寸即为8×2等于16微米),发光器件13的第一电极131中实际起发光作用的尺寸最多只有34微米,所以,开口率等于(34×34)/(50×50)×100%,约等于46%。
结合图6、图8和图9,在将位于第一供电线12a和第二供电线12b之间的供电线12去掉之后,由于两个相邻的发光器件13之间没有供电线12,因此,每个发光器件13的第一电极131的尺寸可以在原来的基础上增加2微米~4微米,此时,开口率可以等于(36×36)/(50×50)×100%,约等于52%,到(38×38)/(50×50)×100%,约等于57%,相比之前开口率增加了(52%-46%)/46%×100%,约等于13%,到(57%-46%)/46%×100%,约等于23%,极大地增加了开口率,有利于提高发光器件13的寿命。
在一些实施例中,如图7、图8、图9和图10所示,多个发光器件13包括:沿第一方向或第二方向相邻的第一发光器件13a和第二发光器件13b。多条电阻线14包括:第一电阻线14a和第二电阻线14b。第一电阻线14a与第一发光器件13a的第一电极131耦接,第二电阻线14b绕过第一发光器件13a的第一电极131的至少一条边与第二发光器件13b的第一电极131耦接。
第二电阻线14b绕过第一发光器件13a的第一电极131的至少一条边与第二发光器件13b的第一电极131耦接,是指,第二电阻线14b围绕在第一发光器件13a的第一电极131的至少一条边的周围,与第二发光器件13b的第一电极131耦接。
与如图6所示,第二电阻线14b围绕在第二发光器件13b的第一电极131的一周,第二电阻线14b的占地面积和第二电阻线14b和第二发光器件13b的第一电极131之间的缝隙均决定了第二发光器件13b的第一电极131的尺寸较小相比,在这些实施例中,通过使第二电阻线14b绕过第一发光器件13a的第一电极131的至少一条边与第二发光器件13b的第一电极耦接,可以在保证第二电阻线14b的长度的情况下,减少第二电阻线14b在第二发光器件13b的第一电极131周围的绕线以及缝隙,从而能够最大程度上增大第二发光器件13b的第一电极131的面积,从而能够增大第二发光器件13b的开口率。
在一些实施例中,第二电阻线14b和第一发光器件13a的第一电极131相邻。
其中,第二电阻线14b和第一发光器件13a相邻是指:第二电阻线14b和第一发光器件13a之间不存在其他电阻线14和其他第一电极131。与如图6所示,第二电阻线14b和第一发光器件13a之间存在其余电阻线(如第一电阻线14a)相比,能够在保证足够的第二电阻线14长度的情况下,减少第二电阻线14b与第一发光器件13a的第一电极131之间的缝隙,并且根据上述在第一电阻线14a也可以与第二供电线12b耦接,这时,第一电阻线14a也可以绕过第二发光器件13b的第一电极131与第一发光器件13a的第一电极131耦接,能够在保证第一电阻线14a的长度的情况下,使得第一电阻线14a也不会围绕在第一发光器件13a的第一电极131的周围,从而也能够增大第一发光器件13a的第一电极131的占地面积,增大第一发光器件13a的开口率。
在一些实施例中,如图7和图9所示,第一发光器件13a和第二发光器件13b位于第一供电线12a和第二供电线12b之间,且第一供电线12a、第一发光器件13a、第二发光器件13b和第二供电线12b沿第一方向依次排列。第一发光器件13a的第一电极131通过第一电阻线14a与第二供电线12b耦接,第二发光器件13b的第一电极131通过第二电阻线14b与第一供电线12a耦接,第一电阻线12a绕过第二发光器件13b的第一电极131的至少一条边与第一发光器件13a的第一电极131耦接。
在这些实施例中,能够在保证第一电阻线14a和第二电阻线14b的长度的同时,尽量减少第一电阻线14a和第二电阻线14b在第一发光器件13a的第一电极131和第二发光器件13b的第一电极131的周围的绕线,与如图6所示,第一电阻线14a围绕第一发光器件13a一周,分别与第一供电线12a和第一发光器件13a的第一电极131耦接,第二电阻线14b围绕第二发光器件13b一周,分别与第二供电线12b和第二发光器件13b的第一电极131耦接相比,能够增大第一发光器件13a的第一电极131和第二发光器件13b的第一电极131的面积,从而同时增大第一发光器件13a和第二发光器件13b的开口率。
在一些实施例中,如图7和图9所示,第一电阻线14a的至少一部分和第二电阻线14b的至少一部分分布在第一发光器件13a的第一电极和第二发光器件13b的第一电极沿第二方向的相对两侧。
在这些实施例中,可以在保证第一电阻线14a和第二电阻线14b的长度的情况下,使第一电阻线14a和第二电阻线14b均匀分布在第一发光器件13a的第一电极131和第二发光器件13b的第一电极131沿第二方向的相对两侧,提高第一发光器件13a和第二发光器件13b的分布均匀性。
在一些实施例中,如图9所示,第一电阻线14a与第一发光器件13a的第一电极131耦接的一端延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘处,和/或,第二电阻线14b与第二发光器件13b的第一电极131耦接的一端延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘处。
在这些实施例中,如图9所示,示出了第一电阻线14a与第一发光器件13a的第一电极131耦接的一端延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的拐角位置,第二电阻线14b与第二发光器件13b的第一电极131耦接的一端延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘的拐角位置的情形,本领域技术人员能够理解的是,第一电阻线14a与第一发光器件13a的第一电极131耦接的一端可以延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的任意位置处,第二电阻线14b与第二发光器件13b的第一电极131耦接的一端延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘的任意位置处,此时,第一电阻线14a延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的部分在衬底11上的正投影可以与第一供电线12a在衬底11上的正投影重叠,第二电阻线14b延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘的部分在衬底11上的正投影可以与第二供电线12b在衬底11上的正投影重叠,不会对开口率产生影响。
在另一些实施例中,如图10所示,第一供电线12a包括第一耦接部S。第一发光器件13a和第二发光器件13b沿第二方向排列。第一电阻线14a包括相互连接的第一电阻段141和第二电阻段142,第一电阻段141远离连接点P的一端与第一耦接部S耦接,第二电阻段142远离连接点P的一端与第一发光器件13a的第一电极131耦接,连接点P为第一电阻段141和第二电阻段142连接的位置;第二电阻线12b包括该第一电阻段141和与连接点O连接的第三电阻段143,第三电阻段143远离连接点P的一端与第二发光器件13b的第一电极131耦接。
在这些实施例中,通过使第一电阻线14a和第二电阻线14b共用第一电阻段141,同样可以在保证足够的第一电阻线14a和第二电阻线14b的长度的情况下,减少第一电阻线14a和第二电阻线14b的占地面积,增大开口率。
在一些实施例中,如图10所示,第一电阻段141在衬底11上的正投影与第一供电线12a在衬底11上的正投影具有重叠区域。这样,能够使部分或全部第一电阻段141位于第一供电线12a所在的区域,从而进一步减少第一电阻线14a和第二电阻线14b的占地面积,增大开口率。
在一些实施例中,如图10所示,第一发光器件13a的第一电极131和第二发光器件13b的第一电极131均与第一电阻段141相邻,第二电阻段142沿第一方向(如图10中箭头a所示方向)延伸,且第二电阻段142位于第一发光器件13a远离第二发光器件13b的一侧,第三电阻段143沿第二方向(如图10中箭头b所示方向)延伸,第三电阻段143位于第一电阻段141和第一发光器件13a之间。
第一发光器件13a的第一电极131和第二发光器件13b的第一电极131均与第一电阻段141相邻,是指,第一发光器件13a的第一电极和第二发光器件13b的第一电极与第一电阻线141之间不存在其他发光器件13。
在这些实施例中,由于第一电阻线14a和第二电阻线14b共用第一电阻段141,因此,为了使第一电阻线14a和第二电阻线14b的电阻值大致相同,保证第一发光器件13a和第二发光器件13b发光亮度的均匀性,可以对第二电阻段142和第三电阻段143的材料、长度和粗细进行合理设置,以使得第二电阻段142和第三电阻段143的电阻值大致相同。
这里,根据设计极限,在第一电阻线14a和第二电阻线14b的材料相同的情况下,第二电阻段142和第三电阻段143的长度和粗细可以大致相同。这时,在第一发光器件13a沿第一方向和第二方向延伸的两条边的长度相同,且第三电阻段143和第二电阻段142的长度与第一发光器件13a沿第一方向和第二方向的两条边的长度大致相同的情况下,第三电阻段143位于第一发光器件13a和第一电阻段141之间,可以略微增大第二发光器件13b的第一电极131沿第一方向的尺寸,这样一来,可以使第二发光器件13b的第一电极131沿第一方向的尺寸大于第一发光器件13a的第一电极131沿第一方向的尺寸,从而可以充分利用空间,增大发光面积。
在一些实施例中,如图10所示,第二电阻段142与第一发光器件13a的第一电极131耦接的一端延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘处;第三电阻段143与第二发光器件13b的第一电极131耦接的一端延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘处。
在这些实施例中,如图11所示,示出了第二电阻段142与第一发光器件13a的第一电极131耦接的一端延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘的拐角位置,第三电阻段143与第二发光器件13b的第一电极131耦接的一端延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的拐角位置的情形,本领域技术人员能够理解的是,第二电阻段142与第一发光器件13a的第一电极131耦接的一端可以延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘的任意位置处,第三电阻段143与第二发光器件13b的第一电极131耦接的一端可以延伸至第二发光器件13a的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的任意位置处。此时,第二电阻段142延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘的部分在衬底11上的正投影可以与第二供电线12b在衬底11上的正投影重叠,第三电阻段143延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的部分在衬底11上的正投影可以与第二供电线12a在衬底11上的正投影重叠,不会对开口率产生影响。
然而,如图10所示,通过将第二电阻段142与第一发光器件13a的第一电极131耦接的一端延伸至第一发光器件13a的第一电极131靠近第二供电线12b的边缘的拐角位置,将第三电阻段143与第二发光器件13b的第一电极131耦接的一端延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的拐角位置,在第三电阻段143在衬底11上的投影位于第一供电线14a和第一发光器件13a的第一电极131之间的情况下,还可以略微增大第二发光器件13b的第一电极131沿第一方向的尺寸,从而可以使第二发光器件13b的第一电极131沿第一方向的尺寸大于第一发光器件13a的第一电极131沿第一方向的尺寸,达到充分利用空间,增大发光面积的目的。
在一些实施例中,如图11所示,像素界定层15限定出的多个开口K可以包括:第一开口K1和第二开口K2,第一发光器件13a设置于第一开口K1中,第二发光器件13b设置于第二开口K2中,第二开口K2沿第一方向的尺寸大于第一开口K1沿第一方向的尺寸。
在这些实施例中,通过使像素界定层15限定出第一开口K1和第二开口K2,能够在保证第二发光器件13b的第一电极131沿第一方向的尺寸大于第一发光器件13a的第一电极131沿第一方向的尺寸的情况下,使第二发光器件13b沿第一方向的发光面积大于第一发光器件13a沿第一方向的发光面积。
在一些实施例中,如图12所示,多个发光器件13还包括第三发光器件13c和第四发光器件13d。多条电阻线14还包括:第三电阻线14c和第四电阻线14d,第三电阻线14c的一端与第一耦接部S耦接,另一端与第三发光器件13c的第一电极131耦接,第四电阻线14d的一端与第一耦接部S耦接,另一端与第四发光器件13d的第一电极131耦接;过第一耦接部S,在衬底11所在的平面作垂直于第一供电线12a的第一直线LL’,第一电阻线14a、第二电阻线14b、第三电阻线14c和第四电阻线14d的结构相对于第一直线LL’呈轴对称,和/或,第一发光器件13a、第二发光器件13b、第三发光器件13c和第四发光器件13d的结构相对于第一直线LL’呈轴对称。
在这些实施例中,通过使第一电阻线14a、第二电阻线14b、第三电阻线14c和第四电阻线14d的结构相对于第一直线LL’呈轴对称,可以在第一电阻线14a和第二电阻线14b的阻值大致相同的情况下,使得第三电阻线14c和第四电阻线14d的阻值也大致相同,并能够提高第一电阻线14a、第二电阻线14b、第三电阻线14c和第四电阻线14d的分布均匀性。而通过使第一发光器件13a、第二发光器件13b、第三发光器件13c和第四发光器件13d的结构相对于第一直线LL’呈轴对称,可以在第二发光器件13b在第一方向上的尺寸大于第一发光器件13a在第一方向上的尺寸的情况下,使得第三发光器件13c在第一方向上的尺寸大于第四发光器件13d在第一方向上的尺寸,从而能够最大程度上增大发光器件13的发光面积。而在第三电阻段143延伸至第二发光器件13b的第一电极131靠近第一供电线12a的边缘的部分在衬底11上的正投影可以与第一供电线12a在衬底11上的正投影重叠的情况下,还可以保证第一发光器件13a、第二发光器件13b、第三发光器件13c和第四发光器件13d的分布均匀性,并提高各发光器件13的发光均匀性。
在一些实施例中,如图12所示,第二供电线12b包括:第二耦接部R,多个发光器件13还包括:第五发光器件13e和第六发光器件13f,多条电阻线14还包括:第五电阻线14e和第六电阻线14f,第五电阻线14e的一端与第二耦接部R耦接,另一端与第五发光器件13e的第一电极133耦接,第六电阻线14f的一端与第二耦接部R耦接,另一端与第六发光器件13f的第一电极131耦接。在衬底11上,作平行于第一供电线12a和第二供电线12b,并位于第一发光器件13a和第五发光器件13e之间的第二直线MM’,第一电阻线14a、第二电阻线14b、第五电阻线14e和第六电阻线14f的结构相对于第二直线MM’呈轴对称,和/或,第一发光器件13a、第二发光器件13b、第五发光器件13e和第六发光器件13f的结构相对于第二直线MM’呈轴对称。
在这些实施例中,通过使第一电阻线14a、第二电阻线14b、第五电阻线14e和第六电阻线14f的结构相对于第二直线MM’呈轴对称,可以在第一电阻线14a、第二电阻线14b的阻值大致相同的情况下,使得第一电阻线14a、第二电阻线14b、第五电阻线14e和第六电阻线14f的阻值均大致相同,从而可以提高发光均匀性,并能够提高第一电阻线14a、第二电阻线14b、第五电阻线14e和第六电阻线14f的分布均匀性,便于制作成图案。而通过使第一发光器件13a、第二发光器件13b、第五发光器件13e和第六发光器件13f的结构相对于第二直线MM’呈轴对称,也同样能够保证第一发光器件13a、第二发光器件13b、第五发光器件13e和第六发光器件13f的分布均匀性,并提高发光均匀性。
在一些实施例中,如图12所示,多个发光器件13还包括:第七发光器件13g和第八发光器件13h;多条电阻线14还包括:第七电阻线14g和第八电阻线14h,第七电阻线14g的一端与第二耦接部R耦接,另一端与第七发光器件13g的第一电极131耦接,第八电阻线14h的一端与第二耦接部R耦接,另一端与第八发光器件13h的第一电极131耦接。过第二耦接部R,在衬底11上作垂直于第二供电线12b的第三直线NN’,第五电阻线14e、第六电阻线14f、第七电阻线14g和第八电阻线14h的结构相对于第三直线NN’呈轴对称,和/或,第五发光器件13e、第六发光器件13f、第七发光器件13g和第八发光器件13h的结构相对于第三直线NN’呈轴对称。
在这些实施例中,通过使第五电阻线14e、第六电阻线14f、第七电阻线14g和第八电阻线14h的结构相对于第三直线NN’呈轴对称,可以在第五电阻线14e、第六电阻线14f、第七电阻线14g和第八电阻线14h的阻值大致相同的情况下,提高第五发光器件13e、第六发光器件13f、第七发光器件13g和第八发光器件13h的发光均匀性,并能够提高第五电阻线14e、第六电阻线14f、第七电阻线14g和第八电阻线14h的分布均匀性,便于制作成图案。而通过使第五发光器件13e、第六发光器件13f、第七发光器件13g和第八发光器件13h的结构相对于第三直线NN’呈轴对称,也同样能够保证第五发光器件13e、第六发光器件13f、第七发光器件13g和第八发光器件13h的分布均匀性,并提高发光均匀性。
在一些实施例中,如图12所示,多条供电线12还包括:第三供电线12c,第三供电线12c与第一供电线12a平行,且第三供电线12c位于第二供电线12b远离第一供电线12a的一侧,并与第二供电线12b相邻。过第二耦接部R,在衬底11上作平行于第一供电线12a的第四直线CC’,与第二供电线12b耦接的每条电阻线14的结构相对于第四直线CC’呈轴对称,和/或,与第二供电线12b耦接的每个发光器件13的结构相对于第四直线CC’呈轴对称。
在这些实施例中,通过使与第二供电线12b耦接的每条电阻线14的结构相对于第四直线CC’呈轴对称,同样可以提高与第二供电线12b耦接的每条电阻线14的分布均匀性,便于制作,同时,还能够在第五电阻线14e、第六电阻线14f、第七电阻线14g和第八电阻线14h均与一个第二耦接部R耦接的情况下,使得分布于第二供电线12b相对两侧的8条电阻线14均与一个第二耦接部R耦接,这时,可以使8条电阻线14通过一个过孔O与第二耦接部R耦接,并能够使分布于第二供电线12b相对两侧的8条电阻线14中每4条电阻线共用同一电阻段,如图12中,分别位于第二供电线14b相对两侧的第五电阻线14e、第六电阻线14f、第九电阻线14i和第十电阻线14j共用同一电阻段144。能够进一步减少电阻线14的占地面积,并提高电阻线14的分布均匀性和规律性,便于制作。而通过使与第二供电线12b耦接的每个发光器件13的结构相对于第四直线CC’呈轴对称,同样能够保证与第二供电线12b耦接的多个发光器件13的分布均匀性,并提高发光均匀性。
在一些实施例中,如图13所示,绝缘层10中的多个过孔O包括:与第一耦接部S的位置对应的第一过孔O1和与第二耦接部R的位置对应的第二过孔O2,第二过孔O2的尺寸与第一过孔O1的尺寸大致相等。
在这些实施例中,结合图12和图13,在第一电阻段141和电阻段144的结构相对于第三直线NN’呈轴对称的情况下,第一电阻段141的电阻值和电阻段144的电阻值大致相同,因此,通过使第一过孔O1的尺寸与第二过孔O2的尺寸大致相等,能够使第一电阻段141与第一耦接部S的接触电阻和电阻段144与第二耦接部R的接触电阻大致相等,从而能够保证分配至各个发光器件13(如与第一供电线12a耦接的每个发光器件13和与第二供电线12b耦接的每个发光器件13)的电流大致相等,从而能够进一步提高发光均匀性。
本公开的一些实施例提供一种发光基板的制备方法,如图2所示,包括:
在衬底11上形成多条供电线12、多个发光器件13和多条电阻线14。其中,每个发光器件13包括:层叠的第一电极131和第二电极132,以及形成在第一电极131和第二电极132之间的发光功能层133。第一电极131相比于第二电极132更靠近衬底11,每条电阻线14的一端与一条供电线12耦接,另一端与一个发光器件13的第一电极131耦接,且每条电阻线14与第一电极131位于同一层。
本公开的实施例提供的发光基板的制备方法的有益技术效果和本公开的实施例提供的发光基板的有益技术效果相同,在此不再赘述。
在一些实施例中,形成多个发光器件13中每个发光器件13的第一电极131的步骤和形成多条电阻线14的步骤包括:形成导电薄膜,并将导电薄膜图案化形成导电图案层,导电图案层包括:多个发光器件13中每个发光器件13的第一电极131和多条电阻线14。也即,多个发光器件13中每个发光器件13的第一电极131和多条电阻线14通过同一次构图工艺形成。
根据上述发光基板1还可以包括设置于多条供电线12和第一电极131之间的绝缘层10,可以得知,如图14所示,在S11、在衬底上形成多条供电线12之后,在S12、形成第一电极131之前,制备方法还包括:
S13、在衬底的绝缘层10中形成多个过孔O。
这样,在形成多条电阻线14时,可以使每条电阻线14分别通过绝缘层10中的一个过孔O与一条供电线12耦接。
在一些实施例中,在发光基板1还包括像素界定层15的情况下,如图14所示,制备方法还包括:在S12、形成第一电极131之后,在形成发光功能层之前,S14、形成像素界定层15。像素界定层15限定出多个开口K,在后续形成发光功能层时,每个发光器件13的发光功能层可以形成在一个开口K中。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种发光基板,包括:
衬底;
设置于所述衬底上的多条供电线;以及
设置于所述衬底上的多个发光器件,每个发光器件包括:沿垂直于所述衬底的方向,层叠设置的第一电极和第二电极,以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层,所述第一电极相比于所述第二电极更靠近所述衬底;
多条电阻线,每条电阻线的一端与一条供电线耦接,另一端与一个发光器件的第一电极耦接,且每条电阻线与所述第一电极同层设置。
2.根据权利要求1所述的发光基板,其中,
所述多个发光器件形成沿第一方向排列的多排发光器件,每排发光器件中的各个发光器件沿第二方向排列;所述第一方向和所述第二方向交叉;
所述多条供电线包括:沿所述第二方向延伸,且沿所述第一方向排列并相邻的第一供电线和第二供电线,所述第一供电线和所述第二供电线之间间隔设置有至少一排发光器件,所述至少一排发光器件中每个发光器件的第一电极与所述第一供电线或所述第二供电线耦接。
3.根据权利要求2所述的发光基板,其中,
所述多个发光器件包括:沿所述第一方向或所述第二方向相邻的第一发光器件和第二发光器件;
所述多条电阻线包括:第一电阻线和第二电阻线;
所述第一电阻线与所述第一发光器件的第一电极耦接,所述第二电阻线绕过所述第一发光器件的第一电极的至少一条边与所述第二发光器件的第一电极耦接。
4.根据权利要求3所述的发光基板,其中,
所述第二电阻线和所述第一发光器件的第一电极相邻。
5.根据权利要求3或4所述的发光基板,其中,所述第一发光器件和所述第二发光器件位于所述第一供电线和所述第二供电线之间,且所述第一供电线、所述第一发光器件、所述第二发光器件和所述第二供电线沿所述第一方向依次排列;
所述第一发光器件的第一电极通过所述第一电阻线与所述第二供电线耦接,所述第二发光器件的第一电极通过所述第二电阻线与所述第一供电线耦接;所述第一电阻线绕过所述第二发光器件的第一电极的至少一条边与所述第一发光器件的第一电极耦接。
6.根据权利要求5所述的发光基板,其中,
所述第一电阻线的至少一部分和所述第二电阻线的至少一部分分布在所述第一发光器件的第一电极和所述第二发光器件的第一电极沿所述第二方向的相对两侧。
7.根据权利要求6所述的发光基板,其中,
所述第一电阻线与所述第一发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第一发光器件的第一电极靠近所述第一供电线的边缘处;
和/或,
所述第二电阻线与所述第二发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第二发光器件的第一电极靠近所述第二供电线的边缘处。
8.根据权利要求3或4所述的发光基板,其中,
所述第一供电线包括第一耦接部;
所述第一发光器件和所述第二发光器件沿所述第二方向排列;
所述第一电阻线包括相互连接的第一电阻段和第二电阻段,所述第一电阻段远离连接点的一端与所述第一耦接部耦接,所述第二电阻段远离所述连接点的一端与所述第一发光器件的第一电极耦接,所述连接点为第一电阻段和第二电阻段连接的位置;
所述第二电阻线包括所述第一电阻段和与所述连接点连接的第三电阻段,所述第三电阻段远离所述连接点的一端与所述第二发光器件的第一电极耦接。
9.根据权利要求8所述的发光基板,其中,
所述第一电阻段在所述衬底上的正投影与所述第一供电线在所述衬底上的正投影具有重叠区域。
10.根据权利要求8所述的发光基板,其中,
所述第一发光器件的第一电极和所述第二发光器件的第一电极均与所述第一电阻段相邻,所述第二电阻段沿所述第一方向延伸,且所述第二电阻段位于所述第一发光器件的第一电极远离所述第二发光器件的第一电极的一侧,所述第三电阻段沿所述第二方向延伸,所述第三电阻段位于所述第一电阻段和所述第一发光器件的第一电极之间。
11.根据权利要求10所述的发光基板,其中,
所述第二电阻段与所述第一发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第一发光器件的第一电极靠近所述第二供电线的边缘处;
所述第三电阻段与所述第二发光器件的第一电极耦接的一端延伸至所述第二发光器件的第一电极靠近所述第一供电线的边缘处。
12.根据权利要求10或11所述的发光基板,其中,
所述第二发光器件的第一电极在所述第一方向上的尺寸大于所述第一发光器件的第一电极在所述第一方向上的尺寸。
13.根据权利要求10或11所述的发光基板,还包括:像素界定层,所述像素界定层限定出多个开口,所述多个开口包括第一开口和第二开口,所述第一发光器件设置于所述第一开口中,所述第二发光器件设置于所述第二开口中;
所述第二开口沿所述第一方向的尺寸大于所述第一开口沿所述第一方向的尺寸。
14.根据权利要求8所述的发光基板,其中,
所述多个发光器件还包括第三发光器件和第四发光器件;
所述多条电阻线还包括:第三电阻线和第四电阻线,所述第三电阻线的一端与所述第一耦接部耦接,另一端与所述第三发光器件的第一电极耦接,所述第四电阻线的一端与所述第一耦接部耦接,另一端与所述第四发光器件的第一电极耦接;
过所述第一耦接部,在所述衬底所在的平面作垂直于所述第一供电线的第一直线,所述第一电阻线、所述第二电阻线、所述第三电阻线和所述第四电阻线的结构相对于所述第一直线呈轴对称,和/或,所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第三发光器件和所述第四发光器件的结构相对于所述第一参考直线呈轴对称。
15.根据权利要求8所述的发光基板,其中,
所述第二供电线包括:第二耦接部;
所述多个发光器件还包括:第五发光器件和第六发光器件;
所述多条电阻线还包括:第五电阻线和第六电阻线,所述第五电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第五发光器件的第一电极耦接,所述第六电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第六发光器件的第一电极耦接;
在所述衬底上,作平行于所述第一供电线和所述第二供电线,并位于所述第一发光器件和所述第五发光器件之间的第二直线,所述第一电阻线、所述第二电阻线、所述第五电阻线和所述第六电阻线的结构相对于所述第二直线呈轴对称,和/或,所述第一发光器件、所述第二发光器件、所述第五发光器件和所述第六发光器件的结构相对于所述第二直线呈轴对称。
16.根据权利要求15所述的发光基板,其中,
所述多个发光器件还包括:第七发光器件和第八发光器件;
所述多条电阻线还包括:第七电阻线和第八电阻线;
所述第七电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第七发光器件的第一电极耦接,所述第八电阻线的一端与所述第二耦接部耦接,另一端与所述第八发光器件的第一电极耦接;
过所述第二耦接部,在衬底上作垂直于所述第二供电线的第三直线,所述第五电阻线、所述第六电阻线、所述第七电阻线和所述第八电阻线的结构相对于所述第三直线呈轴对称,和/或,所述第五发光器件、所述第六发光器件、所述第七发光器件和所述第八发光器件的结构相对于所述第三直线呈轴对称。
17.根据权利要求15或16所述的发光基板,其中,
所述多条供电线还包括:第三供电线,所述第三供电线与所述第一供电线平行,且所述第三供电线位于所述第二供电线远离所述第一供电线的一侧,并与所述第二供电线相邻;
过所述第二耦接部,在所述衬底上作平行于所述第一供电线的第四直线,与所述第二供电线耦接的每条电阻线的结构相对于所述第四直线呈轴对称,和/或,与所述第二供电线耦接的每个发光器件的结构相对于所述第四直线呈轴对称。
18.根据权利要求15或16所述的发光基板,所述多条供电线和所述多条电阻线之间设置有绝缘层,所述绝缘层中设置有多个过孔;
所述多个过孔包括:与所述第一耦接部的位置对应的第一过孔和与所述第二耦接部的位置对应的第二过孔,所述第二过孔的尺寸与所述第一过孔的尺寸大致相等。
19.根据权利要求1所述的发光基板,其中,
每条电阻线的阻值大致相同。
20.一种发光装置,包括:如权利要求1~19任一项所述的发光基板。
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