CN112863439B - 一种改善oled残像的方法、装置、显示装置及介质 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种改善OLED残像的方法、装置、显示装置及介质，其中一种改善OLED残像的方法，包括：获取OLED显示面板的寿命衰减速率关系及寿命衰减程度关系；将显示面板的显示区域划分为若干子区域，分别监测每一子区域的温度变化和灰阶变化；获取当前时刻每一子区域的温度值和灰阶值，根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率，并计算每一子区域的当前发光时间；根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度；根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿。本申请实施例提供的改善OLED残像的方法，可以根据不同区域子像素寿命衰减程度，对各区域进行不同的调整，改善OLED显示面板色偏和烙印问题。

Description

一种改善OLED残像的方法、装置、显示装置及介质
技术领域
本申请一般涉及显示装置技术领域，具体涉及一种改善OLED残像的方法、装置、显示装置及介质。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)由于其具有自发光、高亮度、广视角、快速反应以及RGB全彩组件皆可制作等特质，已经被广泛应用于显示器。但OLED显示产品存在一个较严重的问题，即长时间使用后，由于OLED器件中发光层的有机材料R/G/B的寿命衰减不一致造成显示器显示的图像发生色偏及产生烙印(image sticking)的问题。
由于OLED面板IC分布及电路设计问题，面板在工作过程中，其温度是较常温高很多而且分布是不均匀的。靠近IC侧温度较高，远离侧温度相对低，所以靠近IC侧OLED面板子像素温度高，其寿命呈现更快加速衰减的趋势。长时间过后，温度高和低的两侧，造成不同区域子像素寿命衰减加速分离，使得显示图像出现更严重的色偏及亮度差异过大问题。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种改善OLED残像的方法、装置、显示装置及介质，可以根据不同区域子像素寿命衰减程度，对各区域进行不同的调整，改善OLED显示面板色偏和烙印问题。
第一方面，本申请提供了一种改善OLED残像的方法，包括：
获取OLED显示面板的寿命衰减速率关系及寿命衰减程度关系；
将显示面板的显示区域划分为若干子区域，分别监测每一子区域的温度变化和灰阶变化；
获取当前时刻每一子区域的温度值和灰阶值，根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率，并计算每一子区域的当前发光时间；
根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度；
根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿。
进一步地，所述寿命衰减速率关系包括灰阶衰减速率关系和温度衰减速率关系；所述寿命衰减程度关系为亮度衰减程度与发光时间的关系。
进一步地，所述灰阶衰减速率关系为当前灰阶转换为基础灰阶下的等效寿命衰减速率；所述温度衰减速率关系为当前温度转换为基础温度下的等效寿命衰减速率。
进一步地，所述获取OLED显示面板的寿命衰减关系，包括：
对生产线同批次OLED显示装置进行寿命衰减测试，得到OLED显示面板的寿命衰减关系。
进一步地，“根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率”包括：
将所述温度值带入温度衰减速率关系获取当前温度值下的第一寿命衰减速率；
将所述灰阶值带入灰阶衰减速率关系获取当前灰阶值下的第二寿命衰减速率；
计算当前寿命衰减速率，当前寿命衰减速率＝第一寿命衰减速率×第二寿命衰减速率。
进一步地，所述当前发光时间为基础灰阶基础温度下的等效发光时间，即当前发光时间＝实际发光时间×寿命衰减速率。
进一步地，“根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度”，包括：
累计所述当前发光时间，获得当前累计发光时间；
将所述当前累计发光时间带入所述寿命衰减程度关系中，计算当前寿命衰减程度。
优选地，所述像素补偿的方法包括：基于显示面板的伽马值和当前寿命衰减值确定灰阶补偿参数，进行灰阶补偿。
第二方面，本申请提供了一种改善OLED残像的装置，用于实现以上所述的改善OLED残像的方法，所述装置包括：
温度获取模块，用于设置在显示区域的若干子区域上，分别获取每一子区域的温度值；
灰阶获取模块，用于设置在显示区域的若干子区域上，分别获取每一子区域的灰阶值；
寿命衰减测试模块，用于对OLED显示装置进行寿命衰减测试，得到OLED显示面板的寿命衰减关系；
计算模块，用于根据所述温度值、灰阶值和寿命衰减关系计算每一子区域的当前寿命衰减值；
计时模块，用于在预定时间间隔获取所述温度值和灰阶值，并累计当前发光时间；
补偿模块，用于基于当前寿命衰减值对该像素进行补偿。
第三方面，本申请提供了一种OLED显示装置，包括：显示面板、集成于所述显示面板内部的若干温度传感器、处理器，其中：所述处理器用于：
将显示面板的显示区域划分为若干子区域，分别监测每一子区域的温度变化和灰阶变化；
获取当前时刻每一子区域的温度值和灰阶值，根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率，并计算每一子区域的当前发光时间；
根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度；
根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿。
进一步地，所述显示面板上每N1*N2个子像素划分为一个子区域，每一所述子区域上设置有一个所述温度传感器；
所述温度传感器包括并联设置的若干晶体管组，所述晶体管组包括串联设置的若干晶体管；在一个所述晶体管组中，所述晶体管的第一极与相邻所述晶体管的第二极电连接，所述晶体管组的第一端和第二端分别与控制器电连接；所述晶体管的栅极与栅信号电连接。
进一步地，所述晶体管用于响应于所述栅信号的控制，在所述晶体管组第一端和第二端之间的导通路径上产生驱动电流；
所述控制器用于使所述晶体管组第一端和第二端的电压间隔性输入；所述控制器还用于获取所述晶体管组的第一端或第二端的电流。
进一步地，所述处理器用于获取当前时刻每一子区域的温度值的具体方法包括：
根据所述若干晶体管组的电流变化计算所述子区域的温度变化。
进一步地，所述晶体管的长宽比设置为5/30。
进一步地，所述处理器用于根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿，具体包括：
获取各子区域的当前寿命衰减程度；
根据所述当前寿命衰减值确定所述子区域中各子像素的灰阶补偿参数；
根据所述灰阶补偿参数对每一子像素进行像素补偿。
进一步地，所述灰阶补偿参数为所述子像素位置当前需要输出的电压信号。
第四方面，本申请提供了一种计算机存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使所述计算机执行如以上所述的改善OLED残像的方法。
本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本申请实施例提供的改善OLED残像的方法，将显示区域划分为若干子区域，分别监测不同区域的温度变化和灰阶变化，统计得出不同区子像素的衰减程度，再分别对每一子区域进行补偿，实现面板不同位置亮度一致，有效改善长期使用产品后出现显示图像发声色偏及烙印问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本申请的实施例提供的一种改善OLED残像方法的流程图；
图2为本申请的实施例提供的OLED显示面板上的温度分布；
图3为本申请的实施例提供的一种OLED的寿命衰减程度关系的示意图；
图4为本申请的实施例提供的一种OLED的灰阶衰减速率关系的示意图；
图5为本申请的实施例提供的一种OLED的温度衰减速率关系的示意图；
图6为本申请的实施例提供的一种改善OLED残像装置的示意图；
图7为本申请的实施例提供的一种TFT温度传感器分布图；
图8为本申请的实施例提供的饱和区不同温度TFT电流变化的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请详见图1，本申请提供了一种改善OLED残像的方法，包括：
S1、获取OLED显示面板的寿命衰减速率关系及寿命衰减程度关系；
S2、将显示面板的显示区域划分为若干子区域，分别监测每一子区域的温度变化和灰阶变化；
S3、获取当前时刻每一子区域的温度值和灰阶值，根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率，并计算每一子区域的当前发光时间；
S4、根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度；
S5、根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿。
在步骤S1中，所述寿命衰减速率关系包括灰阶衰减速率关系和温度衰减速率关系；所述寿命衰减程度关系为亮度衰减程度与发光时间的关系。所述灰阶衰减速率关系为当前灰阶转换为基础灰阶下的等效寿命衰减速率；所述温度衰减速率关系为当前温度转换为基础温度下的等效寿命衰减速率。所述寿命衰减程度关系为亮度衰减程度与发光时间的关系，在使用显示面板的过程中，由于受到像素老化衰减的影响，像素的发光亮度将会随发光时间的增加而降低。
在具体设置时，所述获取OLED显示面板的寿命衰减关系，包括：
对生产线同批次OLED显示装置进行寿命衰减测试，得到OLED显示面板的寿命衰减关系。
需要说明的是，只要OLED器件结构和有机发光材料没有发生改变，在具体实施时，认为其寿命是一样的。不同批次间只要结构材料、产线等没有变化，其寿命结果也被认为是一样的。显示区域不同位置的针对相同的有机发光材料寿命是一样的，没有差别。
还需要说明的是，OLED器件中像素老化衰减程度，除了与有机发光材料的寿命有关外，还与显示区域的温度和显示灰阶有关系，如图2所示为OLED显示区域不同位置处的温度分布。因此，显示面板中各个区域的像素老化衰减程度并不相同，使得不同像素之间的发光亮度降低的程度也不相同，出现显示残像的现象，这将降低显示面板的显示效果、缩短显示面板的使用寿命并影响用户体验。
对生产线同批次OLED显示装置进行寿命衰减测试，至少获得三种关系：
第一种为有机发光材料的亮度衰减程度与发光时间的关系，如图3所示，横坐标表示发光时间，纵坐标表示归一化后的相对亮度，其中，将未受到像素老化影响的像素的发光亮度设为1。从图3中可以看出，显示面板的发光亮度均随发光时间的增加而降低。
需要说明的是，在OLED中存在RGB三种有机材料，RGB有机材料的寿命衰减不一致，其中，蓝色有机材料的衰减速率最快(LT(R)≥LT(G)>>LT(B))，蓝色有机材料寿命衰减较快，红色有机材料寿命衰减较慢。
另外需要说明的是，该测试数据为选取一基础灰阶和一基础温度作为基准，进行的测试并获得该基础灰阶该基础温度下的寿命衰减情况数据。需要说明的是，有机发光材料在不同的使用温度和用于显示不同的灰阶时，其寿命衰减情况是不同的，因此，在计算不同子区域寿命情况时，需要对寿命计算标准进行统一。
在具体实施时，可以根据不同的有机材料进行单独测试，例如选取OLED显示面板中的各单色发光器件作为老化实验对象，分别进行寿命衰减曲线测试，当然，可以考虑OLED综合寿命，将OLED中发光器件作为测试对象，在本申请实施例中，仅选择一种绿色有机材料的寿命衰减曲线作为示例性说明，如下表1中，所示为OLED绿色寿命数据。
L/L<sub>0</sub> t
100％ 0
99％ 88
98％ 196
97％ 312
96％ 436
95％ 566
需要说明的是，本发明实施例提供的上述改善OLED残像的方法，可应用于包含各种颜色的单色发光器件的全彩OLED显示面板，对于单色发光器件的颜色在此不作限定。
第二种为灰阶衰减速率关系，如图4所示，横坐标为灰阶值，纵坐标为灰阶值与255灰阶值下的衰减速率比值。在具体测试时，选择255灰阶下的衰减速率为基础像素衰减速率，例如，在灰阶关系中，灰阶关系中L207/L255＝0.5，207灰阶在某一时刻衰减了255灰阶在该时刻的0.5％。例如，结合图1和表1，255灰阶在88h处，衰减到99％，即衰减了1％，则认为207灰阶下点亮88h相当于255灰阶点亮44h。
例如，有效灰阶区间可以为0～255灰阶，对应的，基础灰阶值选取的为255灰阶。需要说明的是，255灰阶为常用有效灰阶区域：0～255灰阶中的最大灰阶，可以理解的是，相较于其他灰阶，以该灰阶点亮时子像素的灰阶衰减速度最大，进而以该灰阶作为预设灰阶时，由子像素实际点亮时长获得的等效点亮时长数值较小，有利于简化时间数据的存储难度，并降低时间数据的计算难度。
第三种为温度衰减速率关系：如图5所示，横坐标为温度值，纵坐标为温度值与300K温度值的衰减速率比值。在具体测试时，选择300K温度值的衰减速率为基础像素衰减速率，例如，在温度关系中，316K相比于300K下，T316K/T300K＝2，相当于316K在某一时刻衰减了T300K在该时刻像素衰减速率的2倍。例如，结合图1和表1，300K在88h处，衰减到了99％，即衰减了1％，则认为316K温度下点亮88h相当于300K温度点亮176h。
需要说明的是，在本申请实施例中，选取了300K为基础温度值，在进行老化实验时，还可以选取其他温度作为基础温度值进行，并获取相应的曲线作为温度衰减速率关系。在具体实施例时，可以根据OLED所采用的有机发光材料的性质进行选择。
在步骤S3中，“根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率”包括：
将所述温度值带入温度衰减速率关系获取当前温度值下的第一寿命衰减速率；
将所述灰阶值带入灰阶衰减速率关系获取当前灰阶值下的第二寿命衰减速率；
计算当前寿命衰减速率，当前寿命衰减速率＝第一寿命衰减速率×第二寿命衰减速率。
在步骤S3中，所述当前发光时间为基础灰阶基础温度下的等效发光时间，即当前发光时间＝实际发光时间×寿命衰减速率。
在步骤S4中，“根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度”，包括：
累计所述当前发光时间，获得当前累计发光时间；
将所述当前累计发光时间带入所述寿命衰减程度关系中，计算当前寿命衰减程度。
在具体实施时，还可以设置采样周期，来定时地计算显示面板上的不同区域的子像素的衰减程度数据，并利用最新计算得到的衰减程度数据来更新存储器中的数据。并设置采样周期为0.5秒，显示面板上的像素显示了0.5秒后，将按照如上所述确定像素衰减程度的方法来确定像素Pd的老化衰减程度数据，并将该数据存储在存储器中。在显示了1秒后，将再次进行上述确定像素老化衰减程度的过程，并得到像素的新的衰减程度数据。此时，可以利用老化衰减程度数据来更新存储器中的衰减程度数据。
例如，每隔0.5s进行一次温度和灰阶数据检测，在某子区域的某时刻检测到温度值为316K(第二寿命衰减速率为2)，灰阶值为207(第一寿命衰减速率为0.5)，实际发光时间为5s(当前发光时间＝5*0.5*2＝5s)，在某时刻进行检测时，检测到温度值为316K(第二寿命衰减速率为2)，灰阶值为130(第一寿命衰减速率为0.1)，实际发光时间为5s(当前发光时间＝5*0.1*2＝1s)；因此，当前累计发光时间＝(上一次累计发光时间+5s+1s)。
当前累计发光时间带入步骤S1中获得的寿命衰减程度关系，即亮度衰减程度与发光时间的关系，可以获得当前亮度衰减程度，例如，当累计88h时，则衰减程度达到1％。
在步骤S5中，所述像素补偿的方法包括：基于显示面板的伽马值和当前寿命衰减值确定灰阶补偿参数，进行灰阶补偿。
TFT(薄膜场效应晶体管)是以外部光源照射在画素上，利用画素控制发光能量的穿透率T来决定画素的亮暗程度的。灰阶(gamma)曲线作为输入信号与输出亮度的比例关系，对显示设备的显示效果起着重要作用。穿透率T作为输出亮度的指标主要藉由施加电压大小来控制，其中施加电压即为输入信号，所以OLED显示设备一生产出来都就有固定的穿透率T，也即有固定的gamma曲线。
在本申请实施例中，可以根据需求设置在固定衰减程度，例如衰减0.5％或者其他衰减程度时进行像素补偿，当然还可以通过其他补偿条件，例如当前累计发光时间作为补偿条件，可以通过在设定时间点进行像素补偿。在具体实施时，根据不同的需求进行不同的设定。
还需要说明的是，像素补偿的方法，除了本申请实施例所示例的，在具体设定时，还可以通过其他方式，例如对亮度进行补偿的方式，实现像素补偿，以达到改善OLED显示面板色偏和烙印的目的。
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供一种改善OLED残像的装置，用于实现以上所述的改善OLED残像的方法，所述装置包括：
温度获取模块1，用于设置在显示区域的若干子区域上，分别获取每一子区域的温度值；
灰阶获取模块2，用于设置在显示区域的若干子区域上，分别获取每一子区域的灰阶值；
寿命衰减测试模块3，用于对OLED显示装置进行寿命衰减测试，得到OLED显示面板的寿命衰减关系；
计算模块4，用于根据所述温度值、灰阶值和寿命衰减关系计算每一子区域的当前寿命衰减值；
计时模块5，用于在预定时间间隔获取所述温度值和灰阶值，并累计当前发光时间；
补偿模块6，用于基于当前寿命衰减值对该像素进行补偿。
第三方面，本申请提供了一种OLED显示装置，包括：显示面板、集成于所述显示面板内部的若干温度传感器、处理器，其中：所述处理器用于：
将显示面板的显示区域划分为若干子区域，分别监测每一子区域的温度变化和灰阶变化；
获取当前时刻每一子区域的温度值和灰阶值，根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率，并计算每一子区域的当前发光时间；
根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度；
根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿。
其中，在具体设置时：
所述显示面板上每N1*N2个子像素划分为一个子区域，每一所述子区域上设置有一个所述温度传感器；
所述温度传感器包括并联设置的若干晶体管组，所述晶体管组包括串联设置的若干晶体管；在一个所述晶体管组中，所述晶体管的第一极与相邻所述晶体管的第二极电连接，所述晶体管组的第一端和第二端分别与控制器电连接；所述晶体管的栅极与栅信号电连接。
所述晶体管用于响应于所述栅信号的控制，在所述晶体管组第一端和第二端之间的导通路径上产生驱动电流；
所述控制器用于使所述晶体管组第一端和第二端的电压间隔性输入；所述控制器还用于获取所述晶体管组的第一端或第二端的电流。
所述处理器用于获取当前时刻每一子区域的温度值的具体方法包括：根据所述若干晶体管组的电流变化计算所述子区域的温度变化。
在具体应用时，所述处理器用于根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿，具体包括：
获取各子区域的当前寿命衰减程度；
根据所述当前寿命衰减值确定所述子区域中各子像素的灰阶补偿参数；
根据所述灰阶补偿参数对每一子像素进行像素补偿。
其中，所述灰阶补偿参数为所述子像素位置当前需要输出的电压信号。
图7所示为TFT温度传感器分布图。图中虚线代表面板AA区，假设把它分成9块(在具体设置时，可以根据实际进行不同分割)。9块区域设置分别控制的TFT温度传感器，监测每块区域的温度。其在某一块区域中可以先分别设置多个(1、2、3…)串联的TFT，目的是减小单个TFT器件工艺误差。然后再把多组串联TFT进行并联，目的是增大通过总电流，增加检测灵敏度。
本申请实施例通过对TFT温度传感器进行模拟，获得如图8所示为模拟饱和区不同温下TFT电流变化，随着温度升高，饱和区TFT电流呈现上升趋势。模拟的源极电压2V，漏极电压-3V，栅极电压0V，TFT的阈值电压Vth为-1V，获得随温度变化趋势拟合公式为：y＝(7E﹣05)x^2+0.0035x+0.4571。
进一步地，所述温度获取模块还包括与所述晶体管的漏极、源极相连的电压输入控制器，以使所述源极和所述漏极的电压为间隔性输入。
当面板开始工作后，不同位置灰阶和线路差异造成温度不同。对9块区域的TFT温度传感器S端(源极)施加3V电压，D端(漏极)施加-2V电压，对TFT温度传感器扫描线施加-7低电平，使栅极打开，分别检测流过D端电流。S和D端电压可间隔性的输入，假如每1分钟(根据需要设置)，间隔性的输入，可以减小此TFT对OLED其他电路的影响。
在具体制备时，制作7T1C像素电路的过程中，TFT温度传感器同步制作，制作流程一样。根据需要每5*5(或者10*10)的子像素制作一个TFT温度传感器，TFT的长宽比设置为5/30(根据需要设置)。每5*5子像素制作一个TFT温度传感器，不会对像素排布和SD走线有大的影响，而且方法方便简单。
需要说明的是，OLED显示面板可以包括中央处理器(Center Processing Unit，CPU)、存储器、输入/输出设备等，输入设备可以包括键盘、鼠标、触摸屏等，输出设备可以包括显示设备，如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、阴极射线管(Cathode RayTube，CRT)等。
所称中央处理器可以是中央处理单元(Central Processing Unit,CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital Signal Processor,DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、现成可编程门阵列(FieldProgrammable Gate Array,FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，所述处理器是所述OLED显示面板的控制中心，利用各种接口和线路连接整个OLED显示面板的各个部分。
所述存储器可用于存储所述计算机程序和/或模块，所述处理器通过运行或执行存储在所述存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现所述计算机装置1的各种功能。所述存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(Secure Digital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。
基于同样的发明构思，本发明实施例提供了一种计算机存储介质，用于储存为上述计算设备所用的计算机程序指令，其包含用于执行上述改善OLED残像的方法的程序。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或两个以上其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或两个以上流程和/或方框图一个方框或两个以上方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或两个以上流程和/或方框图一个方框或两个以上方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或两个以上流程和/或方框图一个方框或两个以上方框中指定的功能的步骤。
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

Claims (12)

1.一种改善OLED残像的方法，其特征在于，包括：
获取OLED显示面板的寿命衰减关系，所述寿命衰减关系包括寿命衰减速率关系及寿命衰减程度关系，其中，所述寿命衰减速率关系包括灰阶衰减速率关系和温度衰减速率关系；
对显示区域划分为若干子区域，分别监测每一子区域的温度变化和灰阶变化；
获取当前时刻每一子区域的温度值和灰阶值，根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率，并计算每一子区域的当前发光时间，所述灰阶衰减速率关系为当前灰阶转换为基础灰阶下的等效寿命衰减速率；所述温度衰减速率关系为当前温度转换为基础温度下的等效寿命衰减速率；
根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度，所述寿命衰减程度关系为亮度衰减程度与发光时间的关系；
根据每一子区域的当前寿命衰减程度分别对各区域进行像素补偿。
2.根据权利要求1所述的改善OLED残像的方法，其特征在于，所述获取OLED显示面板的寿命衰减关系，包括：
对生产线同批次OLED显示装置进行寿命衰减测试，得到OLED显示面板的寿命衰减关系。
3.根据权利要求1所述的改善OLED残像的方法，其特征在于，“根据所述温度值、灰阶值计算当前寿命衰减速率”包括：
将所述温度值带入温度衰减速率关系获取当前温度值下的第一寿命衰减速率；
将所述灰阶值带入灰阶衰减速率关系获取当前灰阶值下的第二寿命衰减速率；
计算当前寿命衰减速率，当前寿命衰减速率＝第一寿命衰减速率×第二寿命衰减速率。
4.根据权利要求1所述的改善OLED残像的方法，其特征在于，所述当前发光时间为基础灰阶基础温度下的等效发光时间，即当前发光时间＝实际发光时间×寿命衰减速率。
5.根据权利要求1所述的改善OLED残像的方法，其特征在于，“根据每一子区域的所述当前发光时间计算每一子区域的寿命衰减程度”，包括：
累计所述当前发光时间，获得当前累计发光时间；
将所述当前累计发光时间带入所述寿命衰减程度关系中，计算当前寿命衰减程度。
6.根据权利要求1所述的改善OLED残像的方法，其特征在于，所述像素补偿的方法包括：基于显示面板的伽马值和当前寿命衰减值确定灰阶补偿参数，进行灰阶补偿。
7.一种改善OLED残像的装置，其特征在于，用于实现如权利要求1-6任一所述的改善OLED残像的方法，所述装置包括：
温度获取模块，用于设置在显示区域的若干子区域上，分别获取每一子区域的温度值；
灰阶获取模块，用于设置在显示区域的若干子区域上，分别获取每一子区域的灰阶值；
寿命衰减测试模块，用于对OLED显示装置进行寿命衰减测试，得到OLED显示面板的寿命衰减关系；
计算模块，用于根据所述温度值、灰阶值和寿命衰减关系计算每一子区域的当前寿命衰减值；
计时模块，用于在预定时间间隔获取所述温度值和灰阶值，并累计当前发光时间；
补偿模块，用于基于当前寿命衰减值对该像素进行补偿。
8.根据权利要求7所述的一种改善OLED残像的装置，其特征在于，所述温度获取模块上包括设置在所述子区域上的温度传感器，所述温度传感器包括并联设置的若干晶体管组，所述晶体管组包括串联设置的若干晶体管。
9.根据权利要求8所述的一种改善OLED残像的装置，其特征在于，所述温度获取模块通过检测所述晶体管源漏电流，并通过源漏电流的变化表征温度变化。
10.根据权利要求8所述的一种改善OLED残像的装置，其特征在于，所述温度获取模块还包括与所述晶体管的漏极、源极相连的电压输入控制器，以使所述源极和所述漏极的电压为间隔性输入。
11.一种OLED显示装置，其特征在于，包括：
存储器，用于存储程序指令；
处理器，用于调用所述存储器中存储的程序指令，按照获得的程序执行如权利要求1-6任一所述的改善OLED残像的方法。
12.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使所述计算机执行如权利要求1-6任一所述的改善OLED残像的方法。
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