CN112821198B - 一种n面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法，属于半导体激光器技术领域。所述N面分立的倒序结构激光器芯片，包括：一N型衬底及在所述N型衬底的上表面从下至上依次生长的隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层、N型限制层、电极接触层和第一欧姆接触电极，和设置在所述N型衬底的下表面的第二欧姆接触电极；在远离所述N型衬底一侧、自所述第一欧姆接触电极向下设有多个刻蚀槽，所述刻蚀槽至少延伸至露出所述N型波导层。本发明通过在N型衬底上先生长隧道结层，然后生长P型材料和N型材料，形成了N面分立而P面连通的半导体激光器芯片。

Description

一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法
技术领域
本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法。
背景技术
近年来，半导体激光器得到了十分迅速的发展，因为体积小、结构简单、输入能量轻、寿命长、易于调制、价格轻等其他激光器无法比拟的特性，在现实生活中应用领域越来越多。为了得到更高的光功率，大功率半导体激光器阵列技术的发展也越来越快，由于有光束质量好、成本轻、可靠性高等优势，千瓦级的半导体激光器阵列正在取代氙灯作为泵浦固体激光器以及光纤激光器的光源，进入材料处理市场，同时在军事上的应用也有很大增长。
激光器需要由驱动电路产生的驱动电流驱动激光器阵列，一般半导体激光器外延衬底使用N型衬底，先生长N型材料，再生长P型材料，所以通常是P面分立，N面连通，驱动电流从分立的P面电极流向N面电极。对于这样的激光器阵列，驱动电路加电流时容易出现电流过冲，导致激光器发生光学灾变损伤或者其他损伤从而失效。
另外，对于大功率半导体激光器单管，为了便于散热，经常在烧结时将激光器芯片P面与载体进行焊接，这种形式称为倒装，由于此时焊料和有源区距离很近，使得有源区很容易受到烧结及其他封装过程中的应力影响，从而导致激光器性能参数发生劣化乃至失效。
如何防止由于电流过冲或有源区受到应力影响，而导致激光器失效，成为亟需解决的问题。
发明内容
因此，本发明要解决的技术问题是提供一种N面分立的倒序结构激光器芯片及制备方法，通过将N面分立，而P面连通，从而实现了驱动电流从连通的P面电极流向分立的N面电极，避免了由于电流过冲而引起激光器的失效。
为了实现上述目的，本申请实施例一方面提供了一种N面分立的倒序结构激光器芯片，包括：
一N型衬底及在所述N型衬底的上表面从下至上依次生长的隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层、N型限制层、电极接触层和，和设置在所述N型衬底的下表面的第二欧姆接触电极；
在远离所述N型衬底一侧、自所述第一欧姆接触电极向下设有多个刻蚀槽，所述刻蚀槽至少延伸至露出所述N型波导层。
本发明实施例提供的N面分立的倒序结构激光器芯片，在N型衬底上设有隧道结层，在隧道结层上依次设有P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层和N型限制层，最后在第一欧姆接触电极上刻蚀形成刻蚀槽，从而形成N面分立而P面连通的半导体激光器，能够有效地避免电流过冲，减小电路设计难度，大幅度减少激光器的失效现象。
在一种可能的实现方式中，所述N型衬底采用N型砷化镓材料制作，和/或
所述隧道结层包括自下向上依次外延在所述N型衬底上的重掺杂的N型砷化镓层和一重掺杂的P型砷化镓层。
在一种可能的实现方式中，所述P型限制层形成于所述重掺杂的P型砷化镓层上，采用高掺杂的P型铝镓砷材料，和/或
所述P型波导层采用轻掺杂的P型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.4～1μm。
在一种可能的实现方式中，所述量子阱层采用非掺杂的铝镓铟砷材料，和/或
所述N型波导层采用轻掺杂的N型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.8～1.5μm，和/或
所述N型限制层采用高掺杂的N型铝镓砷材料。
在一种可能的实现方式中，所述电极接触层采用重掺杂的N型砷化镓材料，掺杂浓度大于2×1019/cm3。
在一种可能的实现方式中，所述刻蚀槽延伸至露出所述N型衬底的上表面。
在一种可能的实现方式中，所述第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极均采用金/锗/镍在高温下合金形成。
本申请实施例另一方面提供了一种N面分立的倒序结构激光器芯片的制备方法，包括：
提供一N型砷化镓衬底；
在N型砷化镓衬底的上表面依次生长隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层、N型限制层和电极接触层；
将所述N型砷化镓衬底的下表面减薄，制备第二欧姆接触电极；
在所述电极接触层上制备第一欧姆接触电极；
在所述第一欧姆接触电极上进行光刻刻蚀，刻蚀达到预设深度时，停止刻蚀；所述预设深度为0.3μm～5μm。
本发明实施例提供的N面分立的倒序结构激光器芯片的制备方法，工艺步骤简单、均为常规工艺，通过结构层倒序设置以及将N型外延层的一侧进行刻蚀实现N面分立，使电流从P面电极流向分立的N面电极，避免了电流过冲。
在一种可能的实现方式中，所述隧道结层包括自下向上依次外延生长在所述N型砷化镓衬底上的重掺杂的N型砷化镓层和一重掺杂的P型砷化镓层。
在一种可能的实现方式中，所述P型限制层形成于所述重掺杂的P型砷化镓层上，采用高掺杂的P型铝镓砷材料，和/或
所述P型波导层采用轻掺杂的P型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.4～1μm，和/或
所述量子阱层采用低掺杂的铝镓铟砷材料，和/或
所述N型波导层采用轻掺杂的N型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.8～1.5μm，和/或
所述N型限制层采用高掺杂的N型铝镓砷材料，和/或
所述电极接触层采用重掺杂的N型砷化镓材料，掺杂浓度大于2×1019/cm3。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种N面分立的倒序结构激光器芯片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种N面分立的倒序结构激光器芯片的结构示意图；
图中：1-第二欧姆接触电极，2-N型衬底，3-隧道结层，3a-重掺杂的P型砷化镓层，3b-重掺杂的N型砷化镓层，4-P型限制层，5-P型波导层，6-量子阱层，7-N型波导层，8-N型限制层，9-电极接触层，10-第一欧姆接触电极，11-刻蚀槽。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
常规半导体激光器外延衬底使用N型衬底，先生长N型材料，再生长P型材料，通常是P面分立，N面连通，驱动电流从分立的P面电极流向N面电极，加电流时容易出现电流过冲，而使激光器失效。为此，本申请针对如何防止由于电流过冲或有源区受到应力影响而使激光器失效进行了针对性的研究。
作为本发明的一种实施例，如图1所示，一种N面分立的倒序结构激光器芯片，包括：第二欧姆接触电极1、N型衬底2、隧道结层3、P型限制层4、P型波导层5、量子阱层6、N型波导层7、N型限制层8、电极接触层9、第一欧姆接触电极10和刻蚀槽11。
所述N型衬底2的上表面从下至上依次生长的隧道结层3、P型限制层4、P型波导层5、量子阱层6、N型波导层7、N型限制层8、电极接触层9和第一欧姆接触电极10，和设置在所述N型衬底的下表面的第二欧姆接触电极1。在远离所述N型衬底2的一侧、自所述第一欧姆接触电极10向下设有多个刻蚀槽11，所述刻蚀槽11至少延伸至露出所述N型波导层7。
上述N面分立的倒序结构激光器芯片，通过在N型衬底2上设置隧道结层3，在隧道结层3上依次设有P型限制层4、P型波导层5、量子阱层6、N型波导层7和N型限制层8，并自第一欧姆接触电极10向下设置多个刻蚀槽11，从而形成N面分立，P面连通的半导体激光器芯片阵列。驱动电流便可从连通的P面第二欧姆接触电极1流向分立的N面第一欧姆接触电极10，避免了电流过冲，从而大大减少了激光器的失效现象。同时，也可以用于需要进行倒装的大功率单管激光器领域，使用本发明实施例提供的激光器芯片，倒装工艺时焊料与衬底层进行接触，距离量子阱有源区较远，使得激光器性能更加稳定。
在本实施例中，N型衬底2，用于在其上进行半导体激光器芯片各层材料的外延生长。N型衬底2是(100)面的N型砷化镓，这样能够有利于电子的注入，减小N型衬底2的串联电阻。
在本实施例中，隧道结层3包括自下向上依次外延在N型衬底2上的重掺杂的N型砷化镓层3b和一重掺杂的P型砷化镓层3a。利用PN结的反向特性，减小N型衬底2和P型砷化镓层3a之间的欧姆接触，减小整个芯片的开启电压和电阻。
在本实施例中，P型限制层4形成于重掺杂的P型砷化镓层3a上，采用高掺杂的P型铝镓砷材料，可限制光场横模向隧道结层3和N型衬底2的扩展，减小光的损耗，同时也限制载流子的扩散，减小空穴漏电流，以降低器件的阈值电流，同时降低势垒，减小电压亏损，提高效率。
在本实施例中，P型波导层5采用轻掺杂的P型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.4～1μm。P型波导层5可加强对光场的限制，减小光束的远场发散角，提高器件的光束质量，同时减小腔面光功率密度，采用轻掺杂是为了减少P型波导层5对光的吸收损耗。
在本实施例中，量子阱层6采用非掺杂的铝镓铟砷材料。量子阱层6作为激光器的有源区，提供足够的光增益，并决定器件的激射波长以及器件的使用寿命。
在本实施例中，N型波导层7采用轻掺杂的N型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.8～1.5μm。N型波导层7用于加强对光场的限制，减小光束的远场发散角，提高器件的光束质量，采用轻掺杂N型波导层7是为了减少对光的吸收损耗。
在本实施例中，N型限制层8采用高掺杂的N型铝镓砷材料。N型限制层8增加了N型波导层7和N型限制层8的带阶，能够有效阻碍电子向N型限制层8的扩散和漂移，从而减小电子的漏电流，以降低器件的阈值电流，提高注入效率，而且限制光场横模向N型限制层8的扩展，减小光的损耗，也可以降低势垒，减小电压亏损，提高效率。
在本实施例中，电极接触层9采用重掺杂的N型砷化镓材料，掺杂浓度大于2×1019/cm3。电极接触层9可实现良好的欧姆接触，采用重掺杂是为了减小串联电阻，提高器件的转换效率。
在本实施例中，第一欧姆接触电极10和第二欧姆接触电极1均采用金/锗/镍在高温下合金形成。这样能够减小接触电阻，使金属半导体接触成为欧姆接触而非肖特基接触。
作为另一种实施例，如图2所示，刻蚀槽11可延伸至露出N型衬底2的上表面。刻蚀槽11的深度与电流过冲的大小有关，通过设计刻蚀槽11的深度，从而减少因为电流过冲而引起的激光器芯片失效。同时刻蚀槽11还能增强对光场的限制，避免高阶横向模式的产生，提高光束的质量。
作为本发明的另一种实施例，本发明还提供了一种N面分立的倒序结构激光器芯片的制备方法，包括：
S101:在N型衬底2的上表面依次生长隧道结层3、P型限制层4、P型波导层5、量子阱层6、N型波导层7、N型限制层8和电极接触层9。
在本实施例中，N型衬底2是(100)面的N型砷化镓。隧道结层3包括自下向上依次外延在N型衬底2上的重掺杂的N型砷化镓层3b和一重掺杂的P型砷化镓层3a。P型限制层4形成于重掺杂的P型砷化镓层3a上，采用高掺杂的P型铝镓砷材料。P型波导层5采用轻掺杂的P型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.4～1μm。量子阱层6采用非掺杂的铝镓铟砷材料。N型波导层7采用轻掺杂的N型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.8～1.5μm。N型限制层8采用高掺杂的N型铝镓砷材料。电极接触层9采用重掺杂的N型砷化镓材料，掺杂浓度大于2×1019/cm3。
S102:将N型衬底2的下表面减薄，制备第二欧姆接触电极1。
在本实施例中，第二欧姆接触电极1为P面电极，用于半导体激光器加电。将N型衬底2厚度减薄为约100μm后，使用金/锗/镍依次淀积在N型衬底2上并在高温下合金形成第二欧姆接触电极1，这样能够减小接触电阻，使金属半导体接触成为欧姆接触而非肖特基接触。
S103:在电极接触层9上制备第一欧姆接触电极10。
在本实施例中，第一欧姆接触电极10为N面电极，在电极接触层9上使用金/锗/镍依次淀积并在高温下合金形成第一欧姆接触电极10。
S104:在第一欧姆接触电极10上进行光刻刻蚀，形成刻蚀槽11，刻蚀达到预设深度时，停止刻蚀；所述预设深度为0.3μm～5μm。
在本实施例中，在第一欧姆接触电极10上进行光刻，刻蚀深度为0.3μm～5μm。使N面分立，当外加电流时，使芯片避免电流过冲，减小了电路设计的难度，大幅度减少激光器的失效，同时增强对光场的限制，避免高阶横向模式的产生，提高光束的质量。
本发明实施例提供的N面分立的倒序结构激光器芯片的制备方法，通过在N型衬底2上生长隧道结层3，在隧道结层3上先生长P型材料，后生长N型材料，最后在第一欧姆接触电极10上刻蚀形成刻蚀槽11，从而形成N面分立P面相连的激光器芯片。当外加驱动电流时，电流从连通的P面第二欧姆接触电极1流向分立的N面第一欧姆接触电极10，避免了电流过冲，从而大大减少了激光器的失效现象。同时，倒装工艺时焊料与N型衬底2进行接触，距离量子阱层6较远，也使得激光器芯片的性能更加稳定。
应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。

Claims (10)

1.一种N面分立的倒序结构激光器芯片，其特征在于，包括：
一N型衬底及在所述N型衬底的上表面从下至上依次生长的隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层、N型限制层、电极接触层和第一欧姆接触电极，和设置在所述N型衬底的下表面的第二欧姆接触电极；
在远离所述N型衬底一侧、自所述第一欧姆接触电极向下设有多个刻蚀槽，所述刻蚀槽延伸至露出所述N型衬底的上表面，从而形成N面分立，P面连通的半导体激光器芯片阵列，驱动电流从连通的P面第二欧姆接触电极流向分立的N面第一欧姆接触电极。
2.如权利要求1所述的N面分立的倒序结构激光器芯片，其特征在于，
所述N型衬底采用N型砷化镓材料制作，和/或
所述隧道结层包括自下向上依次外延在所述N型衬底上的重掺杂的N型砷化镓层和一重掺杂的P型砷化镓层。
3.如权利要求2所述的N面分立的倒序结构激光器芯片，其特征在于，
所述P型限制层形成于所述重掺杂的P型砷化镓层上，采用高掺杂的P型铝镓砷材料，和/或
所述P型波导层采用轻掺杂的P型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.4~1μm。
4.如权利要求1-3任一项所述的N面分立的倒序结构激光器芯片，其特征在于，
所述量子阱层采用非掺杂的铝镓铟砷材料，和/或
所述N型波导层采用轻掺杂的N型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.8~1.5μm，和/或
所述N型限制层采用高掺杂的N型铝镓砷材料。
5.如权利要求4所述的N面分立的倒序结构激光器芯片，其特征在于，所述电极接触层采用重掺杂的N型砷化镓材料，掺杂浓度大于2×1019/cm3。
6.如权利要求1所述的N面分立的倒序结构激光器芯片，其特征在于，所述刻蚀槽延伸至露出所述N型衬底的上表面。
7.如权利要求1所述的N面分立的倒序结构激光器芯片，其特征在于，所述第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极均采用金/锗/镍在高温下合金形成。
8.一种N面分立的倒序结构激光器芯片的制备方法，其特征在于，包括：
提供一N型砷化镓衬底；
在N型砷化镓衬底的上表面依次生长隧道结层、P型限制层、P型波导层、量子阱层、N型波导层、N型限制层和电极接触层；
将所述N型砷化镓衬底的下表面减薄，制备第二欧姆接触电极；
在所述电极接触层上制备第一欧姆接触电极；
在所述第一欧姆接触电极上进行光刻刻蚀，刻蚀露出所述N型砷化镓衬底的上表面，停止刻蚀。
9.如权利要求8所述的N面分立的倒序结构激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述隧道结层包括自下向上依次外延生长在所述N型砷化镓衬底上的重掺杂的N型砷化镓层和一重掺杂的P型砷化镓层。
10.如权利要求9所述的N面分立的倒序结构激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述P型限制层形成于所述重掺杂的P型砷化镓层上，采用高掺杂的P型铝镓砷材料，和/或
所述P型波导层采用轻掺杂的P型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.4~1μm，和/或
所述量子阱层采用非掺杂的铝镓铟砷材料，和/或
所述N型波导层采用轻掺杂的N型铝镓砷材料，杂质浓度小于5×1017/cm3，厚度为0.8~1.5μm，和/或
所述N型限制层采用高掺杂的N型铝镓砷材料，和/或
所述电极接触层采用重掺杂的N型砷化镓材料，掺杂浓度大于2×1019/cm3。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55140285A (en) * 1979-03-22 1980-11-01 Nec Corp Semiconductor laser
CN102170727A (zh) * 2011-02-22 2011-08-31 苏州永健光电科技有限公司 一种防止电流过冲的发光二极管动态扫描驱动电路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003273464A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Mitsubishi Electric Corp リッジ導波路型半導体レーザ装置
TWI290402B (en) * 2003-10-24 2007-11-21 Ind Tech Res Inst Edge-emitting laser with circular beam
DE102007031926A1 (de) * 2007-07-09 2009-01-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterkörper
CN101859981A (zh) * 2010-06-08 2010-10-13 浙江大学 单片集成串联耦合腔波长可切换半导体激光器
JP2014085501A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体光変調器
CN103701037B (zh) * 2013-11-27 2016-03-23 中国科学院半导体研究所 氮化镓激光器腔面的制作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55140285A (en) * 1979-03-22 1980-11-01 Nec Corp Semiconductor laser
CN102170727A (zh) * 2011-02-22 2011-08-31 苏州永健光电科技有限公司 一种防止电流过冲的发光二极管动态扫描驱动电路

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Cavity-Length-Dependent Spectral and Temporal Characteristics of the Gain Switched V-Groove Quantum-Wire Laser;Tae Geun Kim et al.;《IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS》;20000229;第12卷(第2期);第1页-第3页 *
大功率900 nm 超大光腔三叠层隧道级联激光器;车相辉等;《半导体器件》;20140630;第39卷(第6期);第1页-第5页 *

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