CN117833022A - 垂直腔面发射激光器、制备方法及激光雷达 - Google Patents
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Abstract
本申请属于半导体技术领域，具体为一种垂直腔面发射激光器，包括至少一个发光单元，所述发光单元包括衬底层、第一电极、第一布拉格反射镜、有源区、电流限制层、第二布拉格反射镜、第二电极，第二电极在第二布拉格反射镜上形成封闭的环，所述第二电极延伸形成经过限制孔上方的电流扩散电极；其中所述电流扩散电极的侧壁与所述第二电极的内壁之间具有供激光穿过的间距，所述电流扩散电极的电流经第二布拉格反射镜由限制孔的中间区域进入所述有源区。
Description
技术领域
本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器、制备方法及激光雷达。
背景技术
VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,垂直腔面发射激光器)是一种沿着垂直于衬底方向射出激光的半导体激光器，其具有光束集中、发散角小、有源区体积小、可以按照二维阵列点亮、成本低等优点，被广泛的应用于车载的激光雷达、行车安全的车内人员监控(OMS、DMS)、消费级人脸识别以及大数据传输等领域。
VCSEL的结构自下而上依次包括N型金属电极层、N型衬底层、N-DBR层、有源区、电流限制层、P-DBR层以及P型金属电极，其中N型金属电极作VCSEL的阴极，P型金属电极作为VCSEL的阳极，电流由P型金属电极输入，经过P-DBR层和电流限制层进入所述有源区内，电子在有源区内转换为光子，且光子在N-DBR层和P-DBR层之间不断反射放大，形成达到阈值后，激光并从低反射率的P-DBR层射出(即激光垂直于衬底层的方向射出)。
在典型的VCSEL结构中，电流经P-DBR进入后，电流倾向于经过电流限制孔的边缘进入到有源区内，电流密度在电流限制孔的偏外围的部分较高，而在电流限制孔的中间部分较低，过度集中的电流会使得部分区域发热，因此边缘区域更容易产生暗坏点，温度也较高，导致VCSEL激光器的可靠性降低。
因此，需要提出新型的VCSEL结构设计方案以改善VCSEL激光器的可靠性。
申请内容
本申请的一个优势在于提供了一种垂直腔面发射激光器，其中，在为第二布拉格反射镜(P-DBR)上电性接触电流扩散电极，提高经过限制孔中间区域的电子的数量，进而提升发光单元出光的均匀性。
本申请的另一个优势在于提供了一种垂直腔面发射激光器，其中，电流扩散电极上的电流沿着最短的路径运动，因此电流流动路径缩短，提高电流传输效率。
本申请的另一个优势在于提供了一种垂直腔面发射激光器，其中，第二电极(P-Metal)的电流被分流，减少限制孔边缘的电流密度，降低限制孔边缘的热量，提高发光单元的可靠性。
本申请的另一个优势在于提供了一种垂直腔面发射激光器，其中，电流扩散电极在工艺中，与所述第二电极同步形成在第二布拉格反射镜(即P-DBR)上，其工艺步骤不增加，在发光单元的性能大幅提高的同时，成本不提高。
为了实现上述至少一优势或其他优势和目的，根据本申请的一个方面，提供了一种垂直腔面发射激光器，其中，包括至少一个发光单元，所述发光单元包括
衬底层，具有顶部表面和底部表面；
第一电极，位于所述衬底层的底部表面上；
第一布拉格反射镜，位于所述衬底层的顶部表面上；
有源区，位于所述第一布拉格反射镜远离所述衬底层的一侧；
电流限制层，提供VCSEL激光器的VCSEL的光学和电学限制，该电流限制层上具有限制孔；
第二布拉格反射镜，位于所述有源区远离所述衬底层的一侧；以及
第二电极，位于所述第二布拉格反射镜远离所述衬底层的一侧上，该第二电极在第二布拉格反射镜上形成封闭的环，所述第二电极延伸形成经过限制孔上方的电流扩散电极；其中
所述电流扩散电极的侧壁与所述第二电极的内壁之间具有供激光穿过的间距，所述电流扩散电极的电流经第二布拉格反射镜由限制孔的中间区域进入所述有源区。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流扩散电极至少为一个。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流扩散电极为多个，且相邻的电流扩散电极之间具有供激光穿过的间距。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述间距为1.0-20微米。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流扩散电极为条形、环形中的一种或两种组合。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流扩散电极的厚度小于或等于所述第二电极的厚度。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流扩散电极为铂、金、镍合金。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流扩散电极远离所述第二布拉格反射镜的一侧设有绝缘的保护层。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述保护层为SiO2，Si3N4，Al2O3，AlN中的一种或多种组合。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流限制层与所述有源区相对应，且该电流限制层位于所述第二布拉格反射镜下部或有源区上部。
在根据本申请所述的垂直腔面发射激光器中，所述电流限制层为氧化限制层、离子注入层中的一种或两种相组合。
本申请的另一个方面，提供了一种垂直腔面发射激光器的制程工艺，其包括如下步骤：
S10、通过外延生长工艺形成外延主体结构，其中，所述外延主体结构包括衬底层、第一布拉格反射镜、有源区、第二布拉格反射镜；
S20、形成沉积于所述第二布拉格反射镜的电极金属，并且蚀刻出含有多个条形电流扩散电极的第二电极；
S30、蚀刻去除外延结构的至少一部分，形成至少一发光单元，其中每个所述发光单元包括衬底层、第一布拉格反射镜、有源区、第二布拉格反射镜、电流扩散层以及含电流扩散电极的第二电极；
S40、通过蚀刻挖孔搭配水氧化工艺或离子注入在所述有源区的上方形成具有限制孔的电流限制层；
S50、沉积形成绝缘性的保护层；
S60、形成电连接于所述第二电极的正电极；以及
S70、在所述衬底层的底部进行研磨减薄然后沉积第一电极，以形成负电极。
根据本申请的又一个方面，本申请提出了一种电子设备，其包括：
用于投射激光的激光投射装置，其中，所述激光投射装置包括如上所述的任一高光功率的VCSEL芯片中；
用于接收激光信号的激光接收装置；以及
可通信地连接于所述激光投射装置和所述激光接收装置的处理器。
通过对随后的描述和附图的理解，本申请进一步的目的和优势将得以充分体现。
本申请的这些和其它目的、特点和优势，通过下述的详细说明，附图和权利要求得以充分体现。
附图说明
图1为本申请电流分布均匀的VCSEL激光器的含电流扩散电极的两个发光单元的结构示意图。
图2为本申请电流分布均匀的VCSEL激光器的含电流扩散电极的单个发光单元的结构示意图
图3为本申请电流分布均匀的VCSEL激光器的条形电流扩散电极在外延结构上的俯视图。
图4为本申请电流分布均匀的VCSEL激光器的外延结构的结构示意图。
图5为基于图4的结构基础上外延结构上镀上第二电极，并通过光刻形成电流扩散电极的结构示意图。
图6为基于图5的结构基础上外延结构蚀刻出蚀刻挖孔的结构示意图。
图7为基于图6的结构基础上通过蚀刻挖孔的内壁进行水氧化形成氧化限制层以及限制孔的结构示意图。
图8为基于图7的结构基础上对衬底层研磨减薄并镀上第一电极的结构示意图。
具体实施方式
以下说明书和权利要求中使用的术语和词不限于字面的含义，而是仅由申请人使用以使得能够清楚和一致地理解本申请。因此，对本领域技术人员很明显仅为了说明的目的而不是为了如所附权利要求和它们的等效物所定义的限制本申请的目的而提供本申请的各种实施例的以下描述。
可以理解的是，术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”，即在一个实施例中，一个元件的数量可以为一个，而在另外的实施例中，该元件的数量可以为多个，术语“一”不能理解为对数量的限制。
虽然比如“第一”、“第二”等的序数将用于描述各种组件，但是在这里不限制那些组件。该术语仅用于区分一个组件与另一组件。例如，第一组件可以被称为第二组件，且同样地，第二组件也可以被称为第一组件，而不脱离本申请构思的教导。在此使用的术语“和/或”包括一个或多个关联的列出的项目的任何和全部组合。
在这里使用的术语仅用于描述各种实施例的目的且不意在限制。如在此使用的，单数形式意也包括复数形式，除非上下文清楚地指示例外。另外将理解术语“包括”和/或“具有”当在该说明书中使用时指定所述的特征、数目、步骤、操作、组件、元件或其组合的存在，而不排除一个或多个其它特征、数目、步骤、操作、组件、元件或其组的存在或者附加。
申请概述
如上所述，泵浦源向VCSEL芯片输入电流，输入的电流经过P-DBR层后由限制孔进入到有源区内，并在有源区内形成激光射出。而输入的电流在P-DBR层内倾向于沿最短路径运动通过限制孔进入到有源区内。P型金属电极在P-DBR层上为环形，并且在俯视的方向(即由P型金属电极朝衬底方向)限制孔位于所述P型金属电极所形成的环内。P型金属电极输入的电流绝大部分会集中在限制孔的边缘，造成在限制孔边缘的电流密度处于较高的状态，而限制孔的中间部分的电流密度则较低；过度集中的电流会造成该部分区域的发热量高，导致VCSEL芯片更容易产生暗坏点，同时也降低VCSEL芯片的可靠性。
理论上，可以引导电流至限制孔的正上方，而后电流在P-DBR层中沿最短路径直接穿过限制孔进入有源区内，该过程减少在限制孔边缘聚集的电流，降低限制孔边缘的电流密度，从而减少VCSEL产生的暗坏点，改善VCESL的可靠性。基于此，本申请提出通过在P-DBR层上增加激光可穿透过的电流扩散电极，利用电流扩散电极将电流引导至限制孔上方，从而电流可以避开限制孔的边缘直接穿过限制孔进入到有源区内。
相应的，本申请提出一种垂直腔面发射激光器，其中该VCSEL激光器是由单独的一个或多个发光单元构成，并且每个发光单元包括衬底层、位于衬底层的底表面上的第一电极、位于衬底层顶表面上的第一布拉格反射镜、第二布拉格反射镜、位于第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜之间的有源区、形成于所述第二布拉格反射镜上的电流限制层以及第二电极，该第二电极在第二布拉格反射镜上形成封闭的环，所述第二电极延伸形成经过限制孔上方的电流扩散电极；其中电流扩散电极的侧壁与所述第二电极的内壁之间具有供激光穿过的间距，电流扩散电极的电流经第二布拉格反射镜由限制孔的中间区域进入所述有源区。
在介绍本申请的基本原理之后，下面将参考附图来具体介绍本申请的各种非限制性实施例。
示意性VCSEL激光器
如图1所示，根据本申请实施例公开的垂直腔面发射激光器被阐明。所述VCSEL激光器设置有用于分流第二电极的电流扩散电极，以实现部分电流避开限制孔的边缘直接进入有源区内。具体地，本实施例的VCSEL激光器为多个发光单元构成；又或者在其他变形的实施例中，所述VCSEL激光器可以为单一的一个发光单元10。
其中所述发光单元10包括外延结构、第一电极11、第二电极12以及电流扩散电极12a；其中所述第一电极11为N型金属层，该第一电极11为铂金、金、镍三种金属构成的N型掺杂的合金，又或者第一电极为N型掺杂的其他金属。第一电极位于所述外延结构的底部，当VCSEL激光器由多个发光单元构成时，多个发光单元共用同一个第一电极，即所述VCSEL激光器为共阴极VCSEL。所述第二电极12为铂金、金、镍三种金属构成的P型掺杂的合金，当然也可以为其他金属，例如金(Au)金属。所述第二电极12电性接触于所述外延结构的上部，所述为第二电极12内壁延伸形成电流扩散电极12a，由此电流扩散电极12a位于第二电极12内部并与第二电极12电性接触，同时所述电流扩散电极12a的底表面与外延结构的顶表面接触。所述电流扩散电极12a的左右两侧的侧壁与所述第二电极12的内壁之间具有间距，该间距用以供激光穿过。第二电极12以及电流扩散电极12a构成发光单元的阳极，电流由第二电极12和电流扩散电极12a进入外延结构，而后由第一电极11输出。
如图2所示，所述外延结构由下至上包括衬底层14、第一布拉格反射镜15、有源区16、具有限制孔171的电流限制层17以及第二布拉格反射镜18。所述衬底层14为N型掺杂的砷化镓衬底；又或者在其他变形的实施例中，所述衬底层14为P型掺杂的砷化镓衬底。所述衬底层14的制成材料可为InP、GaN、GaAs等掺杂型材料。所述第二电极12以及电流扩散电极12a接触于所述第二布拉格反射镜18的顶部表面，其中第二布拉格反射镜18通过MOCVD生长到所述有源区的顶面，该第二布拉格反射镜18为P-DBR，所述P-DBR由多个P型掺杂的高铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)和P型掺杂低铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)的交替堆叠形成。对应的，所述第一布拉格反射镜15通过MOCVD生长到所述衬底层的顶面。该第一布拉格反射镜15为N-DBR，所述N-DBR由N型掺杂的高铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)和N型掺杂低铝含量的AlxGa1-xAs(x＝1～0)的交替堆叠形成。值得一提的是，所述交替层的材料选择取决于所述发光单元出射的激光的工作波长，交替层的光学厚度等于或约等于激光的工作波长的1/4。
在其他变形的实施例中，通过对所述第一布拉格反射镜15和第二布拉格反射镜18进行设计和配置，控制第一布拉格反射镜15的反射率与第二布拉格反射镜18的反射率之间的差异，从而控制激光的出光方向；例如控制第二布拉格反射镜的高于第一布拉格反射镜的反射率，即，所述第二布拉格反射镜为N-DBR，所述第一布拉格反射镜则对应的为P-DBR。由于第二布拉格反射镜的折射率高于第一布拉格反射镜的折射率，其产生的激光由朝向衬底层的方向出射。
所述有源区16被夹设于所述第一布拉格反射镜15与所述第二布拉格反射镜18之间，以形成谐振腔，其中，光子在被激发后在所述谐振腔内来回反射不断重复放大以形成激光振荡，从而形成了激光。
如图2和图3所示，所述第二电极12在第二布拉格反射镜18的顶表面上形成环形。在俯视方向(即由第二电极朝向第一电极的方向)上，所述限制孔位于所述第二电极12形成的环内。在其他实施变形中，所述第二电极12所形成的环形可以为多边形或者是不规则的其他的环状，值得注意的是，无论第二电极是何种形状，在俯视方向上，限制孔171均位于所述第二电极12的内部以保证第二电极12不会对有源区产生的激光形成阻挡或者吸收。且电流扩散电极12a两端与第二电极12电性接触，第二电极12的电流由该接触的部分进行传导，而后通过电流扩散电极12a传导至第二布拉格反射镜18上，再通过限制孔171进入有源区16内。
所述电流扩散电极12a为条形结构，并且电流扩散电极12a位于所述第二电极12内部且经过限制孔171的上方，保持电流在被扩散时可扩散至限制孔171的正上方，从而电流由上至下避开限制孔的边缘而穿过限制孔进入有源区16内。所述电流扩散电极12a在第二电极12内呈条状，条状的电流扩散电极12a在最大程度上减少电流扩散电极给VCSEL激光器带来的电阻，又可以最快速度传递电流，提高电流进入有源区内的效率。当然在其他实施例中，所述电流扩散电极可以为圆环状。
本申请实施例中，所述电流扩散电极12a为第二电极12延伸形成，为金、铂、镍三者的合金；又或者电流扩散电极12a为其他与第二电极12电性接触的金属，例如金(Au)或铂(Pt)。所述电流扩散电极12a在所述第二电极12所形成的环内的数量至少为一个，该电流扩散电极12a的侧壁与第二电极12的内壁之间具有间距，该间距用以供有源区内的激光穿透而过。在本申请实施例中，所述电流扩散电极的数量为多个，并且多个电流扩散电极之间具有供激光穿透而过的间距，该间距L为1.0-20微米。
在其他实施例中，在控制第二布拉格反射镜18的折射率高于所述第一布拉格反射镜15的折射率时，即第二布拉格反射镜18为N-DBR，第一布拉格反射镜15为P-DBR，出光单元为背向出光的情况下，所述电流扩散电极12a可以为铂金、金、镍三种金属的合金，即电流扩散电极12a可以为第二电极12的一部分，且电流扩散电极12a填充满所述第二电极环内。
本申请实施例中，所述电流扩散电极12a远离衬底层14的一侧设有绝缘性的保护层19，保护层19保护电流扩散电极在工作中不受损伤，且对有源区16内发出的激光进行调整，改善发光单元的发散角以及光功率。本申请实施例中，所述保护层19优先选用具有绝缘以及光学调制的特性的Si3N4(氮化硅)。在其他变形的实施例中，所述保护层19可以为SiO2，Al2O3，AlN当中的任何一种。又或者在另一其他的变形实施例中，所述保护层19可以为SiO2，Si3N4，Al2O3，AlN中的多种组合物。
在本申请实施例中，所述VCSEL激光器被导通后，电流被电流限制层限制流向，其最终被导入所述VCSEL激光器的中部区域，以使得所述有源区的中部区域产生激光。具体地，所述电流限制层具有较高的电阻率以限制载流子流入所述VCSEL激光器的中部区域，载流子横向限制增加了所述有源区内的载流子和光子的密度，提高了在所述有源区内产生光的效率。所述电流限制层未被氧化或者离子注入的区域形成上述限制孔。所述电流限制层为通过水氧化或者离子注入的方式局部破坏第二布拉格反射镜下部(即靠近所述有源区的一侧的区域)后形成。当然在其他实施例中，所述电流限制层也可以通过水氧化或者离子注入的方式局部破坏有源区上部(即靠近所述第二布拉格反射镜的一侧的区域)后形成。
所述电流限制层为通过蚀刻挖孔、水氧化蚀刻挖孔内壁后形成的氧化限制层，又或者所述电流限制层为通过向第二布拉格反射镜内注入离子，从而对第二布拉格反射镜造成破坏后形成的离子注入层，所述离子注入层注入以下离子中的一种或多种：H+、O+、B+。
综上，基于本申请实施例的VCSEL激光器被阐明，所述VCSEL激光器提供了一种可行的电流均匀通过限制孔的设计方案，能够在实现改变电流流向，降低限制孔边缘的电流密度，降低VCSEL激光器工作时发热量的同时，提高VCSEL激光器可靠性，并改善VCSEL激光器工作时发出的光斑的均匀性，即形成外环和中间亮度保持基本一致的光斑。
示意性VCSEL激光器的制备方法
根据本申请的另一方面，还提供了一种高光功率VCSEL芯片的制造方法，其用于制备如上所述的VCSEL激光器。在本申请实施例中，所述VCSEL激光器在制备过程中仍能够沿用传统的VCSEL的制备工艺，仅需要调整出光孔的形状。这样，可保留原有的VCSEL生产线和生产设备以将其用于制备本申请的VCSEL激光器，有效降低VCSEL激光器的生产线改造成本，进而降低VCSEL激光器的制备成本。
具体地，在本申请实施例中，如图4-8所示，所述高光功率VCSEL芯片的制造方法，包括以下步骤：
S10、通过外延生长工艺形成外延主体结构，其中，所述外延主体结构包括衬底层、第一布拉格反射镜、有源区、第二布拉格反射镜；
S20、形成沉积于所述第二布拉格反射镜的电极金属，并且蚀刻出含有多个条形电流扩散电极的第二电极；
S30、蚀刻去除外延结构的至少一部分，形成至少一发光单元，其中每个所述发光单元包括衬底层、第一布拉格反射镜、有源区、第二布拉格反射镜、电流扩散层以及含电流扩散电极的第二电极；
S40、通过蚀刻挖孔搭配水氧化工艺或离子注入在所述有源区的上方形成具有限制孔的电流限制层；
S50、沉积形成绝缘性的保护层；
S60、形成电连接于所述第二电极的正电极；以及
S70、在所述衬底层的底部进行研磨减薄然后沉积第一电极，以形成负电极。
示意性车载激光雷达
根据本申请的又一方面，还提供了一种激光雷达。激光雷达的工作原理为：以激光为媒介，向被测目标发射激光，并接收被测目标反射的激光，基于发射激光和接收激光脉冲之间的时间差(或者发射的激光和接收到的被反射的激光之间的相位差)，获取被测目标与激光雷达之间的相对位置和距离，从而实现对目标区域内待测对象的探测、跟踪和识别。
相应地，所述激光雷达包括：用于投射激光的激光投射装置、用于接收激光信号的激光接收装置和可通信地连接于所述激光投射装置和所述激光接收装置的处理器，其中，所述激光投射装置包括如上所述的光功率的VCSEL芯片。
需要指出的是，在本申请的装置和方法中，不同实施例中的各部件或各步骤在没有背离本申请的原理下是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为包含在本申请的申请构思之内。
以上结合具体实施例描述了本申请的基本原理，但是，需要指出的是，在本申请中提及的优点、优势、效果等仅是示例而非限制，不能认为这些优点、优势、效果等是本申请的各个实施例必须具备的。另外，上述公开的具体细节仅是为了示例的作用和便于理解的作用，而非限制，上述细节并不限制本申请为必须采用上述具体的细节来实现。
Claims (13)
1.一种垂直腔面发射激光器，其中，包括至少一个发光单元，所述发光单元包括
衬底层，具有顶部表面和底部表面；
第一电极，位于所述衬底层的底部表面上；
第一布拉格反射镜，位于所述衬底层的顶部表面上；
有源区，位于所述第一布拉格反射镜远离所述衬底层的一侧；
电流限制层，提供VCSEL激光器的VCSEL的光学和电学限制，该电流限制层上具有限制孔；
第二布拉格反射镜，位于所述有源区远离所述衬底层的一侧；以及
第二电极，位于所述第二布拉格反射镜远离所述衬底层的一侧上，该第二电极在第二布拉格反射镜上形成封闭的环，所述第二电极延伸形成经过限制孔上方的电流扩散电极；其中
所述电流扩散电极的侧壁与所述第二电极的内壁之间具有供激光穿过的间距，所述电流扩散电极的电流经第二布拉格反射镜由限制孔的中间区域进入所述有源区。
2.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流扩散电极至少为一个。
3.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流扩散电极为多个，且相邻的电流扩散电极之间具有供激光穿过的间距。
4.根据权利要求3所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述间距为1.0-20微米。
5.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流扩散电极为条形、环形中的一种或两种组合。
6.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流扩散电极的厚度小于或等于所述第二电极的厚度。
7.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流扩散电极为铂、金、镍合金。
8.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流扩散电极远离所述第二布拉格反射镜的一侧设有绝缘的保护层。
9.根据权利要求7所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述保护层为SiO2，Si3N4，Al2O3，AlN中的一种或多种组合。
10.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流限制层与所述有源区相对应，且该电流限制层位于所述第二布拉格反射镜下部或有源区上部。
11.根据权利要求1所述的一种垂直腔面发射激光器，其中，所述电流限制层为氧化限制层、离子注入层中的一种或两种相组合。
12.一种如权利要求1-8所述垂直腔面发射激光器的制程工艺，其中，包括以下步骤：
S10、通过外延生长工艺形成外延主体结构，其中，所述外延主体结构包括衬底层、第一布拉格反射镜、有源区、第二布拉格反射镜；
S20、形成沉积于所述第二布拉格反射镜的电极金属，并且蚀刻出含有多个条形电流扩散电极的第二电极；
S30、蚀刻去除外延结构的至少一部分，形成至少一发光单元，其中每个所述发光单元包括衬底层、第一布拉格反射镜、有源区、第二布拉格反射镜、电流扩散层以及含电流扩散电极的第二电极；
S40、通过蚀刻挖孔搭配水氧化工艺或离子注入在所述有源区的上方形成具有限制孔的电流限制层；
S50、沉积形成绝缘性的保护层；
S60、形成电连接于所述第二电极的正电极；以及
S70、在所述衬底层的底部进行研磨减薄然后沉积第一电极，以形成负电极。
13.一种电子设备，其特征在于，包括：
用于投射激光的激光投射装置，其中，所述激光投射装置包括如权利要求1至9所述的任一垂直腔面发射激光器；
用于接收激光信号的激光接收装置；以及
可通信地连接于所述激光投射装置和所述激光接收装置的处理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311857646.7A CN117833022A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 垂直腔面发射激光器、制备方法及激光雷达 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311857646.7A CN117833022A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 垂直腔面发射激光器、制备方法及激光雷达 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117833022A true CN117833022A (zh) | 2024-04-05 |
Family
ID=90522560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311857646.7A Pending CN117833022A (zh) | 2023-12-29 | 2023-12-29 | 垂直腔面发射激光器、制备方法及激光雷达 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117833022A (zh) |
-
2023
- 2023-12-29 CN CN202311857646.7A patent/CN117833022A/zh active Pending
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