CN112813405A - 提供低温差操作气体的方法 - Google Patents

提供低温差操作气体的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112813405A
CN112813405A CN202011523553.7A CN202011523553A CN112813405A CN 112813405 A CN112813405 A CN 112813405A CN 202011523553 A CN202011523553 A CN 202011523553A CN 112813405 A CN112813405 A CN 112813405A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gas
operation gas
providing
waste heat
reaction furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011523553.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112813405B (zh
Inventor
吴铭钦
刘峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Yuzhu Electromechanical Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Yuzhu Electromechanical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Yuzhu Electromechanical Co Ltd filed Critical Suzhou Yuzhu Electromechanical Co Ltd
Priority to CN202011523553.7A priority Critical patent/CN112813405B/zh
Publication of CN112813405A publication Critical patent/CN112813405A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112813405B publication Critical patent/CN112813405B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明为一种提供低温差操作气体的方法，其适用于提供操作气体至气相沉积反应炉的气动驱动机构，反应炉包括一晶圆反应区以及一废热区。低温差操作气体方法包括下列步骤，首先提供反应炉；接着提供操作气体经过反应炉的废热区，令加热后的操作气体成为增温操作气体；最后将增温操作气体导入反应炉的气动驱动机构，使气动驱动机构通过增温操作气体作动。本发明能提供与反应炉反应温差较小的操作气体，从而降低操作气体对于反应炉中温度的影响，维持制作晶圆的品质。

Description

提供低温差操作气体的方法
技术领域
本发明涉及一种应用于制造或处理半导体的技术，特别是指一种提供低温差操作气体的方法。
背景技术
有机金属化学气相沉积法(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)，意指利用气相中发生的物理及化学过程，在固体表面形成沉积物的技术。常见被应用在半导体晶圆的反应面形成薄膜的制程方法。
请参图1，目前有机金属化学气相沉积法在一反应炉80中进行。进行气相沉积时，反应炉80提供一加热单元82对反应腔84加热到高温至少600℃以上。以通过一喷头86将反应气体供给单元87提供的载气及有机金属气体，导入高温的反应腔84中，进行气相沉积反应，以在晶圆(图中未示)的反应面上成长半导体薄膜。反应完成的废气则汇入废气汇集单元88，再进入废弃回收单元90，以进行废气净化等后续废气的处理。
除此之外，为了使薄膜均匀地沉积，反应炉80更提供承载晶圆的晶圆承载单元92，带动晶圆高速旋转，以在气相沉积时，薄膜能均匀地沉积于晶圆上。目前反应炉80中操作晶圆的旋转的机构，是采用操作气体供给单元94提供操作气体至气动驱动机构96，令气动驱动机构96驱动晶圆承载单元92，以带动晶圆旋转。
在进行气相沉积反应时，反应腔84内会处于至少600℃以上的高温状态。此时，若操作气体供给单元94提供的操作气体，其温度若与反应腔84内的温度差距过大时，操作气体的输入会影响到反应腔84的温度，从而干扰到晶圆反应面上的沉积，进而影响晶圆制作的品质。
有鉴于此，本发明遂针对上述现有技术的缺失，提出一种提供低温差操作气体的方法，以有效克服上述的所述的这些问题。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种提供低温差操作气体的方法，其可提供与反应炉反应温差较小的操作气体，以提供给反应炉进行操作，从而降低操作气体对于反应炉中温度的影响，以维持晶圆制程的品质。
为达上述的目的，本发明系提供一种提供低温差操作气体的方法，其适用于提供操作气体至气相沉积反应炉的气动驱动机构，反应炉包括一晶圆反应区以及一废热区，低温差操作气体方法包括下列步骤，首先提供反应炉。接着，提供操作气体经过反应炉的废热区，以加热操作气体，使其成为增温操作气体。最后将增温操作气体导入反应炉的气动驱动机构，使气动驱动机构通过增温操作气体作动。
在本实施例中，增温操作气体产生增温操作气体的步骤中，增温操作气体为废热区通过接触传导、热对流传导或辐射热传导对操作气体增温，以成为增温操作气体。
在本实施例中，其中操作气体根据经过废热区的距离改变增温时间。
在本实施例中，其中提供操作气体经过废热区的步骤包括，提供一操作气体通道，连接气动驱动机构且环绕在废热区中；经由操作气体通道，供给操作气体至气动驱动机构。
在本实施例中，其中操作气体通道通过反应炉的底部的废热区。
在本实施例中，其中操作气体通道通过反应炉的顶部的废热区。
在本实施例中，其中操作气体通道通过反应炉的两侧的废热区。
在本实施例中，其中操作气体通道通过反应炉的顶部及两侧的废热区。
在本实施例中，其中操作气体通道通过反应炉的底部及两侧的废热区。
综上所述，本发明可提供与反应炉反应温差较小的操作气体，以提供给反应炉进行操作，从而降低操作气体对于反应炉中温度的影响，以维持晶圆制程的品质。
底下凭借具体实施例详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
附图说明
图1为现有反应炉装置方块图。
图2为本发明的方法应用的系统方块图。
图3为本发明的方法流程图。
图4为本发明的方法应用另一实施例的系统方块图。
附图标记说明：1-反应炉；10-反应腔；12-晶圆承载单元；120-气动驱动机构；14-操作气体供给单元；16-加热单元；18-喷头；20-反应气体供给单元；22-废气汇集单元；24-废气回收单元；26-晶圆反应区；28-废热区；30-操作气体通道；2-反应炉；40-反应腔；42-晶圆承载单元；420-气动驱动机构；44-操作气体供给单元；46-加热单元；48-喷头；50-反应气体供给单元；52-废气汇集单元；54-废气回收单元；56-晶圆反应区；58-废热区；60-操作气体通道；80-反应炉；82-加热单元；84-反应腔；86-喷头；87-反应气体供给单元；88-废气汇集单元；90-废气回收单元；92-晶圆承载单元；94-操作气体供给单元；96-气动驱动机构。
具体实施方式
本发明提供一种提供低温差操作气体的方法，其适用于提供与反应炉反应温度，温差较小的操作气体，至气相沉积反应炉的气动驱动机构，从而降低操作气体对于反应炉中温度的影响。
请参图2及图3，以说明提供低温差操作气体的方法及其具体实施方式。提供低温差操作气体的方法首先进入步骤S10，提供面上型的一反应炉1。如图3所示，反应炉1为用以提供进行气相沉积的装置。反应炉1结构包括一反应腔10、一晶圆承载单元12、一操作气体供给单元14、一加热单元16、一喷头18、一反应气体供给单元20、一废气汇集单元22以及一废气回收单元24。
反应腔10内且靠近底部设置晶圆承载单元12，晶圆承载单元12用以承载进行气相沉积反应的晶圆(图中未示)，且令晶圆的反应面并朝上，晶圆承载单元12包括一气动驱动机构120，气动驱动机构120连接操作气体供给单元14，以接收操作气体供给单元14所提供的操作气体，如此利用操作气体驱动晶圆转动，以在进行气相沉积时，薄膜均匀地沉积于晶圆上面。
加热单元16提供设置在反应腔10内且位于晶圆承载单元12上方。加热单元16用于提供辐射热源给晶圆承载单元12上的晶圆。在本实施例中，加热单元16形态可为热阻式加热器、红外线加热器或感应式加热器，或者可为前述各种加热器的组合。
喷头18设置在反应腔10内，且喷头18连接反应气体供给单元20，反应气体供给单元20用以提供包括载气及有机金属气体的反应气体至喷头18喷出，令反应气体搭配加热单元16的温度，与晶圆承载单元12上的晶圆进行气相沉积反应，以在晶圆上形成薄膜。
废气汇集单元22设置在反应腔10内，以收集完成气相沉积反应后的废气，废气汇集单元22更连接废气回收单元24，以接收废气进行下一阶段的净化废气等处理。
除上述结构之外，本实施例更在反应炉1中定义出一晶圆反应区26以及一废热区28。晶圆反应区26即为反应腔10内进行气相沉积反应的区域，其余反应炉1上不属于晶圆反应区26的位置则定义为废热区28。在本实施例中，废热区28包括反应腔10的腔壁及其周边区域，以及废气回收单元22。
在本实施例步骤S10提供反应炉1后，接续进入步骤S12，提供操作气体经过反应炉1的废热区28，以加热操作气体，使操作气体成为增温操作气体。其中增温操作气体为废热区28通过接触传导、热对流传导或辐射热传导对操作气体增温，以成为增温操作气体，且操作气体根据经过废热区的距离改变增温时间。
请持续参照图3，在本实施例中，步骤S12中对操作气体加热手段系通过在废热区28中设置操作气体通道30，令操作气体在操作气体通道30中流动时，操作气体可吸收废热区28的热能，将操作气体加热成为增温操作气体。详细来说，本实施例提供操作气体通道30连通气动驱动机构120以及操作气体供给单元14，且操作气体通道30环绕设置在废热区28中，使操作气体供给单元14提供操作气体至气动驱动机构120时，操作气体经由操作气体通道30中流动，同时吸收废热区28的热能升温，形成增温操作气体。在本实施例中，操作气体通道通30过反应炉1的反应腔10底部的废热区28，操作气体根据操作气体通道通30经过废热区28的距离改变增温时间，操作气体通道通30经过废热区28的距离越长，当然增温的时间也就越多。
当然操作气体通道30除了上述实施例，通过反应腔10底部的废热区28之外，操作气体通道30也可通过反应炉1的反应腔10的顶部、两侧、顶部及两侧或底部及两侧的废热区26。操作气体通道30设置在废热区28的位置并不以上述实施例为限制。再者，由于废热区28包括废气汇集单元22，因此操作气体通道30除了上述设置在反应腔10周边的位置之外，操作气体通道通30过也可通过废气汇集单元22，令操作气体吸收废气汇集单元22的热能，形成增温操作气体。
最后步骤S14，将操作气体通道30中的增温操作气体导入反应炉1的气动驱动机构120，使气动驱动机构120通过增温操作气体作动，如此驱动晶圆旋转，令薄膜均匀地沉积于晶圆上面。
通过上述本发明的方法，能利用反应腔的热能，产生温度差异较小的低温差的增温操作气体，能降低操作气体对于反应炉中温度的影响，避免干扰到晶圆反应面上的沉积，以维持晶圆制程的品质。
接着请参图4，以说明发明另一实施例，本发明的方法除了应用在上述实施例提到的面上型反应炉之外，本发明的方法也可用在面下型(face down)的反应炉2中。请配合参照图2及图4，说明提供低温差操作气体的方法应用于面下型的反应炉2的具体实施方式。首先进入步骤S10，提供面下型一反应炉2。如图4所示，反应炉2与上述实施例相同，包括有一反应腔40、一晶圆承载单元42、一操作气体供给单元44、一加热单元46、一喷头48、一反应气体供给单元50、一废气汇集单元52以及一废气回收单元54。
在本实施例中，晶圆承载单元42设置于反应腔40内且靠近反应腔40顶部，令晶圆承载单元42上承载的晶圆(图中未示)的反应面向下，并外露于反应腔40内。加热单元46设置在反应腔40内且位于晶圆承载单元42下方。加热单元46用于提供辐射热源给晶圆承载单元42上的晶圆。其余操作气体供给单元44、喷头48、反应气体供给单元50、废气汇集单元52以及废气回收单元54的结构及设置位置都与上述实施例相同，故不再重复赘述。
在本实施例，反应炉2也包括一晶圆反应区56以及一废热区58。晶圆反应区56与废热区58定义都与上述实施例相同，晶圆反应区56为进行气相沉积反应的区域，其余反应炉2上不属于晶圆反应区56的位置，包括反应腔40的腔壁及其周边区域，以及废气回收单元52，定义为废热区58。
在说明完步骤S10所提供反应炉2的结构后，接续进入步骤S12，提供操作气体经过反应炉1的废热区58，以加热操作气体，使操作气体成为增温操作气体。其中增温操作气体为废热区58通过接触传导、热对流传导或辐射热传导对操作气体增温，以成为增温操作气体，且操作气体根据经过废热区的距离改变增温时间。
请持续参图4，在本实施例中，步骤S12中对操作气体加热手段系通过在废热区58中设置操作气体通道60。其中操作气体通道60连通气动驱动机构420以及操作气体供给单元44，因此当操作气体供给单元44提供操作气体至气动驱动机构420时，操作气体会在操作气体通道60中流动。同时因操作气体通道60设置在废热区58中，使得在操作气体通道60中流动的操作气体，能吸收废热区58的热能升温，形成增温操作气体。在本实施例中，操作气体通道通60过反应炉2的反应腔40顶部的废热区58，操作气体根据操作气体通道通60经过废热区58的距离改变增温时间，操作气体通道通60经过废热区58的距离越长，当然增温的时间也就越多。
当然操作气体通道60除了上述实施例，通过反应腔40顶部的废热区58之外，操作气体通道60也可通过反应炉2的反应腔40底部、两侧、顶部及两侧或底部及两侧的废热区58，并不以上述实施例为限制。再者，由于废热区58包括废气汇集单元52，因此操作气体通道60除了上述设置在反应腔40周边的位置之外，操作气体通道通60过也可通过废气汇集单元52，令操作气体吸收废气汇集单元52的热能，形成增温操作气体。
最后步骤S14，将增温操作气体导入反应炉2的气动驱动机构420，也就是将操作气体通道60中成为的增温操作气体导入反应炉2的气动驱动机构420，使气动驱动机构420通过增温操作气体作动，如此驱动晶圆旋转，令薄膜均匀地沉积于晶圆上面。
综上所述，本发明可提供与反应炉反应温差较小的操作气体，以提供给反应炉进行操作，从而降低操作气体对于反应炉中温度的影响，以维持晶圆制程的品质。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种提供低温差操作气体的方法，其适用于提供操作气体至气相沉积反应炉的气动驱动机构，该反应炉包括一晶圆反应区以及一废热区，其特征在于，该低温差操作气体方法包括下列步骤：
提供该反应炉；
提供该操作气体经过该反应炉的该废热区，以加热该操作气体，成为增温操作气体；以及
将该增温操作气体导入该反应炉的该气动驱动机构，使该气动驱动机构通过该增温操作气体作动。
2.如权利要求1所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：在加热该操作气体产生该增温操作气体的步骤中，其中该增温该操作气体为该废热区通过接触传导、热对流传导或辐射热传导对该操作气体增温，以成为该增温操作气体。
3.如权利要求1所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：该操作气体根据经过该废热区的距离改变增温时间。
4.如权利要求1所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：提供该操作气体经过该反应炉的该废热区的步骤，包括：
提供一操作气体通道，连接该气动驱动机构且环绕在该废热区中；以及
经由该操作气体通道，供给该操作气体至该气动驱动机构。
5.如权利要求4所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：该操作气体通道通过该反应炉的底部的该废热区。
6.如权利要求4所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：该操作气体通道通过该反应炉的顶部的该废热区。
7.如权利要求4所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：该操作气体通道通过该反应炉的两侧的该废热区。
8.如权利要求4所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：该操作气体通道通过该反应炉的顶部及两侧的该废热区。
9.如权利要求4所述的提供低温差操作气体的方法，其特征在于：该操作气体通道通过该反应炉的底部及两侧的该废热区。
CN202011523553.7A 2020-12-21 2020-12-21 提供低温差操作气体的方法 Active CN112813405B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011523553.7A CN112813405B (zh) 2020-12-21 2020-12-21 提供低温差操作气体的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011523553.7A CN112813405B (zh) 2020-12-21 2020-12-21 提供低温差操作气体的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112813405A true CN112813405A (zh) 2021-05-18
CN112813405B CN112813405B (zh) 2023-03-14

Family

ID=75853572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011523553.7A Active CN112813405B (zh) 2020-12-21 2020-12-21 提供低温差操作气体的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112813405B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4547404A (en) * 1982-08-27 1985-10-15 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition process
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
JPH07176498A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Kokusai Electric Co Ltd 反応ガスの予熱装置を備えた反応炉
US5948300A (en) * 1997-09-12 1999-09-07 Kokusai Bti Corporation Process tube with in-situ gas preheating
KR20000032262A (ko) * 1998-11-13 2000-06-05 윤종용 반도체 장치의 제조설비에 대한 가스 공급 방법
CN2791069Y (zh) * 2005-01-26 2006-06-28 林正平 热化学反应镀膜制造装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4547404A (en) * 1982-08-27 1985-10-15 Anicon, Inc. Chemical vapor deposition process
US5320680A (en) * 1991-04-25 1994-06-14 Silicon Valley Group, Inc. Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow
JPH07176498A (ja) * 1993-12-21 1995-07-14 Kokusai Electric Co Ltd 反応ガスの予熱装置を備えた反応炉
US5948300A (en) * 1997-09-12 1999-09-07 Kokusai Bti Corporation Process tube with in-situ gas preheating
KR20000032262A (ko) * 1998-11-13 2000-06-05 윤종용 반도체 장치의 제조설비에 대한 가스 공급 방법
CN2791069Y (zh) * 2005-01-26 2006-06-28 林正平 热化学反应镀膜制造装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN112813405B (zh) 2023-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101473419B (zh) 干式非等离子体处理系统和使用方法
US6403927B1 (en) Heat-processing apparatus and method of semiconductor process
US6933009B2 (en) Thin-film deposition method
JP2001068423A (ja) 半導体薄膜蒸着装置
US20100163183A1 (en) Mounting table structure and heat treatment apparatus
JP2008244502A (ja) ウエハ処理システムの温度測定装置
JP2007525017A (ja) 交差流れライナを有する熱処理システム
CN1890034B (zh) 经处理以清除自由碳的半导体衬底加工装置的碳化硅部件
CN101055433B (zh) 加热处理装置
WO2005064254A1 (ja) 縦型熱処理装置及びその制御方法
JPH10107018A (ja) 半導体ウェーハの熱処理装置
CN101192531B (zh) 处理聚硅氮烷膜的方法
US6738683B1 (en) Apparatus and method for cleaning a bell jar in a barrel epitaxial reactor
EP0469157A1 (en) Method of treating semiconductor substrate surface and device therefor
CN112813405B (zh) 提供低温差操作气体的方法
US6759633B2 (en) Heat treating device
CN101199039A (zh) 成膜和清洁方法
KR101324208B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH03145123A (ja) 半導体製造装置
KR0128025B1 (ko) 냉각장치가 보강된 급속열처리 장치
KR20050058842A (ko) 반도체 제조장치
CN108695189B (zh) 晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法
CN118497721A (zh) Pecvd预热方法、预热系统和设备
JP2002313734A (ja) シリンダ型ｃｖｄ装置
JP2004063523A (ja) 縦型熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant