CN112803363A - 过温保护电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种过温保护电路，该电路包括：温度检测电路，以PNP三极管作为温度传感元件，用于根据PNP三极管的发射极电压检测温度；电压比较器电路，与温度检测电路连接，用于将温度检测电路输出的PNP三极管发射极电压和基准电压作比较，输出比较信号；输出驱动电路，与电压比较器电路连接，用于增加比较信号的驱动能力，输出温度控制信号；其中，所述温度检测电路，还用于根据反馈的温度控制信号控制流入PNP三极管的电流差值，以便实现温度迟滞控制。本发明能够降低温度关断阈值点和温度开启阈值点的工艺漂移。

Description

过温保护电路
技术领域
本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种过温保护电路。
背景技术
随着集成电路的不断发展，集成电路的集成度不断增大，造成集成电路功耗不断增加，功耗的不断增加会造成温度的不断上升，会对集成电路的可靠性产生影响，因此在一些大功率的电源模块，过温保护非常重要。
在电源芯片上，传统的过温保护电路多采用基于二极管负温度特性设计的过温保护电路，利用几个串联的处于正向导通的二极管作为温度传感元件，二极管串联增大了对温度变化的灵敏度。但是二极管的正向导通压降随工艺的波动很大，会使得过温保护电路的温度关断阈值点和温度开启阈值点随工艺变化有着很大的波动，这会影响电路的性能，甚至造成芯片的逻辑错误，因此一种低工艺漂移的过温保护电路非常重要。
发明内容
为解决上述问题，本发明提供了一种过温保护电路，使用PNP三极管作为温度传感元件，并控制流入PNP三极管的电流差值，具有低工艺漂移。
第一方面，本发明提供一种过温保护电路，包括：
温度检测电路，以PNP三极管作为温度传感元件，用于根据所述PNP三极管的发射极电压检测温度；
电压比较器电路，与所述温度检测电路连接，用于将所述温度检测电路输出的PNP三极管发射极电压和基准电压作比较，输出比较信号；
输出驱动电路，与所述电压比较器电路连接，用于增加所述比较信号的驱动能力，输出温度控制信号；
其中，所述温度检测电路，还用于根据反馈的所述温度控制信号控制流入所述PNP三极管的电流差值，以便实现温度迟滞控制。
可选地，所述温度检测电路包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与电源连接，所述第一PMOS管的栅极输入偏置电压；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与电源连接，所述第二PMOS管的栅极输入偏置电压；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极输入反馈的所述温度控制信号，所述第一NMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接；
PNP三极管，所述PNP三极管的发射极与所述第一NMOS管的源极连接，所述PNP三极管的基极和集电极接地；
其中，所述PNP三极管的发射极作为所述温度检测电路的输出端。
可选地，所述PNP三极管为多个晶体管的并联结构或者多个晶体管的串联结构。
可选地，所述电压比较器电路包括：
第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与电源连接，所述第三PMOS管的栅极输入偏置电压；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与自身的漏极连接，所述第二NMOS管的源极接地；
第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极与电源连接，所述第四PMOS管的栅极输入偏置电压；
第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极与所述第四PMOS管的漏极连接，所述第五PMOS管的栅极连接至所述温度检测电路的输出端，输入PNP三极管发射极电压；
第六PMOS管，所述第六PMOS管的源极与所述第四PMOS管的漏极连接，所述第六PMOS管的栅极输入基准电压；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的栅极与自身的漏极连接，所述第三NMOS管的源极接地；
第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极接地；
第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的源极接地；
第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的栅极与自身的漏极连接，所述第六NMOS管的源极接地；
第七PMOS管，所述第七PMOS管的源极与电源连接，所述第七PMOS管的栅极与自身的漏极连接；
第七NMOS管，所述第七NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的栅极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极接地；
第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极与电源连接，所述第八PMOS管的栅极与所述第七PMOS管的栅极连接；
第八NMOS管，所述第八NMOS管的漏极与所述第八PMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的栅极与所述第六PMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的源极接地；
第九PMOS管，所述第九PMOS管的源极与电源连接，所述第九PMOS管的栅极与所述第八PMOS管的漏极连接；
第九NMOS管，所述第九NMOS管的漏极与所述第九PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的栅极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的源极接地；
其中所述第九PMOS管的漏极作为电压比较器电路的输出端。
可选地，所述输出驱动电路包括：
第十PMOS管，所述第十PMOS管的源极与电源连接，所述第十PMOS管的栅极与所述电压比较器电路的输出端连接；
第十NMOS管，所述第十NMOS管的漏极与所述第十PMOS管的漏极连接，所述第十NMOS管的栅极与所述第十PMOS管的栅极连接，所述第十NMOS管的源极接地；
第十一PMOS管，所述第十一PMOS管的源极与电源连接，所述第十一PMOS管的栅极与所述第十PMOS管的漏极连接；
第十一NMOS管，所述第十一NMOS管的漏极与所述第十一PMOS管的漏极连接，所述第十一NMOS管的栅极与所述第十一PMOS管的栅极连接，所述第十一NMOS管的源极接地；
其中所述第十一PMOS管的漏极作为所述输出驱动电路的输出端，输出温度控制信号，反馈到所述温度检测电路。
可选地，还包括：用于提供基准电压的基准电压电路，所述基准电压电路包括串联的至少两个电阻，连接于电源和地之间，通过电阻分压得到所述基准电压。
可选地，还包括：用于提供偏置电压的偏置电路，所述偏置电路包括串联的电阻和PMOS管，所述PMOS管的源极与电源连接，所述PMOS管的栅极连接于自身的漏极，所述PMOS管的漏极与电阻一端连接，所述电阻的另一端接地，其中所述PMOS管的漏极电压作为输出的偏置电压。
第二方面，本发明提供一种开关电源芯片，包括如第一方面所提供的过温保护电路。
本发明提供的过温保护电路，以PNP三极管作为温度传感元件，能够降低温度开启阈值点和温度关断阈值点的工艺漂移，此外温度控制信号反馈到温度检测电路，能实现温度迟滞功能；解决了现有技术的过温保护电路温度开启阈值点和温度关断阈值点工艺漂移大、在过热点附近会产生热振荡和引起误操作等技术问题。本发明电路结构简单，占用芯片面积小，减小工艺难度和降低成本。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的过温保护电路的结构框图；
图2为本发明一实施例提供的过温保护电路的具体电路结构示意图；
图3为基准电压电路示意图；
图4为偏置电路示意图；
图5为图2所示过温保护电路的全工艺角仿真得到的过温关断阈值点离散图；
图6为图2所示过温保护电路的全工艺角仿真得到的过温恢复阈值点离散图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图，对本发明的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明实施例提供一种过温保护电路，如图1所示，该电路包括温度检测电路101、电压比较器电路102及输出驱动电路103，其中，
温度检测电路101，以PNP三极管作为温度传感元件，用于根据PNP三极管的发射极电压检测温度；
电压比较器电路102，与温度检测电路101连接，用于将温度检测电路输出的PNP三极管发射极电压和基准电压作比较，输出比较信号；
输出驱动电路103，与电压比较器电路102连接，用于增加比较信号的驱动能力，输出温度控制信号，该温度控制信号反馈到温度检测电路101；
其中，温度检测电路101，还用于根据反馈的温度控制信号控制流入PNP三极管的电流差值，以便实现温度迟滞控制。
具体地，在实际电路中，参考图2，温度检测电路101包括：
第一PMOS管M1，M1的源极与电源VDDL连接，M1的栅极输入偏置电压PBS；
第二PMOS管M2，M2的源极与电源VDDL连接，M2的栅极输入偏置电压PBS；
第一NMOS管M12，M12的漏极与M1的漏极连接，M12的栅极输入反馈的温度控制信号OTP，M12的源极与M2的漏极连接；
PNP三极管Q1，Q1的发射极与M12的源极连接，Q1的基极和集电极接地；
其中，Q1的发射极作为该温度检测电路的输出端。
PNP三极管Q1作为温度传感元件，具有如下特性：正向导通压降具有负的温度系数，当温度升高时，正向导通压降变小，由于基极和集电极接地，因此通过检测PNP三极管发射极电压VA的变化可以检测温度的变化。当流入PNP三极管的发射极电流增加时，发射极电压VA增大。
进一步地，Q1并不限于是一个三极管，可以是多个晶体管的并联结构或者多个晶体管的串联结构。
进一步地，参考图2，电压比较器电路102包括：
第三PMOS管M3，M3的源极与电源VDDL连接，M3的栅极输入偏置电压PBS；
第二NMOS管M4，M4的漏极与M3的漏极连接，M4的栅极与自身的漏极连接，M4的源极接地VSS；
第四PMOS管M7，M7的源极与电源VDDL连接，M7的栅极输入偏置电压PBS；
第五PMOS管M8，M8的源极与M7的漏极连接，M8的栅极连接至温度检测电路的输出端(例如PNP三极管Q1的发射极)，输入PNP三极管发射极电压VA；
第六PMOS管M9，M9的源极与M7的漏极连接，M9的栅极输入基准电压VREF；
第三NMOS管M10，M10的漏极与M8的漏极连接，M10的栅极与自身的漏极连接，M10的源极接地VSS；
第四NMOS管M11，M11的漏极与M8的漏极连接，M11的栅极与M3的漏极连接，M11的源极接地VSS；
第五NMOS管M13，M13的漏极与M9的漏极连接，M13的栅极与M11的栅极连接，M13的源极接地VSS；
第六NMOS管M14，M14的漏极与M9的漏极连接，M14的栅极与自身的漏极连接，M14的源极接地VSS；
第七PMOS管M5，M5的源极与电源VDDL连接，M5的栅极与自身的漏极连接；
第七NMOS管M6，M6的漏极与M5的漏极连接，M6的栅极与M8的漏极连接，M6的源极接地VSS；
第八PMOS管M15，M15的源极与电源VDDL连接，M15的栅极与M5的栅极连接；
第八NMOS管M16，M16的漏极与M15的漏极连接，M16的栅极与M9的漏极连接，M16的源极接地VSS；
第九PMOS管M17，M17的源极与电源VDDL连接，M17的栅极与M15的漏极连接；
第九NMOS管M18，M18的漏极与M17的漏极连接，M18的栅极与M8的漏极连接，M18的源极接地VSS；
其中，M17的漏极作为电压比较器电路的输出端，M9的栅极作为电压比较器电路的同相输入端，M8的栅极作为电压比较器的反相输入端。当M8的栅极电压高于M9的栅极电压时，M17的漏极输出高电平，当M8的栅极电压低于M9的栅极电压时，M17的漏极输出低电平，从而实现比较功能。
进一步地，参考图2，输出驱动电路103包括：
第十PMOS管M19，M19的源极与电源VDDL连接，M19的栅极与电压比较器电路的输出端(例如M17的漏极)连接；
第十NMOS管M20，M20的漏极与M19的漏极连接，M20的栅极与M19的栅极连接，M20的源极接地；
第十一PMOS管M21，M21的源极与电源VDDL连接，M21的栅极与M19的漏极连接；
第十一NMOS管M22，M22的漏极与M21的漏极连接，M22的栅极与M21的栅极连接，M22的源极接地；
其中M21的漏极作为输出驱动电路的输出端，输出温度控制信号OTP，反馈到温度检测电路。
由上述电路可知，M19、M20、M21、M22组成了两级反相器，实现波形整形的作用，从而增大反相器的驱动能力，且隔离外部电路对温度检测电路的影响。电压比较器电路的同相输入端的电压小于反相输入端的电压时，输出电位OTP发生转换。输出驱动电路输出的OTP信号反馈输入M12的栅极，控制NMOS管M12的导通和关断，进而流入PNP三极管的电流不同，M12导通，Q1流入I1+I2，M12关断，Q1流入I2，控制Q1发射极电压VA的变化，实现温度迟滞功能。
另外，过温保护电路还可以包括基准电压电路和偏置电压电路，分别用来提供上述实施例用到的基准电压VREF和偏置电压PBS。
具体地，如图3所示，基准电压电路包括串联的电阻R1和R2，电阻R1的一端和VDDL相连，电阻R1和电阻R2串联，串联后的电阻R2另一端与地VSS相连，电阻R1和电阻R2分压来得到基准电压VREF。基准电压VREF是对VDDL的分压，目的是得到与温度和工艺无关的电压。
如图4所示，偏置电路包括串联的电阻R0和PMOS管M0，M0的源极与电源VDDL连接，M0的栅极连接于自身的漏极，M0的漏极与电阻R0一端连接，R0的另一端接地，其中M0的漏极电压作为输出的偏置电压PBS。偏置电路为电压比较器电路提供工作电流，同时为温度检测电路提供工作电流。
没有特殊说明，本实施例中的PMOS管、NMOS管都是增强型的晶体管。
基于上述实施例的过温保护电路进行全工艺角仿真，图5示出了全工艺角仿真的过温关断阈值点(即温度关断阈值点)离散图，图6示出了全工艺角仿真的过温恢复阈值点(即温度开启阈值点)离散图，根据离散图可以看出，离散控制在±20℃，工艺稳定性高，可以达到目标要求。
本发明实施例提供的过温保护电路，以PNP三极管作为温度传感元件，能够降低温度开启阈值点和温度关断阈值点的工艺漂移，此外温度控制信号反馈到温度检测电路，能实现温度迟滞功能；解决了现有技术的过温保护电路温度开启阈值点和温度关断阈值点工艺漂移大、在过热点附近会产生热振荡和引起误操作等技术问题。本发明电路结构简单，占用芯片面积小，减小工艺难度和降低成本。
另一方面，本发明实施例还提供一种开关电源芯片，该开关电源芯片包括上面实施例提供的过温保护电路，可以将过温保护电路放置在开关电源芯片中靠近功率MOSFET的位置，过温保护电路用到的电源VDDL可以从开关电源芯片的LDO模块中获取。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种过温保护电路，其特征在于，包括：
温度检测电路，以PNP三极管作为温度传感元件，用于根据所述PNP三极管的发射极电压检测温度；
电压比较器电路，与所述温度检测电路连接，用于将所述温度检测电路输出的PNP三极管发射极电压和基准电压作比较，输出比较信号；
输出驱动电路，与所述电压比较器电路连接，用于增加所述比较信号的驱动能力，输出温度控制信号；
其中，所述温度检测电路，还用于根据反馈的所述温度控制信号控制流入所述PNP三极管的电流差值，以便实现温度迟滞控制。
2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述温度检测电路包括：
第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与电源连接，所述第一PMOS管的栅极输入偏置电压；
第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与电源连接，所述第二PMOS管的栅极输入偏置电压；
第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极输入反馈的所述温度控制信号，所述第一NMOS管的源极与所述第二PMOS管的漏极连接；
PNP三极管，所述PNP三极管的发射极与所述第一NMOS管的源极连接，所述PNP三极管的基极和集电极接地；
其中，所述PNP三极管的发射极作为所述温度检测电路的输出端。
3.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述PNP三极管为多个晶体管的并联结构或者多个晶体管的串联结构。
4.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述电压比较器电路包括：
第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与电源连接，所述第三PMOS管的栅极输入偏置电压；
第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与自身的漏极连接，所述第二NMOS管的源极接地；
第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极与电源连接，所述第四PMOS管的栅极输入偏置电压；
第五PMOS管，所述第五PMOS管的源极与所述第四PMOS管的漏极连接，所述第五PMOS管的栅极连接至所述温度检测电路的输出端，输入PNP三极管发射极电压；
第六PMOS管，所述第六PMOS管的源极与所述第四PMOS管的漏极连接，所述第六PMOS管的栅极输入基准电压；
第三NMOS管，所述第三NMOS管的漏极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的栅极与自身的漏极连接，所述第三NMOS管的源极接地；
第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的栅极与所述第三PMOS管的漏极连接，所述第四NMOS管的源极接地；
第五NMOS管，所述第五NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接，所述第五NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的源极接地；
第六NMOS管，所述第六NMOS管的漏极与所述第六PMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的栅极与自身的漏极连接，所述第六NMOS管的源极接地；
第七PMOS管，所述第七PMOS管的源极与电源连接，所述第七PMOS管的栅极与自身的漏极连接；
第七NMOS管，所述第七NMOS管的漏极与所述第七PMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的栅极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极接地；
第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极与电源连接，所述第八PMOS管的栅极与所述第七PMOS管的栅极连接；
第八NMOS管，所述第八NMOS管的漏极与所述第八PMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的栅极与所述第六PMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的源极接地；
第九PMOS管，所述第九PMOS管的源极与电源连接，所述第九PMOS管的栅极与所述第八PMOS管的漏极连接；
第九NMOS管，所述第九NMOS管的漏极与所述第九PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的栅极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第九NMOS管的源极接地；
其中所述第九PMOS管的漏极作为电压比较器电路的输出端。
5.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述输出驱动电路包括：
第十PMOS管，所述第十PMOS管的源极与电源连接，所述第十PMOS管的栅极与所述电压比较器电路的输出端连接；
第十NMOS管，所述第十NMOS管的漏极与所述第十PMOS管的漏极连接，所述第十NMOS管的栅极与所述第十PMOS管的栅极连接，所述第十NMOS管的源极接地；
第十一PMOS管，所述第十一PMOS管的源极与电源连接，所述第十一PMOS管的栅极与所述第十PMOS管的漏极连接；
第十一NMOS管，所述第十一NMOS管的漏极与所述第十一PMOS管的漏极连接，所述第十一NMOS管的栅极与所述第十一PMOS管的栅极连接，所述第十一NMOS管的源极接地；
其中所述第十一PMOS管的漏极作为所述输出驱动电路的输出端，输出温度控制信号，所述温度控制信号反馈到所述温度检测电路。
6.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，还包括：用于提供基准电压的基准电压电路，所述基准电压电路包括串联的至少两个电阻，连接于电源和地之间，通过电阻分压得到所述基准电压。
7.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，还包括：用于提供偏置电压的偏置电路，所述偏置电路包括串联的电阻和PMOS管，所述PMOS管的源极与电源连接，所述PMOS管的栅极连接于自身的漏极，所述PMOS管的漏极与电阻一端连接，所述电阻的另一端接地，其中所述PMOS管的漏极电压作为输出的偏置电压。
8.一种开关电源芯片，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的过温保护电路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113595371A (zh) * 2021-07-28 2021-11-02 深圳市长运通半导体技术有限公司 一种可调过温保护集成电路
CN114185387A (zh) * 2021-10-25 2022-03-15 西安电子科技大学芜湖研究院 一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路
CN114489220A (zh) * 2022-01-04 2022-05-13 电子科技大学 一种无运放无基准的低功耗过温保护电路
CN114544017A (zh) * 2022-04-28 2022-05-27 深圳市泰德半导体有限公司 用于Buck变换器的过温检测电路及开关电源
CN115224662A (zh) * 2022-08-05 2022-10-21 龙芯中科(南京)技术有限公司 功能电路的过温保护电路及电源芯片

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101105413A (zh) * 2007-08-08 2008-01-16 中国航天时代电子公司第七七一研究所 温度监测电路
CN102207409A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 深圳艾科创新微电子有限公司 一种温度检测电路
CN104967095A (zh) * 2015-07-29 2015-10-07 电子科技大学 过温保护电路
CN104967096A (zh) * 2015-07-29 2015-10-07 电子科技大学 用于高边功率开关的过温保护电路
CN104993454A (zh) * 2015-06-29 2015-10-21 中国电子科技集团公司第五十八研究所 过温保护电路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101105413A (zh) * 2007-08-08 2008-01-16 中国航天时代电子公司第七七一研究所 温度监测电路
CN102207409A (zh) * 2010-03-30 2011-10-05 深圳艾科创新微电子有限公司 一种温度检测电路
CN104993454A (zh) * 2015-06-29 2015-10-21 中国电子科技集团公司第五十八研究所 过温保护电路
CN104967095A (zh) * 2015-07-29 2015-10-07 电子科技大学 过温保护电路
CN104967096A (zh) * 2015-07-29 2015-10-07 电子科技大学 用于高边功率开关的过温保护电路

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113595371A (zh) * 2021-07-28 2021-11-02 深圳市长运通半导体技术有限公司 一种可调过温保护集成电路
CN114185387A (zh) * 2021-10-25 2022-03-15 西安电子科技大学芜湖研究院 一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路
CN114489220A (zh) * 2022-01-04 2022-05-13 电子科技大学 一种无运放无基准的低功耗过温保护电路
CN114544017A (zh) * 2022-04-28 2022-05-27 深圳市泰德半导体有限公司 用于Buck变换器的过温检测电路及开关电源
CN115224662A (zh) * 2022-08-05 2022-10-21 龙芯中科(南京)技术有限公司 功能电路的过温保护电路及电源芯片

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