CN112802974A - 电子器件结构及其制备方法、发光二极管以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种电子器件结构及其制备方法、发光二极管以及显示装置，所述电子器件结构包括至少一层电子传输层，且至少一层所述电子传输层在制成薄膜后经过紫外‑臭氧处理。本发明通过在电子传输层制成薄膜后经过紫外‑臭氧后处理，在不需要改变用以制备电子传输层的常规电子传输材料微粒的合成方法的前提下，即可实现对电子传输材料微粒表面缺陷的钝化，提升载流子传输能力，减少电子传输层和发光层界面处的激子猝灭，从而提升电子器件的效率和寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，具体涉及一种电子器件结构及其制备方法、发光二极管以及显示装置。
背景技术
电致发光器件例如发光二极管，一般包括依次堆叠设置的第一电极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极，其中通常以氧化锌作为制备电子传输层的材料，具有良好的电子注入传输能力，并且可以通过掺杂锂、镁、铝等金属元素实现对其功函数和传输速率的调控。但是现有制备氧化锌薄膜层时，由于氧化锌纳米粒子在合成时其表面存在一些缺陷，导致制成的氧化锌薄膜层作为电致发光器件的电子传输层时，影响载流子传输；同时可能会存在氧化锌和发光层界面发生激子的猝灭，影响器件寿命。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种电子器件结构及其制备方法、发光二极管以及显示装置，旨在提升电子器件的效率和寿命。
为实现上述目的，本发明提出一种电子器件结构，所述电子器件结构包括至少一层电子传输层，且至少一层所述电子传输层在制成薄膜后经过紫外-臭氧处理。
可选地，所述电子传输层的材质包括氧化锌和掺杂氧化锌中的至少一种；和/或，所述电子传输层的层数为1～10层。
可选地，所述电子器件结构还包括空穴传输层，所述空穴传输层设有两层。
可选地，所述电子器件结构还包括与所述电子传输层邻接的至少一层电子注入层，且至少一层所述电子注入层在制成薄膜后经过紫外-臭氧处理。
可选地，所述电子器件结构为倒置器件结构。
本发明还提出一种电子器件结构的制备方法，包括以下步骤：
制备形成电子传输层薄膜后，对所述电子传输层薄膜进行紫外-臭氧处理，形成电子传输层。
可选地，所述紫外臭氧处理的步骤包括：
将形成有所述电子传输薄膜的器件结构放入至紫外-臭氧清洗机中，在功率10W～10kW、紫外线波长185～254nm的条件下处理15～45s后取出。
可选地，所述电子器件结构的制备方法还包括以下步骤：
制备形成电子注入层薄膜后，对所述电子注入层薄膜进行紫外-臭氧处理，形成电子注入层。
进一步地，本发明还提出一种发光二极管，所述发光二极管包括如上所述的电子器件结构，或者包括如上所述的制备方法所制得的电子器件结构。
更进一步地，本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的发光二极管。
本发明提供的技术方案中，通过在电子传输层制成薄膜后经过紫外-臭氧后处理，如此，在不需要改变用以制备电子传输层的常规电子传输材料微粒的合成方法的前提下，即可使得以常规电子传输材料制备制备成电子器件中的电子传输层时，能够实现对电子传输材料微粒表面缺陷的钝化，提升载流子传输能力，减少电子传输层和发光层界面处的激子猝灭，从而提升电子器件的效率和寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的电子器件结构的第一实施例的结构示意图；
图2为本发明提供的电子器件结构的第二实施例的结构示意图；
图3为本发明提供的电子器件结构的第三实施例的结构示意图；
图4为本发明提供的电子器件结构的第四实施例的结构示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 100 | 电子器件结构 | 40 | 发光层 |
| 10 | 玻璃基板 | 50 | 空穴传输层 |
| 20 | 第一电极 | 50a | 第一空穴传输层 |
| 30 | 电子传输层 | 50b | 第二空穴传输层 |
| 30a | 第一电子传输层 | 60 | 空穴注入层 |
| 30b | 第二电子传输层 | 70 | 第二电极 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
电致发光器件例如发光二极管，一般包括依次堆叠设置的第一电极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极，其中通常以氧化锌作为制备电子传输层的材料，具有良好的电子注入传输能力，并且可以通过掺杂锂、镁、铝等金属元素实现对其功函数和传输速率的调控。但是现有制备氧化锌薄膜层时，由于氧化锌纳米粒子在合成时其表面存在一些缺陷，导致制成的氧化锌薄膜层作为电致发光器件的电子传输层时，影响载流子传输；同时可能会存在氧化锌和发光层界面发生激子的猝灭，影响器件寿命。
为解决电子器件中以氧化锌薄膜层作为电子传输层时存在的载流子传输效率低、电子器件寿命短的问题，本发明提出一种电子器件结构，图1至图4所示为本发明提供的电子器件结构的具体实施例。
本发明提供的技术方案中，所述电子器件结构100包括至少一层电子传输层30，且至少一层所述电子传输层30在制成薄膜后经过紫外-臭氧处理。本发明提供的技术方案中，通过在电子传输层30制成薄膜后经过紫外-臭氧后处理，如此，在不需要改变用以制备电子传输层的常规电子传输材料微粒的合成方法的前提下，即可使得以常规电子传输材料制备制备成电子器件中的电子传输层30时，能够实现对电子传输材料微粒表面缺陷的钝化，提升载流子传输能力，减少电子传输层和发光层界面处的激子猝灭，从而提升电子器件的效率和寿命。
用以制备所述电子传输层30的材料不做限定，可以选用本领域常规的电子传输材料，具体地，在本发明的具体实施例中，所述电子传输层30的材质包括氧化锌和掺杂氧化锌中的至少一种。进一步地，所述掺杂氧化锌包括锂掺杂氧化锌Zn1-xLixO、镁掺杂氧化锌Zn1- xMgxO、钠掺杂氧化锌Zn1-xNaxO和铝掺杂氧化锌Zn1-xAlxO中的至少一种(x表示掺杂比例，取值不大于1)。当选用氧化锌和/或掺杂氧化锌作为制备所述电子传输层30的材料时，制备所得的电子传输层30在经过紫外-臭氧处理后，对电子器件性能的改善效果较为优异。
所述电子器件结构100可以是正置器件，即自基板以上依次包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极；也可以是倒置器件，即自基板以上依次包括第一电极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极。在本发明实施例中优选为倒置器件，其相较于正置器件而言，将容易受水氧影响的电子传输层置于其他层至下，使得倒置器件具有更好的水氧耐受性，更有利于延长器件的寿命。此外，所述发光层可以是以量子点材料制备得到的量子点发光层，也可以是以荧光粉或有机发光材料等为原料制备得到的有机发光层，在本发明的实施例中优选为量子点发光层，具有更高的光转换效率、更高的色纯度以及更高的色域效果。
所述电子传输层30的层数不做限制，可以是一层，也可以是多层，在本发明实施例中优选设置为1～10层。具体地，如图1所示的电子器件结构100的第一实施例中，所述电子器件结构100包括依次设置的玻璃基板10、第一电极20、电子传输层30、发光层40、空穴传输层50、空穴注入层60和第二电极70，其中，所述电子传输层30在制成薄膜之后经过所述紫外-臭氧处理。如图2所示的电子器件结构100的第二实施例中，所述电子器件结构100包括依次设置的玻璃基板10、第一电极20、电子传输层30、发光层40、空穴传输层50、空穴注入层60和第二电极70，其中，所述电子传输层30设置有多层，多层所述电子传输层30在制备时逐步成型，即在所述第一电极20上制备一层电子传输层薄膜，然后继续在该电子传输层薄膜上制备下一电子传输层薄膜，直至得到所需要的电子传输层层数，即完成电子传输层30的制备，且其中的任意一层或多层在制备形成薄膜之后经过所述紫外-臭氧处理。
进一步地，在本发明提供的实施例中，所述电子器件结构100中的空穴传输层50的设置层数可以是一层或者多层，且优选为两层，如此，有助于进一步提高器件的效率和寿命。具体地，如图3所示的电子器件结构100的第三实施例中，所述电子器件结构100包括依次设置的玻璃基板10、第一电极20、电子传输层30、发光层40、第一空穴传输层50a、第二空穴传输层50b、空穴注入层60和第二电极70，其中，所述电子传输层30在制备形成薄膜之后经过所述紫外-臭氧处理。如图4所示的电子器件结构100的第四实施例中，所述电子器件结构100包括依次设置的玻璃基板10、第一电极20、第一电子传输层30a、第二电子传输层30b、发光层40、第一空穴传输层50a、第二空穴传输层50b、空穴注入层60和第二电极70，其中，所述第一电子传输层30a和第二电子传输层30b中的至少一层在制备形成薄膜之后经过所述紫外-臭氧处理。
此外，在电致发光器件中，其还可以包括电子注入层，所述电子注入层设于所述电子传输层远离所述发光层的一侧，而所述电子注入层同样可以采用氧化锌或掺杂氧化锌为原料制备得到。因此，在本发明提供的另一实施例中，所述电子器件结构100还包括与所述电子传输层30邻接的至少一层电子注入层，且至少一层所述电子注入层在制成薄膜后经过紫外-臭氧处理。所述电子注入层的材质同样不做限定，可以选用本领域常用具有电子传输能力的材料，在本发明实施例中具体为所述电子注入层的材质包括氧化锌和掺杂氧化锌中的至少一种。如此，当所述电子器件结构100还包括以氧化锌或掺杂氧化锌制备形成的电子注入层时，通过对所述电子注入层薄膜进行紫外-臭氧后处理，同样也能使氧化锌纳米粒子表面缺陷钝化，实现提高器件的效率和寿命的目的。
基于上述提供的电子器件结构100，本发明还提出一种电子器件结构100的制备方法，包括以下步骤：制备形成电子传输层薄膜后，对所述电子传输层薄膜进行紫外-臭氧处理，形成电子传输层30。
本发明提供的电子器件结构100的制备方法中，通过在制备形成电子层传输薄膜后对其进行紫外-臭氧后处理的方式，在无需改变用以制备电子传输层的常规电子传输材料微粒合成方法的前提下，实现了对常规电子传输材料微粒表面缺陷的钝化，提升载流子传输能力，减少电子传输层和发光层界面处的激子猝灭，从而提升电子器件的效率和寿命，而且本发明提供的方法简单易操作，电子器件结构100中的其他层的制备工艺无需任何改变，对现有电子器件结构100制备工艺的改动较小。其中，用以制备形成所述电子传输层薄膜的材料不做限定，可以选用本领域常用的电子传输材料，具体可选用例如氧化锌和掺杂氧化锌中的至少一种。
本发明提供的方法中不限制所述电子器件结构100为正置器件结构还是倒置器件结构，均可以采用此方法进行，具体地，当所述电子器件结构100为正置器件时，则对应为在第二电极上制备形成所述电子传输层30并进行紫外-臭氧后处理；而当所述电子器件结构100为倒置器件时，则对应在第一电极上制备形成所述电子传输层30。此外，以所述氧化锌或掺杂氧化锌为原料制备形成所述电子传输层30的方式不做限制，可以采用例如溶胶凝胶法、纳米微球分散液法、溅射法等，其中又以纳米微球分散液法更为方便实现，且成本较低。以下以所述电子器件结构100为倒置器件、所述电子传输层采用纳米微球分散液法制备为例，对本发明提供的电子器件结构100的制备方法进行详细说明，其制备步骤包括：
(1)首先对带有银为反射层、透明氧化物(如氧化铟锡ITO、氧化铟锆IZO、氧化铟镓锌IGZO、氧化铝锌AZO等)为光学谐振腔调节层的复合电极基板按照如下次序进行清洗：去离子水冲洗50～70s、氮气吹50～70s、去离子冲洗50～70s、氮气吹50～70s、热台220～240℃烘烤50～70min；
(2)然后将基板5min内冷却至室温，然后迅速转移至充满氮气的手套箱中；
(3)随后在第一电极20上以旋涂法将ZnO纳米粒子分散液旋涂成膜，然后用热台在75～85℃下烘烤，待膜干燥后得到电子传输层(ETL)薄膜；然后将制备好电子传输层薄膜的基板转移到放置在空气中的紫外-臭氧(UVO)清洗机中进行UVO处理，处理结束后放回到手套箱中，得到制备形成有电子传输层30的基板。需要说明的是，基板转移至空气中开始到UVO结束后放回至手套箱中的整个过程控制在20min之内；
(4)随后在经过UVO处理后得到的电子传输层30上以旋涂法制备发光层(EML)40，再在发光层40上以真空蒸镀法依次制备空穴传输层50(HTL)、空穴注入层60(HIL)、第二电极70；其中，真空蒸镀法的具体方式为：先抽真空至10-7Torr，然后缓慢提高电流值，使速率缓慢增加至
待速率稳定后打开挡板进行蒸镀；
(5)最后进行UV(紫外线)固化封装，再于75～85℃下烘烤50～70min即可。
需要说明的是，当所述电子传输层30设置有多层时，则步骤(3)对应按照以下方式进行：在第一电极20上以旋涂法将ZnO纳米粒子分散液旋涂成膜，然后用热台在75～85℃下烘烤，待膜干燥后得到一电子传输层薄膜；然后在该制备好电子传输层薄膜上继续以旋涂法制备下一电子传输薄膜层并烘烤干燥，重复上述步骤直至多层电子传输层薄膜全部制备完毕，即完成电子传输层的制备；其中，可以对多层电子传输层薄膜的任意一层进行UVO处理，需要进行UVO处理时，将对应制备好电子传输层薄膜的基板转移到放置到UVO清洗机中进行UVO处理，处理结束后放回到手套箱中进行下一步工序即可；当需要对多层电子传输层薄膜进行UVO处理时，则在每一需要进行UVO处理的电子传输层薄膜制备完毕后，放入到UVO清洗机中进行UVO处理，处理结束后放回到手套箱中；如此重复旋涂、烘烤、UVO处理的步骤，直至多层所述电子传输层全部设置完毕，即可完成所需要的电子传输层的制备。另外，当所述空穴传输层50设置有多层时，采用与多层电子传输层30相类似的制备方法，在发光层40上制备一空穴传输层薄膜，然后继续在该空穴传输层薄膜上制备形成下一空穴传输层薄膜，如此重复直至多层空穴传输层制备完毕，即完成空穴传输层50的制备。
在本发明提供的制备方法中，所述UVO处理过程中的工艺条件经过试验验证，综合得出较佳的工艺条件为：功率10W～10kW、紫外线波长185～254nm、处理时间15～45s。且进一步优选为，所述UVO清洗机中设置有两根紫外灯，且在进行所述UVO处理的过程中，两根紫外灯的波长可以设置为相同，也可以设置为不同，优选为两根紫外灯的波长不同，例如，其中一根的波长设置为185nm，另一根的波长设置为254nm。
此外，当所述电子器件结构100中还包括电子注入层时，则所述电子器件结构100的制备方法还包括以下步骤：制备形成电子注入层薄膜后，对所述电子注入层薄膜进行紫外-臭氧处理，形成电子注入层。可以理解的是，当所述电子器件结构100为正置器件结构时，则所述电子注入层形成于电子传输层之上，且在所述电子注入层上设置第二电极；当所述电子器件结构100为倒置器件结构时，则所述电子注入层形成于所述第一电极20之上，且在所述电子注入层上设置所述电子传输层30。同样地，用以制备形成所述电子注入层薄膜的材料包括但不限于选自氧化锌和掺杂氧化锌中的至少一种，在其他实施例中还可以选用本领域常用的其他电子传输材料。
进一步地，本发明还提出一种发光二极管，所述发光二极管包括电子器件结构100，所述电子器件结构100的具体结构参照上述实施例。由于本发明发光二极管采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
所述发光二极管可以是量子点发光二极管(对应所述电子器件结构100中的发光层为以量子点材料制备得到的量子点发光层)，也可以是有机发光二极管(对应所述电子器件结构100中的发光层为以有机发光材料制备得到的有机发光层)，优选为量子点发光二极管，具有更高的发光效率、更高的色纯度以及更高的色域值。
更进一步地，本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括发光二极管，所述发光二极管的具体结构参照上述实施例。由于本发明显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
所述显示装置可以是例如手机、电脑、电视机的显示屏，采用上述提供的发光二极管作为所述显示装置的光源，可以使所述显示装置具有色纯度高、对比度高、广视角、能耗低、轻薄、可弯曲等优点，有望成为新一代显示技术的主流。
以下结合具体实施例和附图对本发明的技术方案作进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
量子点发光二极管器件包括如图3所示的结构：第一电极20、在第一电极20上形成的单层电子传输层30、在电子传输层30上形成的量子点发光层40、在量子点发光层40上形成的第一空穴传输层50a和第二空穴传输层50b、在第二空穴传输层50b上形成的空穴注入层60、以及覆盖空穴注入层60设置的第二电极70；此外，第二电极70上还设有光取出层；制备得到的量子点发光二极管器件的具体结构为ITO(15nm)|Ag(140nm)|ITO(15nm)/Zn0.95Mg0.05(30nm)/QD-EML(15nm)/NPB(17nm)/NPB:MoOx＝19:1(v/v,17nm)/MoOx(8nm)/Ag(28nm)/CPL(80nm)。
其中，电子传输层30在制备成膜后进行UVO处理，然后在其上制备形成量子点发光层40，UVO处理时的参数设置为：功率1kW、一根紫外灯的波长为185nm、一根紫外灯的波长为254nm，处理时间设置为0s、15s、30s、45s、1min、2min和5min，且对应制备得到的量子点发光二极管器件分别命名为对比器件、器件1、器件2、器件3、器件4、器件5和器件6，对该系列器件的电流效率、寿命以及CIE坐标进行测试，测试结果如表1所示(表1中，寿命为恒电流情况下，从1000nit下降至95％的亮度所用的时间)。
表1实施例1中器件的电流效率、寿命以及CIE坐标测试结果
由表1中的测试结果可知，相比于不经过UVO处理的器件而言，当器件经过UVO处理且处理时间短于1min时，可以显著提升器件的寿命，同时也能保证器件的电流效率和色坐标。
对比例1
与实施例1相同，不同之处在于器件结构中仅包括一层空穴传输层50，且电子传输层30的UVO处理时间为30s。
制得所得的器件的最大电流效率为80.34Cd/A，寿命LT95@1000nit为328h，CIE坐标为(0.26，0.72)。说明相比于空穴传输层50仅设置一层的器件而言，当器件的空穴传输层50设置有两层时，器件的性能更好。
实施例2
量子点发光二极管器件包括如图4所示的结构：第一电极20、在第一电极20上形成的第一电子传输层30a和第二电子传输层30b、在电子传输层30b上形成的量子点发光层40、在量子点发光层40上形成的第一空穴传输层50a和第二空穴传输层50b、在空穴传输层50b上形成的空穴注入层60、以及覆盖空穴注入层60设置的第二电极70；此外，第二电极70上还设有光取出层；制备得到的量子点发光二极管器件的具体结构为：ITO(15nm)|Ag(140nm)|IZO(75nm)/Zn0.95Mg0.05O(UVO处理，55nm)/Zn0.95Mg0.05O(55nm)/QD-EML(15nm)/HT001(17nm)/HT001:MoOx＝19:1(v/v,17nm)/MoOx(8nm)/Ag(28nm)/CPL(80nm)。
其中，第一电子传输层30a在制备成膜后进行UVO处理，然后在其上制备形成第二电子传输层30b，UVO处理时的参数设置为：功率1kW、一根紫外灯的波长为185nm、一根紫外灯的波长为254nm，处理时间设置为0s、15s、30s、45s、1min和2min，且对应制备得到的量子点发光二极管器件分别命名为对比器件、器件1、器件2、器件3、器件4和器件5，对该系列器件的电流效率、寿命以及CIE坐标进行测试，测试结果如表2所示(表2中，寿命为恒电流情况下，从1000nit下降至95％的亮度所用的时间)。
表2实施例2中器件的电流效率、寿命以及CIE坐标测试结果
由表2中的测试结果可知，相比于不经过UVO处理的器件而言，当器件经过UVO处理且处理时间短于1min时，可以显著提升器件的寿命，同时也能保证器件的电流效率和色坐标。
实施例3
量子点发光二极管器件包括如图4所示的结构：第一电极20、在第一电极20上形成的电子注入层(未图示)、在电子注入层上形成的电子传输层30、在电子传输层30上形成的量子点发光层40、在量子点发光层40上形成的第一空穴传输层50a和第二空穴传输层50b、在空穴传输层50b上形成的空穴注入层60、以及覆盖空穴注入层60设置的第二电极70；此外，第二电极70上还设有光取出层；制备得到的量子点发光二极管器件的具体结构为：ITO(15nm)|Ag(140nm)|IZO(75nm)/ZnO(UVO处理，50nm)/Zn0.95Mg0.05O(UVO处理，55nm)/Zn0.95Mg0.05O(55nm)/QD-EML(15nm)/HT001(17nm)/HT001:MoOx
＝19:1(v/v,17nm)/MoOx(8nm)/Ag(28nm)/CPL(80nm)。
其中，第一电子传输层30a在制备成膜后进行UVO处理，然后在其上制备形成第二电子传输层30b，UVO处理时的参数设置为：功率1kW、一根紫外灯的波长为185nm、一根紫外灯的波长为254nm，处理时间设置为30s；电子注入层在制备成膜后进行UVO处理，然后在其上制备形成地电子传输层30a，UVO处理时的参数设置为：功率1kW、一根紫外灯的波长为185nm、一根紫外灯的波长为254nm，处理时间设置为0s、15s、30s、45s、1min和2min，且对应制备得到的量子点发光二极管器件分别命名为对比器件、器件1、器件2、器件3、器件4和器件5；对该系列器件的电流效率、寿命以及CIE坐标进行测试，测试结果如表3所示(表3中，寿命为恒电流情况下，从1000nit下降至95％的亮度所用的时间)。
表3实施例3中器件的电流效率、寿命以及CIE坐标测试结果
由表3中的测试结果可知，当器件中设置有电子注入层时，相比于电子注入层不经过UVO处理的器件而言，当器件的电子注入层经过UVO处理且处理时间短于1min时，可以显著提升器件的寿命，同时也能保证器件的电流效率和色坐标。
实施例4
与实施例2相同，不同之处在于，所述UVO处理时的功率为10W、一根紫外灯的波长为190nm、一根紫外灯的波长为245nm。
量子点发光二极管器件的最大电流效率为70.54Cd/A、寿命LT95@1000nit为6023h、CIE坐标为(0.26，0.73)。
实施例5
与实施例2相同，不同之处在于，所述UVO处理时的功率为100W、一根紫外灯的波长为200nm、一根紫外灯的波长为230nm。
量子点发光二极管器件的最大电流效率为68.47Cd/A、寿命LT95@1000nit为5812h、CIE坐标为(0.26，0.73)。
实施例6
与实施例2相同，不同之处在于，所述UVO处理时的功率为1000W、一根紫外灯的波长为210nm、一根紫外灯的波长为240nm。
量子点发光二极管器件的最大电流效率为65.78Cd/A、寿命LT95@1000nit为6034h、CIE坐标为(0.26，0.73)。
实施例7
与实施例2相同，不同之处在于，所述UVO处理时的功率为10kW、一根紫外灯的波长为220nm、一根紫外灯的波长为220nm。
量子点发光二极管器件的最大电流效率为69.65Cd/A、寿命LT95@1000nit为5975h、CIE坐标为(0.26，0.73)。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种电子器件结构，其特征在于，所述电子器件结构包括至少一层电子传输层，且至少一层所述电子传输层在制成薄膜后经过紫外-臭氧处理。
2.如权利要求1所述的电子器件结构，其特征在于，所述电子传输层的材质包括氧化锌和掺杂氧化锌中的至少一种；和/或，所述电子传输层的层数为1～10层。
3.如权利要求1所述的电子器件结构，其特征在于，所述电子器件结构还包括空穴传输层，所述空穴传输层设有两层。
4.如权利要求1所述的电子器件结构，其特征在于，所述电子器件结构还包括与所述电子传输层邻接的至少一层电子注入层，且至少一层所述电子注入层在制成薄膜后经过紫外-臭氧处理。
5.如权利要求1所述的电子器件结构，其特征在于，所述电子器件结构为倒置器件结构。
6.一种电子器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备形成电子传输层薄膜后，对所述电子传输层薄膜进行紫外-臭氧处理，形成电子传输层。
7.如权利要求6所述的电子器件结构的制备方法，其特征在于，所述紫外臭氧处理的步骤包括：
将形成有所述电子传输薄膜的器件结构放入至紫外-臭氧清洗机中，在功率10W～10kW、紫外线波长185～254nm的条件下处理15～45s后取出。
8.如权利要求6所述的电子器件结构的制备方法，其特征在于，所述电子器件结构的制备方法还包括以下步骤：
制备形成电子注入层薄膜后，对所述电子注入层薄膜进行紫外-臭氧处理，形成电子注入层。
9.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括如权利要求1至5任意一项所述的电子器件结构，或者包括如权利要求6至8任意一项所述的制备方法制得的电子器件结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的发光二极管。
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| US20040085016A1 (en) * | 2000-02-28 | 2004-05-06 | Guatam Parthasarathy | High efficiency transparent organic light emitting devices |
| US20150021558A1 (en) * | 2013-07-22 | 2015-01-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting diode, organic light-emitting display apparatus including the same, and method of manufacturing the organic light-emitting diode |
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