CN112798992A - 自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法 - Google Patents

自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112798992A
CN112798992A CN202011607504.1A CN202011607504A CN112798992A CN 112798992 A CN112798992 A CN 112798992A CN 202011607504 A CN202011607504 A CN 202011607504A CN 112798992 A CN112798992 A CN 112798992A
Authority
CN
China
Prior art keywords
material layer
composite film
self
magnetostrictive material
piezoelectric material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011607504.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112798992B (zh
Inventor
徐洁
张�浩
杨舒雅
李昭君
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qingdao University
Original Assignee
Qingdao University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qingdao University filed Critical Qingdao University
Priority to CN202011607504.1A priority Critical patent/CN112798992B/zh
Publication of CN112798992A publication Critical patent/CN112798992A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112798992B publication Critical patent/CN112798992B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

本申请实施例公开了一种自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法,所述自偏置磁电复合薄膜包括磁致伸缩材料层和压电材料层，所述磁致伸缩材料层和所述压电材料层一体弯曲为弧形。在本申请实施例中，由于复合薄膜弯曲变形，使得复合薄膜内部产生残损应力，在残损应力的作用下，使得复合薄膜产生内建磁场，具有自偏执效应，在磁场探测时不需要提供额外的静态偏置磁场。另外，该自偏置磁电复合薄膜为弧形，当外部的交流磁场变化时，正磁致伸缩材料层拉伸压电材料层，负磁致伸缩材料层收缩压电材料层，加大压电材料层的形变，进而提高传感器件的灵敏度。

Description

自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法
技术领域
本申请涉及磁场探测技术领域，特别是涉及一种自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法。
背景技术
磁电效应是指材料在磁场下发生极化的现象。对于磁电复合薄膜，磁电效应具体是指在磁场下磁致伸缩材料发生机械应变，并将应变传递给压电材料，最后在压电材料表面产生电荷的现象。基于磁电效应的磁电传感器，具有灵敏度高、分辨率高、功耗低、工作范围广以及易于小型化等优点。另外，其可以在室温下正常工作。在磁电传感器中，具备磁电效应的磁电复合薄膜被用来作为核心部件来进行磁场探测，那么磁电复合薄膜的性能将决定磁电传感器的性能。
通常情况下，磁电复合薄膜在对磁场的探测中需要给复合薄膜施加静态的偏置磁场，偏置磁场可以将磁致伸缩材料固定在其对磁场的灵敏度最大时的形变，即磁致伸缩材料压磁系数最大时的形变量。但是，静态的偏执磁场不仅会大大增加磁电传感器的体积，而且最重要的是其会与被探测磁场产生干扰，从而降低磁电传感器的准确度。
发明内容
本申请实施例中提供了一种自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法，以利于解决现有技术中存在的技术问题。
第一方面，本申请实施例提供了一种自偏置磁电复合薄膜，包括：磁致伸缩材料层和压电材料层，所述磁致伸缩材料层和所述压电材料层一体弯曲为弧形。
优选地，所述磁致伸缩材料层包括正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层，所述正磁致伸缩材料层设置在所述压电材料层的外侧，所述负磁致伸缩材料层设置在所述压电材料层的内侧。
优选地，所述正磁致伸缩材料层为金属玻璃Metglas，所述压电材料层为聚偏氟乙烯PVDF，所述负磁致伸缩材料层为镍Ni。
优选地，所述弧形为正圆弧形状。
第二方面，本申请实施例提供了一种自偏置磁电复合薄膜材料的制备工具，包括内管和外管，所述外管包括弧形单元，所述弧形单元用于夹紧在所述内管上，使得所述弧形单元的内表面与所述内管的外表面贴合。
优选地，所述弧形单元包括第一弧形单元和第二弧形单元，所述第一弧形单元和第二弧形单元用于通过弹簧夹紧在所述内管上。
第三方面，本申请实施例提供了一种自偏置磁电复合薄膜的制备方法，包括：
将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上，放入第二方面任一项所述的制备工具中夹紧；
将所述制备工具放入干燥箱中使磁致伸缩材料层和压电材料层固化，获得自偏置磁电复合薄膜。
优选地，所述磁致伸缩材料层包括正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层，所述将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上，包括：
分别将所述正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层粘贴在所述压电材料层的上下两侧。
优选地，在所述将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上之前，还包括：
在所述压电材料层上下表面分别涂布一层导电层。
第四方面，本申请实施例提供了一种磁电传感器，包括第一方面任一项所述的自偏置磁电复合薄膜。
在本申请实施例中，由于复合薄膜弯曲变形，使得复合薄膜内部产生残损应力，在残损应力的作用下，使得复合薄膜产生内建磁场，具有自偏执效应，在磁场探测时不需要提供额外的静态偏置磁场。另外，该自偏置磁电复合薄膜为弧形，当外部的交流磁场变化时，正磁致伸缩材料层拉伸压电材料层，负磁致伸缩材料层收缩压电材料层，加大压电材料层的形变，进而提高传感器件的灵敏度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种制备工具的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种自偏置磁电复合薄膜材料的制备方法流程示意图；
图3为本申请实施例提供的一种自偏置磁电复合薄膜的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种自偏置磁电复合薄膜的自建磁场示意图；
图5为本申请实施例提供的一种交流磁场检测系统示意图；
图6为本申请实施例采用图5所述系统获得的自偏置磁电复合薄膜的磁电转换系数随外加交流磁场频率的变化趋势示意图；
图7为本申请实施例采用图5所述系统获得的在共振频率下自偏置磁电复合薄膜输出电压随外加交流磁场强度的变化趋势示意图；
图8为本申请实施例采用图5所述系统获得的在共振频率下自偏置磁电复合薄膜对交流磁场的分辨率示意图；
图9为本申请实施例采用图5所述系统获得的在低频下自偏置磁电复合薄膜的功率谱密度随外加交流磁场强度的变化趋势示意图；
图10为本申请实施例采用图5所述系统获得的在低频下自偏置磁电复合薄膜对交流磁场的分辨率示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
首先，对本申请实施例涉及的术语进行解释说明。
磁电效应：材料在磁场下发生极化的现象。
磁电复合薄膜：由磁致伸缩材料和压电材料组成的复合薄膜。
磁致伸缩材料：一类具有电磁能/机械能相互转换功能的材料。
压电材料：受到压力作用时会在两端面间出现电压的材料。
自偏置效应：材料内部具有自建磁场而不需要给材料额外提供偏置场。
自偏置磁电复合薄膜：复合薄膜内部存在自建磁场，在磁场探测时不需要提供额外的静态偏置磁场。
在本申请实施例中，为了制备自偏置磁电复合薄膜，首先设计了一套夹具，即自偏置磁电复合薄膜材料的制备工具。
参见图1，为本申请实施例提供的一种制备工具的结构示意图。如图1所示，该制备工具包括内管101和外管102，所述外管102包括第一弧形单元1021和第二弧形单元1022，所述第一弧形单元1021和第二弧形单元1022用于通过弹簧103夹紧在所述内管101上。
可理解，当第一弧形单元1021和第二弧形单元1022用于通过弹簧103夹紧在所述内管101上时，弧形单元的内表面与所述内管101的外表面贴合。因此，将复合薄膜置于内管101和外管102之间时，可以改变复合薄膜的形状，将复合薄膜调整为与内管101和外管102对应的弧形。
需要指出的是，本申请实施例并不对弧形单元和弹簧103的数量进行限定。例如，弧形单元同样可以为1个；弹簧103可以为5个、8个等。
参见图2，为本申请实施例提供的一种自偏置磁电复合薄膜材料的制备方法流程示意图。如图2所示，其主要包括以下步骤。
步骤S201：将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上，放入制备工具中夹紧；
步骤S202：将所述制备工具放入干燥箱中使磁致伸缩材料层和压电材料层固化，获得自偏置磁电复合薄膜。
具体实现中，首先将夹具打开，如图1A所示；然后将制备的复合薄膜放入夹具的内管和外管之间，如图1B所示；最后，使用弹簧将夹具闭合，如图1C所示。
可理解，在夹具的内管和外管的压迫作用下，复合薄膜变为弧形。为了将弧形的复合薄膜的形状固化，将带有复合薄膜的夹具放入干燥箱中干燥固化。具体地，固化温度为50℃，固化时间为10个小时。固化完成后，将复合薄膜在夹具中取出，获得弧形的复合薄膜，即自偏置磁电复合薄膜。
在本申请实施例中，通过固化弯曲复合薄膜，使得复合薄膜产生内建磁场，具有自偏执效应，在磁场探测时不需要提供额外的静态偏置磁场。
可理解，由于需要将复合薄膜放入图1所示的夹具中改变复合薄膜的形状，因此，组成复合薄膜的磁致伸缩材料层和压电材料层均应当为柔性材料，以便于在夹具，根据夹具的压迫弯曲变形。
可理解，制备获得自偏置磁电复合薄膜的弧形和图1所示夹具中内管和外管之间的弧度相关。在一种可选实施例中，所述弧形为正圆弧形状。
另外，为了收集压电材料层表面产生的电荷，在所述压电材料层上下表面分别涂布一层导电层。例如，在压电材料层上下表面分别涂布一层银浆。
在一种可能的实现方式中，所述磁致伸缩材料层包括正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层，所述将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上，包括：分别将所述正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层粘贴在所述压电材料层的上下两侧。
由于最终制备的复合薄膜为弧形，当外部的交流磁场变化时，正磁致伸缩材料层拉伸压电材料层，负磁致伸缩材料层收缩压电材料层，加大压电材料层的形变，进而提高传感器件的灵敏度。相反，若复合薄膜为平面形状，相互平行的正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层产生的拉伸和压缩作用会相互中和，即不会产生加强压电材料层形变的效果。
由于聚偏氟乙烯PVDF在聚合物中压电系数最高，电阻率大，介电损耗低，稳定性好，因此，在一种可选实施例中，选择聚偏氟乙烯PVDF作为压电材料。另外，选择金属玻璃Metglas作为正磁致伸缩材料，镍Ni作为负磁致伸缩材料。
具体实现中，采用激光切割机将Metglas薄膜和Ni薄膜裁剪成长宽分别为40mm和4mm长方形，将PVDF薄膜裁剪成长宽分别为45mm和5mm得到长方形。然后通过环氧树脂胶将Metglas薄膜和Ni薄膜分别粘在PVDF薄膜(PVDF的上下表面涂有一层银浆)的上下表面，制备成Metglas/PVDF/Ni的三明治结构。然后，在夹具中固化为弧形，获得自偏置Metglas/PVDF/Ni薄膜材料。
具体地，选用的Metglas为FeCoB,磁致伸缩系数为40ppm，长×宽×厚度：52mm×4mm×15μm；Ni:磁致伸缩为-33ppm，长×宽×厚度：52mm×4mm×30μm；PVDF:沿厚度方向极化，压电系数为23pC/N，长×宽×厚度：54mm×5mm×52μm。
参见图3，为本申请实施例提供的一种自偏置磁电复合薄膜的结构示意图。如图3所示，该自偏置磁电复合薄膜包括正磁致伸缩材料层301、压电材料层302和负磁致伸缩材料层303，其中，所述正磁致伸缩材料层301设置在所述压电材料层302的外侧，所述负磁致伸缩材料303层设置在所述压电材料层302的内侧。正磁致伸缩材料层301、压电材料层302和负磁致伸缩材料层303一体弯曲为弧形。
参见图4，为本申请实施例提供的一种自偏置磁电复合薄膜的自建磁场示意图。如图4所示，由于复合薄膜弯曲变形，使得复合薄膜内部产生残损应力，在残损应力的作用下，使得复合薄膜产生内建磁场，具有自偏执效应，在磁场探测时不需要提供额外的静态偏置磁场。另外，该自偏置磁电复合薄膜为弧形，当外部的交流磁场变化时，正磁致伸缩材料层拉伸压电材料层，负磁致伸缩材料层收缩压电材料层，加大压电材料层的形变，进而提高传感器件的灵敏度。
另外，由于聚偏氟乙烯PVDF在聚合物中压电系数最高，电阻率大，介电损耗低，稳定性好，因此，在一种可选实施例中，选择聚偏氟乙烯PVDF作为压电材料。另外，选择金属玻璃Metglas作为正磁致伸缩材料，镍Ni作为负磁致伸缩材料。
需要指出的是，以上仅是本申请实施例所列举的一些可能的实现方式，本领域技术人员可以根据实际需要进行相应的调整。例如，仅设置一层磁致伸缩材料层，该磁致伸缩材料层与压电材料层组成两层的弧形复合薄膜材料；或者，正磁致伸缩材料层、压电材料层和负磁致伸缩材料层选择其它柔性材料。在不脱离本申请保护思想的前提下，其均应当落入本申请的保护范围之内。
为了测试上述自偏置磁电复合薄膜的性能，本申请实施例搭建了交流磁场检测平台。
参见图5，为本申请实施例提供的一种交流磁场检测系统示意图。如图5所示，该检测系统包括锁相放大器501、长直螺线管502和测试样品夹具503。
其中，锁相放大器501用于为长直螺线管502提供交流电压信号；接受自偏置磁电复合薄膜中压电材料层产生的电压信号；长直螺线管502用于为自偏置磁电复合薄膜提供交流磁场HAC；测试样品夹具503用于在测试时固定自偏置磁电复合薄膜。
测试过程中，将自偏置磁电复合薄膜的长度方向沿着交流磁场HAC平行方向放置在磁场中心，将自偏置磁电复合薄膜上下表面用银浆沾上导线连接至长直螺线管502的电压输入端。通过锁相放大器501给长直螺线管502施加交流信号使长直螺线管502产生交流激励磁场，然后测量复合薄膜上下表面的电势差。通过固定交流磁场HAC的频率，改变交流磁场HAC的强度可以得到输出电压和交流磁场HAC强度的关系曲线，同时也可以得到复合薄膜对交流磁场HAC的分辨率及灵敏度。分别在共振频率和低频下测量输出电压和交流磁场HAC强度的关系，得到复合薄膜在共振频率和低频下的性能。
参见图6，为本申请实施例采用图5所述系统获得的自偏置磁电复合薄膜的磁电转换系数随外加交流磁场频率的变化趋势示意图。其中，横坐标表示交流磁场的频率，纵坐标表示自偏置磁电复合薄膜的磁电转换系数。该图为了探究磁电复合薄膜的共振频率主要探究了磁电复合薄膜在零偏置场下是否存在磁电转换性能，由图可知，在零偏置场下磁电复合薄膜存在磁电转换，并且在共振频率下样品的磁电转换系数增大了3倍，达到了40V/cmOe。说明了本申请实施例中的制备方法可以制作出具备自偏置效应的磁电复合薄膜。在进一步的测试中，如图7，我们可将交流磁场的频率调到共振频率处，测量磁电复合薄膜的输出电压和交流磁场强度的关系。
参见图7，为本申请实施例采用图5所述系统获得的在共振频率下自偏置磁电复合薄膜输出电压随外加交流磁场强度的变化趋势示意图。其中，横坐标表示交流磁场的强度，纵坐标表示自偏置磁电复合薄膜的输出电压。该图为了探究输出电压对于交流磁场强度的线性度和灵敏度(斜率)。由图可知，零偏置场下，在交流磁场的工作区间内，磁电复合薄膜对交流磁场的灵敏度可达208.86mV/Oe(2088.6V/T)，而且线性度为0.99976，说明了磁电复合薄膜可以实现对交流磁场的探测。
参见图8，为本申请实施例采用图5所述系统获得的在共振频率下自偏置磁电复合薄膜对交流磁场的分辨率示意图。其中，横坐标表示时间，纵坐标表示自偏置磁电复合薄膜的输出电压。该图为了探究复合薄膜对交流磁场强度的分辨率。由图可知，磁电复合薄膜对交流磁场的分辨率为1nT。与已知其他研究相比，这一数值也展现了足够的优势。具体地，与目前实际应用中的磁场传感器相比，如霍尔磁场传感器，本申请中的所测量的1nT的分辨率也是极好的，而且本申请中的磁电复合薄膜可以实现对高频交流磁场的探测，这是普通的霍尔传感器所不能实现的。而且本申请中在对交流磁场进行探测时，不需要为磁电复合薄膜提供额外的电源，大大减少了一般磁电传感器所需的能量。
参见图9，为本申请实施例采用图5所述系统获得的在低频下自偏置磁电复合薄膜的功率谱密度随外加交流磁场强度的变化趋势示意图。其中，横坐标表示交流磁场的强度，纵坐标表示自偏置磁电复合薄膜的功率谱密度。该图为了探究低频下复合薄膜对交流磁场的检测极限。由图可知，零偏置场下，当交流磁场的频率为10Hz时，复合薄膜对交流磁电的检测极限为2nT。这一数值显示了复合薄膜在低频交流磁场的探测的优势。鉴于生物体内存在的磁电频率都非常低。本申请所实现的在10Hz的交流磁场下，复合薄膜对交流磁场的检测极限为2nT。这说明了本申请中的磁电复合薄膜可应用于实现对生物体微弱磁场的探测。图10中所示的2nT的分辨率进一步证实了这一前景的可行性。
参见图10，为本申请实施例采用图5所述系统获得的在低频下自偏置磁电复合薄膜对交流磁场的分辨率示意图。其中，横坐标表示时间，纵坐标表示自偏置磁电复合薄膜的功率谱密度。该图为了探究低频下复合薄膜对交流磁场强度的分辨率。由图可知，零偏置场下，当交流磁场的频率为10Hz时，复合薄膜对交流磁电的分辨率为2nT。结合图9，说明了磁电复合薄膜可以实现对低频下微弱交流磁场的探测。
基于上述自偏置磁电复合薄膜，本申请实施例还提供了一种磁电传感器，该磁电传感器包括上述实施例任一项所述的自偏置磁电复合薄膜。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
本说明书中各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。尤其，对于装置和电子设备实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例中的说明即可。
以上所述的本申请实施方式并不构成对本申请保护范围的限定。

Claims (10)

1.一种自偏置磁电复合薄膜，其特征在于，包括：磁致伸缩材料层和压电材料层，所述磁致伸缩材料层和所述压电材料层一体弯曲为弧形。
2.根据权利要求1所述的自偏置磁电复合薄膜，其特征在于，所述磁致伸缩材料层包括正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层，所述正磁致伸缩材料层设置在所述压电材料层的外侧，所述负磁致伸缩材料层设置在所述压电材料层的内侧。
3.根据权利要求2所述的自偏置磁电复合薄膜，其特征在于，所述正磁致伸缩材料层为金属玻璃Metglas，所述压电材料层为聚偏氟乙烯PVDF，所述负磁致伸缩材料层为镍Ni。
4.根据权利要求1所述的自偏置磁电复合薄膜，其特征在于，所述弧形为正圆弧形状。
5.一种自偏置磁电复合薄膜材料的制备工具，其特征在于，包括内管和外管，所述外管包括弧形单元，所述弧形单元用于夹紧在所述内管上，使得所述弧形单元的内表面与所述内管的外表面贴合。
6.根据权利要求5所述的制备工具，其特征在于，所述弧形单元包括第一弧形单元和第二弧形单元，所述第一弧形单元和第二弧形单元用于通过弹簧夹紧在所述内管上。
7.一种自偏置磁电复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上，放入权利要求5或6所述的制备工具中夹紧；
将所述制备工具放入干燥箱中使磁致伸缩材料层和压电材料层固化，获得自偏置磁电复合薄膜。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述磁致伸缩材料层包括正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层，所述将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上，包括：
分别将所述正磁致伸缩材料层和负磁致伸缩材料层粘贴在所述压电材料层的上下两侧。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述将磁致伸缩材料层粘贴在压电材料层上之前，还包括：
在所述压电材料层上下表面分别涂布一层导电层。
10.一种磁电传感器，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的自偏置磁电复合薄膜。
CN202011607504.1A 2020-12-30 2020-12-30 自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法 Active CN112798992B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011607504.1A CN112798992B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011607504.1A CN112798992B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112798992A true CN112798992A (zh) 2021-05-14
CN112798992B CN112798992B (zh) 2023-03-10

Family

ID=75804468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011607504.1A Active CN112798992B (zh) 2020-12-30 2020-12-30 自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112798992B (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201344973Y (zh) * 2009-01-16 2009-11-11 清华大学 基于磁电复合材料的磁场传感器
CN102427111A (zh) * 2011-11-28 2012-04-25 西交利物浦大学 一种柔性的层状磁电元件
CN103824934A (zh) * 2014-03-10 2014-05-28 北京信息科技大学 一种曲面压电复合材料的制备方法及叠堆圆管换能器
CN104835907A (zh) * 2014-01-28 2015-08-12 韩国机械与材料研究院 含单晶压电纤维的复合体及包含该复合体的磁电复合材料层合体
CN105196565A (zh) * 2015-09-23 2015-12-30 哈尔滨工业大学 一种复合材料金字塔型点阵夹芯壳及其制备方法
CN105206368A (zh) * 2015-09-01 2015-12-30 无锡华虹信息科技有限公司 一种复合结构合金磁电材料及其制备方法
CN107091996A (zh) * 2017-04-28 2017-08-25 黑龙江大学 一种复合磁场传感器及其制作工艺
CN107703465A (zh) * 2017-09-19 2018-02-16 中国科学院上海硅酸盐研究所 磁传感器
CN108312668A (zh) * 2018-01-25 2018-07-24 常州亚玛顿股份有限公司 一种夹层曲面玻璃复合材料及其制造方法
CN108614144A (zh) * 2018-05-08 2018-10-02 国网江西省电力有限公司电力科学研究院 一种基于自偏置磁电复合材料的电流传感器
CN112490350A (zh) * 2020-11-23 2021-03-12 航天特种材料及工艺技术研究所 一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201344973Y (zh) * 2009-01-16 2009-11-11 清华大学 基于磁电复合材料的磁场传感器
CN102427111A (zh) * 2011-11-28 2012-04-25 西交利物浦大学 一种柔性的层状磁电元件
CN104835907A (zh) * 2014-01-28 2015-08-12 韩国机械与材料研究院 含单晶压电纤维的复合体及包含该复合体的磁电复合材料层合体
US20150236242A1 (en) * 2014-01-28 2015-08-20 Korea Institute of Machinery and Minerals Single-crystal piezoelectric fiber composite and magnetoelectric laminate composite including the same
CN103824934A (zh) * 2014-03-10 2014-05-28 北京信息科技大学 一种曲面压电复合材料的制备方法及叠堆圆管换能器
CN105206368A (zh) * 2015-09-01 2015-12-30 无锡华虹信息科技有限公司 一种复合结构合金磁电材料及其制备方法
CN105196565A (zh) * 2015-09-23 2015-12-30 哈尔滨工业大学 一种复合材料金字塔型点阵夹芯壳及其制备方法
CN107091996A (zh) * 2017-04-28 2017-08-25 黑龙江大学 一种复合磁场传感器及其制作工艺
CN107703465A (zh) * 2017-09-19 2018-02-16 中国科学院上海硅酸盐研究所 磁传感器
CN108312668A (zh) * 2018-01-25 2018-07-24 常州亚玛顿股份有限公司 一种夹层曲面玻璃复合材料及其制造方法
CN108614144A (zh) * 2018-05-08 2018-10-02 国网江西省电力有限公司电力科学研究院 一种基于自偏置磁电复合材料的电流传感器
CN112490350A (zh) * 2020-11-23 2021-03-12 航天特种材料及工艺技术研究所 一种自偏置磁电复合材料结构及其装配方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈蕾: "基于功能梯度磁电复合材料的新型自偏置磁传感器", 《重庆文理学院学报(社会科学版)》 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112798992B (zh) 2023-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kang et al. High power magnetic field energy harvesting through amplified magneto‐mechanical vibration
CA1234618A (en) Piezoelectric transducer and pressure sensor using such a transducer
Patranabi Sensors and Tranducers
CN104089737B (zh) 一种高灵敏度叠层式挠曲电压力传感器
Bi et al. Large magnetoelectric effect in negative magnetostrictive/piezoelectric/positive magnetostrictive laminate composites with two resonance frequencies
Li et al. Wide-bandwidth high-sensitivity magnetoelectric effect of magnetostrictive/piezoelectric composites under adjustable bias voltage
Lu et al. Investigation of magnetostrictive/piezoelectric multilayer composite with a giant zero-biased magnetoelectric effect
CN112327225A (zh) 基于磁介电效应探测磁场方法、试验装置及其工作方法
Ma et al. Energy harvesters based on fluorinated ethylene propylene unipolar ferroelectrets with negative charges
Yang et al. Self-biased Metglas/PVDF/Ni magnetoelectric laminate for AC magnetic sensors with a wide frequency range
CN112798992B (zh) 自偏置磁电复合薄膜、制备工具、传感器及其制备方法
CN113391246B (zh) 一种提高体声波驱动的微异质结磁传感器性能的方法
Elhosni et al. Experimental study of multilayer piezo-magnetic SAW delay line for magnetic sensor
RU136189U1 (ru) Датчик переменного магнитного поля
Hu et al. Waterproof and low-cost piezoelectrets with high piezoelectric responses
Kuts et al.  Magnetoelectric effect in three-layered gradient LiNbO3/Ni/Metglas composites
Chen et al. Modeling of magnetic sensor based on BAW magnetoelectric coupling micro-heterostructure
CN115436686A (zh) 一种延迟线型声表面波电压传感器及电压检测方法
CN112557774B (zh) 压电性能测试方法及结构
CN104181403A (zh) 压电薄膜厚度机电耦合系数的检测方法
RU193362U1 (ru) Планарный магнитоэлектрический датчик магнитного поля
JP2000356505A (ja) 歪検出素子
Ding et al. Multiple Vibration Modal Analysis of Magnetoelectric Composite Structures under the Magnetic Fields
RU2212736C2 (ru) Пьезоэлектрический изгибный преобразователь
Bian et al. Resonant magnetoelectronic effect with isolated magnetomechanical damping in meta-composite of quartz crystal resonator and magnetosrticive alloy

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant