CN112789950A - 具有亮度控制的矩阵光源 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种矩阵光源，该矩阵光源具有多个具有发光半导体元件的基本光源和与集成电路接触的共用基板。该集成电路允许为矩阵光源的每个基本光源存储亮度设定点，并且包括用于管理每个光源的电力供应的电路，其允许实现亮度设定点，而无需其他外部控制。

Description

具有亮度控制的矩阵光源

技术领域

本发明涉及基于电致发光半导体元件的矩阵光源，尤其是用于机动车辆的矩阵光源。本发明尤其涉及一种对所发射的光亮度进行亮度控制的矩阵光源。

背景技术

发光二极管(LED)是能够在电流流过时发光的半导体电子器件。在汽车领域，LED技术正越来越多地用于众多的光信号解决方案。LED用于提供照明功能，例如日间行车灯、信号灯等。LED发射的光亮度通常取决于流过其中的电流强度。尤其，LED的特征在于电流强度阈值。该最大正向电流通常随着温度的升高而减小。同样，当LED发光时，在其端子之间会观察到等于其正向电压或标称电压的压降。通过驱动向发光二极管的电力供应以改变流过发光二极管的电流的平均强度，能够控制LED的亮度(dimming)。

使用包括大量基本电致发光光源的LED矩阵阵列在许多应用领域中是有益的，尤其在机动车辆的照明和信号传输领域中也是有利的。LED的矩阵阵列可以例如用于产生有益于照明功能(例如前照灯或日间行车灯)的光束形式。另外，可以使用单个矩阵阵列产生多种不同的照明功能，从而减小机动车辆前照灯的受限空间中的物理体积。

已知的是，矩阵光源或等效地像素化光源由控制单元控制，该控制单元物理上远离光源并电连接到光源。控制LED的亮度的原理显然不会扩展到包括大量像素的矩阵光源。控制单元应该驱动用于每个像素的电流，每个像素至少需要一个有线电气连接。该解决方案不是特别现实，特别是在机动车辆的信号发送领域中，因此，用于产生照明模块的体积受到限制。

发明内容

本发明的一个目的是克服现有技术带来的至少一个问题。更准确地，本发明的目的是提出一种矩阵光源，该矩阵光源能够对组成其矩阵阵列的每个基本光源发射的光亮度进行控制。

根据本发明的第一方面，提出一种矩阵光源，该矩阵光源包括集成电路和基于电致发光半导体元件的基本光源的矩阵阵列。矩阵光源值得注意的是，集成电路与矩阵阵列接触，并且对于至少两个基本光源包括：第一存储元件，该第一存储元件用于存储要由所述基本光源产生的亮度设定点，该设定点对应于所述基本光源能够产生的最小亮度和最大亮度之间的亮度；以及电路，该电路用于管理向所述基本光源的电力供应，该电路被配置为调节流经所述基本光源的电流的平均强度，使得其表观亮度符合所述设定点。

根据本发明的另一方面，提出了一种用于矩阵光源的集成电路。集成电路旨在与矩阵光源的基本光源的矩阵阵列机械接触和电接触。集成电路值得注意的是，其对于至少两个基本光源包括：第一存储元件，该第一存储元件用于存储要由所述基本光源产生的亮度设定点，该设定点对应于所述基本光源能够产生的最小亮度和最大亮度之间的亮度；以及电路，该电路用于管理向所述基本光源的电力供应，该电路被配置为调节流经所述基本光源的电流的平均强度，使得其表观亮度符合所述设定点。

基本光源的矩阵阵列优选地可以包括支撑基本光源的共用基板。矩阵的共同基板优选地可以包括SiC。

每个光源可以优选地与其存储元件及其电力供应管理电路相关联，与不同基本光源相关联的存储元件和管理电路彼此独立。

集成电路优选地可以包括Si基板。集成电路优选地焊接或粘结地结合到基本光源的矩阵阵列，例如结合到支撑基本光源的共用基板。集成电路优选地焊接或粘结地结合到共用基板的下表面，该下表面与包括基本光源的面相反。集成电路优选地例如通过紧固装置与共用基板机械接触并与共用基板电接触，该共用基板在其下表面上具有电连接区域。

集成电路优选地可以包括用于每个基本光源的专用存储元件和专用电力供应管理电路。

电力供应管理电路优选地可以包括：开关元件，该开关元件用于选择性地向基本光源供电；以及电路，该电路用于产生二进制脉冲宽度调制的控制信号，该信号用作开关元件的控制机构。

控制信号的占空比和/或幅度可以优选地取决于亮度设定点。

管理电路优选地可以被配置为计算控制信号的占空比，以便对应于0和1之间的量化值，该量化值反映由基本光源产生的亮度设定点的值，该设定点对应于在最小亮度和最大亮度之间的亮度。

对于至少一个基本光源，基板优选地还可以包括用于检测短路的电路和/或用于检测关于所述基本光源的开路故障的电路和/或用于延迟基本光源的启动的单元。

集成电路优选地还可以包括至少一个第二存储元件，该至少一个第二存储元件用于记录短路的检测和/或关于所述基本光源的开路故障和/或关于启动延迟周期的信息。

根据本发明的另一方面，提出一种照明模块。该模块包括控制单元、矩阵光源和用于驱动向所述光源的电力供应的电路。照明模块值得注意的是，控制单元被配置为将矩阵光源的每个基本光源的亮度设定点传输到矩阵光源；所述矩阵光源是根据本发明的一个方面的矩阵单元；并且，所述亮度设定点分别被记录在与每个基本光源相关联的存储元件中。

所述照明模块优选地可以是用于机动车辆的照明模块。作为替代，所述照明模块可以是用于投射或显示阴影图像的模块，例如屏幕。每个阴影对应于光源矩阵阵列中基本光源的像素的预定亮度设定点。

根据本发明的又一方面，提出了一种利用根据本发明一方面的矩阵光源来投射阴影图像的方法。该方法值得注意的是包括以下步骤：

-在控制单元中提供阴影数字图像，该图像的像素尺寸对应于矩阵光源的尺寸；

-利用控制单元，为矩阵光源的每个基本光源生成亮度设定点并将亮度设定点传输到矩阵光源，给定的基本光源的亮度设定点代表数字图像的相应像素的阴影；

-在矩阵光源中，将接收到的相应亮度设定点记录在与每个基本光源相关联的存储元件中；

-利用矩阵光源，由每个基本光源发射其表观亮度符合接收到的相应亮度设定点的光束。

像素化光源或等效地矩阵光源优选地可以包括电致发光元件(即，基本光源)的至少一个矩阵阵列，又称为单片阵列，这些基本光源被布置为至少两列×至少两行。电致发光源优选地包括电致发光元件的至少一个单片矩阵阵列，也称为单片矩阵阵列。

在单片矩阵阵列中，电致发光元件从共用基板上生长并电连接，从而能够选择性地、单独地或通过电致发光元件的子集来启动。这样，每个电致发光元件或电致发光元件组可以形成所述像素化光源的基本发射器中的一个，当其材料被供电时，所述基本发射器能够发光。

电致发光元件的各种布置均可满足单片矩阵阵列的该定义，条件是电致发光元件的主要伸长尺寸中的一个尺寸基本垂直于共用基板，并且与焊接在印刷电路板上的扁平方形芯片的已知布置中施加的间距相比，由电气地组合一起的一个或多个电致发光元件形成的基本发射器之间的间距更小。

基板可以主要由半导体材料制成。基板可以包括一种或多种其他材料，例如非半导体材料。这些亚毫米尺寸的电致发光元件例如被布置成从基板突出以形成六边形截面的棒。电致发光棒起源于基板的第一面上。在这种情况下使用氮化镓(GaN)形成的每个电致发光棒均从基板(在这种情况下基板由硅制成)与其他材料(例如碳化硅)垂直或基本垂直延伸，以能够使用而不脱离从本发明的上下文。举例来说，电致发光棒可以由氮化铝和氮化镓的合金(AlGaN)，或者由铝、铟和镓磷光体的合金(AlInGaP)制成。每个电致发光棒均沿着限定其高度的纵轴延伸，每个棒的底部均布置在基板的上表面的平面中。

一个单片矩阵阵列和相同的单片矩阵阵列的电致发光棒有利地具有相同的形状和相同的尺寸。它们分别由端面和沿着棒的延伸轴线延伸的周向壁限定。当掺杂电致发光棒并对其进行极化时，在半导体光源的输出处所产生的光主要从周壁发射，应当理解的是，光线也可以从端面出射。结果，每个电致发光棒均充当单个发光二极管，并且该光源的光输出首先通过已存在的电致发光棒的密度而提高，其次通过由圆周壁限定的照明表面的尺寸来提高，并因此在棒的整个周长和整个高度上延伸。棒的高度可以在2和10μm之间，优选地是8μm。棒的端面的最大尺寸小于2μm，优选小于或等于1μm。

应当理解的是，当形成电致发光棒时，可以将高度从像素化光源的一个区域改变为另一个区域，使得当形成它的棒的平均高度增加时，可以提高相应区域的亮度。因此，一组电致发光棒可以具有与另一组电致发光棒不同的一个或多个高度，这两组形成包括亚毫米尺寸的电致发光棒的同一个半导体光源。电致发光棒的形状也可以从一个单片矩阵阵列到另一个整体矩阵阵列变化，特别是在棒的横截面和端面的形状上。棒具有总体上圆柱形的形状，并且它们特别地可以具有多边形的横截面，并且更特别地具有六边形的横截面。应当理解的是，对于要能够通过周壁发出光的光，重要的是周壁具有多边形或圆形的形状。

此外，端面的形状可以是基本平坦的并且垂直于圆周壁，使得其基本平行于基板的上表面延伸，或者端面的形状可以在其中心弯曲或指向其中心，以增加从该端面出射的光的发射方向。

电致发光棒可以优选地布置成二维矩阵阵列。这种布置能够使得棒布置成梅花形。总体而言，棒以规则的间隔排列在基板上，并且在矩阵阵列的每个尺寸中，将两个紧邻的电致发光棒分开的距离应该至少等于2μm，优选在3μm和10μm之间，使得通过每个棒的圆周壁发射的光能够从电致发光棒的矩阵阵列出射。此外规定，在相邻的棒的两个延伸轴线之间测量的这些分离距离不大于100μm。

替代地，单片矩阵阵列可以包括由外延电致发光元件的层形成的电致发光元件，特别是在例如由碳化硅制成的单个基板上的第一层n掺杂的氮化镓和第二层p掺杂的氮化镓，将其切成薄片(通过研磨和/或烧蚀)，以形成分别源于一个基板和同一基板的多个基本发射器。这种设计的结果是多个电致发光块，所有这些电致发光块均源于同一基板并且电连接，以便能够彼此选择性地启动。

在根据该另一个实施例的一个示例性实施例中，单片矩阵阵列的基板可以具有在5μm和800μm之间的厚度，特别是等于200μm；每个块均可以具有长度和宽度，每个长度和宽度均在50μm和500μm之间，优选地在100μm和200μm之间。在一个变型例中，长度和宽度相等。每个块的高度均小于500μm，优选地小于300μm。最后，每个块的出射面均可以通过与外延相反的一侧上的基板形成。分隔距离在两个基本发射器之间。每个连续的基本发射器之间的距离均可以小于1mm，特别是小于500μm，并且优选地小于200μm。

作为替代，如上所述，既通过分别从一个基板和相同的基板上伸出的电致发光棒，又通过将叠加在一个基板和相同的基板上的电致发光层切片而获得的电致发光块，单片矩阵阵列还可以包括聚合物材料层，电致发光元件至少部分嵌入该聚合物材料层。因此，该层可以在基板的整个范围上或仅在给定的一组电致发光元件周围延伸。尤其可以是基于硅树脂的聚合物材料形成保护层，该保护层能够使得在不损害光线的扩散的情况下保护电致发光元件。此外，能够将波长转换装置(例如发光体)整合到该聚合物材料层中，该波长转换装置能够吸收由一个元件发射的至少一些光线，并且能够将至少一些所吸收的激发光转变为发射光，该发射光的波长与激发光的波长不同。可以毫无区别地规定，将发光体嵌入聚合物材料的材质中，或者布置在该聚合物材料层的表面上。

像素化光源还可以包括反射材料涂层，以将光线偏转到光源的出射面。

亚毫米尺寸的电致发光元件在基本平行于基板的平面中限定给定的出射面。将理解的是，根据形成该出射面的电致发光元件的数量和布置来限定该出射面的形状。因此，可以限定出射面的基本矩形形状，应当理解的是，在不脱离本发明的上下文的情况下，出射面可以变化并采用任何形状。

使用本发明提出的措施，能够提供矩阵光源或像素化光源，该矩阵光源或像素化光源能够使得组成其矩阵阵列的每个基本光源发出的亮度变暗。根据本发明的某些方面的矩阵光源包括集成电路，该集成电路潜在地针对每个基本光源容纳用于在其中记录与亮度设定点相对应的值的存储元件和用于管理到基本光源的电力供应的电路。电力供应管理电路例如通过所论述的基本光源的脉冲宽度调制(PWM)控制信号来适配电流的平均强度。因此，每个像素发出的亮度被矩阵光源本身控制。亮度设定点是用于管理向基本光源供电的电路控制该基本光源所需的唯一外部命令。因此，可以将一组亮度设定点——等效地是阴影数字图像——传输到矩阵光源。每个像素的设定点值记录在集成电路中，由集成电路负责产生该设定点值。仅当其中一个像素待发射的亮度变化时，才需要新的设定点。所要发射的亮度为恒定值的像素不需要接收连续的指令。本发明能够应用于机动车辆信号发送领域，对于该信号发送而言，使得具有特定形状和控制亮度的光束的形成变得更容易。然而，本发明也适用于由发光二极管的矩阵阵列生产的屏幕，或者适用于由发光二极管的矩阵阵列生产的图像投影仪。当将本发明尤其应用于屏幕或投影仪时，有趣的是注意到从控制单元传输到矩阵光源的数据量是有限的：对于一个图像，最多有一套完整的设定点值需要一次传输到矩阵光源。当仅一部分图像相对于先前图像改变时，仅需要将由新图像修改的像素的设定点传输到矩阵光源。

附图说明

借助于实施例和附图的描述，将更好地理解本发明的其他特征和优点，其中：

-图1示意性地示出了根据本发明的一个优选实施例的矩阵光源；

-图2示意性地示出了根据本发明的一个优选实施例的矩阵光源。

具体实施方式

除非另有说明，针对一个给定的实施例的详细描述的技术特征可以与在通过示例性而非限制性的方式描述的其他实施例的上下文中描述的技术特征相结合。在本发明的各个实施例中，相同的附图标记将用于描述相似的概念。例如，附图标记100和200表示根据本发明的矩阵光源的两个实施例。

图1中的图示出了根据本发明的一个优选实施例的像素化光源或矩阵光源100。矩阵光源100包括多个基于电致发光半导体元件的基本光源110和共用基板(未示出)，该共用基板与集成电路120机械接触和电接触并且在功能上连接到集成电路120。基本光源通常是发光二极管(LED)。

矩阵光源100优选地包括单片矩阵阵列部件，其中，基本光源110的半导体层例如布置在共用基板上。基本光源110的矩阵阵列优选地包括多个分支的并联组件，每个分支均包括电致发光半导体光源110。

作为示例而非限制，基本光源的矩阵阵列100沿着基板的厚度并且在与基本光源110的位置相对的端部开始包括沉积在电绝缘基板上的第一导电层。随后是厚度在0.1和2μm之间的n掺杂半导体层。该厚度比已知发光二极管的厚度小得多，对于已知发光二极管，相应的层的厚度为1至2μm的量级。接下来的层是具有约30nm厚度的有源量子阱层，然后是电子阻挡层，最后是p掺杂半导体层，后者的厚度约为300nm。优选地，第一层是(Al)GaN：Si层，第二层是n-GaN：Si层，并且有源层包括由InGaN制成的量子阱与由GaN制成的阻挡层交替。阻挡层优选地由A1GaN：Mg制成，并且p掺杂层优选地由p-GaN：Mg制成。n掺杂的氮化镓的电阻率为0.0005Ohm/cm，而p掺杂的氮化镓的电阻率为1Ohm/cm。所提出的层的厚度使得特别地可以增加基本源的内部串联电阻，同时显著减少其制造时间，因为n掺杂层与已知的LED相比并不那么厚并且需要较短的沉积时间。作为示例，对于具有2μ的n层的标准配置LED，MOCVD沉积通常需要5个小时的时间，如果n层的厚度减小到0.2μ，则该时间可以减少50％。

为了获得带有具有均匀厚度的半导体层的基本光源110，优选地通过在基板的至少一部分表面上均匀且均一地沉积所述层以覆盖该部分表面来制造单片部件100。例如，使用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法沉积这些层。例如从专利文件WO 2010/072380 A1或WO 01/46498 A1中获知用于实现它们的这种方法和反应器以在基板上沉积半导体层。因此，在本发明的上下文中将不描述有关其实现方式的细节。然后，将由此形成的层像素化。作为示例而非限制，使用已知的光刻方法并通过在随后对应于基板上的基本光源110之间的空间的位置处进行蚀刻来去除这些层。因此，对于每个像素具有小于1平方毫米的表面积、具有大于2平方毫米的总表面积、带有具有均一的厚度的半导体层并因此具有均质的高的内部串联电阻的数十个或数百个或数千个像素110能够在矩阵光源100的基板上产生。总体而言，每个LED像素的尺寸减小得越多，其串联电阻就增加得越大，并且能够被电压源驱动的像素越多。作为替代，将包括覆盖基板的至少一部分表面的沉积层的基板锯开或划分为基本光源，每个基本光源就其内部串联电阻而言均具有相似的特性。

本发明还涉及半导体层的其他配置的基于半导体元件的基本光源的类型。特别地，基板、层的半导体材料、层的布置、它们的厚度以及层之间的任何通孔均可以与刚才描述的示例不同。

集成电路120优选地被焊接到共用基板的下表面，该共用基板在其上表面上容纳基本光源，以便建立与基板和基本光源的机械接触和电接触。集成电路对于至少两个基本光源110但优选地对于所有基本光源110还包括例如由触发器电子电路形成的专用存储元件或寄存器136，用于在其中存储由基本光源110产生的亮度设定点。设定点12对应于在所述基本光源能够产生的最小亮度和最大亮度之间的亮度等级。集成电路120还包括用于管理向所论述的基本光源的电力供应的电子电路130。电路130被配置为调节流过基本光源110的电流的平均强度，使得其表观亮度符合所述设定点。

通过使用与基本光源驻留在其上的基板机械接触和电接触的集成电路120，能够使得省去有线连接，该有线连接的数量将至少等于矩阵光源的像素的数量。

优选地，当制造单片部件100时，电力供应电路可以集成到基板中。

图2中的图示出了根据本发明的一个优选实施例的像素化光源或矩阵光源200。矩阵光源200包括多个基于电致发光半导体元件的基本光源210和未示出的共用基板，该共用基板与集成电路220接触并且在功能上连接到集成电路220。基本光源通常是发光二极管(LED)。

集成电路220优选地被焊接到共用基板的下表面，该共用基板在其上表面上容纳基本光源，以便建立与基板和基本光源的机械接触和电接触。集成电路对于至少两个但优选地对于所有基本光源210还包括例如由触发器电子电路形成的存储元件或寄存器236，用于在其中存储由基本光源210产生的亮度设定点。设定点12对应于在所述基本光源能够产生的最小亮度和最大亮度之间的亮度等级。集成电路220还包括用于管理向基本光源的电力供应的电子电路230。电路230被配置为调节流过基本光源210的电流的平均强度，使得其表观亮度符合所述设定点。

对于该实施例示出的矩阵光源200旨在通过用于电源10的驱动电路在电压方面进行驱动。此类电路本身在本领域中是已知的，并且在本发明的上下文中将不详细描述它们的操作。它们涉及至少一个转换器电路，该转换器电路能够将例如由诸如电池之类的机动车辆内部的电压源提供的输入电压转换为具有适合于向矩阵光源供电的强度的输出电压。当以电压来驱动矩阵光源时，每个基本光源或等效地每个像素的驱动仅需要控制开关装置232，如图2中示意性所示。通过对装置232的状态进行控制，基本光源210可以被选择性地连接到电压源10。开关装置例如由MOSFET场效应晶体管形成，其优选地表征为其漏极端子与源极端子之间的低压降，并且由来自电力供应管理电路230的控制信号231控制。控制信号231优选地是脉冲宽度调制(PWM)信号。这是循环二进制信号。占空比的选择(即，周期的非零相位和零相位各自的持续时间的选择)直接影响信号的平均值，该平均值在信号的极值之间。循环信号231形成用于打开/关闭开关装置232的二进制命令序列。流过基本光源210的电流的平均强度以及因此由该基本光源发出的平均亮度反映了PWM控制信号231的平均值。

电力供应管理电路230包括用于生成PWM信号的电路，该电路被配置为使得所生成的信号具有反映存储在存储元件236中的亮度设定点12的平均值。例如，对于最大亮度水平，将占空比设置为值1：开关232保持在其闭合状态，并且向光源210连续供电。对于介于零值与最大亮度之间的中间亮度水平，PWM信号的占空比(即，一个周期内“接通”阶段的总持续时间与该周期的总持续时间之比)被选择为基本对应于亮度设定点12的0和1之间的量化值。作为示例，对于可以采用256个不同值的设定点，第128个设定点将由量化单元以值0.5量化。因此，这将对应于占空比等于0.5的控制信号231。能够产生参数化的PWM信号的电子电路本身在本领域中是已知的，并且在本发明的上下文中将不详细描述其操作。根据控制晶体管232的状态所需的电压电平，管理电路230还包括用于提高信号231的电平的电路(“电平移位器”)，这使得二进制PWM信号231的最大幅度适应所需的电压电平。

在所有实施例中，集成电路优选地包括用于接收信号12的单元，该单元使得可以从中提取亮度设定点并将其记录在存储元件136、236中。

不言而喻，集成电路可以包括其他电子电路和/或用于与矩阵光源和/或基本光源有关的其他功能的存储元件。这包括但不限于用于检测关于基本光源的短路或开路故障的电路。

所有实施例例如可以应用于阴影图像的投射。投射方法包括以下步骤：

-在控制单元中提供阴影数字图像，该图像的像素尺寸对应于矩阵光源的尺寸；

-利用控制单元，为矩阵光源的每个基本光源生成亮度设定点并向其传输，给定的基本光源的亮度设定点代表数字图像的相应像素的阴影；

-在矩阵光源中，将接收到的相应亮度设定点记录在与每个基本光源相关联的存储元件中；

-利用矩阵光源，由每个基本光源发射其表观亮度符合接收到的相应亮度设定点的光束。

由权利要求书限定保护范围。

Claims (8)

1.一种矩阵光源(100、200)，包括集成电路(120、220)和基于电致发光半导体元件的基本光源(110、210)的矩阵阵列，其特征在于，

所述集成电路(120、220)与所述矩阵阵列接触，并且对于至少两个基本光源(110、210)包括：

存储元件(136、236)，其用于存储要由所述基本光源产生的亮度设定点，所述设定点对应于在所述基本光源能够产生的最小亮度和最大亮度之间的亮度；以及

电路(130、230)，其用于管理向所述基本光源的电力供应，所述电路被配置为调节流经所述基本光源的电流的平均强度，使得其表观亮度符合所述设定点。

2.如权利要求1所述的光源，其特征在于，所述集成电路包括用于每个基本光源的专用存储元件和专用电力供应管理电路。

3.如权利要求1或2所述的光源，其特征在于，电力供应管理电路包括用于选择性地向所述基本光源供电的开关元件和用于生成二进制脉冲宽度调制的控制信号的电路，该信号用作所述开关元件的控制机构。

4.如权利要求3所述的光源，其特征在于，所述控制信号的占空比和/或幅度取决于所述亮度设定点。

5.如权利要求4所述的光源，其特征在于，所述管理电路被配置为计算所述控制信号的占空比，以对应于0和1之间的量化值，该量化值反映由所述基本光源产生的所述亮度设定点的值，所述设定点对应于在最小亮度和最大亮度之间的亮度。

6.一种照明模块，包括控制单元、矩阵光源和用于驱动向所述光源供电的电路，其特征在于，所述控制单元被配置为将用于所述矩阵光源的每个基本光源的亮度设定点传输到所述矩阵光源；所述矩阵光源是如权利要求1至5中任一项所述的矩阵光源；并且，所述亮度设定点分别被记录在与每个基本光源相关联的存储元件中。

7.如权利要求6所述的照明模块，其特征在于，所述照明模块是用于机动车辆的照明模块。

8.一种利用如权利要求1至5中任一项所述的矩阵光源投射阴影图像的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

-在控制单元中提供阴影数字图像，所述图像的像素尺寸对应于所述矩阵光源的尺寸；

-利用所述控制单元，为所述矩阵光源的每个基本光源生成亮度设定点并将所述亮度设定点传输到所述矩阵光源，给定的基本光源的亮度设定点代表所述数字图像的相应像素的阴影；

-在所述矩阵光源中，将接收到的相应亮度设定点记录在与每个基本光源相关联的存储元件中；

-利用所述矩阵光源，由每个基本光源发射光束，该光束的表观亮度符合接收到的相应亮度设定点。

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