CN112768554A - 基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法 - Google Patents

基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法。所述方法包括：在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行碱抛光，所述碱抛光包括依次进行的一次碱抛光和二次碱抛光，所述一次碱抛光和二次碱抛光采用的碱液中，碱的质量分数独立地为20％～30％，所述一次碱抛光的温度为65℃～80℃，所述二次碱抛光的温度比所述一次碱抛光的温度低10℃～15℃。本发明的方法通过在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行二次碱抛光处理形成“镜面”结构，不仅可以实现背面对光的高反射率，还增加了全接触钝化材料及氮化硅膜的均匀性及致密性。

Description

基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及 制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法。
背景技术
近期光伏市场的快速发展，加快了对高效电池片的需求，如何实现降本提效仍是光伏技术人员做深入研究的课题。常规的单晶PERC电池是在背面引入氧化铝/氮化硅介质层进行钝化，采用局部金属接触，有效降低背表面电子复合，提升电池转化效率。但由于PERC电池将背面的接触范围限制在开孔区域，开孔处的高复合速率依然存在，存在着载流子选择性接触而产生的背面复合及接触电阻较大的弊端，从而影响了电池的钝化效果，降低了转换效率。为了进一步降低背面复合速率实现背面整体钝化，并去除背面开膜工艺，可实现全接触钝化技术近年来成为行业研究热点。
全接触钝化技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅膜层，二者共同形成了钝化接触结构。该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。另外，晶硅太阳能电池引入此类全接触钝化结构需要在硅片背面制备全接触钝化膜，再叠加氮化硅膜。因此需要对单晶硅片进行背面抛光处理。
现有专利文献(CN106449781A、CN108336184A、CN102427099A、CN105742391A)等提及的隧穿氧化钝化接触技术涉及到不同的氧化物材料作为隧穿层，并搭配多晶硅薄膜以实现钝化效果。
对于背面全接触钝化技术，背面钝化膜的均匀性及致密性对硅片背面的绒面提出了较高的要求。现有的背面绒面处理均采用酸抛光的方式，常规酸抛光的方式，背面绒面的结构并不能实现较好的“镜面”结构，从而硅片背面反射率偏低。硅片背面制备钝化所需要的全接触钝化膜及氮化硅膜时，由于其背面仍存在有较大的金字塔的塔脊，膜层的均匀性及致密性无法满足制备高效电池的钝化需要。同时由于较差的背面钝化效果，晶硅太阳能电池在长波段的吸收的减少、饱和电流密度及钝化结构与背面金属电极的接触电阻增大，以上参数的变化，引入全接触的钝化结构的晶硅太阳能电池转换效率会存在不同程度的弱化。
因此，有必要开发一种新型的抛光方式以更好地适应背面全接触钝化的太阳能电池开发一种新型且可完美实现全接触钝化的抛光方法是现阶段需解决的重要问题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法、晶硅太阳能电池及制备方法。
为达上述目的，本发明采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法，所述方法包括：在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行碱抛光，所述碱抛光包括依次进行的一次碱抛光和二次碱抛光，
所述一次碱抛光和二次碱抛光采用的碱液中，碱的质量分数为20％～30％，例如20％、22％、25％、27％、28％或30％等，所述一次碱抛光的温度为65℃～80℃(例如65℃、67℃、68℃、70℃、72.5℃、75℃、78℃或80℃)，所述二次碱抛光的温度比所述一次碱抛光的温度低10℃～15℃(例如10℃、11℃、12℃、12.5℃、13℃、14℃或15℃等)。
本发明的方法适用于P型晶硅太阳能电池，也适用于N型晶硅太阳能电池，对于晶硅太阳能电池，一般需要对硅片进行制绒和扩散，通过制绒可以去除硅片表面机械损伤及杂质，并在硅片正反面形成金字塔容貌，以提高硅片对入射光的吸收。通过扩散可形成PN结，N型硅片在扩散过程中不可避免的会产生硼硅玻璃，P型硅片在扩散过程中不可避免的会产生磷硅玻璃。
本发明的方法通过在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行二次碱抛光处理形成“镜面”结构，不仅可以实现背面对光的高反射率，还增加了全接触钝化材料及氮化硅膜的均匀性及致密性。
优选地，所述一次碱抛光和二次碱抛光采用的碱液中的碱选自KOH和NaOH中的至少一种。
优选地，所述一次碱抛光的时间不超过200s，例如200s、180s、160s、150s、140s、130s、120s或100s等，优选为150s～180s。
优选地，所述二次碱抛光的时间不超过150s，例如150s、125s、115s、100s、80s、70s、60s或50s等，优选为80s～100s。
第二方面，本发明提供一种硅晶太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下步骤：
对硅片制绒、扩散、去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃、背面抛光、去除正面的磷硅玻璃或硼硅玻璃、在抛光后的硅片背面制备全接触钝化材料、制备正面金属电极和背面金属电极，所述背面抛光采用第一方面所述的碱抛光方法。
本发明中对硅片的种类不作限定，例如可以是P型硅片，也可以是N型硅片。对于硅晶太阳能电池的制备，一般还包括正面减反射层的制备，其为现有技术，此处不再赘述。
作为本发明所述硅晶太阳能电池的制备方法的优选技术方案，按照下述方式去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃：
利用链式机刻蚀去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃，刻蚀液为盐酸溶液，所述盐酸溶液中的HCl的质量分数为30％～40％，例如30％、32％、34％、36％、38％或40％等；传动滚轮的速度控制在1.8m/min～2.2m/min，例如1.8m/min、1.9m/min、2.0m/min、2.1m/min或2.2m/min等。其中，去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃可在刻蚀液常温的条件下进行，常温一般为25℃。
优选地，所述全接触钝化材料包括依次形成于所述抛光后的硅片背面的氟化镁膜、掺杂多晶硅膜和氮化硅膜。此优选技术方案提供了一种新型的氟化镁遂穿层，该新型的遂穿层配合前述的碱抛光工艺，可以提升背面全接触钝化膜的性能，可减少少子复合，增大多子的传导性，因此制备出的晶硅太阳能电池片具有较小的饱和电流密度及接触电阻，提高了电性能中的开路电压及填充因子。
优选地，所述氟化镁膜的厚度为1.2nm～2.5nm，例如1.2nm、1.3nm、1.5nm、1.8nm、2nm、2.3nm或2.5nm等，优选为1.5nm～2nm。
氟化镁膜的厚度对于晶硅太阳能电池的性能具有重要影响，若氟化镁膜的厚度过薄，会导致阻挡作用弱化，有可能在后续多晶硅掺杂过程中掺杂元素进入单晶硅基体；若氟化镁膜的厚度过厚，可能会弱化遂穿效果。
优选地，所述氟化镁通过电子束蒸镀制备得到，所述电子束蒸镀方法具体包括以下步骤：
采用氟化镁靶材，通过考夫曼离子源，选用氩离子或氮离子作为轰击用离子源，离子束电压控制在280V～320V，例如280V、285V、290V、295V、300V、305V、310V或320V等；电流控制在16mA～19mA，例如16mA、17mA、18mA或19mA等；衬底温度控制在150℃～200℃，例如150℃、160℃、170℃、180℃、185℃、190℃或200℃等；真空腔真空度控制在(4～6)×10- 6torr，例如4×10-6torr、4.5×10-6torr、5×10-6torr、5.5×10-6torr或6×10-6torr等；流量为6sccm～9sccm，例如6sccm、7sccm、8sccm或9sccm等。
由于全接触钝化膜制备之前已经对硅片进行过碱抛光处理等清理工序，所以制备氟化镁膜之前无需再一次清理。
优选地，所述掺杂多晶硅膜的厚度为150nm～200nm，例如150nm、165nm、170nm、180nm、190nm或200nm等。
优选地，所述掺杂多晶硅膜中的掺杂元素为硼或磷，对于P型硅片，此处掺杂元素选择硼元素，对于N型硅片，此处掺杂元素选择磷元素，所述掺杂元素的掺杂浓度为1×1019cm-3～1×1021cm-3，例如1×1019cm-3、2×1019cm-3、5×1019cm-3、8×1019cm-3、1×1020cm-3、1.5×1020cm-3、4×1020cm-3、7×1020cm-3或1×1021cm-3等。掺杂多晶硅膜的制备方法为现有技术，本领域技术人员可参照现有技术公开的方法进行制备。例如可以在低温下制备多晶硅，然后升温通入掺杂源，在高温下退火实现掺杂，退火的温度优选800℃～850℃，例如800℃、815℃、830℃、840℃或850℃等，退火的时间优选25分钟～35分钟，例如25分钟、28分钟、30分钟或35分钟。
优选地，所述氮化硅膜的厚度为100nm～150nm，例如100nm、110nm、115nm、120nm、130nm、140nm或150nm等。
氮化硅膜的制备方法为现有技术，本领域技术人员可参照现有技术公开的方法进行制备，例如采用PECVD法沉积氮化硅膜。
优选地，按照下述方式去除正面的磷硅玻璃或硼硅玻璃：
先在第一酸液中进行一次酸处理，再转入第二酸液中进行二次酸处理，所述第一酸液为HCl、H2O2和水的混合液，所述第一酸液中HCl的质量分数为30％～40％，例如30％、31％、33％、35％、36％、38％或40％等；H2O2的质量分数为20％～30％。所述第二酸液为氢氟酸，所述第二酸液中的HF的质量分数为40％～50％。
优选地，所述一次酸处理和二次酸处理的时间独立地不超过100s，例如100s、90s、80s、70s、60s、45s、30s或25s等。
优选地，所述一次酸处理的温度为25℃～35℃，例如25℃、28℃、30℃、32℃或35℃等。
优选地，所述二次酸处理的温度比所述一次酸处理的温度低5℃～10℃，例如5℃、6℃、7℃、8℃、9℃或10℃等。
本发明中，制备正面金属电极和背面金属电极的方法为现有技术，本领域技术人员可参照现有技术公开的内容进行制备，例如可以通过蒸镀的方式形成银金属电极，以形成具有全接触钝化结构的晶硅太阳能电池的制作。
第三方面，本发明提供如第二方面所述的方法制备得到的晶硅太阳能电池。
与已有技术相比，本发明具有如下有益效果：
本发明的方法通过在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行二次碱抛光处理形成“镜面”结构，不仅可以实现背面对光的高反射率，还增加了全接触钝化材料及氮化硅膜的均匀性及致密性。
上述的碱抛光工艺配合一种新型材料氟化镁作为遂穿氧化层，可以提升背面全接触钝化膜的性能，可减少少子复合，增大多子的传导性，以实现全接触钝化的晶硅太阳能电池。制备出的晶硅太阳能电池片具有较小的饱和电流密度(可达2.6fA/cm2)及接触电阻(可达3.8mΩcm2)，提高了电性能中的开路电压及填充因子。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
本实施例提供一种基于背面碱抛光处理及全接触钝化材料的晶硅太阳能电池，硅晶太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1)对P型硅片进行制绒，以去除硅片表面机械损伤及杂质，并在硅片正反面形成金字塔容貌，以提高硅片对入射光的吸收。
(2)对制绒后的P型硅片进行磷扩散，以形成PN结。
(3)对扩散后，并形成PN结的P型硅片进行背面碱抛光处理，具体工艺步骤如下：
①去除硅片背面由于扩散而形成的磷硅玻璃：
在链式机中刻蚀，刻蚀液采用质量分数为30％的盐酸，水温为常温25℃，滚轮速度控制在2m/min。
②对硅片背面的金字塔绒面通过碱抛光的方式形成“镜面”结构：
先在前碱抛槽中进行一次碱抛光，一次碱抛光采用的碱液为质量分数为30％的氢氧化钾水溶液，一次碱抛光的溶液温度控制在75℃，制绒时间170s，并向碱抛槽中加入碱抛添加剂(碱抛添加剂的组成为：硫酸钠、壬基酚阴离子表面活性剂和脱泡剂弱酸盐，所述碱抛添加剂的pH值为4)；然后转入后碱洗槽中进行二次碱抛光，二次抛光采用的碱液为质量分数为25％的氢氧化钾水溶液，二次碱抛光的溶液温度控制在60℃，反应时间100s。
③对P型单晶硅片需去除正面磷硅玻璃：
第一道酸洗槽中采用第一酸液进行一次酸处理，第一酸液为HCl、H2O2和水的混合液，该混合液中，HCl的质量分数为35％，H2O2的质量分数为25％，一次酸处理的溶液温度控制在30℃，反应时间90s。
第二道酸洗槽中采用第二酸液进行二次酸处理，第二酸液为氢氟酸，其中HF的质量分数为43％，二次酸处理的溶液温度控制在25℃，反应时间80s。
经水洗以及烘干后下料，使得P型单晶硅片的总刻蚀量控制在0.30g，碱抛后的背面反射率可达45％。
(4)P型硅片经背面碱抛光处理后，制备全接触钝化膜。全接触钝化膜由氟化镁、掺杂多晶硅膜和氮化硅膜组成。由于在镀膜前已经对硅片进行过清理，所以镀膜工序汇总无需再一次清理。
先在碱抛光后的背面采用电子束蒸镀技术制备氟化镁膜，包括：使用3N纯度氟化镁靶材，通过考夫曼离子源，选择氩离子作为轰击用离子源，离子束电压控制在300V，电流控制在17mA衬底温度控制在180℃，真空腔真空度控制在5×10-6torr，流量为7sccm，氟化镁膜厚度控制在2nm。然后利用低压化学沉积方式在氟化镁膜上制备多晶硅膜，厚度控制在170nm，并进行磷掺杂，掺杂浓度控制在5×1019，最后利用PECVD在掺杂的多晶硅膜上沉积氮化硅膜，膜厚控制在120nm，完成镀膜工序。
(5)经过上述步骤的表面处理后，通过蒸镀方式形成银金属电极，以形成具有全接触钝化结构的晶硅太阳能电池的制作。
实施例2
本实施例提供一种基于背面碱抛光处理及全接触钝化材料的晶硅太阳能电池，硅晶太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1)对P型硅片进行制绒，以去除硅片表面机械损伤及杂质，并在硅片正反面形成金字塔容貌，以提高硅片对入射光的吸收。
(2)对制绒后的P型硅片进行磷扩散，以形成PN结。
(3)对扩散后，并形成PN结的P型硅片进行背面碱抛光处理，具体工艺步骤如下：
①去除硅片背面由于扩散而形成的磷硅玻璃：
在链式机中刻蚀，刻蚀液采用质量分数为36％的盐酸，水温为常温25℃，滚轮速度控制在2.1m/min。
②对硅片背面的金字塔绒面通过碱抛光的方式形成“镜面”结构：
先在前碱抛槽中进行一次碱抛光，一次碱抛光采用的碱液为质量分数为25％的氢氧化钠水溶液，一次碱抛光的溶液温度控制在70℃，制绒时间150s，并向碱抛槽中加入碱抛添加剂(碱抛添加剂的组成为：硫酸钠、壬基酚阴离子表面活性剂和脱泡剂弱酸盐，所述碱抛添加剂的pH值为4)；然后转入后碱洗槽中进行二次碱抛光，二次抛光采用的碱液为质量分数为28％的氢氧化钾水溶液，二次碱抛光的溶液温度控制在60℃，反应时间120s。
③对P型单晶硅片需去除正面磷硅玻璃：
第一道酸洗槽中进行一次酸处理，第一酸液为HCl、H2O2和水的混合液，该混合液中，HCl的质量分数为30％，H2O2的质量分数为20％，一次酸处理的溶液温度控制在28℃，反应时间85s。
第二道酸洗槽中进行二次酸处理，第二酸液为氢氟酸，其中HF的质量分数为45％，二次酸处理的溶液温度控制在25℃，反应时间70s。
经水洗以及烘干后下料，使得P型单晶硅片的总刻蚀量控制在0.25g，碱抛后的背面反射率可达44％。
(4)P型硅片经背面碱抛光处理后，制备全接触钝化膜。全接触钝化膜由氟化镁、掺杂多晶硅膜和氮化硅膜组成。由于在镀膜前已经对硅片进行过清理，所以镀膜工序汇总无需再一次清理。
先在碱抛光后的背面采用电子束蒸镀技术制备氟化镁膜，包括：使用3N纯度氟化镁靶材，通过考夫曼离子源，选择氮离子作为轰击用离子源，离子束电压控制在310V，电流控制在18mA衬底温度控制在200℃，真空腔真空度控制在6×10-6torr，流量为8sccm，氟化镁膜厚度控制在1.5nm。然后利用低压化学沉积方式在氟化镁膜上制备多晶硅膜，厚度控制在150nm，并进行磷掺杂，掺杂浓度控制在2×1020，最后利用PECVD在掺杂的多晶硅膜上沉积氮化硅膜，膜厚控制在130nm，完成镀膜工序。
(5)经过上述步骤的表面处理后，通过蒸镀方式形成银金属电极，以形成具有全接触钝化结构的晶硅太阳能电池的制作。
实施例3
与实施例1的区别在于，所述氟化镁的制备方法为磁控溅射技术，具体方案如下：采用镁靶材，四氟化碳及氧气。脉冲直流电源参数设置为60W，脉冲宽度为1060ns，50kHz。靶材与硅基底距离控制在110mm。氩离子作为溅射源，流量为55sccm，氟化镁膜厚度控制在2nm。
实施例4
本实施例提供一种基于背面碱抛光处理及全接触钝化材料的晶硅太阳能电池，硅晶太阳能电池的制备方法包括以下步骤：
(1)对P型硅片进行制绒，以去除硅片表面机械损伤及杂质，并在硅片正反面形成金字塔容貌，以提高硅片对入射光的吸收。
(2)对制绒后的P型硅片进行磷扩散，以形成PN结。
(3)对扩散后，并形成PN结的P型硅片进行背面碱抛光处理，具体工艺步骤如下：
①去除硅片背面由于扩散而形成的磷硅玻璃：
在链式机中刻蚀，刻蚀液采用质量分数为35％的盐酸，水温为常温25℃，滚轮速度控制在1.8m/min。
②对硅片背面的金字塔绒面通过碱抛光的方式形成“镜面”结构：
先在前碱抛槽中进行一次碱抛光，一次碱抛光采用的碱液为质量分数为20％的氢氧化钾水溶液，一次碱抛光的溶液温度控制在65℃，制绒时间160s，并向碱抛槽中加入碱抛添加剂(碱抛添加剂的组成为：硫酸钠、壬基酚阴离子表面活性剂和脱泡剂弱酸盐，所述碱抛添加剂的pH值为4)；然后转入后碱洗槽中进行二次碱抛光，二次抛光采用的碱液为质量分数为25％的氢氧化钾水溶液，二次碱抛光的溶液温度控制在55℃，反应时间90s。
③对P型单晶硅片需去除正面磷硅玻璃：
第一道酸洗槽中进行一次酸处理，第一酸液为HCl、H2O2和水的混合液，该混合液中，HCl的质量分数为40％，H2O2的质量分数为20％，一次酸处理的溶液温度控制在35℃，反应时间75s。
第二道酸洗槽中进行二次酸处理，第二酸液为氢氟酸，其中HF的质量分数为45％，二次酸处理的溶液温度控制在27℃，反应时间80s。
经水洗以及烘干后下料，使得P型单晶硅片的总刻蚀量控制在0.30g，碱抛后的背面反射率可达43％。
(4)P型硅片经背面碱抛光处理后，制备全接触钝化膜。全接触钝化膜由氟化镁、掺杂多晶硅膜和氮化硅膜组成。由于在镀膜前已经对硅片进行过清理，所以镀膜工序汇总无需再一次清理。
先在碱抛光后的背面采用电子束蒸镀技术制备氟化镁膜，包括：使用3N纯度氟化镁靶材，通过考夫曼离子源，选择氩离子作为轰击用离子源，离子束电压控制在300V，电流控制在17mA衬底温度控制在190℃，真空腔真空度控制在5×10-6torr，流量为6sccm，氟化镁膜厚度控制在2nm。然后利用低压化学沉积方式在氟化镁膜上制备多晶硅膜，厚度控制在170nm，并进行磷掺杂，掺杂浓度控制在1×1021，最后利用PECVD在掺杂的多晶硅膜上沉积氮化硅膜，膜厚控制在135nm，完成镀膜工序。
(5)经过上述步骤的表面处理后，通过蒸镀方式形成银金属电极，以形成具有全接触钝化结构的晶硅太阳能电池的制作。
对比例1
本对比例为常规的单晶PERC电池，由于PERC电池将背面的接触范围限制在开孔区域，开孔处的高复合速率依然存在，存在着载流子选择性接触而产生的背面复合及接触电阻较大的弊端，从而影响了电池的钝化效果，降低了转换效率。
检测：
经SUNS-VOC,transmission line method(TLM)，I-V测试设备后
实施例1与对比例1的性能参数参见表1。
表1
Figure BDA0002874076820000131
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细方法，但本发明并不局限于上述详细方法，即不意味着本发明必须依赖上述详细方法才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种基于背面全接触钝化材料的碱抛光方法，其特征在于，所述方法包括：在去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃之后进行碱抛光，所述碱抛光包括依次进行的一次碱抛光和二次碱抛光，
所述一次碱抛光和二次碱抛光采用的碱液中，碱的质量分数独立地为20％～30％，所述一次碱抛光的温度为65℃～80℃，所述二次碱抛光的温度比所述一次碱抛光的温度低10℃～15℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次碱抛光和二次碱抛光采用的碱液中质量分数的碱独立地选自KOH和NaOH中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述一次碱抛光的时间不超过200s，优选为150s～180s；
优选地，所述二次碱抛光的时间不超过150s，优选为80s～100s。
4.一种晶硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对硅片制绒、扩散、去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃、背面抛光、去除正面的磷硅玻璃或硼硅玻璃、在抛光后的硅片背面制备全接触钝化材料、制备正面金属电极和背面金属电极，所述背面抛光采用权利要求1-3任一项所述的碱抛光方法。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，按照下述方式去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃：
利用链式机刻蚀去除背面的磷硅玻璃或硼硅玻璃，刻蚀液为盐酸溶液，所述盐酸溶液中的HCl的质量分数为30％～40％，传动滚轮的速度控制在1.8m/min～2.2m/min。
6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述全接触钝化材料包括依次形成于所述抛光后的硅片背面的氟化镁膜、掺杂多晶硅膜和氮化硅膜；
优选地，所述氟化镁膜的厚度为1.2nm～2.5nm，优选为1.5nm～2nm；
优选地，所述氟化镁通过电子束蒸镀制备得到，所述电子束蒸镀方法具体包括以下步骤：
采用氟化镁靶材，通过考夫曼离子源，选用氩离子或氮离子作为轰击用离子源，离子束电压控制在280V～320V，电流控制在16mA～19mA，衬底温度控制在150℃～200℃，真空腔真空度控制在(4～6)×10-6torr，流量为6sccm～9sccm。
7.根据权利要求4-6任一项所述的方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅膜的厚度为150nm～200nm；
优选地，所述掺杂多晶硅膜中的掺杂元素为硼或磷，所述掺杂元素的掺杂浓度为1×1019cm-3～1×1021cm-3；
优选地，所述氮化硅膜的厚度为100nm～150nm。
8.根据权利要求4-6任一项所述的方法，其特征在于，按照下述方式去除正面的磷硅玻璃或硼硅玻璃：
先在第一酸液中进行一次酸处理，再转入第二酸液中进行二次酸处理，所述第一酸液为HCl、H2O2和水的混合液，第一酸液中HCl的质量分数为30％～40％，H2O2的质量分数为20％～30％，所述第二酸液为氢氟酸，所述第二酸液中HF的质量分数为40％～50％。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述一次酸处理和二次酸处理的时间独立地不超过100s；
优选地，所述一次酸处理的温度为25℃～35℃；
优选地，所述二次酸处理的温度比所述一次酸处理的温度低5℃～10℃。
10.一种根据权利要求4-9任一项所述的方法制备得到的晶硅太阳能电池。
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