CN112750736B - 上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备 - Google Patents

上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备，包括：接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；获取框架类型对应的运动参数，运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；控制上料装置按照第一子运动参数运行，以将目标框架从目标推料点推动到传送装置上；控制传送装置按照第二子运动参数运行，以将目标框架传送至治具上。本发明实现对上料装置以及传送装置的自动调整，无需操作人员在每次框架的类型发生变动后搬运输入运动参数，能够避免人为失误，提高了等离子清洗设备清洗芯片的准确性，并能够提高等离子清洗设备的工作效率。

Description

上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备
技术领域
本发明涉及芯片清洗技术领域，尤其涉及一种上下料控制方法、存储介质、等离子清洗设备。
背景技术
半导体芯片的清洗是半导体芯片制造生产中的非常重要的一个环节，由于集成电路内各元件及连线相当细微，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或者断路等，导致电路失效。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行清洗工作。等离子清洗是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，使用惰性气体在真空腔中清除残留在晶圆上的微尘、金属离子及有机物等异物，能够保证芯片的可靠性、时效性。芯片需要装载在框架中进入到真空腔中清洗，由于芯片存在不同的规格型号，因此用于装载不同规格芯片的框架存在不同的长、宽、高参数，为保证框架能够准确进入到真空腔中的清洗位置，现有技术中，每次当框架的规格发生变化时，均需要人工进行参数调整，操作繁琐且容易出错。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种上下料控制方法，旨在解决现有技术中的等离子清洗设备难以适应自动切换不同规格框架的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种上下料控制方法，所述上下料控制方法应用于等离子清洗设备，所述等离子清洗设备包括治具、上料装置、传送装置以及清洗腔，所述上下料控制方法包括：
接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；
获取所述框架类型对应的运动参数，所述运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；
控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上；
控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上。
可选地，传送装置包括一条或多条相互间隔设置的传送带，且各个所述传送带的位置可调，所述第二子运动参数还包括多个第三子运动参数，所述控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上的步骤包括：
控制所述传送装置根据所述第三子运动参数调整各个传送带的位置，以承接目标框架；
控制所述上料装置将目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上。
可选地，所述等离子清洗设备还包括升降装置，所述运动参数还包括第四子运动参数，所述控制所述上料装置将目标框架从目标推料点推动到调整后的所述传送带上的步骤之后还包括：
控制所述升降装置根据所述第四子运动参数移动所述治具。
可选地，所述控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上的步骤之后还包括：
实时获取所述上料装置和/或所述传送装置和/或所述升降装置的当前位置参数，将所述当前位置参数置输出至显示界面。
可选地，所述等离子清洗设备还包括推送装置，所述控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上的步骤之前还包括：
获取所述框架类型对应的弹夹行距；
控制所述推送装置根据所述弹夹行距确定所述目标推料点的位置参数。
可选地，所述目标推料点包括第一推料点以及与所述第一推料点相邻的第二推料点，所述弹夹具有多层容置架，所述第二推料点的位置参数根据所述第一推料点的位置参数、目标框架所在容置架层数以及所述弹夹行距计算获得。
可选地，所述接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型的步骤之后还包括：
根据所述框架类型判断存储器中是否保存有与所述目标框架对应的所述运动参数；
当所述存储器中没有保存有与所述框架类型对应的所述运动参数时；
接收输入信息获得所述目标框架的长度、宽度、高度以确定所述第一推料点的位置参数、所述第一运动参数、第二运动参数；
关联保存所述第一运动参数、第二运动参数、第一推料点的位置参数以及所述框架类型。
可选地，所述等离子清洗设备还包括信息识别装置，所述控制所述上料装置将目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上的步骤之后还包括：
控制所述信息识别装置获取所述目标框架上的识别码以更新所述识别码对应的芯片的清洗记录。
本发明还提出一种存储介质，所述存储介质存储有芯片清洗框架的上下料控制程序，所述芯片清洗框架的上下料控制程序被处理器执行时实现如上任一项所述的上下料控制方法的各个步骤。
本发明还提出一种等离子清洗设备，所述等离子清洗设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的上下料控制方法，所述上下料控制方法被所述处理器执行时实现如上任一项所述的上下料控制方法的步骤。
本发明提供的上下料控制方法通过在接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；再获取上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数，控制上料装置按照第一子运动参数运行，以将目标框架从目标推料点推动到传送装置上，控制传送装置按照第二子运动参数运行，以将目标框架传送至治具上。实现对上料装置以及传送装置的自动调整，无需操作人员在每次框架的类型发生变动后搬运输入运动参数，能够避免人为失误，提高了等离子清洗设备清洗芯片的准确性，并能够提高等离子清洗设备的工作效率。
附图说明
图1为本发明等离子清洗设备的硬件构架示意图；
图2为本发明上下料控制方法第一实施例的流程示意图；
图3为本发明上下料控制方法第二实施例的流程示意图；
图4为本发明上下料控制方法第三实施例的流程示意图；
图5为本发明上下料控制方法第四实施例的流程示意图。
附图标号说明：
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例的主要技术方案：本实施例应用于离子清洗设备，所述等离子清洗设备包括治具、上料装置、传送装置以及清洗腔，具体在接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；获取所述框架类型对应的运动参数，所述运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上；控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上。
为了更好的理解上述技术方案，下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
作为一种实现方式，所述上下料控制方法涉及的硬件环境架构可以如图1所示。
具体地，上下料控制方法涉及的硬件架构可以包括执行所述上下料控制程序的控制装置，如移动终端、等离子清洗设备的中央控制设备，如显示屏等具有显示界面的终端；可以理解的是，所述硬件架构还可以由控制装置和等离子清洗设备组成，如控制装置为移动终端或中央控制设备，所述控制装置与所述等离子清洗设备通信连接，所述控制装置控制所述等离子清洗设备执行芯片清洗操作。
作为一种实现方式，所述等离子清洗设备或者控制装置包括：处理器101，例如CPU，存储器102，通信总线103。其中，通信总线103用于实现这些组件之间的连接通信。所述处理器102用于调用应用程序来控制等离子清洗设备的相关部件执行清洗功能。
存储器102可以是高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatilememory)，例如磁盘存储器。
可以理解的是，在一实施例中，实现所述上下料控制方法的程序存储在所述上下料控制方法的存储器102中，所述处理器101从所述存储器102中调用上下料控制程序时，执行以下操作：
接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；
获取所述框架类型对应的运动参数，所述运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；
控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上；
控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上。
基于上述等离子清洗设备的硬件构架，提出本发明上下料控制方法的各个实施例，所述上下料控制方法的各个实施例用于对承载IC芯片的框架进行上下料。
需要说明的是，所述等离子清洗设备包括治具、上料装置、传送装置以及清洗腔，芯片装载在框架中进入到清洗腔清洗，清洗腔为一真空腔，其中的任意位置均可清洗芯片。在实际应用中，每一框架中装有一个待清洗芯片，往往同一型号的芯片数量较多，因此，可将多个装载有待清洗芯片的框架装在同一个弹夹中，每一弹夹具有用于放置框架的容置架，每层容置架可放置一个或多个框架，如图中所示的同一层容置架上放置了两个框架，不同型号的弹夹中，相邻两层容置架的行距不同，行距由该弹簧可装载的框架型号决定。在上料位置设有用于放置弹夹的支架，支架上设置多个推料点，每一推料点可装载多个弹夹，应当说明是的，放置在同一推料点上的弹夹内装载的框架型号相同。上料装置用于将同一推料点上的弹夹中的目标框架推动到传送装置上，传送具有传送带，目标框架被上料装置推动到传送带上，由于不同批次进入的目标框架型号可能不同，因此，传送带的位置可调整，可调整的方向垂直于传送带的传送方向，以使目标框架可准确进入到清洗腔中清洗。治具用于承接来自传送带的目标框架，也即，目标框架离开传送带之后进入治具，由治具将目标框架送入清洗腔。
上料装置、传送装置均与控制装置电连接，由控制装置控制上料装置从推送位置将框架推动到传送带，控制装置控制传送带调整位置使框架可准进入到治具中，由治具将目标框架送入清洗腔。控制装置可调用存储器中存储的上下料控制程序，如图2所示，该上下料控制程序被执行时实现上下料控制方法的第一实施例中的以下步骤：
S10：接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型；
上料指令可以为用户输入，如接收到操作人员点击上料按钮，目标框架的框架类型由操作人员输入或选择。
这里的框架类型是指目标框架的型号类型，每一型号类型的框架中装载了与该型号对应的芯片，由于不同型号的框架具有不同的长度、宽度、高度，因此，为了将框架准确运送进清洗腔，需要先获取待上料的目标框架的类型，以备调用出相关联的运动参数。
S20：获取所述框架类型对应的运动参数，所述运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数；
运动参数存储在存储器中可供控制装置调用，运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数。本实施例中第一子运动参数包括了控制上料装置沿X轴方向的移动距离以及沿Y轴方向移动的距离，弹夹支架上可设置多个推料点，本实施例以起始推料点为第一推料点，第一推料点可以位于弹夹的顶部也可以位于弹夹的底部，当位于弹夹的顶部时，位于顶层容置架上的框架为目标框架，当位于弹夹的底部时，位于底层容置架上的框架为目标框架。第二子运动参数包括了控制装置控制传送带沿X轴方向移动的距离以及沿Y轴方向的移动距离。
S30：控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上；
当目标框架的框架类型发生变动时，第一推料点需要调整到与第一运动参数中X轴、Y轴数值对应的位置，从而上料装置可将目标框架准确推动到传送带上。
S40：控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上。
传送装置根据第二子运动参数对传送带的调整可以与控制装置对上料装置的调整同时进行，也可在上料装置调整好之后进行，如，在目标框架到达到传送带上之后进行。在控制装置按照第二子运动参数调整好传送带的位置以后，传送带可将目标框架准确传输到治具上。应当理解的是，由于上料装置可同时推动多个相同型号的目标框架到传送带上，因此，为保证调节精确，传送装置包括了多条传送带，每条传送带间隔设置，每一条传送带上放置一个目标框架，当控制装置控制传送装置按照第二子运动参数调整之后，每条传送带之间的间隔可能发生变化。
本实施例中控制器可根据获取到的框架类型自动获取与框架类型对应的运动参数，实现对上料装置以及传送装置的自动调整，无需操作人员在每次框架的类型发生变动后搬运输入运动参数，能够避免人为失误，提高了等离子清洗设备清洗芯片的准确性，并能够提高等离子清洗设备的工作效率。
进一步地，如图3所示，基于上述第一实施例，本发明提出关于上下料控制方法的第二实施例：
所述第二子运动参数还包括多个第三子运动参数，所述控制所述传送装置按照所述第二子运动参数运行，以将所述目标框架传送至治具上的步骤包括：
S41：控制所述传送装置根据所述第三子运动参数调整各个传送带的位置，以承接目标框架；
在第二子运动参数中具有多组第三子运动参数，第三子运动参数的组数与传送带的数量一致，使每一条传送带均可根据对应的一组第三子运动参数精确调整位置，可将传送带上的目标框架精确传送到治具上。
S42：控制所述上料装置将目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上。
目标推料点为目标框架所在位置，目标推料点对应于弹夹中多层容置架中的任意一层。本实施例中，先将上料装置以及传送带的位置调整好再控制上料装置推动目标框架，可将目标框架精确传送到治具上。
基于上述第二实施例，如图4所示，本发明提出关于上下料控制方法的第三实施例：
所述等离子清洗设备还包括升降装置，所述运动参数还包括第四子运动参数，所述控制所述上料装置将目标框架从目标推料点推动到调整后的所述传送带上的步骤之后还包括：
S43：控制所述升降装置根据所述第四子运动参数移动所述治具。
本实施例中，第四运动参数包括沿Z轴方向上的运动参数，在目标框架离开传送带之前，升降装置将治具移动到目标治具位置，目标框架由传送带传送到目标治具位置进入到治具内，由治具带入到清洗腔中进行清洗。
这里提到的Z轴方向与上述第一、第二实施例中提到的X轴方向、Y轴方向处于同一坐标系中。
基于上述第三实施例，如图5所示，在第四实施例中，所述控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上的步骤之后还包括：
S31：实时获取所述上料装置和/或所述传送装置和/或所述升降装置的当前位置参数，将所述当前位置参数置输出至显示界面。
本实施例中，控制装置可实时获取到上料装置和/或所述传送装置和/或所述升降装置的当前位置参数输出到显示界面，供操作人员可及时了解到上料和/或所述传送装置和/或所述升降装置的当前执行情况。
基于第一实施例，在进一步的实施例中，所述等离子清洗设备还包括推送装置，所述控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从目标推料点推动到所述传送装置上的步骤之前还包括：
获取所述框架类型对应的弹夹行距；
控制所述推送装置根据所述弹夹行距确定所述目标推料点的位置参数。
由于不同的型号的框架高度不同，因此，弹夹中相邻容置架之间的间距也不同，从而当框架的型号发生变化时，目标推料点的位置也需要调整，弹夹中相邻容置架之间的间距即为弹夹行距。控制装置获取到框架类型对应的弹夹行距后确定出目标推料点，然后控制推送装置从目标推料点推送目标框架进入传送带。
目标推料点包括第一推料点以及与第一推料点相邻的第二推料点，所述弹夹具有多层容置架，所述第二推料点的位置参数根据所述第一推料点的位置参数、目标框架所在容置架层数以及所述弹夹行距计算获得。
基于上述实施例，在一可选实施例中，所述接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型的步骤之后还包括：
根据所述框架类型判断存储器中是否保存有与所述目标框架对应的所述运动参数；
当所述存储器中没有保存有与所述框架类型对应的所述运动参数时；
接收输入信息获得所述目标框架的长度、宽度、高度以确定所述第一推料点的位置参数、所述第一运动参数、第二运动参数；
关联保存所述第一运动参数、第二运动参数、第一推料点的位置参数以及所述框架类型。
当目标框架的型号为首次进入等离子清洗设备时，存储器中不存在与目标框架的框架类型对应的运动参数，因此，在获取待上料的目标框架的框架类型后，需要先判断存储器中是否保存有与所述目标框架对应的运动参数，当存储器中没有保存有与所述框架类型对应的所述运动参数时，需要操作人员输入目标框架的长度、宽度、高度，也即输入信息中包括了目标框架的长度、宽度、高度以及弹夹行距，存储器中存储有根据目标框架的长度、宽度、高度确定第一推料点的位置参数、所述第一运动参数、第二运动参数的计算方式，并可根据第一推料点以及目标框架所在的容置架层数、弹夹行距得到第二推料点的位置参数。当得到第一推料点的位置参数、所述第一运动参数、第二运动参数后，将框架类型与第一推料点的位置参数(如坐标点)、所述第一运动参数、第二运动参数关联保存，以备该种框架类型的框架进入等离子清洗设备后直接调用，从而每种框架类型只需要人工输入一次即可，无需多次输入，可减少人工操作失误，提高等离子清洗设备的工作效率。
基于第一实施例，所述等离子清洗设备还包括信息识别装置，所述控制所述上料装置将目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上的步骤之后还包括：
控制所述信息识别装置获取所述目标框架上的识别码以更新所述识别码对应的芯片的清洗记录。
等离子清洗设备需要对每一进入到清洗腔内的芯片更新清洗记录，由于每一框架装载一块芯片，因此，芯片信息与框架一一对应，识别装置识别到目标框架就可获得其中装载的芯片信息，并可更新芯片的清洗记录，这里的清洗记录包括但不限于清洗次数的更新以及清洗腔在当次清洗时加载的清洗数据。
本发明还提出一种存储介质，所述存储介质存储有芯片清洗框架的上下料控制程序，所述芯片清洗框架的上下料控制程序被处理器执行时实现如上所述的上下料控制方法的各个步骤。
本发明还提出一种等离子清洗设备，所述等离子清洗设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的上下料控制方法，所述上下料控制方法被所述处理器执行时实现如上所述的上下料控制方法的步骤。
需要说明的是，以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种上下料控制方法，所述上下料控制方法应用于等离子清洗设备，其特征在于，所述等离子清洗设备包括推送装置、治具、上料装置、传送装置以及清洗腔，所述传送装置包括一条或多条相互间隔设置的传送带，且各个所述传送带的位置可调，所述上下料控制方法包括：
接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型，其中，不同的框架具有不同的长度、宽度、高度；
获取所述框架类型对应的运动参数，所述运动参数包括上料装置对应的第一子运动参数以及传送装置对应的第二子运动参数，其中，所述第一子运动参数包括了控制所述上料装置沿X轴方向的移动距离以及沿Y轴方向移动的距离，所述第二子运动参数包括了控制所述传送带沿X轴方向的移动距离以及沿Y轴方向移动的距离；
获取所述框架类型对应的弹夹行距；
控制所述推送装置根据所述弹夹行距确定目标推料点的位置参数，其中，不同型号的所述目标框架的高度不同，弹夹中相邻容置架之间的间距也不同，所述目标推料点包括第一推料点以及与所述第一推料点相邻的第二推料点，所述弹夹具有多层所述容置架，所述第二推料点的位置参数根据所述第一推料点的所述位置参数、所述目标框架所在容置架层数以及所述弹夹行距计算获得；
控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从所述目标推料点推动到所述传送装置上；
控制所述传送装置根据第三子运动参数调整各个所述传送带的位置，以承接所述目标框架，其中，所述第二子运动参数包括多个所述第三子运动参数；
控制所述上料装置将目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上。
2.如权利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，所述等离子清洗设备还包括升降装置，所述运动参数还包括第四子运动参数，所述控制所述上料装置将所述目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上的步骤之后还包括：
控制所述升降装置根据所述第四子运动参数移动所述治具。
3.如权利要求2所述的上下料控制方法，其特征在于，所述控制所述上料装置按照所述第一子运动参数运行，以将所述目标框架从所述目标推料点推动到所述传送装置上的步骤之后还包括：
实时获取所述上料装置和/或所述传送装置和/或所述升降装置的当前位置参数，将所述当前位置参数置输出至显示界面。
4.如权利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，所述目标推料点包括第一推料点以及与所述第一推料点相邻的第二推料点，所述弹夹具有多层容置架，所述第二推料点的位置参数根据所述第一推料点的位置参数、所述目标框架所在容置架层数以及所述弹夹行距计算获得。
5.如权利要求4所述的上下料控制方法，其特征在于，所述接收到上料指令时，获取待上料的目标框架的框架类型的步骤之后还包括：
根据所述框架类型判断存储器中是否保存有与所述目标框架对应的所述运动参数；
当所述存储器中没有保存有与所述框架类型对应的所述运动参数时；
接收输入信息获得所述目标框架的长度、宽度、高度以确定所述第一推料点的位置参数、所述第一子运动参数、所述第二子运动参数；
关联保存所述第一子运动参数、所述第二子运动参数、所述第一推料点的位置参数以及所述框架类型。
6.如权利要求1所述的上下料控制方法，其特征在于，所述等离子清洗设备还包括信息识别装置，所述控制所述上料装置将所述目标框架从所述目标推料点推动到调整后的所述传送带上的步骤之后还包括：
控制所述信息识别装置获取所述目标框架上的识别码以更新所述识别码对应的芯片的清洗记录。
7.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有芯片清洗框架的上下料控制程序，所述芯片清洗框架的上下料控制程序被处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述的上下料控制方法的各个步骤。
8.一种等离子清洗设备，其特征在于，所述等离子清洗设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的上下料控制方法，所述上下料控制方法被所述处理器执行时实现如权利要求1至6中任一项所述的上下料控制方法的步骤。
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