CN112748257A - 惯性传感器、电子设备和移动体 - Google Patents

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Abstract

提供惯性传感器、电子设备和移动体。惯性传感器具有设置有惯性传感器元件的第1基板和第2基板。所述第1基板俯视时具有:与所述第2基板接合的第1区域;位于所述第1区域的外侧且与所述第2基板非接合的第2区域;以及位于所述第2区域的外侧且与所述第2基板非接合的第3区域。所述第2区域中的所述第1基板具有比所述第3区域中的所述第1基板的厚度薄的部分。

Description

惯性传感器、电子设备和移动体
技术领域
本发明涉及惯性传感器、电子设备和移动体等。
背景技术
例如,如专利文献1所示,作为三轴加速度传感器的惯性传感器与传感器基板和集成电路(IC)一起被收纳在封装内。在专利文献1中,传感器基板通过树脂粘接剂与封装的底面接合。集成电路配置在传感器基板上。
专利文献1:日本特开2019-39885号公报
由于传感器基板支承惯性传感器元件,因此在传感器基板产生翘曲的情况下,惯性传感器元件的位置关系也发生变化。例如,已知一种静电电容式传感器,其据电容器的原理将由电极间的间隙变动引起的静电电容的变化用于惯性量的检测。由于传感器基板的翘曲,惯性传感器元件的电极间间隙变动,传感器输出变化。另外,即使是其他的惯性传感器,也由于传感器基板的翘曲,在压力电阻型传感器中电阻值发生变化,在压电型传感器中施加由翘曲引起的压力,在振动型传感器中频率发生变化,而惯性传感器元件的输出发生变化。
另外,若传感器基板产生翘曲的状态维持,则翘曲量因蠕变现象而逐渐变动。其结果,由于传感器输出持续变化,因此不能保证稳定性和/或再现性。
发明内容
本发明的一个方式涉及一种惯性传感器,其特征在于,具有:第1基板,其设置有惯性传感器元件;以及第2基板,其支承所述第1基板,所述第1基板在俯视时具有:第1区域,其与所述第2基板接合;第2区域,其与所述第1区域的轮廓相接且位于所述第1区域的外侧,与所述第2基板非接合;以及第3区域,其与所述第2区域的轮廓相接且位于所述第2区域的外侧,与所述第2基板非接合,所述第2区域中的所述第1基板具有比所述第3区域中的所述第1基板的厚度薄的部分。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的惯性传感器的封装内的概要构造的立体图。
图2是示出图1的A-A线的位置处的惯性传感器的内部构造的图。
图3是用于说明图1的传感器基板的Z方向位移和翘曲量的图。
图4是表示图1的传感器基板的形状参数的图。
图5是表示本发明的第1实施方式和比较例1及2的翘曲的特性图。
图6是表示根据第1区域的大小而变化的翘曲的大小的特性图。
图7是表示根据第2区域的大小而变化的翘曲的大小的特性图。
图8是表示传感器基板的变形例的图。
图9是表示传感器基板的其他变形例的图。
图10是表示传感器基板的又一变形例的图。
图11是示意性地表示本发明的第2实施方式的惯性传感器的图。
图12是本发明的第2实施方式的惯性传感器的概要图。
图13是本发明的第3实施方式的惯性传感器的概要图。
图14是本发明的其他实施方式的电子设备的框图。
图15是表示本发明的另一其他实施方式的移动体的一例的图。
图16是表示移动体的结构例的框图。
标号说明
10:封装;13:粘接剂;20A、20B:第2基板(集成电路)21:中央区域;22:周缘区域;23、24:粘接剂;26:接合线;28:粘接剂;30A、30B:第1基板(传感器基板);31~33:槽;40:盖;50:盖;100:惯性计测装置;300:电子设备;500:移动体;T1:第1区域中的第1基板的厚度;T2:第2区域中的第1基板的厚度;T3:第3区域中的第1基板的厚度;Z1:第1区域;Z2:第2区域;Z3:第3区域。
具体实施方式
以下,对本实施方式进行说明。另外,以下说明的本实施方式并不对权利要求书的记载内容进行不当限定。另外,在本实施方式中说明的结构未必全部是必需构成要件。
1.惯性传感器
在图1和图2中,集成电路(IC)20A和传感器基板30A配置于在上部具有开口的封装10内。在本实施方式中,传感器基板30A是具有惯性传感器元件的第1基板,集成电路20A是支承第1基板的第2基板。传感器基板30A例如是玻璃基板。例如,传感器基板30A是诸如硼硅酸盐玻璃的包含碱金属离子的玻璃基板。传感器基板30A的材料并不限定于玻璃材料,例如也可以是高电阻的硅材料或低温同时烧结陶瓷等玻璃陶瓷或氧化铝陶瓷。
如图2所示,在封装10的底面部例如通过树脂粘接剂23接合集成电路20A。在集成电路20A的上表面,例如通过树脂粘接剂24接合传感器基板30A。集成电路20A的连接盘通过接合线26与设置于传感器基板30A和封装10的连接盘电连接。封装10的上部开口被盖40封闭。另外,在本实施方式中,封装10采用氧化铝等陶瓷,但除了陶瓷以外,也可以采用玻璃、树脂等绝缘体来构成,还可以采用金属等来构成。
在图3中,将相互正交的三个轴设为X轴、Y轴以及Z轴。Z轴方向是集成电路20A和传感器基板30A的层叠方向,并且将在垂直于Z轴的二维平面上的两个正交轴设为X轴和Y轴。虽然省略了图示,但传感器基板30A在其中央区域例如安装有三轴加速度传感器元件和/或三轴陀螺仪传感器元件作为惯性传感器元件。各惯性传感器元件由静电电容型、压电型、压力型或振动型等构成。
图3中的B表示由于温度变化等而在传感器基板30A的各个位置产生的Z方向的位移量。特别是,在热膨胀系数不同的集成电路20A与传感器基板30A的界面,随着温度变化而产生热应力/应变,由此传感器基板30A在Z方向上位移。传感器基板30A的Z方向位移具有位置依赖性,如图3所示,在传感器基板30A的中心位移大,在周缘位移小。另外,关于其理由,使用图5在后面叙述。将传感器基板30A的Z方向上的最大位移量C定义为“翘曲量”。
1.1.第1实施方式
图4示出了第1实施方式的传感器基板30A的形状参数。图4所示的传感器基板30A在俯视时例如为矩形,并且例如宽度W=1mm~10mm,长度L=1mm~10mm,高度(厚度)H=0.1mm~5mm。
如图4所示,传感器基板30A在俯视时被划分三个区域Z1、Z2及Z3。如图2所示,传感器基板30A的第1区域Z1是利用树脂粘接剂23与集成电路20A接合的区域。传感器基板30A的第2区域Z2与第1区域Z1的轮廓接触并位于第1区域Z1的外侧,不与集成电路20A接合。第3区域Z3与第2区域Z2的轮廓相接并位于第2区域Z2的外侧,不与集成电路20A接合。在本实施方式中,在俯视时,第2区域Z2包围第1区域Z1而配置,第3区域Z3包围第2区域Z2而配置。不限于此,在图3中,第1区域Z1也可以遍及全长L地形成,在该情况下,第2区域Z2与第1区域Z1的全长L相接地配置,第3区域Z3与第2区域Z2的全长L相接地配置。
如图4所示,传感器基板30A的厚度(高度)在三个区域Z1、Z2和Z3中不同。若将第1区域~第3区域Z1、Z2及Z3的各厚度如图4所示设为T1、T2及T3,则T2<T3<T1成立。在本实施方式中,为了使T2<T3成立,第2区域Z2由在传感器基板30A的与集成电路20A对置的面开口的槽31形成。考虑到传感器基板30A的第1区域Z1与如图2所示的集成电路20A的平坦上表面接合,第2区域Z2与集成电路20A的平坦上表面隔开第1间隔(T1-T2)而分开,第3区域Z3与集成电路20A的平坦上表面隔开第2间隔(T1-T3)而分开。这样,第2区域Z2和第3区域Z3不与集成电路20A的平坦上表面接合。这里,由于T2<T3,因此第1间隔(T1-T2)比第2间隔(T1-T3)大。
1.2.第1实施方式的评价
为了说明本实施方式的效果,与比较例1和比较例2进行对比。将图4中说明的传感器基板的形状参数a、b及c如下表那样设定。在此,比较例1及比较例2在没有图4所示的槽31这一点上相同,在尺寸b不同这一点上不同。尺寸b小的比较例1的第2区域及第3区域的共同厚度T2(=T3)比尺寸b大的比较例2的厚。另外,此外本实施方式的槽31的宽度d为d=0.1mm。
【表1】
本实施方式 比较例1 比较例2
a 1.0mm 1.0mm 1.0mm
b 0.1mm 0.05mm 0.1mm
c 0.1mm 0 0
关于本实施方式和比较例1及比较例2,图5表示关于传感器基板的Z方向位移的模拟结果。图5是关于赋予125℃的温度变化而在传感器基板30A与集成电路20A的界面产生热应力/应变时的传感器基板的Z方向位移的模拟结果。如图5所示,可知本实施方式与比较例1及比较例2相比传感器基板的翘曲小。另外,如图5所示,可知比较例1的翘曲大于比较例2的翘曲。
可以认为图5所示的模拟结果能够根据以下的理由进行说明。首先,本实施方式与比较例1及比较例2在槽31的有无上存在不同,但在剖面上具有第2区域Z2及第3区域Z3从第1区域Z1的Z方向端部的两侧突出的T字型的共通构造。此外,在本实施方式与比较例1及比较例2中,与传感器基板和集成电路的接合面积成比例的尺寸a相同,因此因传感器基板和集成电路的热膨胀率之差而产生的热应力/应变相等。
(1)该热应力在T字型的共通构造中的第1区域Z1中传递,从第1区域Z1的Z方向端部向其两侧的第2区域Z2以及第3区域Z3传递(以下称为原因(1))。由于该原因(1),在本实施方式与比较例1及比较例2中,在图3及图5中,在传感器基板的中央区域Z方向位移比较大,在周缘区域Z方向位移比较小。由于原因(1),与使第1区域Z1、第2区域Z2以及第3区域Z3的整个区域接合的情况相比,能够减小Z方向位移。这是因为,其详细情况如后所述,通过T字型构造,在第1区域Z1中纵横比变大,翘曲变小,第2区域Z2及第3区域Z3经由第1区域Z1被传递热应力,因此翘曲变小。
此外,在本实施方式和比较例1及比较例2中,作为Z方向位移的量(翘曲)不同的理由,在本实施方式中,在第2区域Z2形成有在传感器基板30A的与集成电路20A对置的面开口的槽31,因此可以考虑以下的三个追加的原因(2)~(4)。
(2)在本实施例中,通过设置在传感器基板30A的与集成电路20A对置的面开口的槽31,在传感器基板30A的第1区域Z1中,由宽度a和长度(b+c)限定的轴部的纵横比被定义为(b+c)/a。另一方面,在没有槽31的比较例1及比较例2中,由宽度a和长度b规定的轴部的纵横比被定义为b/a。因此,在本实施方式中,通过设置在传感器基板30A的与集成电路20A对置的面开口的槽31,能够使纵横比与比较例1和比较例2相比大与尺寸c相应的量。通常,如果宽度a相同,则Z方向长度(厚度)越大,即纵横比越大,则对Z方向位移的耐力越大。在图5中,本实施例的传感器基板30A在其中心区域(第1区域Z1)中的Z方向位移小于比较例1和比较例2中的Z方向位移是因为纵横比大。与比较例1相比b尺寸的值大的比较例2的纵横比大于比较例1,因此如图5所示,与比较例1相比,比较例2在中心区域(第1区域Z1)的Z方向位移小。
(3)热应力从第1区域Z1经由第2区域Z2传递到第3区域Z3的距离大于比较例1和比较例2。
(4)在热应力从第1区域Z1向第3区域Z3传递的过程中,由于厚度T2较薄,因此经由正面宽度小于比较例1和比较例2的第2区域Z2。
由于这两个原因(3)(4),热应力难以从第1区域Z1传递到第3区域Z3,结果,如图5所示,第2区域Z2及第3区域Z3中的Z方向位移小于比较例1及比较例2。
原因(4)还能够说明比较例1与比较例2相比在第2区域Z2及第3区域Z3中的Z方向位移变大的现象。即,在图4的尺寸b小的比较例1中,第2区域Z2及第3区域Z3的共同厚度T2(=T3)大于比较例2,因此热应力容易从第1区域Z1经由正面宽度大的第2区域Z2向第3区域Z3传递。
图6是在本实施方式和比较例1中以第1区域Z1的尺寸a为变量测定传感器基板的翘曲的模拟结果。如图6所示,可知尺寸a越小,传感器基板的翘曲越小。因此,若与传感器基板和集成电路的接合面积成比例的尺寸a变小,则如上所述纵横比变大,因此Z方向位移减小。此外,通过设置在传感器基板30A的与集成电路20A相对的面开口的槽31,能够使纵横比(b+c)/a与比较例1相比大与尺寸c相应的量。但是,也可以在传感器基板30A与集成电路20A对置的面的相反侧的面设置槽31,在该情况下,原因(2)(3)不成立,但至少能够通过原因(1)(4)降低Z方向位移。
图7是在本实施方式中以第2区域Z2的尺寸d(槽31的宽度)为变量测定传感器基板的翘曲的模拟结果。与图7的纵轴刻度对应的最小值和最大值和与图6的纵轴刻度对应的最小值及最大值分别为相同的值。如图7所示,可知,只要在第2区域Z2存在槽31即可,槽31的宽度尺寸d与翘曲量的相关程度比较小。因此,可以理解设置本实施方式的槽31的优越性。
1.3.第1实施方式的变形例
第2区域Z2也可以不是如图4所示的固定深度的槽31,而是如图8或图9所示那样变形实施。图8表示如具有倾斜壁面的槽32那样具有槽深度不同的部分的例子。另外,在图8中,示出了从与第3区域Z3相接的位置起倾斜的倾斜面,但也可以取而代之或在此基础上,设置从与第1区域Z1相接的位置起倾斜的倾斜面。图9表示如台阶面的槽33那样具有槽深不同的部分的例子。在任一情况下,只要第2区域Z2中的传感器基板30A在槽32、33的最大深度位置处的厚度T2小于第3区域Z3中的传感器基板30A的厚度T3即可。因此,可以通过所述原因(1)至(4)来减小翘曲。
第3区域Z3也可以不是如图4所示的固定的厚度T3,而是如图10所示具有厚度不同的部分。在图10的示例中,在第3区域Z3中形成台阶面。在该情况下,只要第2区域Z2中的第1基板30A的厚度T2比第3区域Z3中的与第2区域Z2相接的一侧的基板30A的厚度T3薄即可。因此,可以通过所述原因(1)至(4)来减小翘曲。
2.第2实施方式
图11和图12是第2实施方式的惯性传感器的概要图。图11和图12与图4的不同点在于,集成电路20B的与第1基板30B的第1区域Z1接合的中央区域21比与第1基板30B的第2区域Z2和第3区域Z3对置的周缘区域22突出。即,如图11所示,T4>T5成立。在这种情况下,第2区域Z2中的传感器基板30B的厚度T2也小于第3区域Z3中的传感器基板30B的厚度T3。因此,传感器基板30B的翘曲由于所述原因(1)至(4)而减小。此外,在第2实施方式中,如图11所示,第1区域Z1中的传感器基板30B的厚度T1比第3区域Z3中的传感器基板30B的厚度T3薄且比第2区域Z2中的传感器基板30B的厚度T2厚。由于集成电路20B具有突出的中央区域21,因此能够使第1区域Z1中的传感器基板30B的厚度T1变薄。
3.第3实施方式
图13是第3实施方式的惯性传感器的概要图。图13与图4的不同点在于,如图13所示,在封装10的底面部例如通过树脂粘接剂13接合传感器基板30A。在传感器基板30A的盖50上表面,例如通过树脂粘接剂28接合有集成电路20A。与图4相同,在图13中,集成电路20A的连接盘通过接合线与设置于传感器基板30A和封装10的连接盘电连接,封装10的上部开口被盖40封闭。
在第3实施方式中,传感器基板30A也是具有惯性传感器元件的第1基板。然而,在第3实施例中,与第1实施例不同,封装10为支承第1基板(传感器基板30A)的第2基板。在这种情况下,由于作为第1基板的传感器基板30A具有图4所示的结构,因此由封装10与传感器基板30A之间的热膨胀系数之差引起的热应力难以传递到传感器基板30A的第3区域Z3。因此,减小了传感器基板30A的翘曲。此外,在第3实施方式中,与第2实施方式的集成电路20B同样,在使封装10的底部中央区域突起的情况下,可以代替图13所示的传感器基板30A而使用图11及图12所示的传感器基板30B。
4.电子设备、移动体
图14是示出本实施方式的电子设备300的结构例的框图。电子设备300包含具有所述实施方式的惯性传感器的惯性计测装置100和基于惯性计测装置100的计测结果进行处理的处理装置320。另外,电子设备300还可以包含通信接口310、操作接口330、显示部340、存储器350和天线312。
通信接口310例如是无线电路,进行经由天线312从外部接收数据或向外部发送数据的处理。处理装置320进行电子设备300的控制处理、经由通信接口310发送和接收的数据的各种数字处理等。另外,处理装置320基于惯性计测装置100的计测结果进行处理。具体而言,处理装置320对作为惯性计测装置100的计测结果的输出信号进行校正处理、滤波处理等信号处理,或者基于该输出信号对电子设备300进行各种控制处理。该处理装置320的功能例如能够通过MPU、CPU等处理器来实现。操作接口330用于供用户进行输入操作,能够通过操作按钮或触摸面板显示器等实现。显示部340显示各种信息,可以通过液晶或有机EL等显示器来实现。存储器350存储数据,其功能可以通过RAM或ROM等半导体存储器等来实现。
另外,本实施方式的电子设备300能够适用于例如车载设备、数字静态照相机或摄像机等影像相关设备、头戴型显示装置或钟表相关设备等可佩戴设备、喷墨式喷出装置、机器人、个人计算机、便携信息终端、印刷装置、投影装置、医疗设备或测定设备等各种设备。车载设备是汽车导航装置或自动驾驶用的设备等。钟表相关设备是钟表、智能手表等。作为喷墨式喷出装置,存在喷墨打印机等。便携信息终端是智能手机、便携电话机、便携型游戏装置、笔记本电脑或平板终端等。
图15示出使用本实施方式的惯性计测装置100的移动体500的一例。图16是示出移动体500的结构例的框图。如图16所示,本实施方式的移动体500包含惯性计测装置100和基于惯性计测装置100的计测结果进行处理的处理装置530。
具体而言,如图15所示,移动体500具有车身502和车轮504。另外,在移动体500上安装有定位装置510。另外,在移动体500的内部设置有进行车辆控制等的控制装置570。另外,如图16所示,移动体500具有发动机或电动机等驱动机构580、盘式制动器或鼓式制动器等制动机构582、由方向盘或转向齿轮箱等实现的转向机构584。这样,移动体500是具有驱动机构580、制动机构582、转向机构584并且在地面、天空、海上移动的设备、装置。另外,作为移动体500,存在四轮汽车或摩托车等汽车、自行车、电车、飞机或船等,但在本实施方式中以四轮汽车为例进行说明。
定位装置510安装在移动体500上,是进行移动体500的定位的装置。定位装置510包含惯性计测装置100和处理装置530。还可以包含GPS接收部520和天线522。作为主机设备的处理装置530接收作为惯性计测装置100的计测结果的加速度数据、角速度数据,对这些数据进行惯性导航运算处理,输出惯性导航定位数据。惯性导航定位数据是表示移动体500加速度或姿势的数据。
GPS接收部520经由天线522接收来自GPS卫星的信号。处理装置530根据GPS接收部520接收到的信号,求出表示移动体500的位置、速度、方位的GPS定位数据。然后,处理装置530基于惯性导航定位数据和GPS定位数据,计算移动体500在地面的哪个位置行驶。例如,即使GPS定位数据中包含的移动体500的位置相同,如图15所示,如果由于地面的倾斜(θ)等的影响而导致移动体500的姿势不同,则也成为移动体500在地面的不同位置行驶的情况。因此,仅通过GPS定位数据无法计算出移动体500的准确位置。因此,处理装置530使用惯性导航定位数据中的特别是与移动体500的姿势相关的数据,计算移动体500在地面的哪个位置行驶。
控制装置570进行移动体500的驱动机构580、制动机构582、转向机构584的控制。控制装置570是车辆控制用的控制器,进行车辆控制或自动驾驶控制等各种控制。
本实施方式的移动体500包含惯性计测装置100和处理装置530。处理装置530基于来自惯性计测装置100的计测结果,进行如上所述的各种处理,求出移动体500的位置、姿势的信息。例如,如上所述,移动体500的位置的信息能够根据GPS定位数据和惯性导航定位数据来求出。另外,移动体500的姿势的信息例如可以根据惯性导航定位数据中包含的角速度数据等求出。然后,控制装置570例如根据通过处理装置530的处理求出的移动体500的姿势的信息,进行移动体500的姿势的控制。该姿势的控制例如可以通过控制装置570控制转向机构584来实现。或者,在滑动控制等使移动体500的姿势稳定化的控制中,控制装置570也可以控制驱动机构580或控制制动机构582。根据本实施方式,能够高精度地求出根据惯性计测装置100的输出信号求出的姿势的信息,因此能够实现移动体500的适当的姿势控制等。另外,在本实施方式中,也能够实现移动体500的自动驾驶控制。在该自动驾驶控制中,除了移动体500的位置以及姿势的信息以外,还使用周围的物体的监视结果、地图信息、行驶路径信息等。
5.实施方式的总结
如上所述,如图4、图8~图12所示,本实施方式的惯性传感器具有设有惯性传感器元件的第1基板30A、30B以及支承第1基板的第2基板20A、20B。第1基板在俯视时具有:第1区域(Z1),其与第2基板接合;第2区域(Z2),其与第1区域的轮廓相接并位于第1区域的外侧,与第2基板不接合;以及第3区域(Z3),其与第2区域的轮廓相接并位于第2区域的外侧,与第2基板不接合,第2区域中的第1基板具有比所述第3区域中的第1基板的厚度薄的部分31~33(T2<T3)。
根据本实施方式,在热膨胀系数不同的第1基板30A、30B的第1区域Z1和第2基板20A、20B的界面产生的热应力从第1基板30A、30B的第1区域Z1经由第2区域Z2向第3区域Z3传递时,难以在第2区域Z2中的厚度薄的部分31~33传递。由此,由于所述的原因(4),第1基板30A、30B的翘曲减小。另外,通过将第1基板的接合区域限定于第1区域Z1,从而限定于在第1基板30A、30B与第2基板20A、20B的界面产生的热应力,通过所述的原因(1)减小第1基板30A、30B的翘曲。
在本实施方式中,如图4所示,也可以是,第2区域Z2在俯视时包围第1区域Z1,第3区域Z3在俯视时包围第2区域Z2。不限于此,第1区域Z1也可以遍及从第1基板30A、30B的一端到另一端的全长L而形成。
在本实施方式中,如图4、图8~图12所示,第2区域Z2可以包括在第1基板30A、30B的与第2基板20A、20B对置的面开口的槽31。这样,能够通过原因(1)~(4)进一步减小第1基板30A、30B的翘曲。
在本实施方式中,如图8及图9所示,也可以是,槽32、33具有深度不同的部分,第2区域Z2中的第1基板30A、30B在槽的最大深度位置比第3区域Z3中的第1基板30A、30B的厚度薄(T2<T3)。由此,原因(2)被确保,至少能够通过原因(1)(4)减小第1基板30A、30B的翘曲。
在本实施方式中,如图2所示,也可以是,第2基板20A的与第1基板30A相面对的面为平坦面,如图4所示,第1区域Z1中的第1基板30A比第2区域Z2中的第1基板30A的厚度厚,且比第3区域Z3中的第1基板30A的厚度厚(T1>T3>T2)。
或者,在本实施方式中,如图11及图12所示,也可以是,第2基板20B的与第1基板30B的第1区域Z1接合的中央区域21比与第1基板30B的第2区域Z2及第3区域Z3对置的周缘区域22突出(T4>T5),第1区域Z1中的第1基板30B的厚度T1比第3区域Z3中的第1基板30B的厚度T3薄,且比第2区域Z2中的第1基板30B的厚度T2厚(T3>T1>T2)。
在本实施方式中,也可以是,第3区域Z3中的第1基板30A具有厚度不同的部分,第2区域Z2中的第1基板30A比第3区域Z3中的与第2区域Z2相接侧的第1基板30A的厚度薄(图10)。由此,至少能够通过原因(1)(4)减小第1基板30A、30B的翘曲。
在本实施方式中,第1基板30A、30B可以是玻璃基板,第2基板20A、20B可以是集成电路或封装(陶瓷)。
本实施方式的电子设备可以具有所述的惯性传感器和根据从该惯性传感器输出的检测信号进行控制的控制部。通过减小在惯性传感器的传感器基板产生的翘曲,减小来自惯性传感器的检测信号的误差,电子设备的控制的可靠性提高。
本实施方式的移动体可以具有所述的惯性传感器和根据从该惯性传感器输出的检测信号进行姿势的控制的姿势控制部。通过减小在惯性传感器的传感器基板上产生的翘曲,减小来自惯性传感器的检测信号的误差,提高移动体的姿势控制的可靠性。

Claims (11)

1.一种惯性传感器,其具备:
设置有惯性传感器元件的第1基板;以及
支承所述第1基板的第2基板,
所述第1基板在俯视时具有:
第1区域,其与所述第2基板接合;
第2区域,其位于所述第1区域的外侧,与所述第2基板非接合;以及
第3区域,其位于所述第2区域的外侧,与所述第2基板非接合,
所述第2区域中的所述第1基板具有比所述第3区域中的所述第1基板的厚度薄的部分。
2.根据权利要求1所述的惯性传感器,其中,
所述第2区域在所述俯视时包围所述第1区域,
所述第3区域在所述俯视时包围所述第2区域。
3.根据权利要求1或2所述的惯性传感器,其中,
所述第2区域在所述第1基板的与所述第2基板对置的面具有槽。
4.根据权利要求3所述的惯性传感器,其中,
所述槽具有深度不同的部分,
所述第2区域中的所述第1基板在所述槽的最大深度位置处比所述第3区域中的所述第1基板的厚度薄。
5.根据权利要求1所述的惯性传感器,其中,
所述第2基板的与所述第1基板相对的面为平坦面,
所述第1区域中的所述第1基板比所述第2区域中的所述第1基板的厚度厚且比所述第3区域中的所述第1基板的厚度厚。
6.根据权利要求1所述的惯性传感器,其中,
所述第2基板的与所述第1基板的所述第1区域接合的中央区域比与所述第1基板的所述第2区域及所述第3区域对置的周缘区域突出,
所述第1区域中的所述第1基板的厚度比所述第3区域中的所述第1基板的厚度薄且比所述第2区域中的所述第1基板的厚度厚。
7.根据权利要求1所述的惯性传感器,其中,
所述第3区域中的所述第1基板具有厚度不同的部分,
所述第2区域中的所述第1基板比所述第3区域中的与所述第2区域相接的一侧的所述第1基板的厚度薄。
8.根据权利要求1所述的惯性传感器,其中,
所述第1基板是玻璃基板。
9.根据权利要求1所述的惯性传感器,其中,
所述第2基板包含集成电路。
10.一种电子设备,其具有:
权利要求1至9中的任一项所述的惯性传感器;以及
控制部,其根据从所述惯性传感器输出的检测信号进行控制。
11.一种移动体,其具有:
权利要求1至9中的任一项所述的惯性传感器;以及
姿势控制部,其根据从所述惯性传感器输出的检测信号进行姿势的控制。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1790029A (zh) * 2004-12-16 2006-06-21 富士通媒体部品株式会社 加速度传感器
US20060196270A1 (en) * 2004-12-20 2006-09-07 Oki Electric Industry Co., Ltd. Acceleration sensor
CN106338619A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5497969B1 (ja) * 2013-07-17 2014-05-21 株式会社ワコー 力覚センサ
EP2947692B1 (en) * 2013-12-20 2020-09-23 Analog Devices, Inc. Integrated device die and package with stress reduction features

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1790029A (zh) * 2004-12-16 2006-06-21 富士通媒体部品株式会社 加速度传感器
US20060196270A1 (en) * 2004-12-20 2006-09-07 Oki Electric Industry Co., Ltd. Acceleration sensor
CN106338619A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 精工爱普生株式会社 物理量传感器、物理量传感器装置、电子设备以及移动体

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