CN112744795A - 增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法，将二维电子化合物材料Ca2N进行S原子表面吸附，发生结构相变，使Ca2N材料从六角晶体结构转变为正方晶体结构。Ca‑N‑Ca角度趋近于90度(89.98度)，增强了材料的超交换相互作用。计算获得的磁各向异性能和居里温度均大于典型的二维磁性材料CrI3和Cr2Ge2Te6，说明了磁性响应和居里温度的增强。本发明的方法对于二维磁性材料在自旋电子器件和存储器件等应用中具有重要的研究意义。

Description

增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法
技术领域
本发明涉及二维铁磁性技术领域，尤其涉及一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法。
背景技术
自从石墨烯发现以来，具有独特电子、光学特性的新型二维材料被广泛开发和研究。其中，二维铁磁体是发展下一代自旋存储器件的关键。然而，根据Mermin-Wagner定理，热波动在有限温度下可以破坏低维材料的铁磁序，导致二维材料很难存在铁磁性。最近，相继报道了在单层CrI3和双层Fe3GeTe2材料中存在二维磁性，从而促进了二维自旋电子和存储器件的研究进展，并进一步刺激了实验与理论对二维磁性材料的研究。单层CrI3材料展现了一种Ising型铁磁序，其居里温度为45K。Cr2Ge2Te6原子层是具有长程磁序的二维铁磁体，其居里温度可以通过外加电场进行调节(28K-65K)。然而这些二维铁磁体由于其弱的自选耦合造成居里转变温度偏低，阻碍了其实际的应用。
目前，各种方法已经被用于引起或提高材料的磁性响应，例如，磁性原子吸附、缺陷设计、紧邻效应等。在石墨烯表面吸附磁性原子、H原子或引入空位缺陷都可以引起局域的磁矩。然而，产生长程的自旋磁序仍然是一种挑战。根据Hund定律，高自旋状态主要是由部分填充3d或4f亚壳层的磁性元素贡献的。因此，研究二维铁磁体的直接方法是筛选潜在的包括d/f电子的过渡金属二维化合物。除此之外，在许多不含过渡金属、稀土或锕系元素的材料中也观察到磁性行为，即d0磁性，其基本设计原理是使p轨道部分占据与d/f轨道相似的定域特性。然而，这种p态磁场不是固有的，也很难在实验中精确控制。由于长期p态耦合导致的本征铁磁序的缺失，目前仍旧需要开发新的方法以提高材料的磁响应性。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法，通过S原子表面功能化Ca2N材料，通过结构相变增强原子间的超交换相互作用，引起非金属原子N的磁性响应，提高居里转变温度。
本发明的技术方案如下：
本发明提供了一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法，包括以下步骤：
将二维电子化合物材料Ca2N材料进行S原子表面功能化，发生结构相变，使Ca2N材料从六角晶体结构转变为正方晶体结构，且Ca-N-Ca角度为89.98度。
进一步地，进行S原子表面功能化的方法包括以下步骤：
利用S原子对二维Ca2N材料进行单侧表面或两侧表面的100％吸附，使Ca2N材料硫化。
进一步地，S原子表面功能化之前，Ca2N材料层间及表面具有松散束缚的剩余电子，具有超低的功函数，Ca2N材料的功函数为3.5eV。
进一步地，S原子表面功能化之后，Ca2N材料无虚频。采用声子谱计算验证功能化之后材料的稳定性，相变之后的体系声子谱计算没有虚频产生，说明S原子表面功能化之后的Ca2N材料是稳定的。具体测试时，对形变后的双边和单边S吸附体系做进一步的结构优化，能量收敛精度为10-8eV，力收敛精度为
Figure BDA0002927811270000021
利用phonopy进行声子谱计算，通过有无虚频判断材料稳定性。
进一步地，S原子表面功能化之后，Ca2N材料的磁矩为1μB。较大磁矩的产生是由于Ca-N-Ca之间的超交换相互作用。结构相变增强了Ca-N-Ca之间的超相互作用，使能带发生劈裂，费米能级附近的态密度自旋上下不对称性增加，从而贡献较大的磁矩。
能带结构的第一性原理计算结果表明，Ca2N材料能带发生劈裂。分波态密度(PDOS)计算结果表明，Ca2N材料在费米能级附近上下自旋不对称，自旋不对称主要由非金属N原子贡献。
进一步地，S原子表面功能化之后，Ca2N材料的磁各向异性能为1.774meV。该结果由自旋轨道耦合(SOC)计算得到，结果表明磁性的热稳定性增强。
进一步地，S原子表面功能化之后，不同的反铁磁构型产生铁磁-反铁磁能量差，得到J交换相互作用参数。第一性原理计算得到的铁磁-反铁磁能量差达到29.67和49.56meV/unitcell，远大于典型的二维磁性材料CrI3。
进一步地，S原子表面功能化之后，Ca2N材料的蒙特卡罗模拟的居里温度为149K。通过基于Ising模型的蒙特卡洛模拟，S原子表面功能化之后的Ca2N材料的居里温度大于实验报道的CrI3(45K)和Cr2Ge2Te6(28K～65K)。
作为本发明一具体实施例，增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法具体包括以下步骤：
S10、选择具有电子化合物特性的Ca2N材料进行S原子表面功能化，发生结构相变；
S20、进行声子谱计算，检验功能化之后材料的稳定性；
S30、进行能带结构的第一性原理计算，分析能带劈裂情况；
S40、进行分波态密度(PDOS)计算，分析磁性变化的原因；
S50、选择不同的反铁磁构型，计算铁磁-反铁磁能量差，得到J交换相互作用参数；
S60、进行自旋轨道耦合(SOC)计算，获得不同方向的磁各向异性能；
S70、基于Ising模型的蒙特卡罗模拟，计算材料的居里温度。
进一步地，在步骤S40中，通过分波态密度计算，分析磁性来源是否来自于非金属N的2p轨道电子。
进一步地，在步骤S50中，选择不同的铁磁(FM)、反铁磁(AFM)构型，计算FM-AFM能量差，获得交换关联参数J，判断其居里转变温度是否提高。
借由上述方案，本发明至少具有以下优点：
本发明增强材料磁性响应和提高居里温度的方法通过对二维电子化合物材料进行表面S原子吸附，形成结构相变，改变Ca-N-Ca的夹角趋于90度，增强超交换相互作用。结构相变的发生是由于二维电子化合物材料表面存在剩余电子，从而使S原子吸附具有大的吸附能。相变后的体系声子谱没有虚频，说明体系可以稳定存在。相变的发生使材料能带发生劈裂，引起非金属原子2p轨道电子上下自旋的不对称，从而增强磁性响应。通过选择不同铁磁，反铁磁体系，获得较大的FM-AFM能量差和交换相互作用参数，证明体系可能具有较大的居里转变温度。自旋轨道耦合计算获得较大的磁各向异性能，证明体系在磁存储器件应用中具有良好的热稳定性。蒙特卡洛模拟表明，功能化后的体系具有比典型的二维磁性材料CrI3更高的居里转变温度。本发明的方法对于二维磁性材料在自旋电子器件和存储器件等应用中具有重要的研究意义。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合详细附图说明如后。
附图说明
图1是本发明的实施例中二维电子化合物材料Ca2N的结构和表面剩余电子示意图；
图2是本发明的实施例中S原子吸附和结构相变过程图；
图3是本发明的实施例中S原子吸附后体系的声子谱；
图4是本发明的实施例中相变后体系的PBE和HSE06能带结构图；
图5是本发明的实施例中相变后磁性增强的Ca2NS体系的分态密度图；
图6是本发明的实施例中Ca2NS体系的铁磁、反铁磁自旋密度图；
图7是本发明的实施例中蒙特卡罗模拟的CrI3和Ca2NS居里转变温度图。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
实施例1
通过S原子表面功能化二维电子化合物材料增强磁性响应和居里温度的方法，步骤如下：
S10、选择具有电子化合物特性的Ca2N材料进行S原子表面功能化，发生结构相变；
具体包括：
对于单边S原子吸附体系的S原子表面功能化的操作如下：
利用S原子对二维Ca2N材料进行上表面的100％吸附，得到Ca2NS。
对于双边S原子吸附体系的S原子表面功能化的操作如下：
利用S原子对二维Ca2N材料进行上表面和下表面的100％吸附，得到Ca2NS2。
选择具有表面剩余电子的电子化合物材料Ca2N，如图1所示，表面剩余电子使材料具有低的功函数(约3.5eV)，提供较大的S原子吸附能，S原子吸附后引起Ca2N材料由六角晶体结构向正方晶体结构的相变，如图2所示。
S20、进行声子谱计算，检验功能化之后材料的稳定性；具体包括：
对相变后的体系提高精度进一步结构优化，提高能量收敛精度为10-8eV，力收敛精度为
Figure BDA0002927811270000041
利用phonopy软件获得声子谱，如图3所示，双边S原子吸附体系和单边S原子吸附体系均没有虚频，说明其可以稳定存在。
S30、进行能带结构的第一性原理计算，分析能带劈裂情况；具体包括：
分别对双边和单边S原子吸附体系进行PBE和HSE06能带结构计算。具体如图4所示，其中图4a,c为Ca2NS2的PBE和HSE06能带结构，图4b,d为Ca2NS的PBE和HSE06能带结构，图中可以清晰地看出体系的能带结构是否发生相对变化，从而判断是否有磁性产生。考虑杂化后的Ca2NS体系能带结构发生大的劈裂，在带隙中间形成自旋向下的能带，从而引起大的磁矩，约1μB。
S40、进行分波态密度(PDOS)计算，分析磁性变化的原因；具体包括：
对磁性增强的Ca2NS体系进行分态密度计算，如图5所示，费米能级附近上下自旋不平衡，是磁矩产生的主要原因。其中非金属N原子的2p轨道电子贡献最多的态密度，说明磁性主要来自非金属N原子。
S50、选择不同的反铁磁构型，计算铁磁-反铁磁能量差，得到J交换相互作用参数；
具体包括：
采用超胞的方式设置初始磁矩，从而获得不同的铁磁、反铁磁序。计算之间的FM-AFM能量差，分析最近邻交换相互作用的数量。如图6所示，图6a-c依次为FM、AFM1、AFM2构型的自旋密度图，自旋密度图进一步显示磁性来自于非金属N原子。较大的FM-AFM能量差表明体系可能具有较大的居里转变温度。
S60、进行自旋轨道耦合(SOC)计算，获得不同方向的磁各向异性能；具体包括：
增加计算的K点，做自旋轨道耦合计算，分别计算(001)和(100)方向的能量变化，获得磁各向异性能。较大的磁各向异性能(1.774meV)表明体系具有良好的磁序热稳定性。
S70、基于Ising模型的蒙特卡罗模拟，计算材料的居里温度；具体包括：
利用S50获得的交换相互作用参数和磁矩对Ca2NS体系进行Ising模型的蒙特卡洛模拟，获得居里转变温度为149K(图7b)。同时计算CrI3的居里温度为43K(图7a)，证明模拟的正确性以及居里温度的提高。
本发明二维电子化合物材料增强磁性响应和居里温度的方法通过S原子吸附，成功引起结构相变的发生。根据Goodenough-Kanamori-Anderson定理，Ca-N-Ca夹角的变化(～90°)增强了原子之间的超交换相互作用，是非金属N原子产生磁性相应的直接原因。声子谱未有虚频产生，说明功能化后的体系可以稳定存在。能带结构的劈裂和上下自旋的不对称主要来自于非金属N原子的2p轨道电子。自旋轨道耦合计算获得较大的磁各向异性能，说明体系磁性具有良好的热稳定性。基于Ising模型的蒙特卡洛模拟结果表明功能化后的体系具有高于典型二维磁性材料CrI3的居里转变温度。磁性增强和居里温度的提高表明，本发明在二维磁性材料的理论实验研究和自旋电子器件、自选存储器件的应用中具有重要的作用。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种增强二维电子化合物材料磁性响应和居里温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将二维电子化合物材料Ca2N材料进行S原子表面功能化，发生结构相变，使Ca2N材料从六角晶体结构转变为正方晶体结构，且Ca-N-Ca角度为89.98度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行S原子表面功能化的方法包括以下步骤：
利用S原子对二维Ca2N材料进行单侧表面或两侧表面的100％吸附。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：S原子表面功能化之前，Ca2N材料的功函数为3.5eV。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：S原子表面功能化之后，Ca2N材料无虚频。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：S原子表面功能化之后，Ca2N材料的磁矩为1μB。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：S原子表面功能化之后，Ca2N材料的磁各向异性能为1.774meV。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：S原子表面功能化之后，Ca2N材料的蒙特卡罗模拟的居里温度为149K。
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Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS643009A (en) * 1987-03-19 1989-01-06 Sumitomo Electric Ind Ltd Superconducting material and production thereof
JPH05234067A (ja) * 1992-02-26 1993-09-10 Sony Corp 磁気記録媒体用強磁性金属微粒子、ならびにその金属微粒子を用いた磁気記録媒体
CN1388085A (zh) * 2002-07-01 2003-01-01 迟秋虹 具有三维网络结构的陶瓷材料及制备方法
JP2003178882A (ja) * 2001-08-24 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2003221609A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Nichia Chem Ind Ltd 希土類鉄窒素系磁性粉末の製造方法及びそれにより得られる希土類鉄窒素系磁性粉末
JP2007284305A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Osaka Univ 磁性を有するアルカリ土類金属窒化物とその製造方法
US20100068512A1 (en) * 2007-04-27 2010-03-18 Nobuyoshi Imaoka Magnetic material for high frequency wave, and method for production thereof
US20140072870A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Ngk Insulators, Ltd. All-solid-state cell
US20140198564A1 (en) * 2013-01-17 2014-07-17 T3Memory, Inc. Magnetoresistive element and method of manufacturing the same
TW201608008A (zh) * 2014-08-20 2016-03-01 國家中山科學研究院 一種螢光粉之配方及其合成方法
JP2016134583A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 Tdk株式会社 窒化鉄系磁石
CN107085020A (zh) * 2017-05-26 2017-08-22 黑龙江大学 一种二硫化钼/氢氧化铟复合气敏传感材料及制备方法和应用
CN107379693A (zh) * 2017-07-05 2017-11-24 佛山杰致信息科技有限公司 一种包装材料及其制备方法
CN109449374A (zh) * 2018-10-22 2019-03-08 西安交通大学 一种以氮化物/碳纳米管作为隔层的锂硫电池正极、电池及制备方法
KR20200016115A (ko) * 2018-08-06 2020-02-14 삼성전자주식회사 일렉트라이드 전극을 포함하는 트랜지스터
US20200249288A1 (en) * 2018-03-22 2020-08-06 National Institutes For Quantum And Radiological Science And Technology Magnetic material observation method, and magnetic material observation apparatus
CN111863625A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 哈尔滨工业大学 一种单一材料pn异质结及其设计方法
US20200369858A1 (en) * 2017-11-30 2020-11-26 Bridgestone Corporation Rubber composition, rubber composition for tires, and tire

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS643009A (en) * 1987-03-19 1989-01-06 Sumitomo Electric Ind Ltd Superconducting material and production thereof
JPH05234067A (ja) * 1992-02-26 1993-09-10 Sony Corp 磁気記録媒体用強磁性金属微粒子、ならびにその金属微粒子を用いた磁気記録媒体
JP2003178882A (ja) * 2001-08-24 2003-06-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2003221609A (ja) * 2002-01-28 2003-08-08 Nichia Chem Ind Ltd 希土類鉄窒素系磁性粉末の製造方法及びそれにより得られる希土類鉄窒素系磁性粉末
CN1388085A (zh) * 2002-07-01 2003-01-01 迟秋虹 具有三维网络结构的陶瓷材料及制备方法
JP2007284305A (ja) * 2006-04-18 2007-11-01 Osaka Univ 磁性を有するアルカリ土類金属窒化物とその製造方法
US20100068512A1 (en) * 2007-04-27 2010-03-18 Nobuyoshi Imaoka Magnetic material for high frequency wave, and method for production thereof
US20140072870A1 (en) * 2012-09-07 2014-03-13 Ngk Insulators, Ltd. All-solid-state cell
US20140198564A1 (en) * 2013-01-17 2014-07-17 T3Memory, Inc. Magnetoresistive element and method of manufacturing the same
TW201608008A (zh) * 2014-08-20 2016-03-01 國家中山科學研究院 一種螢光粉之配方及其合成方法
JP2016134583A (ja) * 2015-01-22 2016-07-25 Tdk株式会社 窒化鉄系磁石
CN107085020A (zh) * 2017-05-26 2017-08-22 黑龙江大学 一种二硫化钼/氢氧化铟复合气敏传感材料及制备方法和应用
CN107379693A (zh) * 2017-07-05 2017-11-24 佛山杰致信息科技有限公司 一种包装材料及其制备方法
US20200369858A1 (en) * 2017-11-30 2020-11-26 Bridgestone Corporation Rubber composition, rubber composition for tires, and tire
US20200249288A1 (en) * 2018-03-22 2020-08-06 National Institutes For Quantum And Radiological Science And Technology Magnetic material observation method, and magnetic material observation apparatus
KR20200016115A (ko) * 2018-08-06 2020-02-14 삼성전자주식회사 일렉트라이드 전극을 포함하는 트랜지스터
CN109449374A (zh) * 2018-10-22 2019-03-08 西安交通大学 一种以氮化物/碳纳米管作为隔层的锂硫电池正极、电池及制备方法
CN111863625A (zh) * 2020-07-28 2020-10-30 哈尔滨工业大学 一种单一材料pn异质结及其设计方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
LI, W ET AL: "Oxidation, stability, and magnetic ground states of two-dimensional layered electrides", vol. 124, no. 46, pages 25316 - 25321 *
QIU, XL ET AL: "Manipulating the electronic and magnetic properties of monolayer electride Ca2N by hydrogenation", vol. 123, no. 40, pages 24698 - 24704 *
刘洪涛;牛胜利;韩奎华;路春美;: "有机钙硫氮协同控制技术研究", no. 02, pages 23 - 25 *
郭少毅;张亚红;刘吉红;: "管线钢中氮、钙及痕量硫发射光谱分析方法研究", no. 05, pages 11 - 12 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN112744795B (zh) 2023-06-20

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Lv et al. Orbital ordering and unfrustrated (π, 0) magnetism from degenerate double exchange in the iron pnictides
Kim et al. Topological Quantum Phase Transition in 5 d Transition Metal Oxide Na 2 IrO 3
Wu et al. Theoretical understanding of magnetic and electronic structures of Ti3C2 monolayer and its derivatives
Zhang et al. Chiral Helimagnetism and One‐Dimensional Magnetic Solitons in a Cr‐Intercalated Transition Metal Dichalcogenide
Liu et al. Two-dimensional ferromagnetic semiconductors of rare-earth monolayer GdX2 (X= Cl, Br, I) with large perpendicular magnetic anisotropy and high Curie temperature
Semenov et al. Electrically controlled magnetization in ferromagnet-topological insulator heterostructures
Moaied et al. A 2D ferromagnetic semiconductor in monolayer Cr-trihalide and its Janus structures
Zhao et al. Effect of structural defects on electronic and magnetic properties of pristine and Mn-doped MoS2 monolayer
Scheie et al. Spin waves and magnetic exchange Hamiltonian in CrSBr
Wu et al. Field-free approaches for deterministic spin–orbit torque switching of the perpendicular magnet
Ren et al. Two dimensional ferromagnetic semiconductor: monolayer CrGeS3
Li et al. Large Dzyaloshinskii-Moriya interaction and field-free topological chiral spin states in two-dimensional alkali-based chromium chalcogenides
Zhu et al. Strain tunable magnetic properties of 3d transition-metal ion doped monolayer MoS2: A first-principles study
Haid et al. Predictive study of the rare earth double perovskite Oxide Ba2ErReO6 and the influence of the hubbard parameter U on its half-metallicity
Khan et al. Strain tuning of the Curie temperature and valley polarization in two dimensional ferromagnetic WSe2/CrSnSe3 heterostructure
Szałowski et al. Spin–orbit and exchange proximity couplings in graphene/1T-TaS2 heterostructure triggered by a charge density wave
Cao et al. First-principles study of multiferroic RbFe (MoO 4) 2
Cai et al. Quantum effect enhanced magnetism of C-doped phosphorene nanoribbons: first-principles calculations
Bhattacharya et al. Energy efficient and fast reversal of a fixed skyrmion two-terminal memory with spin current assisted by voltage controlled magnetic anisotropy
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Peng et al. Spontaneous nanometric magnetic bubbles with various topologies in spin-reoriented La1− xSrxMnO3
Song et al. Biaxial strain and electric field dependent conductivity of monolayer WTe2 on top of Fe3O4 (111)
Huy et al. Electronic and magnetic properties of SnC monolayer doped with 3d transition metals: a first-principles study

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