CN112740381A - 膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法 - Google Patents

膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112740381A
CN112740381A CN201980062552.6A CN201980062552A CN112740381A CN 112740381 A CN112740381 A CN 112740381A CN 201980062552 A CN201980062552 A CN 201980062552A CN 112740381 A CN112740381 A CN 112740381A
Authority
CN
China
Prior art keywords
adhesive
film
semiconductor element
semiconductor
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201980062552.6A
Other languages
English (en)
Inventor
国土由衣
山本和弘
藤尾俊介
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Publication of CN112740381A publication Critical patent/CN112740381A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/28—Metal sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

本发明公开一种用于黏合半导体元件和搭载所述半导体元件的支承部件的膜状黏合剂。膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料，相对于热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料的总质量100质量份，无机填料的含量为0.5～10质量份，膜状黏合剂的厚度为15μm以下。

Description

膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法。
背景技术
近年来，将半导体元件(半导体芯片)层叠为多层而成的的堆叠MCP(Multi ChipPackage：多芯片封装)正在普及，其作为移动电话、便携式音频设备用存储器半导体封装等而被搭载。并且，随着移动电话等的多功能化，半导体封装的高速化、高密度化、高集成化等也正在推进中。随之，通过使用铜作为半导体芯片电路的配线材料来实现高速化。并且，从提高与复杂的搭载基板的连接可靠性、促进从半导体封装的排热的观点考虑，逐渐使用将铜作为材料的引线框等。
但是，铜具有容易腐蚀的特性，并且，从低成本化的观点考虑，用于确保电路面的绝缘性的涂覆材料也趋于被简化，因此具有难以确保半导体封装的电特性的倾向。尤其，在层叠有多层半导体芯片的半导体封装中，因腐蚀而产生的铜离子在黏合剂内部移动，具有容易引起半导体芯片内或半导体芯片/半导体芯片之间的电信号的损耗的倾向。
并且，从高功能化的观点考虑，将半导体元件连接于复杂的搭载基板的情况较多，为了提高连接可靠性，具有喜好将铜作为材料的引线框的倾向。即使在这种情况下，有时由从引线框产生的铜离子引起的电信号的损耗成为问题。
另外，在使用了将铜作为材料的部件的半导体封装中，从该部件产生铜离子，这引起电故障的可能性高，有可能无法得到充分的耐HAST性。
从防止电信号的损耗等的观点考虑，正在对捕捉在半导体封装内产生的铜离子的黏合剂进行研究。例如，在专利文献1中公开了一种半导体装置制造用黏合片，其具有热塑性树脂和有机系络合物形成化合物，该热塑性树脂具有环氧基且不具有羧基，该有机系络合物形成化合物具有在环原子中包含叔氮原子的杂环化合物，并与阳离子形成络合物。
然而，在以往的黏合剂中，在抑制黏合剂内的铜离子渗透的方面及黏合力的方面并不充分，仍有改善的余地。
以往技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-026566号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
因此，本发明的主要目的在于提供一种充分抑制黏合剂内的铜离子渗透，而且黏合力优异的膜状黏合剂。
用于解决技术课题的手段
本发明人等进行了深入研究的结果，发现通过在膜状黏合剂中将无机填料的含量设在特定的范围内而充分抑制黏合剂内的铜离子渗透，而且黏合力优异，从而完成了本发明。
本发明的一侧面提供一种膜状黏合剂，其用于黏合半导体元件和搭载半导体元件的支承部件，其中，膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料，相对于热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料的总质量100质量份，无机填料的含量为0.5～10质量份，膜状黏合剂的厚度为15μm以下。
相对于热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料的总质量100质量份，无机填料的含量为0.5～10质量份。若无机填料的含量为0.5质量份以上，则具有膜状黏合剂的黏合力、晶圆密合力、弹性模量、块体强度(bulk strength)等方面也优异的倾向。若无机填料的含量为10质量份以下，则具有充分抑制黏合剂内的铜离子渗透并且涂敷面的外观、埋入性等方面也优异的倾向。
在另一侧面，本发明提供一种黏合片，其具备：基材；及设置于基材的一个面上的上述膜状黏合剂。基材可以为切割带。
在另一侧面，本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体元件；搭载半导体元件的支承部件；及黏合部件，设置于半导体元件与支承部件之间，并黏合半导体元件及支承部件，黏合部件为上述膜状黏合剂的固化物。支承部件可以包括将铜作为材料的部件。
在另一侧面，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备：使用上述膜状黏合剂黏合半导体元件和支承部件的工序。
在另一侧面，本发明提供一种半导体装置的制造方法，其具备：将上述黏合片的膜状黏合剂贴附于半导体晶圆的工序；通过切断贴附有膜状黏合剂的半导体晶圆来制作多个单片化的带有膜状黏合剂的半导体元件的工序；及将带有膜状黏合剂的半导体元件黏合于支承部件的工序。半导体装置的制造方法还可以具备：使用回流炉进行加热的工序。
发明效果
根据本发明，可提供一种充分抑制黏合剂内的铜离子渗透，而且黏合力优异的膜状黏合剂。并且，根据本发明，提供一种使用了这种膜状黏合剂的黏合片及半导体装置。另外，根据本发明，提供一种使用了膜状黏合剂或黏合片的半导体装置的制造方法。
附图说明
图1是表示膜状黏合剂的一实施方式的示意剖视图。
图2是表示黏合片的一实施方式的示意剖视图。
图3是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。
图4是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。
图5是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。
图6是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。
图7是表示半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。
具体实施方式
以下，适当参考附图对本发明的实施方式进行说明。但是，本发明并不限定于以下实施方式。在以下的实施方式中，除非特别明示的情况，否则其构成要件(也包括步骤等)并不是必须的。各图中的构成要件的大小是概念性的大小，构成要件之间的大小的相对关系并不限定于各图所示的关系。
关于本说明书中的数值及其范围也同样，并不限制本发明。在本说明书中，使用“～”表示的数值范围表示将记载于“～”前后的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围中，以一个数值范围记载的上限值或下限值可以替换为其他阶段性地记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本说明书中所记载的数值范围中，该数值范围的上限值或下限值可以替换为实施例所示的值。
在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯或与其相对应的甲基丙烯酸酯。关于(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酸共聚物等其他类似表现也同样。
一实施方式所涉及的膜状黏合剂为用于黏合半导体元件和搭载半导体元件的支承部件的膜状黏合剂，其中，膜状黏合剂含有(A)热固性树脂、(B)固化剂、(C)丙烯酸橡胶及(D)无机填料，相对于热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料的总质量100质量份，无机填料的含量为0.5～10质量份，膜状黏合剂的厚度为15μm以下。
膜状黏合剂能够通过将含有(A)热固性树脂、(B)固化剂、(C)丙烯酸橡胶及(D)无机填料的黏合剂组合物成型为膜状而得到。膜状黏合剂及黏合剂组合物可以经过半固化(B阶)状态，在固化处理之后能够成为完全固化(C阶)状态。
(A)成分：热固性树脂
从黏合性的观点考虑，(A)成分可以为环氧树脂。环氧树脂只要在分子内具有环氧基，则能够无特别限制地进行使用。作为环氧树脂，例如可以举出双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A酚醛清漆型环氧树脂、双酚F酚醛清漆型环氧树脂、芪型环氧树脂、含有三嗪骨架的环氧树脂、含有芴骨架的环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、联苯型环氧树脂、亚二甲苯基型环氧树脂、联苯基芳烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂、多官能酚类、蒽等多环芳香族类的二缩水甘油醚化合物等。它们可以单独使用一种或者组合使用两种以上。在它们之中，从膜的粘性、柔软性等观点考虑，(A)成分可以为甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚F型环氧树脂或双酚A型环氧树脂。
环氧树脂的环氧当量并不受特别限制，可以为90～300g/eq、110～290g/eq或110～290g/eq。若环氧树脂的环氧当量在这样的范围内，则具有能够维持膜状黏合剂的块体强度(bulk strength)，并且确保流动性的倾向。
(B)成分：固化剂
(B)成分可以为能够成为环氧树脂的固化剂的酚醛树脂。酚醛树脂只要在分子内具有酚性羟基，则能够无特别限制地进行使用。作为酚醛树脂，例如可以举出使苯酚、甲酚、间苯二酚、邻苯二酚、双酚A、双酚F、苯基苯酚、氨基苯酚等苯酚类和/或α-萘酚、β-萘酚、二羟基萘等萘酚类和甲醛等具有醛基的化合物在酸性催化剂下缩合或共缩合而得到的酚醛清漆型酚醛树脂、由烯丙基化双酚A、烯丙基化双酚F、烯丙基化萘二酚、苯酚酚醛清漆、苯酚等苯酚类和/或萘酚类和二甲氧基对二甲苯或双(甲氧基甲基)联苯合成的苯酚芳烷基树脂、萘酚芳烷基树脂等。它们可以单独使用一种或者组合使用两种以上。在它们之中，酚醛树脂可以为苯酚芳烷基树脂或萘酚芳烷基树脂。
酚醛树脂的羟基当量可以为70g/eq以上或70～300g/eq。若酚醛树脂的羟基当量为70g/eq以上，则具有膜的储能模量进一步得到提高的倾向，若为300g/eq以下，则能够防止由发泡、排气(out gas)等的产生引起的不良情况。
从固化性的观点考虑，环氧树脂的环氧当量与酚醛树脂的羟基当量之比(环氧树脂的环氧当量/酚醛树脂的羟基当量)可以为0.30/0.70～0.70/0.30、0.35/0.65～0.65/0.35、0.40/0.60～0.60/0.40或0.45/0.55～0.55/0.45。若该当量比为0.30/0.70以上，则具有能够得到更充分的固化性的倾向。若该当量比为0.70/0.30以下，则能够防止粘度变得过高，能够得到更充分的流动性。
(A)成分及(B)成分的合计含量相对于(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分的总质量100质量份可以为5～50质量份、10～40质量份或15～30质量份。若(A)成分及(B)成分的合计含量为5质量份以上，则具有弹性模量通过交联而得到提高的倾向。若(A)成分及(B)成分的合计含量为50质量份以下，则具有能够维持膜操作性的倾向。
(C)成分：丙烯酸橡胶
(C)成分为将具有源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元作为主成分的橡胶。(C)成分中的源自(甲基)丙烯酸酯的结构单元的含量以结构单元总量为基准例如可以为70质量％以上、80质量％以上或90质量％以上。(C)成分可以包含源自具有环氧基、醇性或酚性羟基、羧基等交联性官能团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元。(C)成分可以在满足后述的式(1)的条件的范围内包含源自丙烯腈的结构单元，但从能够进一步抑制黏合剂内的铜离子渗透且埋入性也更优异的观点来看，(C)成分也可以不包含源自丙烯腈的结构单元。
在(C)成分的红外吸收光谱中，在将源自羰基的伸缩振动的吸收峰的高度设为PCO、将源自腈基的伸缩振动的峰的高度设为PCN时，PCO及PCN可以满足下述式(1)的条件。
PCN/PCO＜0.070 (1)
在此，羰基主要源自作为结构单元的(甲基)丙烯酸酯，腈基主要源自作为结构单元的丙烯腈。另外，源自羰基的伸缩振动的吸收峰的高度(PCO)及源自腈基的伸缩振动的峰的高度(PCN)是指在实施例中定义的峰的高度。
PCN/PCO小是指在(C)成分中源自丙烯腈的结构单元少。因此，不包含源自丙烯腈的结构单元的(C)成分在理论上能够满足式(1)的条件。
PCN/PCO小于0.070，也可以为0.065以下、0.060以下、0.055以下、0.050以下、0.040以下、0.030以下、0.020以下或0.010以下。若PCN/PCO小于0.070，则有可能能够充分抑制黏合剂内的铜离子渗透。并且，随着PCN/PCO的值变小，能够更充分抑制黏合剂内的铜离子渗透。并且，随着PCN/PCO的值变小，(C)成分的凝聚力下降，因此进而具有埋入性也更优异的倾向。
(C)成分的玻璃化转变温度(Tg)可以为-50～50℃或-30～30℃。若(C)成分的Tg为-50℃以上，则具有能够防止黏合剂的柔软性变得过高的倾向。由此，在切割晶圆时容易切断膜状黏合剂，能够防止产生毛刺(burr)。若(C)成分的Tg为50℃以下，则具有能够抑制黏合剂的柔软性下降的倾向。由此，在将膜状黏合剂贴附于晶圆时，具有容易将空隙充分埋入的倾向。并且，能够防止由晶圆的密合性下降引起的切割时的碎化(chipping)。在此，玻璃化转变温度(Tg)是指使用DSC(热差示扫描量热仪)(例如，Riga ku Corporation制造，Thermo Plus 2)测定出的值。
(C)成分的重均分子量(Mw)可以为10万～300万或20万～200万。若(C)成分的Mw在这样的范围内，则能够适当控制膜形成性、膜状时的强度、挠性、粘性等，并且回流性优异，从而能够提高埋入性。在此，Mw是指利用凝胶渗透色谱法(GPC)测定并使用基于标准聚苯乙烯的校准曲线换算的值。
作为(C)成分的市售品，例如可以举出SG-70L、SG-P3、SG-708-6、WS-023 EK30、SG-280 EK23(均为Nagase Chemtex Corporation制造)等。并且，作为不包含源自丙烯腈的结构单元的(C)成分的市售品，例如可以举出KH-CT-865(Hitachi Chemical Co.,Ltd.制造)等。
(C)成分的含量相对于(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分的总质量100质量份可以为50～95质量份、55～90质量份或60～85质量份。若(C)成分的含量在这样的范围内，则具有能够更充分抑制黏合剂内的铜离子渗透的倾向。
(D)成分：无机填料
作为(D)成分，例如例如可以举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、二氧化硅等。它们可以单独使用一种或者组合使用两种以上。在它们之中，从调整熔融粘度的观点考虑，(D)成分可以为二氧化硅。
从流动性的观点考虑，(D)成分的平均粒径可以为0.01～1μm、0.01～0.8μm或0.03～0.5μm。在此，平均粒径是指根据BET比表面积进行换算而求出的值。随着(E)成分的平均粒径变小，具有可进一步改善涂敷面的外观并且进一步提高薄膜涂敷性的倾向。
(D)成分的形状并不受特别限制，可以为球状。
相对于(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分的总质量100质量份，(D)成分的含量为0.5～10质量份。若(D)成分的含量为0.5质量份以上，则具有膜状黏合剂的黏合力、晶圆密合力、弹性模量、块体强度等方面也优异的倾向。若(D)成分的含量为10质量份以下，则具有充分抑制黏合剂内的铜离子渗透并且涂敷面的外观、埋入性等方面也优异的倾向。(D)成分的含量可以为1质量份以上、3质量份以上或5质量份以上，也可以为10质量份以下、9质量份以下、8.5质量份以下或8质量份以下。
膜状黏合剂(黏合剂组合物)可进而含有(E)偶联剂、(F)固化促进剂等。
(E)成分：偶联剂
(E)成分可以为硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，例如可以举出γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基)氨基丙基三甲氧基硅烷等。它们可以单独使用一种或者组合使用两种以上。
(F)成分：固化促进剂
(F)成分并不受特别限定，能够使用通常使用的化合物。作为(F)成分，例如可以举出咪唑类及其衍生物、有机磷系化合物、仲胺类、叔胺类、季铵盐等。它们可以单独使用一种或者组合使用两种以上。在它们之中，从反应性的观点考虑，(F)成分可以为咪唑类及其衍生物。
作为咪唑类，例如可以举出2-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑等。它们可以单独使用一种或者组合使用两种以上。
膜状黏合剂(黏合剂组合物)还可以含有其他成分。作为其他成分，例如可以举出颜料、离子捕集剂、抗氧化剂等。
(E)成分、(F)成分及其他成分的含量相对于(A)成分、(B)成分、(C)成分及(D)成分的总质量100质量份可以为0～30质量份。
图1是表示膜状黏合剂的一实施方式的示意剖视图。图1所示的膜状黏合剂1(黏合膜)是将黏合剂组合物成型为膜状而成的。膜状黏合剂1可以为半固化(B阶)状态。这种膜状黏合剂1能够通过将黏合剂组合物涂布于支承膜而形成。当使用黏合剂组合物的清漆(黏合剂清漆)时，将(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分以及根据需要添加的其他成分混合于溶剂中，并将混合液进行混合或混炼而制备黏合剂清漆，将黏合剂清漆涂布于支承膜，并对溶剂进行加热干燥而将其去除，由此能够形成膜状黏合剂1。
支承膜只要能够承受上述加热干燥，则不受特别限定，例如可以为聚酯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚酰亚胺膜、聚醚酰亚胺膜、聚醚萘二甲酸酯(polyethernaphthalate)膜、聚甲基戊烯膜等。支承膜可以为将两种以上膜组合而成的多层膜，也可以为表面由硅酮系、二氧化硅系等的脱模剂等进行处理而成的膜。支承膜的厚度例如可以为10～200μm或20～170μm。
能够使用通常的搅拌机、研磨机(raikai mixer)、三辊、球磨机等分散机，将它们适当组合来进行混合或混炼。
黏合剂清漆的制备中所使用的溶剂只要能够将各成分均匀地溶解、混炼或分散，则没有限制，能够使用以往公知的溶剂。作为这种溶剂，例如可以举出丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮等酮系溶剂、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N甲基吡咯烷酮、甲苯、二甲苯等。在干燥速度及价格的观点上，溶剂可以为甲基乙基酮、环己酮等。
作为将黏合剂清漆涂布于支承膜的方法，能够使用公知的方法，例如可以举出刮刀涂布法、辊涂法、喷涂法、凹版涂布法、棒涂法、帘式涂布法等。加热干燥的条件只要为能够使所使用的溶剂充分挥发的条件，则没有特别限制，能够在50～150℃下加热1～30分钟来进行。
若膜状黏合剂的厚度为15μm以下，则半导体元件与搭载半导体元件的支承部件之间的距离靠近，因此具有容易发生由铜离子引起的不良情况的倾向。本实施方式所涉及的膜状黏合剂能够充分抑制黏合剂内的铜离子渗透，因此能够将其厚度设为15μm以下。膜状黏合剂1的厚度可以为12μm以下或10μm以下。膜状黏合剂1的厚度的下限并不受特别限制，例如能够设为1μm以上。
在一实施方式中，半固化(B阶)状态下的膜状黏合剂1的铜离子渗透时间可以超过260分钟，也可以为270分钟以上、280分钟以上、290分钟以上或300分钟以上。并且，在另一实施方式中，半固化(B阶)状态下的膜状黏合剂1的铜离子渗透时间可以超过70分钟，也可以为75分钟以上或80分钟以上。通过铜离子渗透时间为这样的范围，可预测即使在制作半导体装置时发生固化不足等不良情况，也更不易发生由铜离子引起的不良情况。
在一实施方式中，C阶状态下的膜状黏合剂1(即，膜状黏合剂的固化物)的黏合力(芯片剪切强度)可以超过0.5MPa，也可以为0.8MPa以上或1.0MPa以上。并且，在另一实施方式中，C阶状态下的膜状黏合剂的黏合力(芯片剪切强度)可以超过1.5MPa，也可以为1.6MPa以上、1.7MPa以上或1.8MPa以上。若黏合力为这样的范围，则可预测在制作半导体制造装置时不易产生由剥离引起的不良情况，并且黏合力越高，由剥离引起的不良情况的产生概率越降低。
图2是表示黏合片的一实施方式的示意剖视图。图2所示的黏合片100具备基材2和设置于基材2上的膜状黏合剂1。图3是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。图3所示的黏合片110具备基材2、设置于基材2上的膜状黏合剂1及设置于膜状黏合剂1的与基材2相反的一侧的面的覆盖膜3。
基材2并不受特别限制，可以为基材膜。基材膜可以与上述支承膜相同。
覆盖膜3用于防止膜状黏合剂的损伤或污染，例如可以为聚乙烯膜、聚丙烯膜、表面经剥离剂处理的膜等。覆盖膜3的厚度例如可以为15～200μm或70～170μm。
黏合片100、110能够与形成上述膜状黏合剂的方法同样地通过将黏合剂组合物涂布于基材膜而来形成。将黏合剂组合物涂布于基材2的方法可以与将上述黏合剂组合物涂布于支承膜的方法相同。
黏合片110能够通过进一步将覆盖膜3层叠于膜状黏合剂1上而得到。
黏合片100、110也可以使用预先制作的膜状黏合剂来形成。在该情况下，黏合片100能够通过使用辊式层压机(roll laminate)、真空层压机等在规定条件(例如，室温(20℃)或加热状态)下进行层压来形成。黏合片100能够连续制造，从效率优异的角度来看，可以在加热状态下使用辊式层压机来形成。
黏合片的另一实施方式是基材2为切割带的切割芯片接合(dicing die-bonding)一体型黏合片。若使用切割芯片接合一体型黏合片，则对于半导体晶圆的层合工序为一次，因此能够实现工作的效率化。
作为切割带，例如可以举出聚四氟乙烯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊烯膜、聚酰亚胺膜等塑料膜等。并且，切割带根据需要可以进行底漆涂布、UV处理、电晕放电处理、研磨处理、蚀刻处理等表面处理。切割带可以具有胶黏性。这种切割带可以为对上述塑料膜赋予胶黏性而得到的带，也可以为在上述塑料膜的单面上设置压敏胶黏剂层而得到的带。压敏胶黏剂层可以为压敏型或辐射线固化型中的任一种，只要在切割时具有不会使半导体元件飞散的充分的胶黏力，在其后的半导体元件的拾取工序中具有不会损伤半导体元件的程度的低胶黏力，则不受特别限制，能够使用以往公知的压敏胶黏剂层。
从经济性及膜的操作性的观点考虑，切割带的厚度可以为60～150μm或70～130μm。
作为这种切割芯片接合一体型黏合片，例如可以举出具有图4所示的结构的切割芯片接合一体型黏合片、具有图5所示的结构的切割芯片接合一体型黏合片等。图4是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。图5是表示黏合片的另一实施方式的示意剖视图。图4所示的黏合片120依次具备切割带7、压敏胶黏剂层6及膜状黏合剂1。图5所示的黏合片130可以具备切割带7和设置于切割带7上的膜状黏合剂1。
黏合片120例如能够通过在切割带7上设置压敏胶黏剂层6，进而在压敏胶黏剂层6上层叠膜状黏合剂1而得到。黏合片130例如能够通过贴合切割带7和膜状黏合剂1而得到。
膜状黏合剂及黏合片可以用于半导体装置的制造，可以用于包括如下工序的半导体装置的制造：在0℃～90℃下，将膜状黏合剂及切割带贴合于半导体晶圆或已经小片化的半导体元件(半导体芯片)之后，通过使用旋转刀刃、激光或伸长的分割而得到带有膜状黏合剂的半导体元件之后，将该带有膜状黏合剂的半导体元件黏合于有机基板、引线框或其他半导体元件上。
作为半导体晶圆，例如可以举出单晶硅、多晶硅、各种陶瓷、砷化镓等化合物半导体等。
膜状黏合剂及黏合片能够用作用于贴合IC、LSI等半导体元件和42合金引线框、铜引线框等引线框；聚酰亚胺树脂、环氧树脂等塑料膜；使聚酰亚胺树脂、环氧树脂等塑料含浸在玻璃不织布等基材中并使其固化而成的材料；氧化铝等的陶瓷等半导体搭载用支承部件等的芯片接合用黏合剂。
膜状黏合剂及黏合片在将多个半导体元件层叠而成的结构的Stacked-PKG(堆叠式-PKG)中也适宜用作用于黏合半导体元件和半导体元件的黏合剂。在该情况下，其中一个半导体元件成为搭载半导体元件的支承部件。
膜状黏合剂及黏合片例如也能够用作保护倒装芯片型半导体装置的半导体元件的背面的保护片、用于密封倒装芯片型半导体装置的半导体元件的表面与被黏体之间的密封片等。
关于使用膜状黏合剂来制造的半导体装置，使用附图进行具体说明。另外，近年来提出了各种结构的半导体装置，本实施方式所涉及的膜状黏合剂的用途并不限定于以下说明的结构的半导体装置。
图6是表示半导体装置的一实施方式的示意剖视图。图6所示的半导体装置200具备：半导体元件9；搭载半导体元件9的支承部件10；及设置于半导体元件9与支承部件10之间，并黏合半导体元件9及支承部件10的黏合部件(膜状黏合剂的固化物1c)。半导体元件9的连接端子(未图示)经由导线(wire)11而与外部连接端子(未图示)电连接，并且利用密封材料12进行了密封。
图7是表示半导体装置的另一实施方式的示意剖视图。在图7所示的半导体装置210中，将第一级半导体元件9a利用黏合部件(膜状黏合剂的固化物1c)黏合于形成有端子13的支承部件10，在第一级半导体元件9a上进而利用黏合部件(膜状黏合剂的固化物1c)黏合有第二级半导体元件9b。第一级半导体元件9a及第二级半导体元件9b的连接端子(未图示)经由导线11而与外部连接端子电连接，并且利用密封材料12进行了密封。如此，本实施方式所涉及的膜状黏合剂也能够适宜用于重叠有多个半导体元件的结构的半导体装置。
图6及图7所示的半导体装置(半导体封装)例如经过如下工序而得到：将膜状黏合剂设置于半导体元件与支承部件之间或半导体元件与半导体元件之间，并将它们进行加热压接而使两者黏合，然后根据需要经过引线接合工序、使用密封材料的密封工序、包括使用焊料的回流的加热熔融工序等。加热压接工序中的加热温度通常为20～250℃，载荷通常为0.1～200N，加热时间通常为0.1～300秒钟。
作为将膜状黏合剂设置于半导体元件与支承部件之间或半导体元件与半导体元件之间的方法，如上所述，可以为预先制作带有膜状黏合剂的半导体元件之后，将其贴附于支承部件或半导体元件的方法。
支承部件可以包括将铜作为材料的部件。在本实施方式所涉及的半导体装置中，利用膜状黏合剂的固化物1c黏合半导体元件和支承部件，因此即使在使用将铜作为材料的部件作为半导体装置的构成部件的情况下，也能够减少从该部件产生的铜离子的影响，能够充分抑制发生由铜离子引起的电故障。
在此，作为将铜作为材料的部件，例如可以举出引线框、配线、导线、散热材料等，在任何部件中使用了铜的情况下，均能够减少铜离子的影响。
接着，对使用图4所示的切割芯片接合一体型黏合片时的半导体装置的制造方法的一实施方式进行说明。另外，使用切割芯片接合一体型黏合片的半导体装置的制造方法并不限定于以下说明的半导体装置的制造方法。
首先，将半导体晶圆压接于黏合片120(切割芯片接合一体型黏合片)中的膜状黏合剂1上，并将其黏合保持而进行固定(安装工序)。可以一边利用压接辊等按压机构按压一边进行本工序。
接着，进行半导体晶圆的切割。由此，将半导体晶圆切断为规定的尺寸而制造多个单片化的带有膜状黏合剂的半导体元件(半导体芯片)。切割例如能够通过常规方法从半导体晶圆的电路面侧进行。并且，在本工序中，例如能够采用进行切入直至切割带的被称作全切(full cut)的切断方式、通过在半导体晶圆上切入一半切口并在冷却下进行拉伸而分割的方式、使用激光的切断方式等。作为本工序中所使用的切割装置并不受特别限定，能够使用以往公知的切割装置。
为了剥离在切割芯片接合一体型黏合片上黏合固定的半导体元件，进行半导体元件的拾取。作为拾取方法并不受特别限定，能够采用以往公知的各种方法。例如，可以举出利用顶针将各个半导体元件从切割芯片接合一体型黏合片侧推顶，并利用拾取装置拾取被推顶的半导体元件的方法等。
在此，当压敏胶黏剂层为辐射线(例如，紫外线)固化型时，向该压敏胶黏剂层照射辐射线之后进行拾取。由此，压敏胶黏剂层对膜状黏合剂的胶黏力下降，容易剥离半导体元件。其结果，能够在不损伤半导体元件的状态下进行拾取。
接着，将通过切割而形成的带有膜状黏合剂的半导体元件经由膜状黏合剂而黏合于用于搭载半导体元件的支承部件。可以通过压接来进行黏合。作为芯片接合的条件并不受特别限定，根据需要能够适当设定。具体而言，例如能够在芯片接合温度80～160℃、接合载荷5～15N、接合时间1～10秒的范围内进行。
根据需要，可以设置使膜状黏合剂热固化的工序。通过使将支承部件和半导体元件经过上述黏合工序而黏合的膜状黏合剂热固化，能够更牢固地进行黏合固定。当进行热固化时，可以同时施加压力而进行固化。本工序中的加热温度能够根据膜状黏合剂的构成成分适当变更。加热温度例如可以为60～200℃。另外，可以一边阶段性地变更温度或压力一边进行本工序。
接着，进行用接合线将支承部件的端子部(内部引线)的顶端和半导体元件上的电极焊盘电连接的引线接合工序。作为接合线，例如使用金线、铝线、铜线等。进行引线接合时的温度可以在80～250℃或80～220℃的范围内。加热时间可以为几秒～几分钟。可以在上述温度范围内进行了加热的状态下，并用由超声波产生的振动能量和由施加加压产生的压接能量来进行接线。
接着，进行利用密封树脂密封半导体元件的密封工序。本工序是为了保护搭载于支承部件的半导体元件或接合线而进行的。本工序通过用模具对密封用树脂进行成型来进行。作为密封树脂，例如可以为环氧类树脂。因密封时的热及压力而基板及残渣被埋入，能够防止由黏合界面处的气泡引起的剥离。
接着，在后固化工序中，使在密封工序中固化不足的密封树脂完全固化。即使在密封工序中膜状黏合剂未被热固化的情况下，也能够在本工序中进行密封树脂的固化的同时使膜状黏合剂热固化来进行黏合固定。本工序中的加热温度能够根据密封树脂的种类适当设定，例如可以在165～185℃的范围内，加热时间可以为0.5～8小时左右。
接着，使用回流炉对黏合于支承部件的带有膜状黏合剂的半导体元件进行加热。在本工序中，可以在支承部件上将经树脂密封的半导体装置进行表面安装。作为表面安装的方法，例如可以举出预先将焊料供给到印刷线路板上之后，利用暖风等进行加热熔融来进行焊接的回流焊等。作为加热方法，例如可以举出热风回流、红外线回流等。并且，加热方法可以为对整体加热的方法，也可以为对局部进行加热的方法。加热温度例如可以在240～280℃的范围内。
当将半导体元件层叠为多层时，引线接合工序等的热历程变多，对由存在于膜状黏合剂与半导体元件的界面的气泡引起的剥离的影响有可能变大。然而，本实施方式所涉及的膜状黏合剂通过使用特定的丙烯酸橡胶而具有凝聚力下降、埋入性得到提高的倾向。因此，气泡难以卷入半导体装置内，能够容易使密封工序中的气泡扩散，从而能够防止由黏合界面处的气泡引起的剥离。
实施例
以下，根据实施例对本发明进行具体说明，但本发明并不限定于这些。
[膜状黏合剂的制作]
(实施例及比较例)
＜黏合剂清漆的制备＞
以表1及表2所示的商品名及组成比(单位：质量份)，向由(A)作为热固性树脂的环氧树脂、(B)作为固化剂的酚醛树脂及(D)无机填料组成的组合物中加入环己酮，并进行了搅拌混合。向其中加入表1及表2所示的(C)丙烯酸橡胶并进行搅拌，进而加入表1及表2所示的(E)偶联剂及(F)固化促进剂，并搅拌至各成分变得均匀，从而制备出黏合剂清漆。另外，表1及表2所示的(C)成分及(D)成分的数值是指固体成分的质量份。
(A)热固性树脂
(A1)YDCN-700-10(商品名，NIPPON STEEL&SUMIKIN CHEMIC AL CO.,LTD.制造，邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂，环氧当量：209g/eq)
(B)固化剂
(B1)HE-100C-30(商品名，AIR WATER INC.制造，苯基芳烷基型酚醛树脂，羟基当量：174g/eq，软化点77℃)
(C)丙烯酸橡胶
(C1)在SG-P3改良品(SG-P3(商品名，Nagase Chemtex Corporation制造)的丙烯酸橡胶中去除了源自丙烯腈的结构单元后的橡胶，丙烯酸橡胶的重均分子量：60万，丙烯酸橡胶的理论Tg：12℃，PCN/PCO＝0.001)
(C2)变更了SG-P3溶剂变更品(SG-P3(商品名，Nagase Chemtex Cor poration制造，丙烯酸橡胶的甲基乙基酮溶液)的溶剂后的橡胶，丙烯酸橡胶的重均分子量：80万，丙烯酸橡胶的理论Tg：12℃，PCN/PCO＝0.070)
(IR光谱的测定)
通过以下的方法计算出(C1)及(C2)的PCN/PCO。首先，对于从(C1)及(C2)中去除了溶剂后的橡胶，通过KBr压片法(tablet method)测定渗透IR光谱，在纵轴上表示吸光度，在横轴上表示了波数(cm-1)。IR光谱的测定中使用了FT-IR6300(JASCO Corporation制造，光源：高亮度陶瓷光源，检测器：DLATGS)。
(源自羰基的伸缩振动的吸收峰的高度PCO)
将在1670cm-1与1860cm-1这两个点之间吸光度最高的峰作为峰点。将1670cm-1与1860cm-1这两个点之间的直线作为基线，将在该基线上与峰点相同的波数的点作为基线点，将基线点与峰点的吸光度之差作为源自羰基的伸缩振动的吸收峰的高度(PCO)。
(源自腈基的伸缩振动的峰的高度PCN)
在求出了PCO的IR光谱相同的IR光谱中，将在2270cm-1与2220cm-1这两个点之间吸光度最高的峰作为峰点。将2270cm-1与2220cm-1这两个点之间的直线作为基线，将在该基线上与峰点相同的波数的点作为基线点，将基线点与峰点的吸光度之差作为源自腈基的伸缩振动的峰的高度(PCN)。
(D)无机填料
(D1)SC2050-HLG(商品名，Admatechs Company Limited制造，二氧化硅填料分散液，平均粒径0.50μm)
(E)偶联剂
(E1)A-189(商品名，Nippon Unica Co.,Ltd.制造，γ-巯基丙基三甲氧基硅烷)
(E2)A-1160(商品名，Nippon Unica Co.,Ltd.制造，γ-脲基丙基三乙氧基硅烷)
(F)固化促进剂
(F1)2PZ-CN(商品名，SHIKOKU CHEMICALS CORPORATION制造，1-氰基乙基-2-苯基咪唑)
＜膜状黏合剂的制作＞
用100目的过滤器过滤所制作的黏合剂清漆，并进行了真空脱泡。作为基材膜，准备厚度38μm的实施了脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜，并将真空脱泡后的黏合剂清漆涂布于PET膜上。将所涂布的黏合剂清漆以在90℃下5分钟、接着在130℃下5分钟的2个阶段进行加热干燥，得到了处于B阶状态的实施例1-1、实施例1-2及比较例1-1、比较例1-2以及实施例2-1、实施例2-2及比较例2-1、比较例2-2的膜状黏合剂。在膜状黏合剂中，根据黏合剂清漆的涂布量将厚度调整为10μm。
[表1]
Figure BDA0002989729790000171
[表2]
Figure BDA0002989729790000172
[铜离子渗透时间的测定]
＜A液的制备＞
将无水硫酸铜(II)2.0g溶解于蒸馏水1020g中，并搅拌至硫酸铜完全溶解，从而制备出铜离子浓度以Cu元素换算为浓度500mg/kg的硫酸铜水溶液。将所得到的硫酸铜水溶液作为A液。
＜B液的制备＞
将无水硫酸钠1.0g溶解于蒸馏水1000g中，并搅拌至硫酸钠完全溶解。向其中进而加入N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)1000g，并进行了搅拌。然后，进行气冷，直至成为室温，从而得到了硫酸钠水溶液。将所得到的溶液作为B液。
＜铜离子渗透时间的测定＞
将上述中所制作的实施例1-1、实施例1-2及比较例1-2以及实施例2-1、实施例2-2及比较例2-2的膜状黏合剂(厚度：10μm)分别切成直径约3cm的圆状。接着，准备了两片厚度1.5mm、外径约3cm、内径1.8cm的硅衬垫片(silicon packing sheet)。用两片硅衬垫片夹住切成圆状的膜状黏合剂，并将其用容积50mL的两个玻璃制槽(cell)的凸缘部夹住，并且用橡胶筋进行了固定。
接着，向其中一个玻璃制槽中注入A液50g之后，向另一个玻璃制槽中注入了B液50g。将Mars Carbon(STAEDTLER Mars GmbH&Co.KG制造，
Figure BDA0002989729790000183
)作为碳电极插入各槽中。将A液侧作为阳极，将B液侧作为阴极，并连接了阳极和直流电源(A&D Company,Limited制造，直流电源装置AD-9723D)。并且，将阴极和直流电源经由电流计(SanwaElectric Instr ument Co.,Ltd.制造，Degital multimeter PC-720M)串联连接。在室温下，以施加电压24.0V施加了电压，施加之后开始测量电流值。测定进行至电流值超过15μA，将电流值成为10μA的时间作为铜离子渗透时间。将结果示于表3及表4。在本评价中，渗透时间越长，则可以说铜离子渗透越得到了抑制。
[涂敷面的外观评价]
对实施例1-1、实施例1-2及比较例1-2以及实施例2-1、实施例2-2及比较例2-2的膜状黏合剂，进行涂敷面的外观评价，通过肉眼确认了异物、脱落、条纹等的存在。将未确认到异物、脱落、条纹等的评价为“A”，将确认到异物、脱落、条纹等的评价为“B”，将确认到大量的异物、脱落、条纹等的评价为“C”。将结果示于表3及表4中。
[表3]
Figure BDA0002989729790000181
[表4]
Figure BDA0002989729790000182
[黏合力的评价]
＜半导体装置的制作＞
准备切割带(Hitachi Chemical Co.,Ltd.制造，厚度110μm)，并贴附所制作的实施例1-1、实施例1-2及比较例1-1以及实施例2-1、实施例2-2及比较例2-1的膜状黏合剂(厚度10μm)，从而制作出具备切割带及膜状黏合剂的切割-芯片接合一体型黏合片。在平台温度(stage temperature)70℃下，将400μm厚度的半导体晶圆层压于切割-芯片接合一体型黏合片的膜状黏合剂侧而制作出切割样品。
使用全自动切割机DFD-6361(DISCO CORPORATION制造)对所得到的切割样品进行了切断。关于切断，以使用两片刀片的阶梯切割(step cut)方式来进行，并且使用了切割刀片ZH05-SD3500-N1-xx-DD及ZH05-SD4000-N1-xx-BB(均为DISCO CORPORATION制造)。切断条件设为刀片转速4000rp m、切断速度50mm/sec、芯片尺寸7.5mm×7.5mm。关于切断，以半导体晶圆残留30μm左右的方式进行第1阶段的切断，接着，以在切割带上切入20μm左右的切口的方式进行了第2阶段的切断。
接着，将通过切断而得到的半导体芯片热压接于阻焊剂(TAIYO HOLDIN GS CO.,LTD.，商品名：AUS-308)上。压接条件设为温度120℃、时间1秒、压力0.1MPa。接着，将通过压接而得到的样品放入干燥机中，在170℃下使其固化1小时。使压接于阻焊剂上的半导体芯片固化，利用多功能焊接强度测试仪(Nordson Advanced Technology(Japan)K.K.制造，商品名：4000系列)，一边将半导体芯片钩住一边拉伸，由此测定半导体芯片与阻焊剂的固化后芯片剪切(die shear)强度，将其作为黏合力进行了评价。测定条件设为平台温度为250℃。将结果示于表5及表6。
[表5]
比较例1-1 实施例1-1 实施例1-2
黏合力(MPa) 0.5 1.2 1.7
[表6]
比较例2-1 实施例2-1 实施例2-2
黏合力(MPa) 1.5 1.8 2.0
如表5及表6所示，相对于热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料的总质量100质量份，无机填料的含量为0.5～10质量份的膜状黏合剂与不满足该必要条件的膜状黏合剂相比，铜离子渗透时间长且黏合力优异。
如上所述，确认到本发明的膜状黏合剂充分抑制黏合剂内的铜离子渗透，而且黏合力优异。
符号说明
1-膜状黏合剂，2-基材，3-覆盖膜，6-压敏胶黏剂层，7-切割带，9、9a、9b-半导体元件，10-支承部件，11-导线，12-密封材料，13-端子，100、110、120、130-黏合片，200、210-半导体装置。

Claims (8)

1.一种膜状黏合剂，其用于黏合半导体元件和搭载所述半导体元件的支承部件，其中，
所述膜状黏合剂含有热固性树脂、固化剂、丙烯酸橡胶及无机填料，
相对于所述热固性树脂、所述固化剂、所述丙烯酸橡胶及所述无机填料的总质量100质量份，所述无机填料的含量为0.5～10质量份，
所述膜状黏合剂的厚度为15μm以下。
2.一种黏合片，其具备：基材；及设置于所述基材的一个面上的权利要求1所述的膜状黏合剂。
3.根据权利要求2所述的黏合片，其中，
所述基材为切割带。
4.一种半导体装置，其具备：半导体元件；搭载所述半导体元件的支承部件；及黏合部件，设置于所述半导体元件与所述支承部件之间，并黏合所述半导体元件及所述支承部件，
所述黏合部件为权利要求1所述的膜状黏合剂的固化物。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，
所述支承部件包括将铜作为材料的部件。
6.一种半导体装置的制造方法，其具备：使用权利要求1所述的膜状黏合剂黏合半导体元件和支承部件的工序。
7.一种半导体装置的制造方法，其具备：
将权利要求2或3所述的黏合片的所述膜状黏合剂贴附于半导体晶圆的工序；
通过切断贴附有所述膜状黏合剂的所述半导体晶圆来制作多个单片化的带有膜状黏合剂的半导体元件的工序；及
将所述带有膜状黏合剂的半导体元件黏合于支承部件的工序。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其还具备：使用回流炉对黏合于所述支承部件的所述带有膜状黏合剂的半导体元件进行加热的工序。
CN201980062552.6A 2018-09-26 2019-09-24 膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法 Pending CN112740381A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018180325 2018-09-26
JP2018-180325 2018-09-26
PCT/JP2019/037351 WO2020067054A1 (ja) 2018-09-26 2019-09-24 フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112740381A true CN112740381A (zh) 2021-04-30

Family

ID=69949598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980062552.6A Pending CN112740381A (zh) 2018-09-26 2019-09-24 膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (2) JP7375764B2 (zh)
KR (1) KR102629865B1 (zh)
CN (1) CN112740381A (zh)
SG (1) SG11202103066SA (zh)
TW (1) TWI812784B (zh)
WO (1) WO2020067054A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023157195A1 (ja) * 2022-02-17 2023-08-24 株式会社レゾナック ダイシングダイボンディングフィルム、及び、半導体装置を製造する方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101971312A (zh) * 2008-03-14 2011-02-09 住友电木株式会社 用于形成半导体元件粘接膜的树脂清漆、半导体元件粘接膜和半导体装置
CN102687256A (zh) * 2009-11-13 2012-09-19 日立化成工业株式会社 膜状粘接剂的制造方法、粘接片和半导体装置及其制造方法
JP2013060524A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Hitachi Chemical Co Ltd フィルム状接着剤、接着シート、半導体装置及びその製造方法
JP2016190964A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 日立化成株式会社 接着フィルム
CN108178990A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 日东电工株式会社 粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007284670A (ja) 2006-03-22 2007-11-01 Hitachi Chem Co Ltd 接着フィルム及びこれを用いた半導体装置
JP2008103700A (ja) 2006-09-19 2008-05-01 Hitachi Chem Co Ltd 多層ダイボンドシート、半導体用接着フィルム付き半導体装置、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5544779B2 (ja) 2008-08-07 2014-07-09 日立化成株式会社 ダイボンディングフィルム及びそれを用いた半導体装置
JP5804820B2 (ja) 2011-07-25 2015-11-04 日東電工株式会社 半導体装置製造用の接着シート、半導体装置製造用の接着シートを有する半導体装置、及び、半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101971312A (zh) * 2008-03-14 2011-02-09 住友电木株式会社 用于形成半导体元件粘接膜的树脂清漆、半导体元件粘接膜和半导体装置
CN102687256A (zh) * 2009-11-13 2012-09-19 日立化成工业株式会社 膜状粘接剂的制造方法、粘接片和半导体装置及其制造方法
JP2013060524A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Hitachi Chemical Co Ltd フィルム状接着剤、接着シート、半導体装置及びその製造方法
JP2016190964A (ja) * 2015-03-31 2016-11-10 日立化成株式会社 接着フィルム
CN108178990A (zh) * 2016-12-08 2018-06-19 日东电工株式会社 粘接薄膜、切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法和半导体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2020067054A1 (ja) 2021-09-16
SG11202103066SA (en) 2021-04-29
JP7375764B2 (ja) 2023-11-08
TWI812784B (zh) 2023-08-21
KR102629865B1 (ko) 2024-01-26
TW202024269A (zh) 2020-07-01
WO2020067054A1 (ja) 2020-04-02
KR20210065122A (ko) 2021-06-03
JP2024010048A (ja) 2024-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113348221B (zh) 胶黏剂组合物、膜状胶黏剂、胶黏剂片及半导体装置的制造方法
CN111656500B (zh) 半导体装置的制造方法及粘接膜
JP2024010048A (ja) 半導体装置
CN111630126B (zh) 粘接剂组合物、膜状粘接剂、粘接片材及半导体装置的制造方法
WO2020158490A1 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
CN112740379A (zh) 膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法
WO2020129996A1 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
JP7255146B2 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
CN113474433A (zh) 膜状黏合剂、黏合片及半导体装置
JP7435458B2 (ja) フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2022149582A1 (ja) フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
JP2022044991A (ja) ダイボンディングフィルム、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法
WO2022149581A1 (ja) 接着剤組成物、フィルム状接着剤、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、並びに半導体装置及びその製造方法
CN116783258A (zh) 膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法
CN116670240A (zh) 膜状黏合剂、黏合片以及半导体装置及其制造方法
CN117999641A (zh) 膜状黏合剂、切割晶粒接合一体型膜、以及半导体装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo

Applicant after: Lishennoco Co.,Ltd.

Address before: Tokyo

Applicant before: Showa electrical materials Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information