CN112736091A - 有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种有源矩阵基板，具备薄膜晶体管、像素电极、像素接触部及共用电极，在薄膜晶体管中，漏极电极隔着下部绝缘层配置在半导体层上，并在形成于下部绝缘层的漏极用开口部内与半导体层的一部分接触，像素接触部具有第1绝缘层、连接电极、第2绝缘层及像素电极，在第2绝缘层上形成有包含像素电极、共用电极及位于其间的电介质层的透明电容部，在从基板的法线方向观看时，漏极用开口部内的漏极电极和半导体层接触的漏极接触区域既不与第1开口部内的连接电极和漏极电极接触的第1接触区域重叠，又不与第2开口部内的像素电极和连接电极接触的第2接触区域重叠，第2接触区域的整个区域与第1接触区域重叠，透明电容部与第1接触区域至少部分地重叠。

Description

有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置
技术领域
本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置。
背景技术
在具备有源矩阵基板的显示装置中，按每个像素设置有像素电极和开关元件。作为开关元件，例如使用薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下称为“TFT”)。也已提出使用氧化物半导体作为TFT的活性层的材料来代替非晶硅、多晶硅。此外，在本说明书中，有时将与显示装置的像素对应的有源矩阵基板的部分称为“像素区域”或“像素”。
作为有源矩阵型的显示装置的动作模式，有时采用FFS(Fringe FieldSwitching：边缘场开关)模式、IPS(In-Plane-Switching：面内开关)模式等横向电场方式的模式。在横向电场方式中，在有源矩阵基板设置一对电极(像素电极和共用电极)，在与基板面平行的方向(横向)上对液晶分子施加电场。各像素的像素电极的至少一部分配置为隔着电介质层与共用电极重叠。因此，在像素电极与共用电极重叠的部分会形成电容。该电容能具有作为显示装置中的辅助电容(以下称为“透明辅助电容”)的功能。
在将有源矩阵基板应用于内置有触摸传感器功能的显示装置(以下称为“内嵌式触摸面板型显示装置”)的情况下，有时会在有源矩阵基板设置触摸传感器的电极(驱动电极或检测电极)。例如，在横向电场方式中，已知将设置于有源矩阵基板的共用电极分割为多个段并使各段作为触摸传感器用的电极发挥功能的结构(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2015-206830号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，当将利用了像素电极和共用电极的透明辅助电容形成在具有比较大的凹凸的基底之上时，有可能在这些电极之间发生微小的漏电。这样的漏电会成为产生显示不均的主要原因。因此，在像素内能形成透明辅助电容的区域受到限制，有时难以增大透明辅助电容的尺寸。详细情况后述。
本发明的一实施方式是鉴于上述情况完成的，其目的在于，提供能抑制使用了像素电极和共用电极的透明辅助电容中的电极间的漏电流并且扩大透明辅助电容的面积的有源矩阵基板及其制造方法。
用于解决问题的方案
本说明书涉及以下的项目记载的有源矩阵基板、有源矩阵基板的制造方法以及内嵌式触摸面板型显示装置。
[项目1]一种有源矩阵基板，
具有包含多个像素区域的显示区域，
具备：
基板；
薄膜晶体管，其支撑于上述基板，并且与各像素区域相对应地配置；
像素电极，其在上述各像素区域中配置在上述薄膜晶体管的上方；
像素接触部，其在上述各像素区域中将上述像素电极电连接到上述薄膜晶体管；以及
共用电极，其以隔着电介质层与上述各像素区域的上述像素电极至少部分地重叠的方式配置在上述薄膜晶体管的上方，并且与上述像素电极电分离，
在上述有源矩阵基板中，
上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、配置在上述半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层、源极电极以及漏极电极，上述漏极电极隔着下部绝缘层配置在上述半导体层上，并且在形成于上述下部绝缘层的漏极用开口部内与上述半导体层的一部分接触，
上述各像素区域的上述像素接触部具有：
上述漏极电极；
第1绝缘层，其覆盖上述漏极电极；
连接电极，其在形成于上述第1绝缘层的第1开口部内与上述漏极电极接触；
第2绝缘层，其覆盖上述连接电极；以及
上述像素电极，其在形成于上述第2绝缘层的第2开口部内与上述连接电极接触，
在上述第2绝缘层上形成有包含上述像素电极、上述共用电极以及位于其间的上述电介质层的透明电容部，
在从上述基板的法线方向观看时，在上述各像素区域中，
上述漏极用开口部内的上述漏极电极和上述半导体层接触的漏极接触区域既不与上述第1开口部内的上述连接电极和上述漏极电极接触的第1接触区域重叠，又不与上述第2开口部内的上述像素电极和上述连接电极接触的第2接触区域重叠，
上述第2接触区域的整个区域与上述第1接触区域重叠，并且
上述透明电容部与上述第1接触区域至少部分地重叠。
[项目2]根据项目1所述的有源矩阵基板，
上述有源矩阵基板具备：多个栅极总线，其在第1方向上延伸；以及多个源极总线，其在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸，
在上述各像素区域中，上述薄膜晶体管的上述栅极电极电连接到上述多个栅极总线中的对应的1个栅极总线，上述源极电极电连接到上述多个源极总线中的对应的1个源极总线，
在从上述基板的法线方向观看时，在上述对应的1个栅极总线与上述漏极接触区域之间配置有上述像素接触部中的上述第1接触区域和上述第2接触区域。
[项目3]根据项目2所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，在从上述基板的法线方向观看时，上述漏极电极仅覆盖上述漏极用开口部的一部分，
上述半导体层中的由上述漏极用开口部露出的部分包含与上述漏极电极接触的第1部分以及与上述第1绝缘层接触的第2部分，上述第1部分位于比上述第2部分靠上述像素接触部侧。
[项目4]根据项目1至3中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，上述像素电极位于比上述共用电极靠上述基板侧，在从上述基板的法线方向观看时，上述透明电容部与上述像素接触部中的上述第1接触区域的整个区域以及上述第2接触区域的整个区域重叠。
[项目5]根据项目1至3中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，上述共用电极位于比上述像素电极靠上述基板侧，在从上述基板的法线方向观看时，上述透明电容部与上述像素接触部中的上述第1接触区域部分地重叠，并且与上述第2接触区域不重叠。
[项目6]根据项目1至5中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
在上述各像素接触部中，在从上述基板的法线方向观看时，上述第1绝缘层中的上述第1开口部的整个底面与上述漏极电极的上表面重叠。
[项目7]根据项目1至6中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
在上述各像素接触部中，在从上述基板的法线方向观看时，上述第2绝缘层中的上述第2开口部的整个底面与上述连接电极的上表面重叠。
[项目8]根据项目1至7中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
上述各像素接触部的上述第1接触区域在从上述基板的法线方向观看时与上述漏极用开口部的底面及侧面均不重叠。
[项目9]根据项目1至8中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
上述共用电极被分割为多个段，各段作为触摸传感器用的电极发挥功能。
[项目10]根据项目9所述的有源矩阵基板，
还具备配置在上述第1绝缘层上的多个触摸配线，上述多个触摸配线各自电连接到上述多个段中的对应的段，
上述各像素接触部中的上述连接电极是与上述多个触摸配线使用相同导电膜形成的，并且是与上述多个触摸配线电分离的。
[项目11]根据项目1至10中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
在从上述基板的法线方向观看时，上述栅极电极与上述漏极电极不重叠。
[项目12]根据项目1至10中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
在从上述基板的法线方向观看时，上述栅极电极与上述漏极电极至少部分地重叠。
[项目13]根据项目1至12中的任意一个项目所述的有源矩阵基板，
在从上述基板的法线方向观看时，上述第1开口部的底面和上述第2开口部的底面均与上述漏极用开口部的底面不重叠。
[项目14]一种内嵌式触摸面板型显示装置，具备项目1至13中的任意一个项目所述的有源矩阵基板。
[项目15]一种有源矩阵基板的制造方法，上述有源矩阵基板具有多个像素区域，具备：与各像素区域相对应的薄膜晶体管和像素电极；以及将上述各像素区域的上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的像素接触部，
上述有源矩阵基板的制造方法包含：
工序(A)，在上述各像素区域中的形成上述薄膜晶体管的TFT形成区域中，在基板上形成作为上述薄膜晶体管的活性层的半导体层；
工序(B)，形成覆盖上述半导体层的下部绝缘层，在上述各TFT形成区域中，在上述下部绝缘层形成使上述半导体层的一部分露出的漏极用开口部和使上述半导体层的另一部分露出的源极用开口部；
工序(C)，在上述各TFT形成区域中，在上述下部绝缘层上和上述漏极用开口部内，形成与上述半导体层的上述一部分接触的漏极电极，在上述下部绝缘层上和上述源极用开口部内，形成与上述半导体层的上述另一部分接触的源极电极，从而得到上述薄膜晶体管；
工序(D)，形成覆盖上述漏极电极和上述源极电极的第1绝缘层，在上述各像素区域中的形成上述像素接触部的像素接触部形成区域中，在上述第1绝缘层形成使上述漏极电极的一部分露出的第1开口部；
工序(E)，在上述各像素接触部形成区域中，形成在上述第1开口部内与上述漏极电极的上述一部分接触的连接电极；
工序(F)，在上述各像素接触部形成区域中，形成覆盖上述连接电极的第2绝缘层，在上述第2绝缘层形成使上述连接电极的一部分露出的第2开口部；以及
工序(G)，在上述各像素区域中，在上述第2绝缘层之上形成上述像素电极、共用电极以及电介质层，其中上述像素电极配置为在上述第2开口部内与上述连接电极的一部分接触并且隔着上述电介质层与上述共用电极部分地重叠，
在上述各像素区域中，在从上述基板的法线方向观看时，上述漏极用开口部内的上述漏极电极和上述半导体层接触的漏极接触区域既不与上述第1开口部内的上述连接电极和上述漏极电极接触的第1接触区域重叠，又不与上述第2开口部内的上述像素电极和上述连接电极接触的第2接触区域重叠，并且上述第2接触区域的整个区域与上述第1接触区域重叠，
在上述各像素区域中，在从上述基板的法线方向观看时，由上述像素电极、上述共用电极以及位于其间的上述电介质层形成的透明电容部与上述第1接触区域至少部分地重叠。
发明效果
根据本发明的一实施方式，会提供能抑制使用了像素电极和共用电极的透明辅助电容中的电极间的漏电流并且扩大透明辅助电容的面积的有源矩阵基板及其制造方法。
附图说明
图1A是示意性地示出第1实施方式的有源矩阵基板101中的1个像素区域的俯视图。
图1B是有源矩阵基板101的像素区域的沿着图1A所示的Ib-Ib’线的截面图。
图1C是有源矩阵基板101的像素区域的沿着图1A所示的Ic-Ic’线的截面图。
图2A是示意性地示出第1实施方式的有源矩阵基板102中的1个像素区域的俯视图。
图2B是有源矩阵基板102的像素区域的沿着图2A所示的IIb-IIb’线的截面图。
图3A是例示另一像素接触部的截面图。
图3B是例示再一像素接触部的截面图。
图3C是例示又一像素接触部的截面图。
图4A是示出变形例1的有源矩阵基板103的像素区域的一部分的俯视图。
图4B是有源矩阵基板103的像素区域的沿着图4A所示的IVb-IVb’线的截面图。
图5A是示出变形例2的有源矩阵基板104的像素区域的一部分的俯视图。
图5B是有源矩阵基板104的像素区域的沿着图5A所示的Vb-Vb’线的截面图。
图6A是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6B是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6C是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6D是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6E是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6F是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6G是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6H是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6I是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图6J是示出有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。
图7是使用了有源矩阵基板101的内嵌式触摸面板型液晶显示装置1000的示意图。
图8是示出比较例的像素接触部的截面图。
具体实施方式
在以往的有源矩阵基板中，通过形成像素TFT、像素接触部(像素TFT与像素电极的接触部)，有时会在其上层产生比较大的凹凸(台阶)。当在形成有这样的台阶的区域(以下称为“凹凸区域”)之上形成包括像素电极、共用电极以及位于其间的电介质的透明辅助电容时，透明辅助电容具有反映了凹凸区域的台阶的凹凸形状。因此，在透明辅助电容中，有时会由于凹凸形状而在像素电极与共用电极之间发生漏电。
特别是，在内嵌式(in-cell)触摸面板型显示装置中，在将设置于有源矩阵基板的共用电极分割为多个段并使各段作为触摸传感器用的电极发挥功能的情况下，当在一部分的段与像素电极之间发生了漏电时，在面板内的段之间共用电位有可能发生变动。其结果是，段之间的边界有时会被识别为“显示不均”的不良。
因此，在以往的有源矩阵基板中，透明辅助电容被配置在像素内的比较平坦的区域上。例如，在国际公开第2017/213173号中，公开了在共用电极中的位于像素接触部上的部分设置有开口部并在像素接触部上不形成透明辅助电容的结构。
近年来，伴随着显示面板的高清晰化，像素TFT和像素接触部等相对于像素整体的面积的比例增加，能形成透明辅助电容的平坦的区域的面积比例变小。其结果是，在以往的结构中，有时难以确保足够的辅助电容。
因此，本申请的发明人为了确保足够的辅助电容而发现了减少由像素接触部引起的凹凸，在像素接触部上也能配置透明辅助电容的结构。根据本申请发明的一实施方式，形成在像素接触部上的凹凸会减少，因此能在像素接触部上形成更平坦化的能抑制漏电的发生的透明辅助电容。通过将透明辅助电容延伸设置到像素接触部上，能使透明辅助电容的面积增加。另外，在内嵌式触摸面板型的显示装置中，通过在像素接触部上也配置触摸传感器用的电极，还能使能进行触摸检测的区域增加。
(第1实施方式)
以下，参照附图来说明第1实施方式的有源矩阵基板。在此，将在以FFS模式进行显示的内嵌式触摸面板型的液晶显示装置中使用的有源矩阵基板作为例子进行说明。此外，本实施方式的有源矩阵基板也能应用于外嵌式(on-cell)触摸面板型或不具有触摸面板功能的显示装置。
图1A是示意性地示出第1实施方式的有源矩阵基板101中的1个像素区域的俯视图。图1B和图1C分别是有源矩阵基板101的像素区域的沿着图1A所示的Ib-Ib’线和Ic-Ic’线的截面图。
有源矩阵基板101具有包含多个像素区域的显示区域。有源矩阵基板101在显示区域中具有在第1方向上延伸的多个栅极总线GL和在与第1方向交叉的第2方向上延伸的多个源极总线SL。各像素区域由栅极总线GL和源极总线SL划定。
各像素区域具有基板1、支撑于基板1的TFT20、像素电极PE、以及将TFT20和像素电极PE电连接的像素接触部22。TFT20只要与各像素区域相对应地配置即可，其一部分也可以位于像素区域的外侧。
TFT20具有半导体层7、栅极电极GE、配置在半导体层7与栅极电极GE之间的栅极绝缘层9、源极电极SE、以及漏极电极DE。源极电极SE电连接到对应的源极总线SL，栅极电极GE电连接到对应的栅极总线GL。另外，漏极电极DE在像素接触部22中电连接到对应的像素电极PE。
栅极电极GE例如可以与栅极总线GL使用相同导电膜(栅极用导电膜)形成。将包含使用栅极用导电膜形成的电极/配线的层GM称为“栅极金属层”。在图1A中，对于栅极金属层GM内的电极/配线，在附图标记之后标注了“(GM)”。栅极电极GE可以与栅极总线GL相连(一体地形成)，也可以是栅极总线GL的一部分。
源极电极SE和漏极电极DE例如可以与源极总线SL使用相同导电膜(源极用导电膜)形成。将包含使用源极用导电膜形成的电极/配线的层SM称为“源极金属层”。在图1A中，对于源极金属层SM内的电极/配线，在附图标记之后标注了“(SM)”。源极电极SE可以与源极总线SL相连(一体地形成)，也可以是源极总线SL的一部分。
在此，TFT20具有顶栅结构，栅极电极GE隔着栅极绝缘层9配置在半导体层7的一部分上。半导体层7和栅极电极GE由层间绝缘层11覆盖。源极电极SE和漏极电极DE配置在层间绝缘层11上。此外，TFT20的结构不限定于此，也可以具有底栅结构。
半导体层7包含在从基板1的法线方向观看时与栅极电极GE重叠的沟道区域以及分别配置在沟道区域的两侧的源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域是电阻率比沟道区域的电阻率小的低电阻区域。
在图示的例子中，半导体层7横穿栅极总线GL两次地延伸，半导体层7中的与栅极总线GL重叠的2个部分分别成为沟道区域(多栅极结构)。在半导体层7中的2个沟道区域的两侧分别形成有源极区域和漏极区域。另外，在位于2个沟道区域之间的部分也形成有低电阻区域。半导体层7例如是多晶硅层等结晶质硅层，源极区域和漏极区域等低电阻区域可以是以比沟道区域高的浓度包含杂质(例如n型杂质)的高浓度杂质区域。此外，TFT20也可以具有单栅极结构。
源极电极SE和漏极电极DE隔着包含层间绝缘层11的下部绝缘层10配置在半导体层7上。在该例子中，下部绝缘层10包含层间绝缘层11和栅极绝缘层9。在下部绝缘层10形成有使半导体层7的源极区域的一部分露出的源极用开口部10s和使半导体层7的漏极区域的一部分露出的漏极用开口部10d。
源极电极SE配置在层间绝缘层11上和源极用开口部10s内，在源极用开口部10s内与半导体层7的源极区域接触。漏极电极DE配置在层间绝缘层11上和漏极用开口部10d内，在漏极用开口部10d内与半导体层7的漏极区域接触。在本说明书中，将使各TFT20的源极电极SE与半导体层7电连接的部分24称为“源极接触部”，将使各TFT20的漏极电极DE与半导体层7电连接的部分26称为“漏极接触部26”。另外，将在漏极用开口部10d内漏极电极DE与半导体层7接触的区域AC称为“漏极接触区域”。
TFT20和源极金属层SM由第1绝缘层13覆盖。第1绝缘层13例如可以具有包含无机绝缘层(钝化膜)和形成在无机绝缘层上的有机绝缘层的层叠结构。此外，作为第1绝缘层13，只要形成有无机绝缘膜和有机绝缘膜中的至少一方即可。例如，也可以不形成有机绝缘层。或者，有机绝缘层也可以仅形成于显示区域。
在第1绝缘层13之上配置有多个像素电极PE。在像素接触部22中，各像素电极PE经由连接电极14电连接到对应的TFT20的漏极电极DE。
像素接触部22具有：漏极电极DE；连接电极14，其配置在形成于第1绝缘层13的第1开口部13p内，在第1开口部13p内与漏极电极DE接触；第2绝缘层16，其覆盖连接电极14；以及像素电极PE，其配置在第2绝缘层16上和形成于第2绝缘层16的第2开口部16p内，在第2开口部16p内与连接电极14接触。连接电极14也可以在各像素区域中形成为岛状。如图所示，连接电极14也可以仅配置在第1开口部13p内而不位于第1绝缘层13的上表面上。在本说明书中，将第1开口部13p内的连接电极14与漏极电极DE接触的区域TH称为“第1接触区域”，将第2开口部16p内的像素电极PE与连接电极14接触的区域SH称为“第2接触区域”。
在多个像素电极PE上设置有被施加共用信号的共用电极CE。共用电极CE隔着电介质层17配置在像素电极PE上，是与像素电极PE电分离的。虽然未图示，但是在各像素区域中，在共用电极CE设置有1个或多个狭缝或切口部。共用电极CE也可以不按每个像素区域分离。例如，共用电极CE中的位于多个像素区域中的每个像素区域的部分也可以是相连的。
在各像素区域中，像素电极PE配置为隔着电介质层17与共用电极CE至少部分地重叠，由此，形成了包含像素电极PE、共用电极CE以及位于其间的电介质(电介质层17)的透明电容部TC。在该例子中，从基板1侧起按顺序形成有像素电极PE、电介质层17以及共用电极CE。
此外，如后所述，也可以从基板1侧起按顺序形成有共用电极CE、电介质层17以及像素电极PE。在该情况下，在各像素区域中，在像素电极PE设置有1个或多个狭缝或切口部。
在有源矩阵基板101应用于具备触摸传感器功能的显示装置的情况下，共用电极CE被分割为多个段，各段也可以作为触摸传感器用的电极(称为“触摸传感器电极”。)发挥功能。触摸传感器电极可以是静电电容方式的触摸传感器的检测电极，也可以是驱动电极。各触摸传感器电极在触摸配线接触部28中电连接到对应的触摸配线TL。各触摸传感器电极也可以在形成于第2绝缘层16和电介质层17的触摸配线用开口部17q内与对应的触摸配线TL接触。也可以是，触摸配线TL配置在多个源极总线SL中的全部或一部分源极总线SL上，在从基板1的法线方向观看时以与源极总线SL重叠的方式延伸。
触摸配线TL也可以与连接电极14使用相同导电膜(连接电极用导电膜)形成。触摸配线TL与连接电极14空开间隔配置，是电分离的。将包含使用连接电极用导电膜形成的电极/配线的层PXS称为“连接金属层”。在该例子中，连接金属层PXS形成在第1绝缘层13与第2绝缘层16之间。在图1A中，对于连接金属层PXS内的电极/配线，在附图标记之后标注了“(PXS)”。
＜接触区域AC、TH、SH和透明电容部TC的配置＞
在有源矩阵基板101中，漏极接触部26配置为与像素接触部22不重叠。即，在从基板1的法线方向观看时，漏极接触区域AC与像素接触部22中的第1接触区域TH以及第2接触区域SH均不重叠。在像素接触部22，第2接触区域SH的整个区域与第1接触区域TH重叠。
如图所示，在从基板1的法线方向观看时，第1开口部13p的底面和第2开口部16p的底面均可以配置为与漏极用开口部10d的底面不重叠。另外，第2开口部16p的整个底面也可以配置为与第1开口部13p的底面重叠。
包括像素电极PE、共用电极CE以及电介质层17的透明电容部TC在从基板1的法线方向观看时与像素接触部22中的第1接触区域TH至少部分地重叠。在该例子中，透明电容部TC在从基板1的法线方向观看时与第1接触区域TH的整个区域和第2接触区域SH的整个区域重叠。另外，透明电容部TC还可以与漏极接触部26中的漏极接触区域AC的整个区域重叠。
在本实施方式中，像素接触部22的第1接触区域TH及第2接触区域SH与漏极接触部26的漏极接触区域AC配置为不重叠，因此能够减少由这些接触部产生的凹凸(台阶)。其结果是，在这些接触部之上，能配置更平坦化的透明电容部TC，能够抑制透明电容部TC中的像素电极PE与共用电极CE的漏电的发生。因此，能够扩大透明电容部TC的面积并且减少由透明电容部TC的漏电引起的显示不均。
而且，在本实施方式中，作为像素接触部22的中继层的连接电极14与构成触摸传感器的触摸配线TL使用相同导电膜形成。由此，能抑制制造工序数、制造成本并且使透明电容部TC的面积增加。
也可以是，在从基板1的法线方向观看时，像素接触部22配置在漏极接触部26与栅极总线GL之间。即，也可以是，在从基板1的法线方向观看时，在栅极总线GL与漏极接触区域AC之间配置有像素接触部22中的第1接触区域TH和第2接触区域SH。在该情况下，也可以是，漏极电极DE覆盖像素接触部22中的第1开口部13p整体和第2开口部16p整体，并且仅覆盖漏极接触部26中的漏极用开口部10d的一部分。通过这样配置漏极电极DE，能够减小漏极电极DE的沿着第2方向(源极总线SL的延伸方向)的宽度，因此能够抑制由漏极电极DE引起的像素开口率的下降。
例如可以如图1A所示，在横穿栅极总线GL延伸的半导体层7的端部附近配置漏极接触部26，以与半导体层7中的位于栅极总线GL与漏极接触部26之间的部分相邻的方式配置像素接触部22。这样，也可以在从基板1的法线方向观看时，减小漏极电极DE与半导体层7的重叠部分，将像素接触部22的一部分(例如第2接触区域SH)配置为与半导体层7不重叠。由此，例如，能将漏极电极DE配置在源极总线SL间的大致中央，并且将半导体层7配置为尽可能不探出到像素开口部。此外，如后所述，像素接触部22也可以是其整体与半导体层7重叠。
另外，在该例子中，漏极电极DE仅与半导体层7中的由漏极用开口部10d露出的区域的一部分接触。半导体层7的被露出的区域中的与漏极电极DE接触的第1部分d1位于比未与漏极电极DE接触的第2部分d2靠栅极总线GL侧(在此为像素接触部22侧)。半导体层7的第2部分d2与第1绝缘层13接触。由此，能够确保漏极电极DE与半导体层7的接触面积并且减少漏极电极DE的面积，因此能够提高像素开口率。
在以往的有源矩阵基板中，在从基板1的法线方向观看时，通过将漏极接触部与像素接触部重叠地配置，有时会减小漏极电极的尺寸。在该情况下，在这些接触部上，通过使漏极接触部和像素接触部的开口部重叠，会形成比较大的台阶(凹部)。与此相对，在图1A所示的例子中，将像素接触部22和漏极接触部26配置为相互不重叠，因此能够减少形成在各接触部22、26上的台阶，另外，如上所述，通过以仅覆盖漏极接触部26的漏极用开口部10d的一部分的方式配置漏极电极DE，能够减小漏极电极DE的面积，能够抑制像素开口部的下降。
此外，如图2A和图2B所例示，也可以配置为，在从基板1的法线方向观看时，漏极电极DE的一部分(端部)与栅极总线GL重叠。由此，能够进一步抑制由漏极电极DE引起的像素开口率的下降。
在本实施方式的像素接触部22中，也可以是，在从基板1的法线方向观看时，第1绝缘层13中的第1开口部13p的整个底面与漏极电极DE的上表面重叠。另外，也可以是，在从基板1的法线方向观看时，第2绝缘层16中的第2开口部16p的整个底面与连接电极14的上表面重叠。由此，能够更有效地减少由像素接触部22引起的凹凸。以下，参照附图说明其理由。
图3A是例示本实施方式的另一像素接触部22的截面图。在图3A所示的例子中，第1绝缘层13中的第1开口部13p的底面在从基板1的法线方向观看时不仅与漏极电极DE的上表面重叠，还与漏极电极DE的侧面(锥形部分)和下部绝缘层10中的未由漏极电极DE覆盖的部分重叠。因此，有时会在连接电极14产生与漏极电极DE的厚度相应的台阶。该台阶、漏极电极DE的锥形形状也被反映到上层，在透明电容部TC产生台阶51，有可能易于在透明电容部的像素电极与共用电极之间发生漏电。
对此，在图1B所示的像素接触部22中，在从基板1的法线方向观看时，第1绝缘层13中的第1开口部13p的整个底面与漏极电极DE的上表面重叠。即，通过第1开口部13p仅露出漏极电极DE的上表面，漏极电极DE的侧面(锥形部分)和下部绝缘层10的上表面均不露出。在该构成中，在连接电极14和透明电容部TC不产生由漏极电极DE的厚度引起的台阶，因此能够更有效地减少形成在像素接触部22上的凹凸。
图3B是例示本实施方式的再一像素接触部22的截面图。在图3B所示的例子中，在从基板1的法线方向观看时，第2绝缘层16中的第2开口部16p的底面不仅与连接电极14的上表面重叠，还与连接电极14的侧面(锥形部分)和第1绝缘层13中的未由连接电极14覆盖的部分重叠。因此，在透明电容部TC可能产生与由于连接电极14的厚度、过蚀刻而在第1绝缘层13产生的凹部相应的台阶52。在该台阶52上，有时在透明电容部TC的像素电极PE与共用电极CE之间易于发生漏电。
对此，在图1B所示的像素接触部22中，在从基板1的法线方向观看时，第2绝缘层16中的第2开口部16p的整个底面与连接电极14的上表面重叠。即，通过第2开口部16p仅露出连接电极14的上表面，连接电极14的侧面(锥形部分)和第1绝缘层13均不露出。根据该构成，在像素电极PE不产生由连接电极14的厚度、第1绝缘层13的凹部引起的台阶，因此能够更有效地减少形成在像素接触部22上的凹凸。
在本实施方式中，在从基板1的法线方向观看时，第1接触区域TH和/或第2接触区域SH只要与漏极接触区域AC(漏极用开口部10d的底面)不重叠即可，也可以与漏极用开口部10d的侧面(锥形部分)部分地重叠。不过，当第1接触区域TH(第1开口部13p的底面)和第2接触区域SH(第2开口部16p的底面)配置为与漏极用开口部10d的侧面和底面中的任何一个面不重叠时，能够更可靠地减少像素接触部22上的凹凸。以下，参照附图进行说明。
图3C是示出本实施方式的又一像素接触部22的截面图，图8是示出比较例的像素接触部22的截面图。
在图8所示的比较例中，在从基板1的法线方向观看时，第1接触区域TH(第1开口部13p的底面)与漏极用开口部10d的底面及侧面重叠。因此，在连接电极14产生了与形成于下部绝缘层10的漏极用开口部10d的深度相应的台阶。另外，第2接触区域SH(第2开口部16p的底面)与漏极用开口部10d的侧面重叠，根据重叠的部分的深度，可能在透明电容部TC产生台阶53。
对此，在图3C所示的例子中，在从基板1的法线方向观看时，第1开口部13p的底面和第2开口部16p的底面均配置为与漏极用开口部10d的侧面和底面中的任何一个面不重叠。由此，能够更有效地抑制在像素接触部22上产生由漏极用开口部10d引起的凹凸。
(变形例1)
在有源矩阵基板101、102中，像素电极PE配置在比共用电极CE靠基板1侧，但也可以是共用电极CE配置在比像素电极PE靠基板1侧。
图4A是示出变形例1的有源矩阵基板103的像素区域的一部分的俯视图，图4B是有源矩阵基板103的像素区域的沿着图4A所示的IVb-IVb’线的截面图。
有源矩阵基板103在共用电极CE配置在比像素电极PE靠基板1侧这一点上与有源矩阵基板101不同。以下，说明与有源矩阵基板101的不同点，对于同样的构成省略说明。
在有源矩阵基板103中，与有源矩阵基板101同样，在基板1上按顺序形成有半导体层7、下部绝缘层10、包含源极电极SE和漏极电极DE的源极金属层SM、第1绝缘层13、以及包含连接电极14和触摸配线TL的连接金属层PXS。
在第2绝缘层16上设置有按顺序包含共用电极CE、电介质层17以及像素电极PE的透明电容部TC。在本变形例中，共用电极CE在像素接触部22的一部分上具有开口部15p。
在像素接触部22中，像素电极PE配置在电介质层17上、形成于电介质层17的第3开口部17p内以及形成于第2绝缘层16的第2开口部16p内，在第2开口部16p内与连接电极14接触(第2接触区域SH)。在从基板1的法线方向观看时，第2开口部16p和第3开口部17p位于共用电极CE的开口部15p的内部。即，第2接触区域SH位于开口部15p的内部。第2开口部16p和第3开口部17p可以通过使用了相同掩模的蚀刻来形成，在该情况下，第2开口部16p的侧面与第3开口部17p的侧面对齐。
在本变形例中，在从基板1的法线方向观看时，共用电极CE的开口部15p配置为与第2接触区域SH的整个区域重叠并且与第1接触区域TH部分地重叠。在第1接触区域TH中的与开口部15p不重叠的部分上，延伸设置有包括共用电极CE、像素电极PE以及第2绝缘层16的透明电容部TC。
在本变形例中，在从基板1的法线方向观看时，也是漏极接触区域AC既不与第1接触区域TH重叠，又不与第2接触区域SH重叠，并且第2接触区域SH的整个区域与第1接触区域TH重叠。通过这样的配置，减少了像素接触部22上的凹凸，因此即使将透明电容部TC也配置在第1接触区域TH的一部分上，也能够抑制在透明电容部TC发生漏电。因此，通过在第1接触区域TH的一部分上延伸设置透明电容部TC，能抑制透明电容部TC的漏电并且扩大透明电容部TC的面积。
(变形例2)
图5A是示出变形例的有源矩阵基板104的像素区域的一部分的俯视图，图5B是有源矩阵基板104的像素区域的沿着图5A所示的Vb-Vb’线的截面图。
如图所示，像素接触部22中的第1接触区域TH的整个区域和第2接触区域SH的整个区域也可以配置为在从基板1的法线方向观看时与半导体层7重叠。
在本变形例中，也可以是，在从基板1的法线方向观看时，第1接触区域TH和第2接触区域SH在TFT20的沟道长度方向上位于半导体层7的沟道区域7c与漏极接触区域AC之间。在该情况下，漏极电极DE也可以仅覆盖漏极用开口部10d的一部分。由此，能够减少在透明电容部TC产生的凹凸并且抑制由漏极电极DE引起的像素开口率的下降。
此外，在该例子中，TFT20具有单栅极结构，但是也可以具有多栅极结构。
(有源矩阵基板的制造方法)
以下，参照附图来说明本实施方式的有源矩阵基板的制造方法。
图6A～图6J是用于说明有源矩阵基板101的制造方法的工序截面图。在此，示出各像素区域中的形成TFT的区域(TFT形成区域)。
首先，如图6A所示，在基板1上形成结晶质半导体膜，进行结晶质半导体膜的图案化，从而形成半导体层7。也可以在基板1与半导体层7之间形成基底绝缘膜。
作为基板1，能够使用透明且具有绝缘性的基板，例如玻璃基板、硅基板、具有耐热性的塑料基板(树脂基板)等。
结晶质半导体膜能通过使形成在基板1上的非晶质半导体膜(厚度：例如20nm以上100nm以下)结晶化而形成。作为非晶质半导体膜，使用等离子体CVD法、溅射法等公知的方法，形成例如具有非晶质结构的硅膜(a-Si膜)。之后，也可以进行用于使非晶质半导体膜脱氢的热处理(脱氢退火)。接着，例如用激光照射非晶质半导体膜，从而使非晶质半导体膜结晶化。由此，得到结晶质半导体膜(在此为结晶质Si膜)。之后，进行结晶质半导体膜的图案化，得到半导体层7。
接下来，如图6B所示，形成覆盖半导体层7的栅极绝缘层9(厚度：例如20～150nm)。在此，作为栅极绝缘层9，例如，通过等离子体CVD法形成氧化硅膜。
之后，如图6C所示，在栅极绝缘层9上形成包含栅极电极GE和栅极总线GL(未图示)的栅极金属层GM。栅极电极GE配置为在从基板1的法线方向观看时与成为半导体层7的沟道区域的部分重叠。栅极电极GE也可以与对应的栅极总线GL相连。例如栅极电极GE也可以是栅极总线GL的一部分。在形成栅极电极GE后，向半导体层7注入杂质(例如磷等n型杂质)，接着，进行用于使进行了离子注入后的杂质活性化的加热处理(活性化处理)。由此，在半导体层7中的位于沟道区域的两侧的部分适当形成作为高浓度杂质区域的源极区域和漏极区域。能选择杂质的种类、浓度等以得到希望的TFT结构和特性。也可以在高浓度杂质区域与沟道区域之间形成LDD(Lightly Doped Drain：轻掺杂漏极)区域。
接下来，如图6D所示，形成层间绝缘层11(厚度：例如400～1000nm)。在此，作为层间绝缘层11，形成将氮化硅膜(厚度：160nm)作为下层且将氧化硅膜(厚度：680nm)作为上层的层叠膜。之后，例如，在氮气氛或氢混合气氛下进行350～450℃的退火，进行半导体层7的氢化，实现结晶缺陷的减少。
接着，在覆盖半导体层7的绝缘层(下部绝缘层)10设置使半导体层7的源极区域露出的源极用开口部(未图示)和使漏极区域露出的漏极用开口部10d。在该例子中，下部绝缘层10包含层间绝缘层11和栅极绝缘层9。
之后，如图6E所示，在层间绝缘层11上、源极用开口部内以及漏极用开口部10d内形成源极用导电膜并将其图案化，从而得到包含漏极电极DE、未图示的源极电极和源极总线的源极金属层SM。
源极电极在源极用开口部内与半导体层7的源极区域接触。源极电极也可以与对应的源极总线相连。例如也可以是源极总线的一部分。漏极电极DE配置为在漏极用开口部10d内与半导体层7的漏极区域接触。也可以将漏极电极DE配置为仅与半导体层7的露出部分的一部分接触。
源极用电极膜的材料不作特别限定，能够适当使用包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铜(Cu)、铬(Cr)、钛(Ti)等金属或其合金或其金属氮化物的膜。
接下来，如图6F所示，形成覆盖源极金属层SM的第1绝缘层13。然后，在第1绝缘层13形成使漏极电极DE的一部分露出的第1开口部13p。第1开口部13p配置为与漏极用开口部10d的底面不重叠。第1开口部13p也可以配置为与漏极用开口部10d的底面和侧面均不重叠。
作为第1绝缘层13，也可以按顺序形成无机绝缘层(厚度：例如100nm以上500nm以下)和有机绝缘层(厚度：例如1～3μm，优选为2～3μm)。无机绝缘层可以是氧化硅(SiOx)层、氮化硅(SiNx)层或氧氮化硅(SiNxOy)层。有机绝缘层例如可以是包含感光性树脂材料的有机绝缘膜(例如丙烯酸系树脂膜)。之后，进行有机绝缘层的图案化，在有机绝缘层形成开口部。也可以将有机绝缘层中的位于非显示区域的部分除去。
接着，如图6G所示，在第1绝缘层13上和第1开口部13p内形成连接电极用导电膜(厚度：例如50～500nm)并将其图案化，从而形成包含连接电极14和触摸配线TL的连接金属层PXS。
在将有源矩阵基板101应用于不具有触摸传感器功能的显示装置的情况下，也可以在连接金属层PXS内形成用于辅助共用电极CE的辅助配线来代替触摸配线。另外，虽然未图示，但是在有源矩阵基板101的非显示区域中，也可以将形成在连接金属层PXS内的连接部用于连接不同的金属层内的配线彼此的配线连接部、端子部等。
作为连接电极用导电膜，能够采用使用由栅极用导电膜或源极用导电膜例示的材料的导电膜。在此，例如通过溅射法形成Al膜。连接电极用导电膜可以是单层膜也可以是层叠膜。此外，例如在不使用连接用导电膜形成触摸配线等低电阻配线的情况下，连接用导电膜也可以是金属氧化物膜等透明导电膜。
之后，如图6H所示，以覆盖连接金属层PXS的方式形成第2绝缘层16，并进行第2绝缘层16的图案化，从而形成使连接电极14的一部分露出的第2开口部16p。作为第2绝缘层16，例如通过CVD法形成氮化硅膜(厚度：50nm以上400nm以下)。在此，第2开口部16p配置为在第1开口部13p内与漏极用开口部10d的底面及侧面不重叠。
然后，在第2绝缘层16上和第2开口部16p内形成第1透明导电膜(厚度：20～300nm)，并进行图案化。作为第1透明导电膜的材料，能够使用铟-锡氧化物(ITO)、铟-锌氧化物、ZnO等金属氧化物。由此，如图6I所示，得到位于第2绝缘层16上和第2开口部16p内且在第2开口部16p内与连接电极14接触的像素电极PE。
然后，如图6J所示，在以覆盖像素电极PE的方式形成电介质层(厚度：50～500nm)17后，在电介质层17上形成共用电极CE。这样，制造有源矩阵基板101。
作为电介质层17，例如通过CVD法形成氮化硅膜(厚度：50nm以上500nm以下)。
共用电极CE能通过在电介质层17上形成第2透明导电膜(厚度：20～300nm)并将其图案化而形成。作为第2透明导电膜，也可以使用由第1透明导电膜例示的材料。在该例子中，共用电极CE配置为覆盖像素接触部的整体和漏极接触部26的整体。在各像素区域中，在共用电极CE设置有狭缝或切口部。
共用电极CE也可以由狭缝分割为多个段。各段例如具有与多个像素区域对应的尺寸，能用作触摸传感器用的电极。
在上述记载中，以有源矩阵基板101的制造方法为例进行了说明，但是有源矩阵基板102～104也能用与有源矩阵基板101同样的方法来制造。在制造有源矩阵基板103时，也可以在以覆盖连接电极14的方式形成第2绝缘层16后，进行第2绝缘层16的图案化前，在第2绝缘层16上形成具有开口部15p的共用电极CE。之后，以覆盖共用电极CE和第2绝缘层16的方式形成电介质层17。接着，同时(使用相同的掩模)进行第2绝缘层16和电介质层17的蚀刻，从而在共用电极CE的开口部15p内形成第2开口部16p和第3开口部17p。然后，在电介质层17上、第3开口部17p内以及第2开口部16p内形成像素电极PE。这样，通过将第2绝缘层16和电介质层17同时图案化，能够抑制光掩模的个数的增加。
此外，在上述记载中，作为TFT20，说明了使用结晶质硅TFT的例子，但是TFT20也可以是微晶硅TFT、非晶硅TFT等其它硅半导体TFT。或者，也可以是将In-Ga-Zn-O系半导体层等氧化物半导体层作为活性层的氧化物半导体TFT。另外，TFT20不限于顶栅型TFT，也可以是底栅型TFT。
＜显示装置的构成＞
然后，参照附图更具体地说明具备有源矩阵基板101的显示装置的一例。
以下，将以FFS模式进行显示的内嵌式触摸面板型的液晶显示装置作为例子进行说明。不过，液晶显示装置的显示模式不作特别限定。另外，液晶显示装置也可以不是内嵌式触摸面板型。
图7是示出本实施方式的内嵌式触摸面板型液晶显示装置1000(以下称为“显示装置”)的图。
显示装置1000具备：有源矩阵基板101；相对基板200，其配置在有源矩阵基板101的观察者侧；以及液晶层300，其设置在有源矩阵基板101与相对基板200之间。
如前所述，有源矩阵基板101具备：按每个像素区域配置的TFT和像素电极PE；以及与像素电极PE隔着电介质层配置的共用电极CE。共用电极CE被分离为多个段。各段也作为第1触摸传感器电极140发挥功能。第1触摸传感器电极140各自例如形成于包含多个像素电极PE的区域。各第1触摸传感器电极140与相邻的第1触摸传感器电极被狭缝分割开。
各第1触摸传感器电极140连接到构成触摸传感器的触摸配线TL。触摸配线TL可以是以从基板1的法线方向观看与源极总线SL重叠的方式延伸。
相对基板200具备基板201和彩色滤光片层203。在彩色滤光片层203的液晶层300侧，设置有第2触摸传感器电极205。第1触摸传感器电极140和第2触摸传感器电极205中的一方是触摸传感器的驱动电极，另一方是检测电极。
也可以是，在从显示装置1000的法线方向观看时，触摸传感器的驱动电极在x方向上延伸，检测电极在与x方向交叉的y方向上延伸。这些电极的交叉的部分分别为触摸检测单位TU。各触摸检测单位TU例如可以与2个以上的像素(未图示)对应地配置。
另外，显示装置1000具备：栅极驱动器41，其经由栅极总线GL向设置于像素区域的TFT20供应扫描信号；源极驱动器43，其经由源极总线SL向TFT20供应像素信号；驱动电极驱动器45，其向触摸传感器的驱动电极供应驱动信号；以及触摸检测部47，其接收从触摸传感器的检测电极供应的信号来检测触摸。此外，在本说明书中，有时也指不具备这些电路41、43、45、47中的至少1个并且经由液晶层300将有源矩阵基板101与相对基板200贴合的构成，并称之为内嵌式触摸面板型显示装置。
此外，内嵌式触摸面板型显示装置的构成、驱动方法等公开于例如本申请的申请人的国际公开第2015/059995号。为了参考，将国际公开第2015/059995号的公开内容全部援引到本说明书中。
本实施方式的有源矩阵基板也能应用于不具备触摸传感器功能的显示装置。在有源矩阵基板设置用于辅助共用电极CE的低电阻的金属辅助配线的情况下，连接电极14也可以与金属辅助配线由相同金属膜形成。
本发明的实施方式广泛应用于具备有源矩阵基板的各种液晶显示装置、内嵌式触摸面板型的显示装置、图像传感装置等摄像装置、图像输入装置、指纹读取装置等电子装置等。

Claims (15)

1.一种有源矩阵基板，
具有包含多个像素区域的显示区域，
具备：
基板；
薄膜晶体管，其支撑于上述基板，并且与各像素区域相对应地配置；
像素电极，其在上述各像素区域中配置在上述薄膜晶体管的上方；
像素接触部，其在上述各像素区域中将上述像素电极电连接到上述薄膜晶体管；以及
共用电极，其以隔着电介质层与上述各像素区域的上述像素电极至少部分地重叠的方式配置在上述薄膜晶体管的上方，并且与上述像素电极电分离，
上述有源矩阵基板的特征在于，
上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、配置在上述半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层、源极电极以及漏极电极，上述漏极电极隔着下部绝缘层配置在上述半导体层上，并且在形成于上述下部绝缘层的漏极用开口部内与上述半导体层的一部分接触，
上述各像素区域的上述像素接触部具有：
上述漏极电极；
第1绝缘层，其覆盖上述漏极电极；
连接电极，其在形成于上述第1绝缘层的第1开口部内与上述漏极电极接触；
第2绝缘层，其覆盖上述连接电极；以及
上述像素电极，其在形成于上述第2绝缘层的第2开口部内与上述连接电极接触，
在上述第2绝缘层上形成有包含上述像素电极、上述共用电极以及位于其间的上述电介质层的透明电容部，
在从上述基板的法线方向观看时，在上述各像素区域中，
上述漏极用开口部内的上述漏极电极和上述半导体层接触的漏极接触区域既不与上述第1开口部内的上述连接电极和上述漏极电极接触的第1接触区域重叠，又不与上述第2开口部内的上述像素电极和上述连接电极接触的第2接触区域重叠，
上述第2接触区域的整个区域与上述第1接触区域重叠，并且
上述透明电容部与上述第1接触区域至少部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述有源矩阵基板具备：多个栅极总线，其在第1方向上延伸；以及多个源极总线，其在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸，
在上述各像素区域中，上述薄膜晶体管的上述栅极电极电连接到上述多个栅极总线中的对应的1个栅极总线，上述源极电极电连接到上述多个源极总线中的对应的1个源极总线，
在从上述基板的法线方向观看时，在上述对应的1个栅极总线与上述漏极接触区域之间配置有上述像素接触部中的上述第1接触区域和上述第2接触区域。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，在从上述基板的法线方向观看时，上述漏极电极仅覆盖上述漏极用开口部的一部分，
上述半导体层中的由上述漏极用开口部露出的部分包含与上述漏极电极接触的第1部分以及与上述第1绝缘层接触的第2部分，上述第1部分位于比上述第2部分靠上述像素接触部侧。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，上述像素电极位于比上述共用电极靠上述基板侧，在从上述基板的法线方向观看时，上述透明电容部与上述像素接触部中的上述第1接触区域的整个区域以及上述第2接触区域的整个区域重叠。
5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，上述共用电极位于比上述像素电极靠上述基板侧，在从上述基板的法线方向观看时，上述透明电容部与上述像素接触部中的上述第1接触区域部分地重叠，并且与上述第2接触区域不重叠。
6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素接触部中，在从上述基板的法线方向观看时，上述第1绝缘层中的上述第1开口部的整个底面与上述漏极电极的上表面重叠。
7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素接触部中，在从上述基板的法线方向观看时，上述第2绝缘层中的上述第2开口部的整个底面与上述连接电极的上表面重叠。
8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述各像素接触部的上述第1接触区域在从上述基板的法线方向观看时与上述漏极用开口部的底面及侧面均不重叠。
9.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
上述共用电极被分割为多个段，各段作为触摸传感器用的电极发挥功能。
10.根据权利要求9所述的有源矩阵基板，
还具备配置在上述第1绝缘层上的多个触摸配线，上述多个触摸配线各自电连接到上述多个段中的对应的段，
上述各像素接触部中的上述连接电极是与上述多个触摸配线使用相同导电膜形成的，并且是与上述多个触摸配线电分离的。
11.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在从上述基板的法线方向观看时，上述栅极电极与上述漏极电极不重叠。
12.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在从上述基板的法线方向观看时，上述栅极电极与上述漏极电极至少部分地重叠。
13.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在从上述基板的法线方向观看时，上述第1开口部的底面和上述第2开口部的底面均与上述漏极用开口部的底面不重叠。
14.一种内嵌式触摸面板型显示装置，其特征在于，具备权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板。
15.一种有源矩阵基板的制造方法，上述有源矩阵基板具有多个像素区域，具备：与各像素区域相对应的薄膜晶体管和像素电极；以及将上述各像素区域的上述薄膜晶体管和上述像素电极电连接的像素接触部，
上述有源矩阵基板的制造方法的特征在于，包含：
工序(A)，在上述各像素区域中的形成上述薄膜晶体管的TFT形成区域中，在基板上形成作为上述薄膜晶体管的活性层的半导体层；
工序(B)，形成覆盖上述半导体层的下部绝缘层，在上述各TFT形成区域中，在上述下部绝缘层形成使上述半导体层的一部分露出的漏极用开口部和使上述半导体层的另一部分露出的源极用开口部；
工序(C)，在上述各TFT形成区域中，在上述下部绝缘层上和上述漏极用开口部内，形成与上述半导体层的上述一部分接触的漏极电极，在上述下部绝缘层上和上述源极用开口部内，形成与上述半导体层的上述另一部分接触的源极电极，从而得到上述薄膜晶体管；
工序(D)，形成覆盖上述漏极电极和上述源极电极的第1绝缘层，在上述各像素区域中的形成上述像素接触部的像素接触部形成区域中，在上述第1绝缘层形成使上述漏极电极的一部分露出的第1开口部；
工序(E)，在上述各像素接触部形成区域中，形成在上述第1开口部内与上述漏极电极的上述一部分接触的连接电极；
工序(F)，在上述各像素接触部形成区域中，形成覆盖上述连接电极的第2绝缘层，在上述第2绝缘层形成使上述连接电极的一部分露出的第2开口部；以及
工序(G)，在上述各像素区域中，在上述第2绝缘层之上形成上述像素电极、共用电极以及电介质层，其中上述像素电极配置为在上述第2开口部内与上述连接电极的一部分接触并且隔着上述电介质层与上述共用电极部分地重叠，
在上述各像素区域中，在从上述基板的法线方向观看时，上述漏极用开口部内的上述漏极电极和上述半导体层接触的漏极接触区域既不与上述第1开口部内的上述连接电极和上述漏极电极接触的第1接触区域重叠，又不与上述第2开口部内的上述像素电极和上述连接电极接触的第2接触区域重叠，并且上述第2接触区域的整个区域与上述第1接触区域重叠，
在上述各像素区域中，在从上述基板的法线方向观看时，由上述像素电极、上述共用电极以及位于其间的上述电介质层形成的透明电容部与上述第1接触区域至少部分地重叠。
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