CN112710436B - 一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器，涉及太阳能光伏技术领域，用于对单晶炉的副室进行检漏，包括关闭主室和副室之间连接的隔离阀，隔离主室和副室，调节副室的气压至第一预设真空度，提供检漏隔离器，利用检漏隔离器密封气压处于第一预设真空度的副室，利用检漏仪对密封后的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。通过检漏隔离器密封副室的底部接口，可以单独密封副室，以使用检漏仪对副室进行检漏，从而可以快速确定泄露位置，提高检漏效率，避免单晶硅质量下降和生产效率降低的问题。

Description

一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器。

背景技术

单晶硅作为太阳能光伏产业中的主要材料，通常采用单晶炉，通过直拉法生产。单晶炉主要由提拉头、副室、隔离阀和主室，以及各零部件组成。在单晶硅生产过程中，需要保持单晶炉的炉体密封(炉体包括主室和副室，主室和副室通过隔离阀连通)，并维持炉体内真空度不低于10托。

由于单晶炉副室安装有观察窗、顶部盲板、副室门和提拉头等活动部件。活动部件经过长期使用后，由于疲劳和磨损等因素，会导致炉体密封不严，引发泄漏。泄漏会使空气进入炉体，引发单晶硅的质量下降、晶体生长困难等问题。因此，需要找出副室的泄漏位置并进行维修。

目前，在生产过程中，单晶炉发生泄露，需要检漏维修时，通过隔离阀隔离主室和副室，保持主室内的条件不变，以保护主室内融化的多晶硅熔体，单独的对副室进行检漏。由于主室和副室之间压差较大，主室内的气体在较大压差下容易通过隔离阀进入副室，使副室内的压力升高，达不到检漏仪的检漏要求，难以使用检漏仪对副室进行检漏，只能采用人工的方式进行检漏，发现并修复泄露位置。人工检漏并不能快速准确的发现泄露位置，检漏效率低下，并且难以检测出泄露很小的部位。在无法确定泄露位置的情况下，只能在泄露条件下生产，得到质量较低的单晶硅；或者长时间停炉处理，直至发现并修复泄露位置，降低了生产效率。

发明内容

本发明提供一种单晶炉检漏方法和检漏隔离器，旨在提高生产过程中单晶炉副室的检漏效率。

第一方面，本发明实施例提供了一种单晶炉检漏方法，包括：

提供单晶炉，所述单晶炉包括主室、副室及隔离阀，关闭所述隔离阀，利用所述隔离阀隔离所述主室和所述副室；

调节所述副室的气压至第一预设真空度；

提供检漏隔离器，利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室；

提供检漏仪，利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。

可选的，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室之前，还包括：

提升气压处于所述第一预设真空度的所述副室，使所述副室与所述隔离阀分离；以及，

移动分离后的所述副室，使分离后的所述副室远离所述隔离阀。

可选的，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室，包括：

将所述检漏隔离器设置在所述隔离阀与所述副室之间；

使分离后的所述副室的底部接口与所述检漏隔离器连接，以密封分离后的所述副室的底部接口。

可选的，所述利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置，包括：

调节密封后的所述副室的气压至第二预设真空度；

利用所述检漏仪对气压处于所述第二预设真空度的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。

可选的，所述确定所述副室的泄露位置之后，还包括：

对所述泄露位置进行维修；

对维修后所述泄露位置进行检漏，确定维修后的所述泄露位置是否存在泄漏；

若确定维修后的所述泄露位置存在泄漏，则重复执行对所述泄露位置进行维修、以及对维修后的所述泄露位置进行检漏的步骤，直至所述泄露位置不存在泄漏。

可选的，还包括：若确定维修后的所述泄露位置不存在泄漏，则移除所述检漏隔离器，并连接不存在所述泄露位置的所述副室和所述主室；打开所述隔离阀，使所述主室和所述副室连通。

第二方面，本发明实施例提供了一种检漏隔离器，所述检漏隔离器用于对单晶炉的副室进行检漏，所述单晶炉包括主室、副室、以及位于所述主室和所述副室之间的隔离阀，所述检漏隔离器具有相对的第一表面和第二表面，所述检漏隔离器在靠近所述第一表面的一侧具有第一接口，所述第一接口用于连接并密封所述副室的底部接口。

可选的，所述检漏隔离器还包括隔离腔和第二接口，所述隔离腔位于所述第一表面和所述第二表面之间，所述隔离腔与所述第一接口相连通，所述第二接口的第一端连接所述隔离腔，所述第二接口的第二端用于连接所述检漏隔离器和/或所述副室外部。

可选的，所述第二接口的第二端设置有连接检漏仪的检漏仪接头。

可选的，所述检漏隔离器的第二表面具有凹槽结构，所述凹槽结构用于安装缓冲件。

在本发明实施例中，单晶炉检漏方法用于对生产过程中的单晶炉的副室进行检漏，在检漏过程中，关闭主室和副室之间连接的隔离阀，隔离主室和副室，调节副室的气压至第一预设真空度，利用检漏隔离器密封气压处于第一预设真空度的副室，利用检漏仪对密封后的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。在检漏过程中，通过检漏隔离器密封副室的底部接口，可以避免使用隔离阀隔离主室和副室时，主室内的气体进入副室，使副室内的压力难以达到检漏仪的检漏要求，从而导致无法使用检漏仪对副室进行检漏的问题。进一步的，通过检漏仪对副室进行检漏，可以快速准确的发现泄露位置，提高检漏效率，从而避免人工无法快速确定泄露位置时，在泄露条件下继续生产导致的单晶硅质量下降的问题。并且由于本实施例可以快速准确的发现泄露位置，因此可以解决现有技术中长时间停炉检漏，导致生产效率降低的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本发明实施例一中的一种单晶炉检漏方法的步骤流程图；

图2示出了本发明实施例一中的一种单晶炉的结构示意图；

图3示出了本发明实施例一中的一种检漏隔离器密封副室底部接口的示意图；

图4示出了本发明实施例二中的一种单晶炉检漏方法的步骤流程图；

图5示出了本发明实施例二中的一种检漏隔离器的结构示意图；

图6示出了本发明实施例一中图3中A位置的局部剖视图；

图7示出了本发明实施例二中的一种检漏隔离器的剖视图。

附图标记说明：

201-主室，202-副室，2021-底部接口，203-隔离阀，204-检漏隔离器，2041-第一接口，2042-隔离腔，2043-第二接口，2044-凹槽结构，2045-缓冲件。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

参照图1，图1示出了本发明实施例一中的一种单晶炉检漏方法的步骤流程图，该方法用于对生产过程中的单晶炉的副室进行检漏，该方法可以包括：

步骤101，提供单晶炉，单晶炉包括主室、副室及隔离阀，关闭隔离阀，利用隔离阀隔离主室和副室。

参见图2，图2示出了本发明实施例一中的一种单晶炉的结构示意图，如图2所示，本实施例中提供的单晶炉的炉体可以包括主室201、副室202、连接主室201和副室202的隔离阀203，在主室201内放置坩埚、导流筒和加热装置等部件。主室201与副室202之间连通，并且在需要的时候通过隔离阀203将主室201和副室202分隔开。在单晶硅的生产过程中，炉体内部充入保护气体(例如氩气)，并保持高温、维持真空度在10托左右。实际使用时，单晶炉的具体结构，生产过程中单晶炉内的温度和压力等参数可以根据需求进行设置，本实施例对此不做限制。

本实施例中，在生产过程中，若发现单晶炉存在泄漏，可以关闭连接主室201与副室202的隔离阀203，利用隔离阀203隔离主室201和副室202。隔离后，可以维持主室201内的温度和压力不变，以保护主室201中的多晶硅熔体。在隔离后，可以开始对副室202进行单独检漏。

实际使用时，隔离阀的具体结构，以及关闭隔离阀，隔离主室和副室的过程可参考现有技术，本实施例对此不做限制。

步骤102，调节副室的气压至第一预设真空度。

本实施例中，第一预设真空度是可以使副室202与隔离阀203安全分离的压力值。具体的，第一预设真空度可以为标准大气压。结合步骤101，在生产过程中，单晶炉主室201和副室202内的真空度维持在10托左右。在隔离主室201和副室202后，副室202内真空度维持在10托左右，难以使副室202与隔离阀203安全分离。此时，可以向副室202内充入气体，调节副室202内的压力达到第一预设真空度，以分离副室202和隔离阀203，对副室202进行单独密封。例如，在隔离主室201和副室202后，可以向副室202内冲入氩气，调节副室202内的压力值达到标准大气压力(第一预设真空度)，分离副室202和隔离阀203后，单独对副室202进行密封。

实际使用时，向副室充入气体的种类，以及第一预设真空度的具体数值，可以根据需求设置，本实施例对此不做限制。

步骤103，提供检漏隔离器，利用检漏隔离器密封气压处于第一预设真空度的副室。

本实施例中，在副室202的气压至第一预设真空度，分离副室202与隔离阀203后，可以使用检漏隔离器204密封副室202的底部接口2021。参照图3，图3示出了本发明实施例一中的一种检漏隔离器密封副室底部接口的结构示意图，如图3所示，可以将检漏隔离器204置于分离后的副室202与隔离阀203之间，使用检漏隔离器204密封副室202的底部接口2021，使副室202达到密封状态，以对副室202进行单独检漏。

步骤104，提供检漏仪，利用检漏仪对密封后的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。

本实施例中，在利用检漏隔离器密封副室的底部接口后，主室201内的气体并不能进入副室202，实现了副室202的单独密封，因此可以利用检漏仪对密封后的副室202进行单独检漏，以确定副室202存在的泄露位置。

例如，在密封副室202后，可以将氦质谱检漏仪的检测端口通过副室上安装的观察窗等接入副室202，同时在副室202的外表面上可能存在泄漏的位置喷吹检测气体，通过检漏仪检测副室202内是否进入检测气体，当副室202内进入检测气体时，可以确定喷吹检测气体的位置存在泄漏。

实际使用时，使用检漏仪对副室202进行检漏的过程，可参考现有技术中使用检漏仪对密封容器进行检漏的方法，本实施例对此不做限制。

在本发明实施例中，单晶炉检漏方法用于对生产过程中的单晶炉的副室进行检漏，在检漏过程中，关闭主室和副室之间连接的隔离阀，隔离主室和副室，调节副室的气压至第一预设真空度，利用检漏隔离器密封气压处于第一预设真空度的副室，利用检漏仪对密封后的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。在检漏过程中，使用检漏隔离器密封副室的底部接口，可以避免使用隔离阀隔离主室和副室时，主室内的气体进入副室，使副室内的压力难以达到检漏仪的检漏要求，从而导致无法使用检漏仪对副室进行检漏的问题。进一步的，通过检漏仪对副室进行检漏，可以快速准确的发现泄露位置，提高检漏效率，从而避免人工无法快速确定泄露位置时，在泄露条件下继续生产导致的单晶硅质量下降的问题。并且由于本实施例可以快速准确的发现泄露位置，因此可以解决现有技术中长时间停炉检漏，导致生产效率低的问题。

实施例二

参照图4，图4示出了本发明实施例二中的一种单晶炉检漏方法的步骤流程图，该方法用于对生产过程中的单晶炉的副室进行检漏，该方法可以包括：

步骤401，提供单晶炉，单晶炉包括主室、副室及隔离阀，关闭隔离阀，利用隔离阀隔离主室和副室。

本实施例中，关闭主室和副室之间连接的隔离阀，以隔离主室和副室的步骤可参考步骤101，本实施例在此不做赘述。

步骤402，调节副室的气压至第一预设真空度。

本实施例中，调节副室的气压至第一预设真空度的过程可参考步骤102，本实施例在此不做赘述。

步骤403，提升气压处于第一预设真空度的副室，使副室与隔离阀分离，移动分离后的副室，使分离后的副室远离隔离阀。

本实施例中，在副室202内的压力达到第一预设真空度时，可以分离副室202和隔离阀203，然后移动副室202，使分离后的副室202远离隔离阀203。将副室202移动到远离隔离阀203的位置，可以方便安装检漏隔离器204。例如，可以使用提升机构提升副室202，断开副室202与隔离阀203之间的物理连接，然后将副室202移动至远离隔离阀203正上方的位置。在分离副室和隔离阀的过程中，使副室远离隔离阀，可以方便安装检漏隔离器。

实际使用时，提升副室，使副室和隔离阀分离的过程可参考现有技术，本实施例对此不做限制。

步骤404，将检漏隔离器设置在隔离阀与副室之间，使分离后的副室的底部接口与检漏隔离器连接，以密封分离后的副室的底部接口。

本实施例中，参照图5，图5示出了本发明实施例一中的一种检漏隔离器的结构示意图，在副室202移动至远离隔离阀203的位置后，可以首先将检漏隔离器204放置至在隔离阀203的上方，然后移动副室202，将副室202放置在检漏隔离器204的上方，从而将检漏隔离器204设置在隔离阀203与副室202之间，使副室202的底部接口2021与检漏隔离器204的第一表面的第一接口2041连接，从而通过检漏隔离器204将副室202的底部接口2021密封。其中，将检漏隔离器204放置在隔离阀203与副室202之间后，使用检漏隔离器204密封副室202的底部接口2021，可以通过副室202的自身重量将副室202压在检漏隔离器204的上方，使副室202的底部接口2021与检漏隔离器204的第一接口2041达到密封连接，可以避免使用其他工具连接副室202的底部接口2021与检漏隔离器204的第一接口2041，简化操作。

需要说明的是，检漏隔离器的第一表面为检漏隔离器靠近副室的表面，第一接口为检漏隔离器靠近第一表面的位置处设置的与副室底部接口配合的接口，第一接口用于连接并密封副室的底部接口。实际使用中，检漏隔离器的具体形状，以及第一接口的具体形状可以根据副室的底部接口进行设置，本实施例对此不做限制。

步骤405，调节密封后的副室的气压至第二预设真空度。

本实施例中，第二预设真空度为利用检漏仪进行检漏时的真空度，在第二预设真空度下，可以使用检漏仪对副室202进行检漏。具体的，在对副室202进行密封后，可以使用抽真空装置对密封后的副室202进行抽真空，以调节副室202的内部压力达到第二预设真空度。实际使用时，第二预设真空度的具体数值可以根据检漏仪的检漏要求进行设置，对副室进行抽真空的过程可参考现有技术，本实施例对此不做限制。

需要说明的是，第二预设真空度为使用检漏仪进行检漏时的真空度(检漏仪的检漏要求在100毫托左右)，第二预设真空度远低于生产过程中炉体内的真空度(生产过程中的真空度在10托左右)。因此，若单独使用隔离阀隔离主室和副室，使用检漏仪对副室进行检漏时，主室和副室之间压差较大，主室内的气体在较大压差下会进入副室，使副室内的压力升高，难以达到检漏仪的检漏要求。

步骤406，利用检漏仪对气压处于第二预设真空度的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。

本实施例中，利用检漏仪对气压处于第二预设真空度的副室进行检漏，可以包括：

将检漏仪与检漏隔离器上的第二接口连接；

在副室的外表面喷吹检测气体，采用检漏仪检测隔离腔内是否存在检测气体，以确定副室的泄露位置。

本实施例中，在副室内的气压达到第二预设真空度时，可以开始使用检漏仪对副室进行检漏。可以将检漏仪与检漏隔离器中用于连接检漏仪的第二接口连接，使用检漏仪进行检漏。

参照图6，图6示出了本发明实施例一中图3中A位置的局部剖视图，结合图5和图6，检漏隔离器204的第一表面与第二表面之间形成有隔离腔2042，隔离腔2042通过第一接口2041与副室202连通。检漏隔离器204的一侧设置有第二接口2043，第二接口2043的第一端连接隔离腔2042，第二端用于连接检漏仪。第二接口2043的具体位置可根据需求设置，本实施例对此不作限制。

本实施例中，在通过检漏隔离器中的第二接口连接检漏仪后，可以使用检漏仪开始检漏。具体的，可以在副室202的外表面喷吹检测气体，通过检漏仪检测隔离腔2042内是否进入检测气体，以确定副室的泄露位置。例如，可以使用氦质谱检漏仪，使氦质谱检漏仪的检测端口连接第二接口2043，在副室202上可能存在泄漏的位置喷吹氦气(检测气体)，当氦质谱检漏仪检测到隔离腔内进入氦气时，可以确定喷吹氦气的位置存在泄漏。具体使用氦质谱检漏仪检漏的方法可以参照现有技术，本实施例对比不做限制。其中，通过检漏隔离器上的第二接口连接检漏仪，对副室进行检漏，可以方便检漏仪的安装和使用，提高检漏效率。

在本发明实施例中，单晶炉检漏方法用于对生产过程中的单晶炉的副室进行检漏，在检漏过程中，关闭主室和副室之间连接的隔离阀，隔离主室和副室，调节副室的气压至第一预设真空度，提升气压处于第一预设真空度的副室，使副室与隔离阀分离，通过检漏隔离器密封分离后的副室的底部接口，调节密封后的副室的气压至第二预设真空度，采用检漏仪对气压处于第二预设真空度的副室进行检漏，以确定副室的泄露位置。在检漏过程中，使用检漏隔离器密封副室的底部接口，可以避免使用隔离阀隔离主室和副室时，主室内的气体进入副室，使副室内的压力难以达到检漏仪的检漏要求，从而导致无法使用检漏仪对副室进行检漏的问题。进一步的，通过检漏仪对副室进行检漏，可以快速准确的发现泄露位置，提高检漏效率，从而避免人工无法快速确定泄露位置时，在泄露条件下继续生产导致单晶硅质量下降的问题。并且由于本实施例可以快速准确的发现泄露位置，因此，可以解决现有技术中长时间停炉检漏，导致生产效率降低的问题。

可选的，本实施例中的检漏方法，还可以包括：对泄露位置进行维修，对维修后泄露位置进行检漏，确定维修后的泄露位置是否存在泄漏，若确定维修后的泄露位置存在泄漏，则重复执行对泄露位置进行维修、以及对维修后的泄露位置进行检漏的步骤，直至泄露位置不存在泄漏。

本实施例中，在确定泄漏位置后，可以对泄漏位置进行维修，以消除泄漏位置。在维修后，可以再次对泄漏位置进行检漏，以确定泄漏位置是否修复。当维修后的泄漏位置存在泄漏时，可以再次维修，直至确定的泄漏位置修复，不存在泄漏。对泄露位置进行检漏的方法与步骤406和步骤407相同，本实施在此不做赘述。对泄露位置进行维修的方法，可参考现有技术，本实施例对此不做限制。

可选的，本实施例中的检漏方法，还可以包括：若确定维修后的泄露位置不存在泄漏，则移除检漏隔离器，并连接不存在泄露位置的副室和主室；打开隔离阀，使主室和副室连通。

本实施例中，当确定泄漏位置已经修复，副室已经不存在泄漏时，可以断开检漏隔离器与副室之间的连接，移除检漏隔离器。其中，断开检漏隔离器与副室之间的连接，移除检漏隔离器的过程可参考断开副室和隔离阀，以及放置检漏隔离器的过程，本实施例对此不作赘述。

在移除检漏隔离器后，可以重新连接副室和隔离阀，并打开隔离阀，使副室和主室连通，开始生产。其中，连接副室和隔离阀，打开隔离阀，使副室和主室连通的过程可参考现有技术，本实施例对此不作赘述。

实施例三

参照图7，图7示出了本发明实施例二中的一种检漏隔离器的剖视图，该检漏隔离器用于对生产过程中的单晶炉的副室进行检漏。

本实施例中，参照图3、图5、图6和图7，检漏隔离器204用于对单晶炉的副室进行检漏，单晶炉包括主室201、副室202、以及位于主室201和副室202之间的隔离阀203。检漏隔离器204具有相对的第一表面和第二表面，检漏隔离器204在靠近第一表面的一侧具有第一接口2041，第一接口2041用于连接并密封副室202的底部接口2021。

本实施例中，检漏隔离器202可以为平板结构，第一表面和第二表面可以为平板结构中相对平行的两个平面。如图7所示，实际使用时，检漏隔离器202的第一表面为密封副室202的底部接口时，靠近副室202的表面，第二表面为远离副室202、且与第一表面相对的表面，第一表面与第二表面平行或成一定角度设置。第一表面所在的一侧具有第一接口2041，如图5所示，第一接口2041可以是直接形成于第一表面的接口，也可以是设置在第一表面上的任意形式的与副室202的底部接口相配合的接口，本实施例对此不做限制。检漏隔离器的使用方法可以参照实施例一和实施例二，本实施例在此不做赘述。

可选地，检漏隔离器204还可以包括隔离腔2042和第二接口2043，隔离腔204位于第一表面和第二表面之间，隔离腔2042与第一接口2041相连通，第二接口2043的第一端连接隔离腔2042，第二接口2043的第二端用于连接隔离腔2042和/或副室202外部。

其中，第二接口的第一端为靠近并连接隔离腔的一端，第二接口的第二端为远离隔离腔的一端。

本实施例中，如图5和图7所示，检漏隔离器204的第一表面和第二表面之间可以形成隔离腔2042，第一接口2041与隔离腔2042连通，副室202的底部接口2021与检漏隔离器204的第一接口2041连接时，隔离腔2042通过第一接口2041与副室202连通。第二接口2043的第一端连接隔离腔2042，第二端可以连接隔离腔2042和/或副室202外部，从而方便检漏仪通过第二接口对对副室202内的气体进行检测。在检漏隔离器204中设置连接检漏仪的第二接口，在检漏过程中，可以方便连接检漏仪，提高检漏效率。第二接口的使用可参照实施例二，本实施例对此不做赘述。

可选地，第二接口的第二端设置有连接检漏仪的检漏仪接头。

本实施例中，检漏隔离器的第二接口可以安装检漏仪接头，在检漏过程中，可以方便连接检漏仪。检漏仪接头的具体形式和安装方法可参考现有技术，本实施例对此不做限制。

可选的，检漏隔离器的第二表面具有凹槽结构，凹槽结构用于安装缓冲件。

本实施例中，如图6和图7所示，检漏隔离器204的第二表面具有凹槽结构2044，凹槽结构2044内可以安装缓冲件2045。例如，凹槽结构2044可以是直接形成于第二表面的接口，也可以是安装固定在第二便面上，与缓冲件2045相配合的接口。实际使用，缓冲件2045可以为橡胶圈、缓冲垫等，凹槽结构2045的形状可以根据需求设置，本实施例对此不做限制。在放置检漏隔离器时，缓冲件2045可以防止检漏隔离器204与隔离阀203之间硬接触，对隔离阀203和检漏隔离器204进行保护。

在本发明实施例中，检漏隔离器的第一表面具有第一接口，第一接口用于连接并密封与隔离阀分离的副室的底部接口。通过在检漏隔离器的第一表面设置与副室连接的第一接口，可以方便用检漏隔离器密封分离后的副室的底部接口，提高对生产过程中副室的检漏效率。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (9)

1.一种单晶炉检漏方法，用于检测单晶炉副室的泄露位置，其特征在于，包括：

提供单晶炉，所述单晶炉包括主室、副室及隔离阀，关闭所述隔离阀，利用所述隔离阀隔离所述主室和所述副室；

调节所述副室的气压至第一预设真空度；

提供检漏隔离器，利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室；

所述检漏隔离器具有相对的第一表面和第二表面；

所述第二表面为远离所述副室的表面，所述第二表面具有凹槽结构，所述凹槽结构中设置有缓冲件；

提供检漏仪，利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。

2.根据权利要求1所述的检漏方法，其特征在于，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室之前，还包括：

提升气压处于所述第一预设真空度的所述副室，使所述副室与所述隔离阀分离；以及，

移动分离后的所述副室，使分离后的所述副室远离所述隔离阀。

3.根据权利要求2所述的检漏方法，其特征在于，所述利用所述检漏隔离器密封气压处于所述第一预设真空度的所述副室，包括：

将所述检漏隔离器设置在所述隔离阀与所述副室之间；

使分离后的所述副室的底部接口与所述检漏隔离器连接，以密封分离后的所述副室的底部接口。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用所述检漏仪对密封后的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置，包括：

调节密封后的所述副室的气压至第二预设真空度；

利用所述检漏仪对气压处于所述第二预设真空度的所述副室进行检漏，以确定所述副室的泄露位置。

5.根据权利要求4所述的检漏方法，其特征在于，所述确定所述副室的泄露位置之后，还包括：

对所述泄露位置进行维修；

对维修后所述泄露位置进行检漏，确定维修后的所述泄露位置是否存在泄漏；

若确定维修后的所述泄露位置存在泄漏，则重复执行对所述泄露位置进行维修、以及对维修后的所述泄露位置进行检漏的步骤，直至所述泄露位置不存在泄漏。

6.根据权利要求5所述的检漏方法，其特征在于，还包括：

若确定维修后的所述泄露位置不存在泄漏，则移除所述检漏隔离器，并连接不存在所述泄露位置的所述副室和所述主室；

打开所述隔离阀，使所述主室和所述副室连通。

7.一种检漏隔离器，所述检漏隔离器用于对单晶炉的副室进行检漏，所述单晶炉包括主室、副室、以及位于所述主室和所述副室之间的隔离阀，其特征在于，所述检漏隔离器具有相对的第一表面和第二表面，所述检漏隔离器在靠近所述第一表面的一侧具有第一接口，所述第一接口用于连接并密封所述副室的底部接口；

所述第二表面为远离所述副室的表面，所述检漏隔离器的第二表面具有凹槽结构，所述凹槽结构用于安装缓冲件。

8.根据权利要求7所述的检漏隔离器，其特征在于，所述检漏隔离器还包括隔离腔和第二接口，所述隔离腔位于所述第一表面和所述第二表面之间，所述隔离腔与所述第一接口相连通，所述第二接口的第一端连接所述隔离腔，所述第二接口的第二端用于连接所述检漏隔离器和/或所述副室外部。

9.根据权利要求8所述的检漏隔离器，其特征在于，所述第二接口的第二端设置有连接检漏仪的检漏仪接头。

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