CN112703358A - 用于去涂层器的冷却系统和方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于去涂层系统的冷却系统包括传感器、控制装置以及与传感器和控制装置通信地耦合的控制器。传感器被配置为测量去涂层系统中的冷却系统的特性，控制装置控制冷却系统的特性，并且控制器被配置为基于去涂层系统内的测量的温度或测量的特性中的至少一者来调节控制装置以调节冷却系统的特性。一种控制去涂层系统的温度的方法包括测量去涂层系统的一件设备内的温度以及测量去涂层系统的该件设备中的冷却系统的特性。该方法包括基于测量的温度或测量的特性中的至少一者来控制冷却系统以调节特性。

Description

用于去涂层器的冷却系统和方法
相关申请的参考
本申请要求2018年9月12日提交的标题为“COOLING SYSTEM AND METHOD FORDECOATERS”的美国临时申请号62/730,049的权益，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请涉及用于金属回收的去涂层系统，并且更具体地涉及用于去涂层系统的冷却系统和方法。
背景技术
在金属回收期间，金属废料(诸如铝或铝合金)被压碎、撕碎、切碎或以其他方式减小为金属废料的较小块。通常，金属废料具有各种涂层诸如油、油漆、漆、塑料、油墨和胶，以及各种其他有机污染物诸如纸、塑料袋、聚对苯二甲酸乙二醇酯、糖残余物等，在金属废料可进一步加工和回收之前必须通过去涂层工艺去除这些涂层。在去涂层过程期间，金属废料被送入去涂层器或窑(kiln)中，然后被加热以从金属废料中去除涂层。有时，来自涂层的有机化合物使去涂层器内部的温度升高，这可能导致铝热反应(thermitting)(去涂层器内部的金属燃烧)或对去涂层系统的设备造成其他严重损害。
发明内容
在本专利中使用的术语“发明”、“该发明”、“此发明”和“本发明”旨在广泛地指本专利和下面的专利权利要求的所有主题。包含这些术语的陈述不应被理解为限制本文所述的主题或限制下面的专利权利要求的含义或范围。本专利所覆盖的此发明的实施方案由下面的权利要求而非此发明内容限定。此发明内容是该发明的各种实施方案的高级概览，并且介绍将在以下具体实施方式部分中进一步描述的一些概念。此发明内容既不意在识别所要求保护主题的关键或必要特征，也不意在单独用于确定所要求保护主题的范围。应当通过参考此专利的整个说明书的适当部分、所有附图以及每项权利要求来理解本主题。
根据本公开的某些实施方案，一种利用冷却系统冷却去涂层系统的方法包括测量该去涂层系统的一件设备内的温度。该方法还包括测量由冷却系统的喷射器分配到去涂层系统的该件设备中的冷却剂的冷却剂特性，并且接收测量的冷却剂特性。该方法还包括基于测量的温度和测量的冷却剂特性来调节冷却剂控制装置以调节冷却剂特性，使得冷却系统利用冷却剂冷却至期望温度。
根据本公开的各种实施方案，一种用于去涂层系统的冷却系统包括传感器，该传感器被配置为测量由喷射器分配到去涂层系统中的冷却剂的特性。该冷却系统还包括控制冷却剂的冷却剂特性的冷却剂控制装置。该冷却系统还包括与传感器和冷却剂控制装置通信地耦合的控制器。在一些方面，控制器被配置为基于去涂层系统内的测量的温度和测量的冷却剂特性来调节冷却剂控制装置以调节冷却剂的冷却剂特性，使得冷却系统利用冷却剂冷却至期望温度。
根据本公开的一些实施方案，一种利用冷却系统控制去涂层系统的温度的方法包括：测量该去涂层系统的一件设备内的温度，测量去涂层系统的该件设备中的冷却系统的特性，以及接收测量的特性。该方法包括基于测量的温度或测量的特性中的至少一者来控制冷却系统以调节特性，使得冷却系统提供期望温度或期望特性中的至少一者。
根据本公开的某些实施方案，一种用于去涂层系统的冷却系统包括传感器、控制装置和控制器。传感器被配置为测量去涂层系统中的冷却系统的特性。控制装置控制冷却系统的特性，并且控制器与传感器和控制装置通信地耦合。控制器被配置为基于去涂层系统内的测量温度或测量特性中的至少一者来调节控制装置以调节冷却系统的特性，使得冷却系统提供期望温度或期望特性中的至少一者。
在本公开中描述的各种实施方式可以包括附加的系统、方法、特征和优点，这些不一定在此明确公开，但是在检查以下详细描述和附图后，对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。意图是所有这样的系统、方法、特征和优点都包括在本公开内容中，并且由所附权利要求保护。
附图说明
以下附图的特征和部件被示出以强调本公开的一般原理。为了一致和清楚起见，贯穿附图的对应特征和部件可以通过匹配的附图标记来指定。
图1是根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却系统的示意图。
图2是根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却系统的示意图。
图3是根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却系统的示意图。
图4是根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却系统的示意图。
图5是根据本公开的方面的包括图2的冷却系统的去涂层系统的示意图。
图6是描绘根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却控制过程的流程图。
图7是描绘根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却控制过程的流程图。
图8是描绘根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却控制过程的流程图。
图9是描绘根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却控制过程的流程图。
图10是根据本公开的方面的包括图2的冷却系统的去涂层系统的另一个图示。
图11是沿图10中的线A-A截取的图10的去涂层系统的一部分的剖视图。
图12是沿图10中的线B-B截取的图10的去涂层系统的一部分的剖视图。
图13是从图10中的细节圆圈C截取的图10的去涂层系统的一部分的详细视图。
图14是沿图10中的线D-D截取的图10的去涂层系统的一部分的剖视图。
图15是图10的去涂层系统中的喷射器的一部分的放大视图。
图16是根据本公开的方面的冷却系统的喷射器的前视图。
图17是图16的喷射器的侧视图。
图18是图16的喷射器的后视图。
图19是根据本公开的方面的冷却系统的喷射器的前视图。
图20是图19的喷射器的侧视图。
图21是图19的喷射器的后视图。
图22是根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却系统的示意图。
图23是根据本公开的方面的包括图22的冷却系统的去涂层系统的示意图。
图24是示出与不具有冷却系统的窑的容量相比，具有根据本公开的方面的冷却系统的窑的容量的曲线图。
具体实施方式
这里具体描述本发明的示例的主题以满足法定要求，但是该描述不一定旨在限制权利要求的范围。所要求保护的主题可以以其他方式实施，可以包括不同的元素或步骤，并且可以与其他现有或未来的技术结合使用。除非明确描述各个步骤的顺序或元素的排列之外，该描述不应被解释为暗示各个步骤或元素之中或之间的任何特定顺序或排列。
图1是根据本公开的方面的用于去涂层系统的冷却系统100的示例的示意图。在各种示例中，冷却系统100通常包括控制器102、喷射器104、控制由喷射器104分配到去涂层系统中的冷却剂的冷却剂特性的冷却剂控制装置106以及测量冷却剂的冷却剂特性的传感器108。冷却系统100还可包括温度传感器110，该温度传感器测量去涂层系统内的温度，诸如在窑、后燃器、在窑与后燃器之间的导管、以及/或者去涂层系统的各种其他各件设备内的温度，如以下所论述。应当理解，冷却剂控制装置106、喷射器104和/或传感器108的数量不应被认为是对本公开的限制。在一些方面中，并且如以下详细讨论的，一个传感器108和/或一个冷却剂控制装置106与特定的喷射器104相关联；然而，在其他示例中，一个传感器108和/或一个冷却剂控制装置106可与多个喷射器104相关联。图22示出了用于去涂层系统的冷却系统2200的另一示例。除了冷却系统2200还包括氧控制系统2205和有机物控制系统2207之外，冷却系统2200基本上类似于冷却系统100。氧控制系统2205控制在去涂层系统内，诸如在窑内的氧水平，并且有机物控制系统2207控制在去涂层系统内的有机化合物的浓度。还可包括用于氧控制系统2205和/或有机物控制系统2207的各种合适的传感器2209。传感器2209可检测关于流过去涂层系统的气体的一个或多个特性，并且可包括但不限于氧传感器、有机化合物传感器、大气传感器、其组合或期望的其他合适的传感器。在其他示例中，用于去涂层系统的冷却系统包括喷射器104和冷却剂控制装置106、氧控制系统2205或有机物控制系统2207中的至少一者。因此，尽管以下描述可能仅涉及冷却系统100，但是应当理解，该描述同样适用于冷却系统2200。
控制器102可以是任何合适的处理装置或装置的组合，并且与冷却剂控制装置106和传感器108通信地耦合。控制器102还与温度传感器110通信地耦合，并且任选地可以与喷射器104通信地耦合。如以下详细讨论的，控制器102被配置为在去涂层过程期间控制冷却剂控制装置106以控制冷却剂的冷却剂特性。控制器102可以基于由去涂层系统内的温度传感器110测量的温度和由传感器108测量的冷却剂特性来控制冷却剂控制装置106，使得冷却系统利用冷却剂冷却至期望温度。
控制器102还可以与氧控制系统2205、传感器2209和/或有机物控制系统2207通信地耦合。如以下详细讨论的，控制器102被配置为在去涂层过程期间控制氧控制系统2205，以在去涂层过程期间控制去涂层系统内的氧浓度。在一些示例中，控制器102基于氧水平、气体成分或由传感器2209检测到的其他数据来控制氧控制系统2205。如以下详细讨论的，控制器102被配置为在去涂层过程期间控制有机物控制系统2207，以在去涂层过程期间控制去涂层系统内有机化合物的浓度。在一些示例中，控制器102基于由传感器2209检测到的数据来控制有机物控制系统2207。
喷射器104在去涂层过程期间选择性地将冷却剂分配到去涂层系统中。冷却剂包括但不限于水、带油的水、卤盐(作为固体冷却剂或与水或另一种流体混合)、空气或其他冷却气体、以及/或者适于冷却去涂层系统(例如，用于降低去涂层系统的气体的温度)的各种其他材料。喷射器104可以是各种适合分配冷却剂的装置或装置的组合，并且喷射器104的类型不应被认为是对本公开的限制。喷射器104可被定位在去涂层系统中的各种位置，包括但不限于窑、后燃器、后燃器与窑之间的导管、这些位置的子集和/或各种其他位置。在一些方面，在去涂层系统的一个位置中的喷射器104的类型可以不同于在去涂层系统的另一个位置中的喷射器104的类型，尽管这不是必须的。
在一些方面，喷射器104包括多个喷射器104。在去涂层系统内的不同位置处可设置各种数量的喷射器104，并且在一个位置处的喷射器的数量可与去涂层系统的另一位置处的喷射器的数量相同或不同。喷射器104被构造成在去涂层过程期间可能存在的高温下操作。作为一些非限制性示例，喷射器104可以在从约550℃至约1000℃，诸如从约800℃至约1000℃的温度下可操作。在其他示例中，喷射器104可以在低于约550℃和/或高于约1000℃的温度下操作。在各种示例中，喷射器104可相对于通过去涂层系统的加热气体的流动路径以各种角度取向，使得冷却剂相对于流动路径以各种角度分配。作为一些非限制性示例，喷射器104可以取向成相对于流动路径以约0°、约1°、约2°、约3°、约4°、约5°、约6°、约7°、约8°、约9°、约10°、约11°、约12°、约13°、约14°、约15°、约16°、约17°、约18°、约19°、约20°、约21°、约22°、约23°、约24°、约25°、约26°、约27°、约28°、约29°、约30°、约31°、约32°、约33°、约34°、约35°、约36°、约37°、约38°、约39°、约40°、约41°、约42°、约43°、约44°、约45°、约46°、约47°、约48°、约49°、约50°、约51°、约52°、约53°、约54°、约55°、约56°、约57°、约58°、约59°、约60°、约61°、约62°、约63°、约64°、约65°、约66°、约67°、约68°、约69°、约70°、约71°、约72°、约73°、约74°、约75°、约76°、约77°、约78°、约79°、约80°、约81°、约82°、约83°、约84°、约85°、约86°、约87°、约88°、约89°和/或约90°分配冷却剂。在其他示例中，可以利用大于约90°的角度。此外，在设置有多个喷射器104的情况下，喷射器104的子集可以处于与喷射器104的另一个子集的角度不同的角度，尽管它们不是必须的。
从喷射器104分配的冷却剂具有冷却剂特性，并且该冷却剂特性由冷却剂控制装置106控制。在一些方面，冷却剂特性可以是各种可控制的特性或特性的组合，这些特性影响或控制当冷却剂分配到去涂层系统中时由冷却剂提供的冷却。作为一些非限制性示例，冷却剂特性可以是冷却剂通过喷射器104的流体流量、冷却剂从喷射器104的喷射角度、冷却剂从喷射器104分配的压力、冷却剂从喷射器104分配的图案、喷射器104相对于流动路径的位置、冷却剂的空气流量、分配时间段和/或影响由冷却剂提供的冷却的各种其他合适的可控制的特性。
在各种示例中，冷却剂控制装置106可以是适于控制特定冷却剂特性的装置或装置的组合。因此，冷却剂控制装置106的数量和/或类型不应被认为是对本公开的限制。例如，在一些情况下，冷却系统100仅控制单个冷却剂特性，并且系统100设置有单个类型的冷却剂控制装置106。在其他示例中，冷却系统100控制多个冷却剂特性，并且设置多个冷却剂控制装置，每个冷却剂控制装置控制多个冷却剂特性中的至少一个冷却剂特性。在另外的示例中，冷却剂控制装置106可控制多于一种类型的冷却剂特性。
作为冷却剂控制装置106的一个示例，冷却剂控制装置106可以是选择性地控制冷却剂到喷射器104的流动的控制阀，并且冷却剂特性是冷却剂到喷射器104的流体流量。在此类示例中，控制阀可以基于在冷却剂的流动路径中的控制阀的位置来控制流体流量，控制阀选择性地阻挡或使得冷却剂流过控制阀。例如，在一些情况下，控制阀可以从完全关闭位置(在该位置处，控制阀阻止冷却剂流过该阀，并且流体流量为0.0L/min)移动到完全打开位置(在该位置处，控制阀允许最大流体流量通过该阀)。在一些方面，在冷却期间，通过控制阀的最大流体流量可由控制器102控制，并且其不必是控制阀的完全打开位置。在各种示例中，在冷却期间，通过控制阀的最小流体流量可由控制器102控制，并且其不必是完全关闭位置或0.0L/min。例如，在一些情况下，冷却期间的最小流体流量大于约0.0L/min。作为一个非限制性示例，最小流体流量可以是约2.6L/min。作为另一个非限制性示例，最小流体流量可以是约4.9L/min。在其他示例中，最小流体流率可小于2.6L/min、在2.6L/min与4.9L/min之间、或大于4.9L/min等。在各种非限制性示例中，最大流体流量可为约65L/min。在其他非限制性示例中，最大流体流量可为约40L/min。然而，在其他示例中，最大流体流量可小于约40L/min、在40L/min和65L/min之间、或大于65L/min等。
作为冷却剂控制装置106的另一个示例，冷却剂控制装置106可以是压力控制器，并且冷却剂特性是从喷射器104分配冷却剂的压力。在此类示例中，压力控制器102可以选择性地控制冷却剂的压力(例如，增加压力、减小压力等)，使得冷却剂以期望的压力被分配。作为一个非限制性示例，压力控制器可由控制器102控制，使得压力为约2.0kg/cm2至约4.0kg/cm2；然而，在其他示例中，压力可以小于约2.0kg/cm2或大于约4.0kg/cm2。
作为冷却剂控制装置106的另外的示例，冷却剂控制装置106可以是鼓风机(或空气增流器)和/或空气流量阀，并且冷却剂特性是冷却空气的空气流量。在此类示例中，冷却空气可在不需要喷射器104的情况下提供到去涂层系统中，并且利用冷却空气进行的冷却可代替或附加于由喷射器104分配的冷却剂而提供。在冷却剂控制装置106是鼓风机或空气流量阀的此类示例中，鼓风机或空气流量阀选择性地控制进入去涂层系统的冷却空气的空气流量。作为一些非限制性示例，控制器102可以控制鼓风机或空气流量阀，使得空气流量为约127Nm3/hr至约265Nm3/hr。在其他示例中，空气流量可以小于127Nm3/hr或大于约265Nm3/hr。
在冷却剂控制装置106的另一示例中，冷却剂控制装置106可以是喷射器104的可调节喷嘴，并且冷却剂特性是在喷射器104分配冷却剂时冷却剂的喷射角度。在此类示例中，控制器102可以控制可调节喷嘴的位置，使得喷射角度被控制。
各种其他类型的冷却剂控制装置106可与冷却系统100一起使用，以控制各种冷却剂特性。
参考图22，氧控制系统2205可以是适于控制去涂层系统内诸如窑内的氧水平的装置或装置的组合。作为一个非限制性示例，氧控制系统2205可以包括空气增流器(例如，风扇)，该空气增流器选择性地控制与注入到窑中的气体混合的氧的流量。在此类示例中，氧控制系统2205可以通过选择性地控制空气流量、空气体积等来控制氧水平，以提供期望的温度控制。
有机物控制系统2207可以是适于控制注入到窑中的气体中的有机化合物的浓度以控制窑内的温度的装置或装置的组合。作为一个非限制性示例，有机物控制系统2207可以是在去涂层系统的窑和后燃器之间的分流器，该分流器选择性地将离开窑的废气中的一些分流回到窑。
在各种示例中，控制器102在去涂层过程期间控制用于去涂层系统的冷却系统100(或冷却系统2200)的各个部件，以控制去涂层系统内的温度。
参考图1和图22，在各种示例中，在去涂层过程期间，温度传感器110测量去涂层系统的窑、后燃器以及在后燃器与窑之间的导管中的至少一者中的温度。在某些示例中，提供了多个温度传感器110，并且在去涂层系统内的多于一个的位置处测量温度。在一些示例中，控制器102接收由温度传感器110测量的温度。控制器102可以连续地、以各种预先确定的间隔或其各种组合接收测量的温度。
在去涂层过程期间，传感器108测量当冷却剂被分配到去涂层系统中时的冷却剂的冷却剂特性。在某些情况下，传感器108测量当喷射器104分配冷却剂时冷却剂的冷却剂特性，尽管不是必须的。在各种示例中，传感器108可以测量冷却剂的流体流量、流体压力、冷却剂的喷射角度、空气流量和/或各种其他冷却剂特性或特性组合中的至少一者。控制器102接收由传感器108测量的冷却剂特性，并且可以连续地、以各种预先确定的间隔或其各种组合接收测量的冷却剂特性。
在各种示例中，控制器102确定由温度传感器110测量的温度是否处于期望的去涂层操作温度的预先确定范围或在该预先确定范围内。在一些情况下，期望的去涂层操作温度可为约200℃至约1000℃，这取决于去涂层系统内测量温度的特定位置。例如，后燃器内的期望操作温度通常可以高于窑内的期望操作温度，尽管这不是必须的。在其他示例中，期望的去涂层操作温度可以小于200℃或大于1000℃。
在各种情况下，控制器102基于测量的冷却剂特性确定利用冷却剂提供的冷却。在一些方面，确定冷却包括基于测量的冷却剂特性确定测量的温度是否将被维持、增加和/或降低。
在某些方面，基于测量的温度与期望的去涂层操作温度的比较，以及/或者基于测量的冷却剂特性，控制器102调节或控制冷却剂控制装置106以调节或控制冷却剂特性，使得冷却系统冷却至期望的去涂层操作温度。在一些方面，控制器102可仅基于测量的温度与期望的去涂层操作温度的比较或仅基于测量的冷却剂特性来调节冷却剂控制装置。
作为一个非限制性示例，冷却剂特性是冷却剂的流体流量，并且冷却剂控制装置106是选择性地实现流体流量的冷却剂到喷射器104的控制阀。在该示例中，控制器102可通过基于测量的温度和测量的冷却剂特性(即，测量的流体流量)选择性地将控制阀定位在从完全关闭位置到完全打开位置的位置处以控制流体流量来调节冷却剂控制装置106。在一些示例中，控制器102通过基于测量的温度和测量的流体流量定位控制阀来调节冷却剂控制装置106，使得流体流量从最小流体流量到最大流体流量。任选地，最小流体流量大于0.0L/min。
作为另一个非限制性示例，冷却剂特性是冷却剂的流体压力，并且冷却剂控制装置106是压力控制装置。在该示例中，控制器102可通过基于测量的温度和测量的流体压力利用压力控制装置选择性地控制冷却剂的流体压力来调节冷却剂控制装置106。作为另外的非限制性示例，冷却剂特性是冷却剂的喷射角度，冷却剂控制装置是喷射器104的喷嘴，并且控制器102通过基于测量的温度和测量的喷射角度选择性地定位喷嘴以调节喷射角度来调节冷却剂控制装置106。在另一非限制性示例中，冷却剂特性是空气流量，冷却剂控制装置106是空气流量阀，并且控制器102通过选择性地定位空气流量阀来调节冷却剂控制装置106，以控制通过空气流量阀到喷射器104的空气流量。
参考图22，在某些示例中，控制冷却系统2200可以包括控制氧控制系统2205和/或有机物控制系统2207。在一些示例中，在去涂层过程期间，传感器2209检测流过去涂层系统的气体的至少一个特性。在一些情况下，传感器2209检测氧水平、气体中的有机成分或气体的其他合适特性中的至少一者。传感器2209可以检测在各种合适的位置处的气体的特性，包括但不限于在窑内、在后燃器内、在窑和后燃器之间的导管内、在后燃器和窑之间的导管内、或其他合适的位置。控制器102可以接收由传感器2209检测到的数据。
在各种情况下，控制器102基于测量的气体特性确定提供的温度控制。在一些方面，确定温度包括基于测量的气体特性确定测量的温度是否将被维持、增加和/或降低。
在某些方面，基于测量的温度与期望的去涂层操作温度的比较，以及/或者基于测量的气体特性，控制器102调节或控制氧控制系统2205和/或有机物控制系统2207以调节或控制气体特性。在一些方面，控制器102可仅基于测量的温度与期望的去涂层操作温度的比较或仅基于测量气体特性来调节冷却剂控制装置。
作为一个非限制性示例，气体特性可以是供应到窑的气体的氧水平或百分比，并且氧控制系统2205包括空气增流器，该空气增流器选择性地控制氧到供应到窑的气体的流动。在该示例中，控制器102可以基于测量的温度和/或测量的气体特性来调节氧控制系统2205以增加或减少与供应到窑的气体混合的氧的流量和/或体积。
作为另一个非限制性示例，气体特性可以是供应到窑的气体的有机化合物的浓度，并且有机物控制系统2207包括分流器，该分流器选择性地实现来自窑的流体流量的废气与供应到窑的气体混合。在该示例中，控制器102可以通过选择性地将分流器定位在从完全关闭位置到完全打开位置的位置处来调节有机物控制系统2207，以基于测量的温度和/或测量的气体特性来控制来自窑的废气流与供应到窑的气体混合。在某些任选示例中，控制器102可以选择性地将分流器定位在从约50％打开到100％打开(即，完全打开)的位置，以进一步限制有机化合物在窑中的积聚。
图2至图4示出了冷却系统的各种示例，其中冷却特性是流体流量(图2)、流体压力(图3)和空气流量(图4)。尽管示出为单独的冷却系统，但应当理解，在各种示例中，图2至图4的冷却系统(或其子集)可提供为控制多个冷却特性的单个冷却系统。
图2示出了与冷却系统100基本上类似的冷却系统200。在图2的示例中，冷却系统200包括三个喷射器104A-C，并且每个喷射器104具有来自总冷却剂流动管线214的专用冷却剂流动管线212A-C。如图所示，每个冷却剂流动管线212A-C具有冷却剂控制装置106A-C(例如，控制阀)和传感器108A-C，使得可独立地测量和控制到每个喷射器104A-C的流体流量。在各个方面，冷却剂控制装置可以包括具有限位开关的电磁阀，并且/或者可以是各种其他合适类型的冷却剂控制装置。在各个方面，在喷射器104A-C中的一个或多个喷射器之前和/或附近设置至少一个冷却剂控制装置，使得其可以保持上游管道内侧的冷却剂可用于在所需压力下所需的任何时间都可用于开始喷射。例如，喷射器中的一些喷射器安装在水管道下方，并且在喷射器之前没有该冷却剂控制装置的情况下，在喷射器下方的管道和联管箱(piping header)中的冷却剂将被排放到喷射器中。在这种情况下，当应该开始喷射时，由于在喷射器和联管箱之间没有水，因此在喷射和温度控制中可能存在延迟。在其他示例中，冷却剂控制装置可设置在附加或替代位置。
在一些任选示例中，并且如图2所示，每个冷却剂流动管线212A-C包括附加的冷却剂控制装置222和/或传感器224。在各种任选示例中，总冷却剂流动管线214还包括一个或多个冷却剂控制装置226和/或传感器228，使得当冷却剂从冷却剂供应装置230流到喷射器时，可以针对一个或多个喷射器测量和控制冷却剂特性。在一些情况下，传感器228可以检测冷却剂的不同于传感器108所检测的特性。作为一个非限制性示例，传感器228可检测压力，并且传感器108可检测流量。
在某些任选示例中，冷却系统200包括补充喷射器216A-C，该补充喷射器也可以分配冷却剂。在某些情况下，补充喷射器216A-C可被提供用于当窑卸料槽(chute)被堵塞或阻塞时将冷却剂紧急喷射到窑卸料槽中。在一些情况下，一旦窑卸料槽被堵塞或阻塞，热去涂层废料快速积聚并且废料可能部分熔化。在这种情况下，可以提供补充喷射器216A-C以冷却废料和/或防止或减少熔化。在其他示例中，补充喷射器216A-C可根据需要设置在去涂层系统内的各个其他位置。
如图2所示，在一些示例中，针对所有喷射器216A-C提供单个补充喷射管线218，并且补充喷射管线218具有补充冷却剂控制装置220和补充传感器221，使得到喷射器216A-C的流体流量被联合控制。在其他方面，类似于喷射器104A-C，每个喷射器216A-C可具有专用流动管线。在其他示例中，喷射器104A-C可具有与喷射器216A-C类似的配置(即，单个冷却剂控制装置和单个传感器控制所有喷射器104的冷却剂特性)。可以提供喷射器、冷却剂控制装置和/或传感器的各种其他配置。
图3示出了冷却系统300，该冷却系统基本上类似于冷却系统200，除了冷却特性是流体压力，并且冷却剂控制装置106A-C是压力控制器。在图3的示例中，每个喷射器104A-C具有来自总压力供应管线314的专用压力供应管线312A-C。如图所示，每个压力供应管线312A-C具有冷却剂控制装置106A-C(例如，压力控制器)和传感器108A-C，使得可针对每个喷射器独立地测量和控制到每个喷射器的压力。在其他示例中，冷却剂控制装置和/或传感器可控制多于一个喷射器的冷却剂特性。
类似于冷却系统200，在一些任选示例中，每个压力供应管线312A-C包括附加的冷却剂控制装置322和/或传感器324。在各种任选示例中，总压力供应管线314还包括一个或多个冷却剂控制装置326和/或传感器328，使得当冷却剂从压力供应装置330流到喷射器时，可以针对一个或多个喷射器测量和控制冷却剂特性。在图3的示例中，任选地，省略补充喷射器和/或不向补充喷射器提供压力供应管线。在其他示例中，可以提供具有压力供应管线和对应控制装置和传感器的补充喷射器。
图4示出了冷却系统400，该冷却系统基本上类似于冷却系统200，除了冷却特性是空气流量，并且冷却剂控制装置106A-C是空气控制阀。任选地，空气供应装置430(例如，鼓风机、空气增流器等)也可由控制器控制。在其他示例中，除了空气供应装置430之外，还可提供附加冷却剂控制装置。在图4的示例中，每个喷射器104A-C具有来自总空气流动管线414的专用空气流动管线412A-C。如图所示，每个空气流动管线412A-C具有冷却剂控制装置106A-C(例如，空气流量阀)和传感器108A-C，使得可针对每个喷射器独立地测量和控制空气流量。在其他示例中，冷却剂控制装置和/或传感器可控制多于一个喷射器的冷却剂特性。
类似于冷却系统200，总空气流动管线414任选地包括一个或多个冷却剂控制装置426和/或传感器，使得当冷却剂从空气供应装置430流到喷射器时，可以针对一个或多个喷射器测量和控制冷却剂特性。
图5示出了冷却系统200与去涂层系统500。为了图5的简单和清楚，仅示出了冷却系统200的喷射器104A-C。去涂层系统500仅出于说明的目的而提供，并且不应被认为是对本公开的限制。
根据本公开的方面，在去涂层过程期间，去涂层系统500从金属废料(诸如铝或铝合金)去除涂层和其他有机污染物。去涂层系统500通常包括窑502、旋风分离器504(或其他合适的固体/气体分离器)和后燃器506。其他部件诸如再循环风扇508、分流器509、热交换器510和排气系统也可以作为去涂层系统500的一部分包括在内。如图5所示，去涂层系统500还包括冷却系统200。
在利用去涂层系统500进行去涂层过程期间，金属废料501被送入窑502中。加热气体515被注入窑502中，以提高窑502内的温度，并且蒸发有机物而不熔化废金属。在许多情况下，去涂层系统500内的氧浓度保持在较低水平(诸如从约6％到约8％的氧)，使得有机材料不会点燃。例如，在去涂层系统内，大气可以是7％的氧，使得有机化合物即使由于去涂层过程而处于高温下也不会点燃。将去涂层废金属503从窑502中移除，以进一步处理并最终处理成新的铝产品。
包含蒸发的有机化合物(有时称为“VOC”)的废气通过将窑502连接到旋风分离器504的导管514离开窑502。在旋风分离器504内，较大有机化合物颗粒作为灰尘从废气中去除，并且最终从旋风分离器504中排出以进行处理。废气从旋风分离器504被引导到后燃器506中。任选地，来自旋风分离器504的废气中的一些可以由分流器509分流并且可以绕过后燃器506。后燃器506焚烧废气中的剩余有机化合物，并且将加热气体排放到通向热交换器510和排气系统(例如，袋滤室)或大气的导管516中。任选地，由后燃器506排放的加热气体中的一些可以被送入窑502中并且任选地与由分流器509分流的气体混合。后燃器506可包括热空气燃烧器519或用于加热气体的其他合适的装置。导管516内的加热气体的温度高于导管514内的来自窑502的废气的温度。例如，在各种情况下，导管514内的废气的温度通常为约250℃至约400℃，而导管516内的加热气体的温度通常为约700℃至约900℃。在一些示例中，离开后燃器506的加热气体中的一些任选地通过再循环导管518再循环回到窑502。在各种示例中，并且如下面详细描述的，冷却系统200的喷射器104A-C可被设置成在来自后燃器506的加热气体再循环回到窑502之前冷却该气体的温度。喷射器104A-C也可设置在后燃器506中和/或设置在窑502中，以在去涂层系统500内提供选择性冷却。
在一些示例中，通过导管516离开后燃器506的废气被引导通过热交换器510，该热交换器降低了废气的温度。在各种示例中，离开热交换器510的冷却废气中的一些可通过空气增流器再循环回到窑502。在此类示例中，当冷却剂特性是空气流量时，空气增流器可以任选地是空气供应装置。替代地或附加地，离开热交换器510的冷却废气中的一些可通过空气增流器再循环回到后燃器506作为冷却空气505，以帮助控制后燃器506内的大气。在此类示例中，当冷却剂特性是空气流量时，空气增流器可以任选地是空气供应装置。在各种示例中，提供附加的空气增流器513和511以供应氧(空气增流器513)和燃烧空气(空气增流器511)以控制后燃器506内的大气。
在一些方面，在去涂层过程期间，去涂层系统内的有机化合物的浓度增加，这可能导致系统内的危险情况。例如，重新引入到窑502中的有机化合物可以将热能释放到窑502中，这升高了窑502内的温度并且可能导致铝热反应(窑502内的金属燃烧)或对去涂层系统设备造成其他严重损害。
如上文参考图1和图2所述，冷却系统200被构造成在去涂层系统500内的各种位置(例如，在后燃器506、导管518、窑502等内)提供选择性冷却，以减少或防止铝热反应(或其他危险状况)。在图5的示例中，喷射器104A-C分别设置在后燃器506、导管518和窑502中。尽管在图5中未示出，对应的传感器108和温度传感器110也可以设置在后燃器506、导管518和窑502中。如上文参考图1和图2所述，基于在去涂层系统500内测量的温度和/或测量的冷却剂特性，控制器(图5中未示出)控制冷却剂控制装置(图5中未示出)以调节冷却剂特性，使得冷却系统200针对去涂层系统500内的特定位置利用冷却剂冷却至期望操作温度。
图6是示出根据各种示例的控制在去涂层系统内的冷却的方法的流程图。在一些情况下，在框602处，控制器确定去涂层系统和/或冷却系统是否正在运行。如果冷却系统和/或去涂层系统未运行，则过程可结束。
在框604中，该方法可以包括确定是否在去涂层系统内测量温度。如果在去涂层系统内测量温度，则在框606中，控制器将测量的温度与期望的去涂层温度进行比较。在框608中，在将测量的温度与期望温度进行比较之后，或者如果未测量温度，则该方法可以包括确定是否测量冷却特性。在框610中，如果该方法可包括将测量的冷却特性与期望的冷却特性进行比较。在框612中，在将测量的冷却特性与期望的冷却特性进行比较之后，或者如果未测量冷却特性，则该方法包括确定所需的冷却，使得测量的温度为期望的去涂层温度以及/或者使得测量的冷却特性是期望的冷却特性。在框614中，控制器基于所需的冷却来控制冷却剂控制装置，使得测量的温度是期望的去涂层温度以及/或者使得测量的冷却特性是期望的冷却特性。任选地，在框616中，该过程可以等待预先确定的时间，然后返回框602。
图7至图9是示出利用冷却系统控制去涂层系统内温度的附加方法的示例的流程图。参考去涂层系统500描述这些方法；然而，应当理解，此类方法可以用于控制各种其他去涂层系统中的冷却。图7示出了利用冷却系统200控制后燃器506中的气体温度的方法700的示例。图8示出了控制窑502中使用的返回气体的温度的方法800的示例。图9示出了控制窑502中的温度的方法900的示例。在各种情况下，可以根据需要一起或选择性地执行方法700、800和900。
参考图7，在用于控制后燃器506的温度的方法700的框702中，控制器确定去涂层系统500是否在操作。在各种示例中，除非去涂层系统500正在运行，否则该过程结束。在框704中，确定后燃器506中的气体的温度。在各种示例中，后燃器706中的气体的温度通过一个或多个温度传感器(诸如传感器108)来感测。在一些示例中，温度传感器在后燃器506内。附加地或替代地，在其他示例中，温度传感器测量气体离开后燃器506时气体的温度。
在框706中，控制器确定在框704中检测到的温度是否至少是后燃器操作温度。在各种示例中，后燃器操作温度是从约700℃到约1000℃，诸如约800℃+/-20℃。在一个非限制性示例中，后燃器操作温度为约800℃。
在框707中，如果控制器在框706中确定后燃器温度不是至少后燃器操作温度，则控制器确定后燃器506的喷射器104A是否关闭。在框709中，如果控制器在框707中确定喷射器104A未关闭，则控制器减小喷射器和/或关闭喷射器104A(如果喷射器104A尚未关闭)，并且返回框702。在框709中，如果控制器在框707中确定喷射器104A关闭，则控制器增加燃烧器输出并返回框702。
在框710中，如果控制器在框706中确定后燃器温度至少是后燃器操作温度，则控制器逐渐减小后燃器506的燃烧器的燃烧器点火。在框712中，控制器然后确定后燃器温度是否至少是燃烧器设定点温度。在各种示例中，燃烧器设定点温度是大于后燃器操作温度且小于后燃器喷射器设定点温度的温度。在一些非限制性示例中，燃烧器设定点温度为约800℃至约810℃，但是可以提供各种其他温度范围。如果控制器确定后燃器气体温度不是至少燃烧器设定点温度，则过程返回框706。如果控制器在框712中确定后燃器温度至少是燃烧器设定点温度，则在框714中，控制器将燃烧器降低至引燃设置(pilot setting)，使得保持稳定的最小值以安全地点燃有机蒸气并防止爆炸。任选地，在框714中，控制器关闭燃烧器。
在框716中，控制器确定后燃器温度是否至少是后燃器喷射器设定点温度。在各种示例中，后燃器喷射器设定点温度高于后燃器操作温度。在一个非限制性示例中，后燃器设定点温度为约820℃，但是可以使用各种其他温度。如果控制器确定后燃器温度不是至少后燃器喷射器设定点温度，则过程返回框706。如果控制器确定后燃器温度至少是后燃器喷射器设定点温度，则在框718中，控制器逐渐开启喷射器104A并返回框716。
参考图8，在用于控制进入窑502的返回气体的温度的方法800的框802中，控制器确定去涂层系统500是否在操作。类似于方法800，除非去涂层系统500正在运行，否则该过程结束。在框804中，通过温度传感器(诸如传感器108)感测返回气体的温度。在框806中，控制器确定在框804中检测到的返回气体温度是否至少是窑操作温度。在各种示例中，窑操作温度是从约200℃到约600℃，诸如约550℃+/-20℃。例如，在一种非限制性情况下，窑操作温度为约550℃。在框808中，如果控制器在框806中确定返回气体温度不高于窑操作温度，则控制器降低喷射器输出和/或关闭所有喷射器(如果所有喷射器尚未关闭)，任选地如果分流器尚未关闭则关闭分流器509(如果包括该分流器)，然后返回框802。
在框810中，如果控制器在框806中确定返回气体温度至少是窑操作温度，则控制器逐渐打开分流器509，使得更多旁路气体从离开窑502的主气体流分流，而不是被送入后燃器506中。在框812中，控制器确定返回气体温度是否至少是返回喷射器设定点温度。在各种示例中，返回喷射器设定点温度高于窑操作温度。例如，在一种非限制性情况下，返回喷射器设定点温度约为570℃，但是可以使用各种其他温度。如果控制器确定返回气体温度不是至少返回喷射器设定点温度，则过程返回框806。如果控制器确定返回气体温度至少是返回气体设定点温度，则在框814中，控制器逐渐开启喷射器104B，然后进行到框806。
参考图9，在用于控制窑502的温度的方法900的框902中，控制器确定去涂层系统500是否在操作。在各种示例中，类似于方法700和800，除非去涂层系统500正在运行，否则该过程结束。在框904中，通过温度传感器(诸如传感器108)感测窑502的温度。
在框906中，控制器确定在框904中检测到的窑温度是否至少是窑操作温度。在框908中，如果控制器在框906中确定窑温度不是至少窑操作温度，则控制器降低喷射器输出和/或关闭窑502中的喷射器104C(如果该喷射器尚未关闭)，并且返回框902。在框910中，如果控制器确定窑温度至少是窑操作温度，则控制器确定窑温度是否至少是窑喷射器设定点温度。在各种示例中，窑喷射器设定点温度高于窑操作温度。例如，在一种非限制性情况下，窑喷射器设定点温度约为570℃，但是可以使用各种其他温度。
在框912中，如果窑温度不是至少窑喷射器设定点温度，则控制器降低和/或逐渐关闭喷射器104C(如果喷射器开启)，并且返回框906。在框914中，如果窑温度至少是窑喷射器设定点温度，则控制器逐渐开启喷射器104C，或者如果其已经开启则进一步打开喷射器104C，然后返回框906。
在其他示例中，控制返回气体温度包括连续使用喷射器104A-C，并且根据需要选择性地使用分流器509，以进一步控制返回气体温度。在各种其他示例中，控制返回气体温度包括连续使用分流器509来引导旁路气体与返回气体混合，并且根据需要选择性地使用喷射器104A-C以进一步控制返回气体温度。可以实施使用分流器509和/或喷射器104A-C的许多其他构造。
图10至图15示出了冷却系统200与去涂层系统1000的另一示例。在各个方面，去涂层系统1000基本上类似于去涂层系统500。在图10中，以实线示出了冷却系统200的部件，并且以虚线示出了去涂层系统1000的其他部件，以阐明冷却系统200部件在去涂层系统1000内的示例性位置。
图16至图18示出了用于冷却系统200的喷射器(诸如喷射器104A)的示例。在该示例中，喷射器的喷嘴被构造成沿着与喷射器的中心轴线基本上平行的轴线分配冷却剂。在其他示例中，喷射器的喷嘴可以相对于喷射器的中心轴线以各种其他角度取向，并且其不必是基本上平行的。应当理解，在其他示例中，喷射器104A可以具有其他构造以及/或者其他喷射器可以具有图16至图18所示的构造。
图19至图21示出了用于冷却系统200的喷射器(诸如喷射器104B)的示例。在该示例中，喷射器的喷嘴被构造成沿着基本上垂直于喷射器的中心轴线的轴线分配冷却剂。在其他示例中，喷射器的喷嘴可以相对于喷射器的中心轴线以各种其他角度取向，并且其不必是基本上垂直的。应当理解，在其他示例中，喷射器104A可以具有其他构造以及/或者其他喷射器可以具有图19至图21所示的构造。
图23示出了具有冷却系统2200的去涂层系统2300的另一示例。除了冷却系统2200另外包括氧控制系统2205和有机物控制系统2207之外，去涂层系统2300基本上类似于去涂层系统500。
在该示例中，氧控制系统2205包括空气增流器513和导管2305。氧控制系统2205被选择性地控制，以控制供应的氧的量，所述氧与注入到窑102中的加热气体515混合，以控制窑102内的氧水平。
在该示例中，有机物控制系统2207包括分流器509和导管2307。可以控制有机物控制系统2207以控制被分流以与加热气体515混合(而不是被送入后燃器506中)的废气(其包括VOC)的量。在一些示例中，控制有机物控制系统2207，使得分流器509将来自窑的废气的约50％至约100％分流，以与加热气体515混合，并且控制窑102中VOC的积聚。
图24是示出与不具有冷却系统的窑的容量(线2404)相比，具有根据本公开的方面的冷却系统的窑的容量(线2402)的示例的曲线图。废料的有机物百分比决定了窑的容量。参考线2404，不具有冷却系统的传统去涂层系统可以在约0％至约4％的有机物浓度下以约20吨/小时(TPH)的速率运行。然而，高于约4％有机物时，必须降低容量以使(由于来自增加的有机物浓度的增加的热)铝热反应或对去涂层系统的设备的其他严重损害的风险最小化。相比之下，并且如线2402所表示的，具有冷却系统的去涂层系统将窑的容量增加了约65％，因为窑能够在增加的有机物浓度范围(例如，约0％至约8％有机物浓度)下以增加的速率(例如，约26.0TPH)运行。在该示例中，由线2402表示的窑由冷却系统控制，使得水分百分比最小为约0.3％，最大为约4.3％，并且平均为约1.4％。由线2402表示的窑由冷却系统控制，使得有机百分比最小为约3.0％，最大为约10.4％，并且平均为约5.2％。在该示例中，密度(g/cm3)进一步控制在最小值约108g/cm3，最大值173g/cm3，以及平均值约143g/cm3。
下面提供了示例性示例的集合，包括至少一些明确列举为“示例”，其提供了根据本文描述的概念的各种示例类型的附加描述。这些示例并不意味着相互排斥、穷举或限制；并且本发明不限于这些示例性示例，而是包括在所发布的权利要求及其等同物的范围内的所有可能的修改和变化。
示例1.一种利用冷却系统控制去涂层系统的温度的方法，所述方法包括：测量所述去涂层系统的一件设备内的温度；测量由所述冷却系统的喷射器分配到所述去涂层系统的所述一件设备中的冷却剂的冷却剂特性并且接收所述测量的冷却剂特性；以及使用冷却剂控制装置基于所述测量的温度或所述测量的冷却剂特性中的至少一者来调节所述冷却剂特性，使得所述冷却系统利用所述冷却剂提供期望温度或期望冷却剂特性中的至少一者。
示例2.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述冷却剂特性包括所述冷却剂的压力、所述冷却剂的流体流量和所述冷却剂的喷射角度中的至少一者。
示例3.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体流量，其中所述冷却剂控制装置是选择性地实现流体流量的所述冷却剂到所述喷射器的控制阀，并且其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的流体流量将所述控制阀选择性地定位在从完全关闭位置到完全打开位置的位置处，以控制所述流体流量。
示例4.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的流体流量定位所述控制阀，使得所述流体流量从最小流体流量到最大流体流量，并且其中所述最小流体流量大于0.0L/min。
示例5.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体压力，其中所述冷却剂控制装置是压力控制装置，并且其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的流体压力利用所述压力控制装置选择性地控制所述冷却剂的所述流体压力。
示例6.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述一件设备包括所述去涂层系统的窑、后燃器以及在所述后燃器与所述窑之间的导管中的至少一者。
示例7.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的喷射角度，其中所述冷却剂控制装置是所述喷射器的喷嘴，并且其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的喷射角度选择性地定位所述喷嘴以调节所述喷射角度。
示例8.一种用于去涂层系统的冷却系统，所述冷却系统包括：传感器，所述传感器被配置为测量由喷射器分配到所述去涂层系统中的冷却剂的冷却剂特性；冷却剂控制装置，所述冷却剂控制装置控制所述冷却剂的所述冷却剂特性；以及控制器，所述控制器与所述传感器和所述冷却剂控制装置通信地耦合，其中所述控制器被配置为基于所述去涂层系统内的测量的温度或所述测量的冷却剂特性中的至少一者来调节所述冷却剂控制装置以调节所述冷却剂的所述冷却剂特性，使得所述冷却系统提供期望温度或具有期望冷却剂特性的冷却剂中的至少一者。
示例9.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其还包括所述喷射器，并且其中所述喷射器被构造成将所述冷却剂分配到所述去涂层系统的窑、后燃器以及在所述后燃器与所述窑之间的导管中的至少一者中。
示例10.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述喷射器是第一喷射器，并且其中所述冷却系统还包括第二喷射器，所述第二喷射器被构造成将所述冷却剂分配到不同于所述第一喷射器的所述窑、所述后燃器或所述导管中的至少一者中。
示例11.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述控制器被配置为调节所述冷却剂控制装置，使得从所述第一喷射器分配的所述冷却剂的所述冷却剂特性不同于从所述第二喷射器分配的所述冷却剂的所述冷却剂特性。
示例12.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述喷射器相对于气体通过所述去涂层系统的流动路径取向，使得所述喷射器以相对于所述流动路径的非零角度分配所述冷却剂。
示例13.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述喷射器的操作温度为约550℃至约1000℃。
示例14.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述喷射器的操作温度为约800℃至约1000℃。
示例15.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其还包括温度传感器，所述温度传感器被配置为测量所述去涂层系统内的所述测量的温度。
示例16.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述温度传感器被配置为测量在所述去涂层系统的窑、后燃器以及在所述后燃器与所述窑之间的导管中的至少一者中的所述测量的温度。
示例17.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述温度传感器是第一温度传感器，其中所述冷却系统还包括第二温度传感器，所述第二温度传感器被配置为测量不同于所述第一温度传感器的所述窑、所述后燃器或所述导管中的至少一者中的第二温度，并且其中所述控制器被配置为基于所述第二温度来控制所述冷却剂控制装置。
示例18.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述冷却剂特性包括所述冷却剂的压力、所述冷却剂的流体流量、空气流量和所述冷却剂的喷射角度中的至少一者。
示例19.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体流量，其中所述冷却剂控制装置是选择性地实现流体流量的所述冷却剂到所述喷射器的控制阀，并且其中所述控制器被配置为通过基于所述测量的温度和所述测量的流体流量将所述控制阀选择性地定位在从完全关闭位置到完全打开位置的位置处以控制所述流体流量来调节所述冷却剂控制装置。
示例20.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述控制器被配置为基于所述测量的温度和所述测量的流体流量来定位所述控制阀，使得所述流体流量从最小流体流量到最大流体流量。
示例21.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述最小流体流量大于约0.0L/min。
示例22.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述最小流体流量约为2.6L/min。
示例23.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述最小流体流量约为4.9L/min。
示例24.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述最小流体流量从约0.0L/min起，并且其中所述最大流体流量约为65L/min。
示例25.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述最小流体流量从约0.0L/min起，并且其中所述最大流体流量约为40L/min。
示例26.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体压力，其中所述冷却剂控制装置是压力控制装置，并且其中所述控制器被配置为通过基于所述测量的温度和所述测量的流体压力利用所述压力控制装置选择性地控制所述冷却剂的所述流体压力来调节所述冷却剂控制装置。
示例27.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的喷射角度，其中所述冷却剂控制装置是所述喷射器的喷嘴，并且其中所述控制器被配置为通过基于所述测量的温度和所述测量的喷射角度选择性地定位所述喷嘴以调节所述喷射角度来调节所述冷却剂控制装置。
示例28.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述喷嘴被调节成使得所述喷射角度约为55度。
示例29.一种去涂层系统，所述去涂层系统包括任何前述或后续示例或示例组合的所述冷却系统。
示例30.一种利用冷却系统控制去涂层系统的温度的方法，所述方法包括：测量所述去涂层系统的一件设备内的温度；测量所述去涂层系统的所述一件设备中的所述冷却系统的特性并且接收所述测量的特性；以及控制所述冷却系统以基于所述测量的温度或所述测量的特性中的至少一者来调节所述特性，使得所述冷却系统提供期望温度或期望特性中的至少一者。
示例31.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述特性是冷却剂特性，并且其中控制所述冷却系统包括使用冷却剂控制装置基于所述测量的温度和所述测量的冷却剂特性中的至少一者调节所述冷却剂特性，使得所述冷却系统提供所述期望温度或具有期望冷却剂特性的冷却剂中的至少一者。
示例32.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述特性是所述一件设备中的气体特性，并且其中所述一件设备包括所述去涂层系统的窑。
示例33.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述气体特性是所述窑内的氧水平，并且其中控制所述冷却系统包括基于所述测量的温度或所述测量的氧水平中的至少一者来控制所述冷却系统的氧控制系统，使得所述冷却系统提供所述期望温度或期望氧水平中的至少一者。
示例34.如任何前述或后续示例或示例组合所述的方法，其中所述气体特性是所述窑内的有机物浓度，并且其中控制所述冷却系统包括基于所述测量的温度或所述测量的有机物浓度中的至少一者来控制所述冷却系统的有机物控制系统，使得所述冷却系统提供所述期望温度或期望有机物浓度中的至少一者。
示例35.一种用于去涂层系统的冷却系统，所述冷却系统包括：传感器，所述传感器被配置为测量所述去涂层系统中的所述冷却系统的特性；控制装置，所述控制装置控制所述冷却系统的所述特性；以及控制器，所述控制器与所述传感器和所述控制装置通信地耦合，其中所述控制器被配置为基于所述去涂层系统内的测量的温度或所述测量的特性中的至少一者来调节所述控制装置以调节所述冷却系统的所述特性，使得所述冷却系统提供期望温度或期望特性中的至少一者。
示例36.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述冷却系统的所述特性是冷却剂的冷却剂特性，并且其中所述控制装置是冷却剂控制装置。
示例37.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述冷却系统的所述特性是所述去涂层系统的窑中的气体的气体特性。
示例38.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述气体特性是氧水平，并且其中所述控制装置是氧控制系统。
示例39.如任何前述或后续示例或示例组合所述的冷却系统，其中所述气体特性是有机物浓度，并且其中所述控制装置是有机物控制系统。
上述方面仅仅是实施方式的可能示例，仅仅是为了清楚理解本公开的原理而阐述的。在基本上不偏离本公开的精神和原理的情况下，可以对上述示例进行许多变化和修改。所有此类修改和变化都包括在本公开的范围内，并且对元素或步骤的各个方面或组合的所有可能权利要求都旨在由本公开支持。此外，尽管在此以及在所附权利要求中采用了特定术语，但是它们仅以一般和描述性意义使用，而不是为了限制所描述的发明或所附权利要求的目的。

Claims (20)

1.一种利用冷却系统控制去涂层系统的温度的方法，所述方法包括：
测量所述去涂层系统的一件设备内的温度；
测量由所述冷却系统的喷射器分配到所述去涂层系统的所述一件设备中的冷却剂的冷却剂特性并且接收所述测量的冷却剂特性；以及
使用冷却剂控制装置基于所述测量的温度或所述测量的冷却剂特性中的至少一者来调节所述冷却剂特性，使得所述冷却系统利用所述冷却剂提供期望温度或期望冷却剂特性中的至少一者。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述冷却剂特性包括所述冷却剂的压力、所述冷却剂的流体流量和所述冷却剂的喷射角度中的至少一者。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体流量，其中所述冷却剂控制装置是选择性地实现流体流量的所述冷却剂到所述喷射器的控制阀，并且其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的流体流量将所述控制阀选择性地定位在从完全关闭位置到完全打开位置的位置处，以控制所述流体流量。
4.如权利要求3所述的方法，其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的流体流量定位所述控制阀，使得所述流体流量从最小流体流量到最大流体流量，并且其中所述最小流体流量大于0.0L/min。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体压力，其中所述冷却剂控制装置是压力控制装置，并且其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的流体压力利用所述压力控制装置选择性地控制所述冷却剂的所述流体压力。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述一件设备包括所述去涂层系统的窑、后燃器以及在所述后燃器与所述窑之间的导管中的至少一者。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的喷射角度，其中所述冷却剂控制装置是所述喷射器的喷嘴，并且其中调节所述冷却剂控制装置包括基于所述测量的温度和所述测量的喷射角度选择性地定位所述喷嘴以调节所述喷射角度。
8.一种利用冷却系统控制去涂层系统的温度的方法，所述方法包括：
测量所述去涂层系统的一件设备内的温度；
测量所述去涂层系统的所述一件设备中的所述冷却系统的特性并且接收所述测量的特性；以及
控制所述冷却系统以基于所述测量的温度或所述测量的特性中的至少一者来调节所述特性，使得所述冷却系统提供期望温度或期望特性中的至少一者。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述特性是冷却剂特性，并且其中控制所述冷却系统包括使用冷却剂控制装置基于所述测量的温度和所述测量的冷却剂特性中的至少一者调节所述冷却剂特性，使得所述冷却系统提供所述期望温度或具有期望冷却剂特性的冷却剂中的至少一者。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述特性是所述一件设备中的气体特性，并且其中所述一件设备包括所述去涂层系统的窑。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述气体特性是所述窑内的氧水平，并且其中控制所述冷却系统包括基于所述测量的温度或所述测量的氧水平中的至少一者来控制所述冷却系统的氧控制系统，使得所述冷却系统提供所述期望温度或期望氧水平中的至少一者。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述气体特性是所述窑内的有机物浓度，并且其中控制所述冷却系统包括基于所述测量的温度或所述测量的有机物浓度中的至少一者来控制所述冷却系统的有机物控制系统，使得所述冷却系统提供所述期望温度或期望有机物浓度中的至少一者。
13.一种用于去涂层系统的冷却系统，所述冷却系统包括：
传感器，所述传感器被配置为测量所述去涂层系统中的所述冷却系统的特性；
控制装置，所述控制装置控制所述冷却系统的所述特性；以及
控制器，所述控制器与所述传感器和所述控制装置通信地耦合，其中所述控制器被配置为基于所述去涂层系统内的测量的温度或所述测量的特性中的至少一者来调节所述控制装置以调节所述冷却系统的所述特性，使得所述冷却系统提供期望温度或期望特性中的至少一者。
14.如权利要求13所述的冷却系统，其中所述冷却系统的所述特性是所述去涂层系统的窑中的气体的气体特性。
15.如权利要求14所述的冷却系统，其中所述气体特性是氧水平，并且其中所述控制装置是氧控制系统，或者其中所述气体特性是有机物浓度，并且其中所述控制装置是有机物控制系统。
16.如权利要求13所述的冷却系统，其中所述冷却系统的所述特性是冷却剂的冷却剂特性，其中所述控制装置是冷却剂控制装置，并且其中所述冷却系统还包括喷射器，所述喷射器被构造成将所述冷却剂分配到所述去涂层系统的窑、后燃器以及在所述后燃器与所述窑之间的导管中的至少一者中。
17.如权利要求16所述的冷却系统，其还包括温度传感器，所述温度传感器被配置为测量所述去涂层系统内的所述测量的温度，并且其中所述温度传感器被配置为测量在所述去涂层系统的窑、后燃器以及在所述后燃器与所述窑之间的导管中的至少一者中的所述测量的温度。
18.如权利要求16所述的冷却系统，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体流量，其中所述冷却剂控制装置是选择性地实现流体流量的所述冷却剂到所述喷射器的控制阀，并且其中所述控制器被配置为通过基于所述测量的温度和所述测量的流体流量将所述控制阀选择性地定位在从完全关闭位置到完全打开位置的位置处以控制所述流体流量来调节所述冷却剂控制装置。
19.如权利要求16所述的冷却系统，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的流体压力，其中所述冷却剂控制装置是压力控制装置，并且其中所述控制器被配置为通过基于所述测量的温度和所述测量的流体压力利用所述压力控制装置选择性地控制所述冷却剂的所述流体压力来调节所述冷却剂控制装置。
20.如权利要求16所述的冷却系统，其中所述冷却剂特性是所述冷却剂的喷射角度，其中所述冷却剂控制装置是所述喷射器的喷嘴，并且其中所述控制器被配置为通过基于所述测量的温度和所述测量的喷射角度选择性地定位所述喷嘴以调节所述喷射角度来调节所述冷却剂控制装置。
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