CN112671400A - 一种压控/数控振荡器的使能控制电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及振荡器技术领域，尤其涉及一种压控/数控振荡器的使能控制电路，其中，包括：一电压生成电路，用以生成一预设使能电压；一开关组件，开关组件连接于电压生成电路，用以在一使能信号的控制下，将预设使能电压输出至一压控振荡器电路。有益效果：通过电压生成电路生成预设使能电压，使得使能信号电压增强，以解决对压控振荡器工作状态的限制问题，也进一步提高压控振荡器的相位噪声性能，同时降低功耗。
Description
技术领域
本发明涉及振荡器技术领域，尤其涉及一种压控/数控振荡器的使能控制电路。
背景技术
在无线/有线通讯系统中，锁相环被广泛应用，通常高性能振荡器是高性能锁相环的核心之一，高性能振荡器对提高系统性能，降低应用成本具有重要意义。
现有技术中，一种柯比磁结构振荡器广泛的应用在各种高性能系统中，具有较好的相位噪声，且结构简单，设计成本低，如图1所示。然而，这种柯比磁结构振荡器，虽然具有柯比磁结构高性能的特点，对晶体管的闪烁噪声上变频也具有一定的抑制作用，但是在部分应用中其相位噪声性能较低。另外，在工程设计中，振荡器的设计需要考虑温度和工艺角的影响，然而，现有技术中的柯比磁结构振荡器不具备可以解决温度和工艺角等变量对振荡器性能的影响的问题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种压控/数控振荡器的使能控制电路。
具体技术方案如下：
本发明提供一种压控/数控振荡器的使能控制电路，其中，包括：
一电压生成电路，用以生成一预设使能电压；
一开关组件，所述开关组件连接于所述电压生成电路，用以在一使能信号的控制下，将所述预设使能电压输出至一压控振荡器电路。
优选的，还包括一使能输入端，连接所述开关组件，用以提供所述使能信号。
优选的，所述开关组件包括：
一第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极连接一预设电压，所述第一NMOS管的栅极连接至所述使能输入端；
一PMOS管，所述PMOS管的栅极连接至所述使能输入端，所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极并联连接至所述压控振荡器电路的输入端，所述PMOS管的源极连接所述电压生成电路。
优选的，所述电压生成电路包括：
一控制单元，所述控制单元的输入端连接至所述预设电压，用以输出一初始使能电压；
一分压单元，所述分压单元的输入端连接至所述控制单元的输出端，所述分压单元的输出端连接至所述PMOS管的源极，以输出所述预设使能电压。
优选的，所述控制单元包括一三极管，所述三极管的发射极连接至所述预设电压并形成所述控制单元的输入端，所述三极管的基极和所述三极管的集电极短接，且所述三极管的基极形成所述控制单元的输出端。
优选的，所述分压单元包括：
一第一电阻，所述第一电阻的一端连接至所述三极管的基极并形成所述分压单元的输入端；
一第二电阻，所述第二电阻的一端连接至所述第一电阻背向所述三极管的另一端并形成所述分压单元的输出端，所述第二电阻的另一端连接至地。
优选的，所述压控振荡器电路包括：
一第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极通过一第三电阻连接所述预设电压；
一第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极连接至所述第二NMOS管的源极，所述第三NMOS管的栅极连接至所述第二NMOS管的漏极，所述第第三NMOS管的漏极连接至所述第二NMOS管的栅极。
优选的，所述压控振荡器电路还包括：
一第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极连接至所述第三NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极通过一电感抽头接地；
一第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极连接至所述第三NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极连接至所述第四NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极通过所述电感抽头接地。
优选的，所述第四NMOS管的源极和漏极之间包括一第一固定电容；
所述第五NMOS管的源极和漏极之间包括一第二固定电容。
优选的，所述第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极之间连接有一第一可调电容和一第二可调电容。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过电压生成电路生成预设使能电压，从而抬高压控振荡器的预设使能电压，以解决对压控振荡器工作状态的限制问题，也进一步提高压控振荡器的相位噪声性能，同时降低功耗。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1为本发明的背景技术的电路结构示意图；
图2为本发明的实施例的电路结构示意图；
图3为本发明的实施例的工作电路的电压与图1中的工作电路的电压示意图；
图4为本发明的实施例的工作电路的电流与图1中的工作电路的电流示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
本发明提供一种压控/数控振荡器的使能控制电路，其中，如图2所示，包括：
一电压生成电路1，用以生成一预设使能电压；
一开关组件2，开关组件2连接于电压生成电路1，用以在一使能信号的控制下，将预设使能电压输出至一压控振荡器电路3。
具体地，本实施例中，通过设计电压生成电路1来生成预设使能电压，通过该预设使能电压提高使能信号的电压值，进而通过在提高的使能信号的控制下，将预设使能电压输出至压控振荡器电路3，与现有技术相比较，本实施例中输入至压控振荡器电路3的预设使能电压明显提高，如图3所示，横坐标为归一化时间ωT，纵坐标为电压U单位：伏\V)，其中，V1为现有技术中的工作电路的电压，V2为本实施例中的工作电路的电压，从图中可明显看出V2高于V1。
进一步地，当上述预设使能电压提高后，本实施例中的工作电路的振荡器的导通时间T1明显小于现有技术中的工作电路的振荡器的导通时间T2，如图4所示，横坐标为归一化时间ωT，纵坐标为电流I(单位：安培\A)，其中，T1为现有技术中的工作电路的振荡器的导通时间，T2为本实施例中的工作电路的振荡器的导通时间。由于振荡器的导通时间缩小，从而使得压控振荡器电路3的振荡状态进入更稳定的Class-C状态，且也降低了振荡器的导通角，从而降低了噪声电流的注入水平，提高了振荡器的功率效率，进而提高相位噪声性能，降低功耗，解决对压控振荡器工作状态的限制问题。
在一种较优的实施例中，还包括一使能输入端E，连接开关组件2，用以提供使能信号。
具体地，本实施例中，通过使能输入端E提供使能信号，进而在使能信号的控制下，将上述技术方案中的预设使能电压输出至压控振荡器电路3，从而解决对压控振荡器工作状态的限制问题，也进一步提高压控振荡器的相位噪声性能，同时降低功耗。
在一种较优的实施例中，开关组件2包括：
一第一NMOS管Q1，第一NMOS管Q1的源极连接一预设电压U，第一NMOS管Q1的栅极连接至使能输入端；
一PMOS管Q2，PMOS管Q2的栅极连接至使能输入端，PMOS管Q2的漏极和第一NMOS管Q1的漏极并联连接至压控振荡器电路的输入端，PMOS管Q2的源极连接电压生成电路。
具体地，本实施例中的第一NMOS管Q1和PMOS管Q2作为上述使能信号的开关，以控制使能信号控制预设使能电压。
在一种较优的实施例中，电压生成电路1包括：
一控制单元10，控制单元10的输入端连接至预设电压U，用以输出一初始使能电压；
一分压单元11，分压单元11的输入端连接至控制单元10的输出端，分压单元11的输出端连接至PMOS管Q2的源极，以输出预设使能电压。
具体地，电压生成电路1通过控制单元10输出初始使能电压，进一步经过分压单元11生成带温度信息的电压和工艺角信息的电压，所谓带温度信息的电压可以采用三极管的阈值电压生成，所谓带工艺角信息的电压可以采用振荡器有源部分的晶体管阈值电压生成，从而解决了温度和工艺角对振荡器性能的影响，进而进一步提高压控振荡器的相位噪声性能，同时降低功耗。
在一种较优的实施例中，控制单元10包括一三极管VT，三极管VT的发射极连接至预设电压U并形成控制单元10的输入端，三极管VT的基极和三极管VT的集电极短接，且三极管VT的基极形成控制单元10的输出端。
具体地，上述技术方案中的控制单元10可以为一个三极管VT，该三极管VT通过预设电压U供电，用以控制上述分压单元11.
在一种较优的实施例中，分压单元11包括：
一第一电阻R1，第一电阻R1的一端连接至三极管的基极并形成分压单元11的输入端；
一第二电阻R2，第二电阻R2的一端连接至第一电阻R1背向三极管VT的另一端并形成分压单元11的输出端，第二电阻R2的另一端连接至地GND。
具体地，上述技术方案中的分压单元11包括第一电阻R1和第二电阻R2，通过该第一电阻R1和第二电阻R2形成预设使能电压，进而提高使能信号，并在提高的使能信号的控制下，将预设使能电压输出至压控振荡器电路3，从而解决对压控振荡器工作状态的限制问题，也进一步提高压控振荡器的相位噪声性能，同时降低功耗。
在一种较优的实施例中，压控振荡器电路3包括：
一第二NMOS管Q3，第二NMOS管Q3的源极通过一第三电阻R3连接预设电压U；
一第三NMOS管Q4，第三NMOS管Q4的源极连接至第二NMOS管Q3的源极，第三NMOS管Q4的栅极连接至第二NMOS管Q3的漏极，第第三NMOS管Q4的漏极连接至第二NMOS管Q3的栅极。
在一种较优的实施例中，压控振荡器电路3还包括：
一第四NMOS管Q5，第四NMOS管Q5的源极连接至第三NMOS管Q4的漏极，第四NMOS管Q5的漏极通过一电感抽头L接地GND；
一第五NMOS管Q6，第五NMOS管Q6的源极连接至第三NMOS管Q4的漏极，第五NMOS管Q6的栅极连接至第四NMOS管Q5的栅极，第五NMOS管Q6的漏极通过电感抽头L接地GND。
在一种较优的实施例中，第四NMOS管Q5的源极和漏极之间包括一第一固定电容C1；
第五NMOS管Q6的源极和漏极之间包括一第二固定电容C2。
在一种较优的实施例中，第四NMOS管Q5的漏极和第五NMOS管Q6的漏极之间连接有一第一可调电容C3和一第二可调电容C4。
在一种较优的实施例中，压控振荡器电路还包括一电压输入端vtune，该电压输入端vtune连接于第一可调电容C3和一第二可调电容C4之间。
上述压控振荡器电路3的设计电路以及组成结构均是现有技术，在此不做详细赘述。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：通过电压生成电路生成预设使能电压，以使得使能信号增强，从而抬高压控振荡器的电压，以解决对压控振荡器工作状态的限制问题，也进一步提高压控振荡器的相位噪声性能，同时降低功耗。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种压控/数控振荡器的使能控制电路，其特征在于，包括：
一电压生成电路，用以生成一预设使能电压；
一开关组件，所述开关组件连接于所述电压生成电路，用以在一使能信号的控制下，将所述预设使能电压输出至一压控振荡器电路。
2.根据权利要求1所述的使能控制电路，其特征在于，还包括一使能输入端，连接所述开关组件，用以提供所述使能信号。
3.根据权利要求1所述的使能控制电路，其特征在于，所述开关组件包括：
一第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极连接一预设电压，所述第一NMOS管的栅极连接至所述使能输入端；
一PMOS管，所述PMOS管的栅极连接至所述使能输入端，所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的漏极并联连接至所述压控振荡器电路的输入端，所述PMOS管的源极连接所述电压生成电路。
4.根据权利要求3所述的使能控制电路，其特征在于，所述电压生成电路包括：
一控制单元，所述控制单元的输入端连接至所述预设电压，用以输出一初始使能电压；
一分压单元，所述分压单元的输入端连接至所述控制单元的输出端，所述分压单元的输出端连接至所述PMOS管的源极，以输出所述预设使能电压。
5.根据权利要求4所述的使能控制电路，其特征在于，所述控制单元包括一三极管，所述三极管的发射极连接至所述预设电压并形成所述控制单元的输入端，所述三极管的基极和所述三极管的集电极短接，且所述三极管的基极形成所述控制单元的输出端。
6.根据权利要求5所述的使能控制电路，其特征在于，所述分压单元包括：
一第一电阻，所述第一电阻的一端连接至所述三极管的基极并形成所述分压单元的输入端；
一第二电阻，所述第二电阻的一端连接至所述第一电阻背向所述三极管的另一端并形成所述分压单元的输出端，所述第二电阻的另一端连接至地。
7.根据权利要求2所述的使能控制电路，其特征在于，所述压控振荡器电路包括：
一第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极通过一第三电阻连接所述预设电压；
一第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极连接至所述第二NMOS管的源极，所述第三NMOS管的栅极连接至所述第二NMOS管的漏极，所述第第三NMOS管的漏极连接至所述第二NMOS管的栅极。
8.根据权利要求7所述的使能控制电路，其特征在于，所述压控振荡器电路还包括：
一第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极连接至所述第三NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的漏极通过一电感抽头接地；
一第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极连接至所述第三NMOS管的漏极，所述第五NMOS管的栅极连接至所述第四NMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极通过所述电感抽头接地。
9.根据权利要求8所述的使能控制电路，其特征在于，所述第四NMOS管的源极和漏极之间包括一第一固定电容；
所述第五NMOS管的源极和漏极之间包括一第二固定电容。
10.根据权利要求8所述的使能控制电路，其特征在于，所述第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极之间连接有一第一可调电容和一第二可调电容。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070013456A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator having automatic amplitude control function |
| CN102323847A (zh) * | 2011-07-29 | 2012-01-18 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 基于温度补偿的电压基准电路 |
| CN106208980A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-12-07 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种射频功率放大器偏置电路及其实现方法 |
| US20190131930A1 (en) * | 2016-07-15 | 2019-05-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Oscillator |
| CN110504953A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种低功耗选择器 |
| CN111181489A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-19 | 广州全盛威信息技术有限公司 | 一种压控振荡器及温漂补偿方法 |
-
2020
- 2020-12-11 CN CN202011445957.9A patent/CN112671400A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070013456A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Voltage controlled oscillator having automatic amplitude control function |
| CN102323847A (zh) * | 2011-07-29 | 2012-01-18 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 基于温度补偿的电压基准电路 |
| CN106208980A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-12-07 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种射频功率放大器偏置电路及其实现方法 |
| US20190131930A1 (en) * | 2016-07-15 | 2019-05-02 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Oscillator |
| CN110504953A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-26 | 上海华力微电子有限公司 | 一种低功耗选择器 |
| CN111181489A (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-19 | 广州全盛威信息技术有限公司 | 一种压控振荡器及温漂补偿方法 |
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