KR20080112813A - 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기 - Google Patents

능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기 Download PDF

Info

Publication number
KR20080112813A
KR20080112813A KR1020070061731A KR20070061731A KR20080112813A KR 20080112813 A KR20080112813 A KR 20080112813A KR 1020070061731 A KR1020070061731 A KR 1020070061731A KR 20070061731 A KR20070061731 A KR 20070061731A KR 20080112813 A KR20080112813 A KR 20080112813A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current source
inductor
controlled oscillator
voltage
active inductor
Prior art date
Application number
KR1020070061731A
Other languages
English (en)
Inventor
김수태
Original Assignee
주식회사 동부하이텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 동부하이텍 filed Critical 주식회사 동부하이텍
Priority to KR1020070061731A priority Critical patent/KR20080112813A/ko
Priority to US12/213,525 priority patent/US20080315964A1/en
Publication of KR20080112813A publication Critical patent/KR20080112813A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03JTUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J3/00Continuous tuning
    • H03J3/20Continuous tuning of single resonant circuit by varying inductance only or capacitance only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1212Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
    • H03B5/1215Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair the current source or degeneration circuit being in common to both transistors of the pair, e.g. a cross-coupled long-tailed pair
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/1256Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a variable inductance
    • H03B5/1259Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a variable inductance the means comprising a variable active inductor, e.g. gyrator circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/46One-port networks
    • H03H11/48One-port networks simulating reactances
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/46One-port networks
    • H03H11/52One-port networks simulating negative resistances

Abstract

본 발명은 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기에 관한 것으로, p-tail 전류원을 사용하여 능동 인덕터와 연결되는 노드의 DC 전압을 낮추어줌으로써 블록 커패시터를 사용하지 않고도 전압제어 발진기를 구성할 수 있도록 한다. 이에 따라 종래 전압제어 발진기에서 발진주파수 가변시 높은 주파수 대역에서는 바랙터에 의해 가변되는 커패시턴스가 기생 커패시턴스에 묻혀 발진주파수의 변화가 어려웠던 문제점을 해결하여 높은 주파수 대역에서도 발진주파수의 가변이 자유롭도록 한다.
능동 인덕터, 가변, p-tail 전류원, 발진기

Description

능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기{VCO USING A DYNAMIC INDUCTOR}
도 1은 종래 전압제어 발진기의 일반적인 회로 구성도,
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 능동 인덕터의 회로 구조도,
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 능동 인덕터를 이용한 P(Parallel)-tail p 코어 전압제어 발진기의 상세 회로 구성도.
<도면의 주요 부호에 대한 간략한 설명>
200 : LC 공진부 300 : 부성저항부
302 : 가변인덕터
본 발명은 전압 제어 발진기에 관한 것으로, 특히 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기에서 p-tail 전류원을 사용하여 능동 인덕터와 연결되는 노드의 DC 전압을 낮추어줌으로써 블록 커패시터를 사용하지 않고도 발진기를 구성할 수 있도록 하는 P-tail p 코어 전압제어 발진기에 관한 것이다.
통상적으로 전압제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator :VCO)는 외부에서 인가된 전압으로 원하는 발진 주파수를 출력할 수 있도록 하는 장치로, RF 신호 를 변/복조할 때 효율과 안정성 확보에 가장 큰 영향을 미치는 회로이다.
위와 같은 전압제어 발진기에서는 입력되는 외부 전압에 따라 정전용량을 가변시키는 가변용량 다이오드(Variable Capacitance Diode : 이하 "바랙터 다이오드"라 함)를 사용하여 전압제어 발진기의 발진 주파수를 가변하고 있다.
도 1은 종래 전압제어 발진기의 일반적인 회로 구성을 도시한 것으로, 기능별로 공진단(100)과, 증폭단(102), 출력정합단(104)으로 이루어진다. 위와 같은 전압제어 발진기는 발진기로서 동작을 위해 반드시 수동 소자 영역인 공진단(100)과 능동 소자 영역인 증폭단(102)이 존재해야 하며, 이들은 정궤환 회로로 구성되어 발진을 일으키며, 또한 공진단(100)에 이용되는 바랙터 다이오드로 인가되는 전압을 조절하여 이의 커패시턴스를 변경함으로써 출력 주파수를 가변시키게 되는 것이다.
그러나, 종래 전압제어 발진기에서 바랙터를 이용한 발진주파수 변경에 있어서, 5GHz 이상의 높은 주파수 대역에서는 부성저항(negative resistance)을 발생시키기 위해 사용되는 능동 회로의 기생 커패시턴스가 매우 크게 되어 공진회로를 구성하기 위해 구현되어야 하는 커패시턴스는 극히 작아지게 된다.
이에 따라 바랙터에 의해 가변된 커패시턴스가 기생 커패시턴스에 묻혀 발진주파수를 변화시키기 어려운 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래 전압제어 발진기에서 발진주파수 가변시 높은 주파수 대역에서는 바랙터에 의해 가변되는 커패시턴스가 기생 커패시턴스에 묻 혀 발진주파수의 변화가 어려웠던 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기에서 p-tail 전류원을 사용하여 능동 인덕터와 연결되는 노드의 DC 전압을 낮추어줌으로써 블록 커패시터를 사용하지 않고도 발진기를 구성할 수 있도록 하는 P-tail p 코어 전압제어 발진기를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 능동 인덕터로서, 전원에 일단이 연결된 바이어스 전류원과, 상기 전류원과 연결되는 드레인과 바이어스 전압단(V1)에 연결된 게이트를 갖는 제1 MOS 트랜지스터와, 상기 전류원의 타단에 연결된 드레인과 바이어스 전압단(V2)에 연결된 게이트를 갖는 제2 MOS 트랜지스터와, 상기 제2 MOS 트랜지스터의 소스에 연결되어 주파수를 발진시키는 LC 공진부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기로서, 포지티브 출력신호 및 네거티브 출력신호에 대응하여 일정한 전류를 공급하는 정전류원과, 서로 커플링되는 두 개의 pMOS 트랜지스터를 포함하여 상기 정전류원으로부터 인가되는 전류에 따라 발진주파수를 출력시키는 부성저항부와, 상기 부성저항부내 두 개의 pMOS 트랜지스터에 연결되어 상기 발진주파수 및 인덕턴스를 가변하는 가변 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예의 동작을 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 능동 인덕터의 회로 구조를 도시한 것이 다. 위 도 2에서 보여지는 바와 같이, 본 발명의 능동 인덕터는 전원(vdd)에 일단이 연결되는 바이어스 전류원(I1)과, 상기 전류원과 연결되는 드레인과 바이어스 전압단(V1)에 연결된 게이트를 갖는 제1 MOS 트랜지스터(M1)와, 상기 전류원(I1)의 타단에 연결된 드레인과 바이어스 전압단(V2)에 연결된 게이트를 갖는 제2 MOS 트랜지스터(M2) 및 제2 MOS 트랜지스터(M2)에 연결되어 공진 용량에 의한 발진주파수를 생성시키는 LC 공진부(200)를 포함한다.
이때 상기 LC 공진부(200)내 인덕터(inductor)(L)는 높은 주파수에서 높은 충실도(Quality-factor)를 갖는 인덕터로 구현한다. 인덕터에서 높은 충실도는 전압제어 발진기의 위상 잡음을 줄이는데 필수적인 요소인데, 본 발명에서는 고주파 영역에서도 위상 잡음을 일정 수준이하로 안정적으로 제어할 수 있는 높은 충실도를 가지는 인덕터를 채용하여 고주파 영역에서도 안정적인 발진주파수 변경이 가능하도록 한다.
즉, 위 도 1에 도시된 본 발명의 능동 인덕터에서는 높은 주파수에서 높은 충실도를 가지는 인덕터(L)를 구현하여 낮은 srf로 높은 주파수에서 인덕턴스를 나타내지 못하는 수동소자와 다른 특성을 나타낸다. 또한 가장 높은 충실도를 나타내는 주파수 및 인덕턴스를 가변할 수 있어 동작 범위가 매우 넓도록 한다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 능동 인덕터를 이용한 P(Parallel)-tail p 코어 전압제어 발진기의 상세 회로 구성을 도시한 것이다.
상기 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 P-tail p 코어 전압제어 발진기는 일정한 전류를 공급하는 정전류원(IL) 및, 전압제어 발진기의 발진을 유지시키는 두 개의 pMOS 트랜지스터(M1, M2)로 구성된 부성 저항부(negative resistance)(300)를 구비하며, 부성 저항부(300)의 두 개의 pMOS 트랜지스터(M1, M2)에는 고주파 영역에서 위상 잡음을 일정 수준이하로 제어할 수 있는 높은 충실도를 나타내는 주파수 및 인덕턴스를 가변할 수 있도록 하는 가변 인덕터(tunable active inductor)(302)를 연결하여 발진주파수의 가변범위가 넓도록 한다.
이때, 위 P-tail 전압제어 발진기에서는 상기 정전류원(IL)으로 P-tail 전류원을 사용하여 능동 인덕터와 연결되는 노드의 DC 전압을 낮추어 줌으로써, 블록 커패시터(block capacitor)를 사용하지 않고도 발진기를 구성할 수 있도록 한다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기에서는 p-tail 전류원을 사용하여 능동 인덕터와 연결되는 노드의 DC 전압을 낮추어줌으로써 블록 커패시터를 사용하지 않고도 발진기를 구성할 수 있도록 한다. 이에 따라 종래 전압제어 발진기에서 발진주파수 가변시 높은 주파수 대역에서는 바랙터에 의해 가변되는 커패시턴스가 기생 커패시턴스에 묻혀 발진주파수의 변화가 어려웠던 문제점을 해결하여 높은 주파수 대역에서도 발진주파수의 가변이 자유롭도록 한다.
한편 상술한 본 발명의 설명에서 실시 예에는 구체적인 관해 설명하였으나, 여러 가지 변형이 본 발명의 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있다. 따라서 발명의 범위는 설명된 실시 예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위에 의해 정하여져야 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기에서는 p-tail 전류원을 사용하여 능동 인덕터와 연결되는 노드의 DC 전압을 낮추어줌으로써 블록 커패시터를 사용하지 않고도 발진기를 구성할 수 있도록 한다. 이에 따라 종래 전압제어 발진기에서 발진주파수 가변시 높은 주파수 대역에서는 바랙터에 의해 가변되는 커패시턴스가 기생 커패시턴스에 묻혀 발진주파수의 변화가 어려웠던 문제점을 해결하여 높은 주파수 대역에서도 발진주파수의 가변이 자유롭도록 하는 이점이 있다.

Claims (6)

  1. 전원에 일단이 연결된 바이어스 전류원과,
    상기 전류원과 연결되는 드레인과 바이어스 전압단(V1)에 연결된 게이트를 갖는 제1 MOS 트랜지스터와,
    상기 전류원의 타단에 연결된 드레인과 바이어스 전압단(V2)에 연결된 게이트를 갖는 제2 MOS 트랜지스터와,
    상기 제2 MOS 트랜지스터의 소스에 연결되어 주파수를 발진시키는 LC 공진부
    를 포함하는 능동 인덕터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 LC 공진부는, 일정 기준 이상의 높은 충실도(Q-factor)를 가지는 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 능동 인덕터.
  3. 포지티브 출력신호 및 네거티브 출력신호에 대응하여 일정한 전류를 공급하는 정전류원과,
    서로 커플링되는 두 개의 pMOS 트랜지스터를 포함하여 상기 정전류원으로부터 인가되는 전류에 따라 발진주파수를 출력시키는 부성저항부와,
    상기 부성저항부내 두 개의 pMOS 트랜지스터에 연결되어 상기 발진주파수 및 인덕턴스를 가변하는 가변 인덕터
    를 포함하는 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 정전류원은, P-tail 전류원인 것을 특징으로 하는 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 p-tail 전류원은,
    상기 가변 인덕터에서 블록 커패시터 없이 발진기의 구성이 가능하도록 상기 가변 인덕터 입력 노드의 DC 전압을 일정 기준 레벨이하로 낮추는 것을 특징으로 하는 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 가변 인덕터는, 일정 기준 이상의 높은 충실도(Q-factor)를 갖도록 구현되는 것을 특징으로 하는 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기.
KR1020070061731A 2007-06-22 2007-06-22 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기 KR20080112813A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070061731A KR20080112813A (ko) 2007-06-22 2007-06-22 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기
US12/213,525 US20080315964A1 (en) 2007-06-22 2008-06-20 Voltage controlled oscillator using tunable active inductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070061731A KR20080112813A (ko) 2007-06-22 2007-06-22 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080112813A true KR20080112813A (ko) 2008-12-26

Family

ID=40135877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070061731A KR20080112813A (ko) 2007-06-22 2007-06-22 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080315964A1 (ko)
KR (1) KR20080112813A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101043668B1 (ko) * 2009-03-04 2011-06-24 한양대학교 산학협력단 능동 인덕터

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102394566B (zh) * 2011-09-16 2014-07-09 复旦大学 一种带有自动最优偏置和谐波控制的吉尔伯特混频器
US20170126177A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Texas Instruments Incorporated Trifilar Voltage Controlled Oscillator
TWI628913B (zh) * 2017-04-20 2018-07-01 國立暨南國際大學 Voltage controlled oscillator
CN107124157B (zh) * 2017-04-24 2020-05-08 北京工业大学 一种高q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感
CN111181553A (zh) * 2020-01-14 2020-05-19 西安电子科技大学 一种基于有源电感负载的环形振荡器延迟单元
CN111478680B (zh) * 2020-04-19 2022-12-23 北京工业大学 一种射频压控有源电感

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5012205A (en) * 1990-07-02 1991-04-30 Motorola, Inc. Balanced spurious free oscillator
JP2714269B2 (ja) * 1991-04-30 1998-02-16 三洋電機株式会社 等価インダクタンス回路
US5959504A (en) * 1998-03-10 1999-09-28 Wang; Hongmo Voltage controlled oscillator (VCO) CMOS circuit
US6584159B1 (en) * 1998-11-09 2003-06-24 Agere Systems Inc. Mixed-mode next/echo canceller for pulse amplitude modulated (PAM) signals
DE10056943C1 (de) * 2000-11-17 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Oszillatorschaltung
US6906596B2 (en) * 2002-09-25 2005-06-14 Renesas Technology Corp. Oscillation circuit and a communication semiconductor integrated circuit
US7075380B2 (en) * 2003-09-02 2006-07-11 Lsi Logic Corporation Widely tuneable and fully differential LC oscillator utilizing an active inductor
US7161439B2 (en) * 2004-11-18 2007-01-09 Intel Corporation Oscillator delay stage with active inductor
US7253707B2 (en) * 2005-02-02 2007-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Tunable active inductor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101043668B1 (ko) * 2009-03-04 2011-06-24 한양대학교 산학협력단 능동 인덕터

Also Published As

Publication number Publication date
US20080315964A1 (en) 2008-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8095813B2 (en) Integrated circuit systems having processor-controlled clock signal generators therein that support efficient power management
US8125282B2 (en) Dual-band coupled VCO
TWI278177B (en) Symmetrical linear voltage controlled oscillator
US7978017B2 (en) Control voltage generator for a clock, frequency reference, and other reference signal generator
US7375596B2 (en) Quadrature voltage controlled oscillator
US8093958B2 (en) Clock, frequency reference, and other reference signal generator with a controlled quality factor
US20080012654A1 (en) Linearized variable-capacitance module and lc resonance circuit using the same
US20180145630A1 (en) Hybrid resonator based voltage controlled oscillator (vco)
US9425735B2 (en) Voltage-controlled oscillator
US8665030B2 (en) Voltage-controlled oscillator
KR20080112813A (ko) 능동 인덕터를 이용한 전압제어 발진기
US9660578B2 (en) Electronic device with capacitor bank linearization and a linearization method
TW200843352A (en) Oscillating apparatus and method for reducing phase noise of oscillating signal generated from oscillating apparatus
CN108199687B (zh) 跨导线性化宽带lc型压控振荡器及可调电容阵列电路
US20080129392A1 (en) Colpitts quadrature voltage controlled oscillator
CN107276538B (zh) 射频压控振荡器
US7667550B2 (en) Differential oscillator device with pulsed power supply, and related driving method
US8212627B2 (en) Wideband digitally-controlled oscillator (DCO) and digital broadcasting receiver having the same
JP2006500815A (ja) Lc発振器
Saini et al. An inductor-less LC-VCO for Ka band using 90nm CMOS
US7372343B2 (en) Oscillator circuit
JP4539161B2 (ja) 電圧制御発振器
KR101088445B1 (ko) 전압 제어 발진기
KR101070366B1 (ko) 2단계 자동튜닝 광대역 전압제어발진기
KR100791169B1 (ko) 전계효과 트랜지스터를 사용한 저 전원전압 차동 클랩 전압제어 발진기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application