CN112652592A - 电子设备的热界面层 - Google Patents

电子设备的热界面层 Download PDF

Info

Publication number
CN112652592A
CN112652592A CN202011072625.0A CN202011072625A CN112652592A CN 112652592 A CN112652592 A CN 112652592A CN 202011072625 A CN202011072625 A CN 202011072625A CN 112652592 A CN112652592 A CN 112652592A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thermally conductive
electronic device
interface layer
thermal interface
composite material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011072625.0A
Other languages
English (en)
Inventor
S·D·勃兰登布格尔
D·W·齐默尔曼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anbofu Technology Co ltd
Original Assignee
Delphi Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Delphi Technologies Inc filed Critical Delphi Technologies Inc
Publication of CN112652592A publication Critical patent/CN112652592A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3736—Metallic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3737—Organic materials with or without a thermoconductive filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20927—Liquid coolant without phase change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

电子设备包括：支撑集成电路(IC)芯片的印刷电路板；以及构造成从IC芯片传递热能的热界面层。热界面层包括非导电的容纳框架和嵌入容纳框架中的导热窗格。

Description

电子设备的热界面层
背景技术
车辆驾驶员辅助系统采用具有多个集成电路(IC)芯片的控制器，例如多域控制器。IC芯片通常会产生大量的废热。去除废热以确保可靠运行具有挑战性，预期下一代IC芯片会产生更多的废热。
去除废热的一种方法涉及在IC芯片的顶部使用散热器。为了增强热传递，在IC芯片和散热器之间使用热界面材料。为了高热导率，热界面材料通常包括金属或石墨。但是，该材料也是导电的，并且如果其从界面迁移出来，可能导致电短路。
发明内容
根据本公开示例的电子设备包括：支撑集成电路(IC)芯片的印刷电路板；以及构造成从IC芯片传递热能的热界面层。热界面层包括非导电的容纳框架(containmentframe)，以及嵌入容纳框架中的导热窗格(thermal conductance pane)。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，容纳框架包括多孔结构。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，多孔结构是网状物。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，容纳框架包括设置在多孔结构的孔中的复合材料。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，复合材料包括聚合物。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，复合材料包含非导电颗粒。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，非导电颗粒选自下组：氧化铝、氮化硼、氮化铝、以及它们的组合。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，复合材料包含低于5重量％的非导电颗粒。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，复合材料的软化点为40℃至70℃。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，导热窗格限定了侧边缘，容纳框架限定了界定内部开口的内侧边缘，导热窗格嵌入内部开口中，并且导热窗格的侧边缘固定至容纳框架的内侧边缘。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，多孔结构是网状物，容纳框架包括设置在网状物孔中的复合材料，并且，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合。
根据本公开一个示例的从集成电路芯片传递热能的热界面层包括非导电的容纳框架；以及嵌入容纳框架中的导热窗格。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，容纳框架包括多孔结构和设置在多孔结构的孔中的复合材料。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，复合材料的软化点为40℃至70℃。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合，导热窗格限定了侧边缘，容纳框架限定了界定内部开口的内侧边缘，导热窗格嵌入内部开口中，并且导热窗格的侧边缘固定至容纳框架的内侧边缘。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，多孔结构是网状物，并且容纳框架包括设置在网状物的孔中的复合材料。
根据本公开一个示例的用于制造热界面层的方法包括如下步骤：提供非导电的容纳框架；以及使导热窗格嵌入容纳框架中。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，提供步骤包括：将复合材料引入多孔结构的孔中，以形成空白框架。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，提供步骤还包括：去除空白框架的内部区域，以形成具有内侧边缘的容纳框架，所述内侧边缘界定内部开口。
在任意前述实施方式的另一实施方式中，嵌入步骤包括：将导热窗格安装到内部开口中。
附图说明
根据以下详细描述，本公开的各种特征和优点将对本领域技术人员变得明显。伴随发明详述的附图可以进行如下简要描述：
图1显示了一个示例性电子设备。
图2显示了热界面层。
图3显示了具有非导电颗粒的复合材料。
图4显示了用于制造热界面层的方法。
发明详述
图1显示了电子设备20的截面图。电子设备20可以是、但不限于：用于汽车驾驶员辅助系统的多域控制器。电子设备20通常包括：印刷电路板22(“PCB 22”)和支撑在PCB22上的集成电路芯片24(“IC芯片24”)。如图所示，IC芯片24通过内插器板(interposer board)26和焊球28支撑在PCB 22上。然而，应理解，可以替代地采用其他安装方法。
IC芯片24可以产生大约200瓦至大约1000瓦的废热能。就这一点而言，电子设备20包括热界面层30，该热界面层将热能传导并转移离开IC芯片24。在所示的实施例中，热能被排到邻近热界面层30的热耗散装置32，例如散热器。IC芯片24顶部上的金属层24a可以帮助热能从IC芯片24传递到热界面层30。
图2显示了热界面层30的单独俯视图。热界面层30包括非导电的容纳框架34，以及嵌入容纳框架34中的导热窗格36。容纳框架34是限定外侧边缘34a和内侧边缘34b的边界。内侧边缘34b界定内部开口34c。导热窗格36嵌入内部开口34c中。通常，容纳框架34和导热窗格36具有相等的厚度，使得导热窗格36与容纳框架34齐平。
导热窗格36是大致平面的，并且限定了热输入表面36a、热输出表面36b和侧边缘36c。热输入表面36a面向IC芯片24，并且热输出表面面向热耗散装置32。导热窗格36的侧边缘34c固定至容纳框架34的内侧边缘34b，这将在下面进行进一步详细描述。
容纳框架34包括非导电的多孔结构38。多孔结构38包括孔40。在所示示例中，多孔结构38是网状纤维或导线的网状物。例如，多孔结构38包括聚合物基组合物或玻璃组合物。
容纳框架34还包括设置在多孔结构38的孔40中的复合材料42。复合材料42填充了孔40，并且也是非导电的。如本文所用，导电材料是一种允许电流容易地流动的材料，如铜金属、铝金属或石墨，并且非导电材料是不允许电流容易地流动的材料。
例如，复合材料42是由组成物质的混合物构成的树脂。组成物质可以包括但不限于：蜡、聚合物、有机粘结剂、增粘剂、和增塑剂。在一个示例中，复合材料的软化点为40℃至70℃。该软化点允许在相对较低的温度下进行加工，但是也允许热界面层30在运行期间软化或甚至熔化，从而变形并减缓由IC芯片24和热耗散装置32之间的热膨胀系数不匹配所引起的应力。复合材料42可以反复软化或熔化，因此可以被认为是热塑性材料。在软化或熔融状态下，孔40还通过防止复合材料从热界面层30流出而保留复合材料42。
图3显示了复合材料42的修改示例的代表性部分。在该示例中，上述树脂以44表示。复合材料42还包括分散在整个树脂44中的非导电颗粒46。因此，树脂44用作其中嵌入颗粒46的基质。树脂44通常具有较差的热导率。颗粒46的热导率高于树脂，并且因此用于提高复合材料42的热导率。作为示例，颗粒46包括氧化铝、氮化硼、氮化铝或它们的组合。
复合材料42含有相对低含量的颗粒46，以避免改变复合材料42的其它所需物理性质。例如，复合材料42包括约0.5重量％至5重量％的颗粒46。
导热窗格36包含导热材料。示例材料包括但不限于：铜金属、铝金属和石墨。导热窗格36可仅包含一种或多种导热材料，或者，替代性地包含包括一种或多种导热材料的复合材料。在图1所示的一个示例中，导热窗格36包含导热材料的取向纤维48，例如，石墨纤维。例如，纤维48单向垂直取向，以使得纤维48的轴向大致垂直于IC芯片24的平面，从而帮助提高导热性。
在热界面层30中，导热窗格36用于传导和传递来自IC芯片24的热能。然而，导热窗格36中所用的导热材料也是导电的。因此，如果导热材料从导热窗格36迁移出来，则可能导致电子设备20中其它地方的电子部件之间发生电短路。容纳框架34连续地包围导热窗格36的周长，并防止导热窗格36的材料以横向(在热界面层30的平面内)迁移。在这方面，容纳框架34用于限制导热窗格36的材料，从而减少迁移和短路的机会。
另外，尽管容纳框架34可以传递一些热能，但与导热窗格36相比，其通常是较差的热导体。就此而言，热界面层30的面积尺寸实质上大于容纳框架34的面积尺寸。例如，导热窗格36的面积尺寸比容纳框架的面积尺寸大至少2倍，但更优选大至少5倍或至少10倍。
图4显示了制造热界面层30的方法60。方法60最初包括：提供多孔结构38，如图左上部分所示。此时，多孔结构38的孔40未被填充。可以将多孔结构38设置在载体片材62上。例如，载体片材62包括聚四氟乙烯、聚酯或聚酰亚胺，但是可以替代地使用其它载体片材。载体片材62有助于多孔结构38的处理，并且在一些示例中，可以支撑多个多孔结构38以进行共处理，从而一次制造多个热界面层30。
接着，如图的右上部分所示，将复合材料42引入多孔结构38的孔40中，以形成空白框架64。在一示例中，使用丝网印刷工艺引入复合材料42。例如，在丝网印刷工艺中将复合材料42加热成液体，然后将液体分配到孔40中。然后，使液体冷却并固化，以保留在孔40中。可以多次重复印刷，以完全填充孔40。在这方面，载体片材62用作孔40的“基底”以在冷却为固体形式之前支撑孔40中的液体。
接着，如图右下部分所示，去除空白框架64的内部区域66。例如，使用冲压工艺去除内部区域66，但是可以替代地使用其它去除技术。内部区域66的去除产生了内部开口34c。
最后，如图左下部分所示，使导热窗格36嵌入容纳框架34中。嵌入包括将导热窗格36放置在内部开口34c中。内部开口34c的几何形状与导热窗格36的几何形状大致相同，使得导热窗格36紧密贴合至内部开口34c中。容纳框架34可以进行加热，以使得复合材料42围绕导热窗格36的侧边缘36c回流，以将窗格36固定至框架34。
然后可以提供所得的热界面层30以用于组装至电子设备20中。例如，在制造之后，热界面层30可以保留在载体片材62上。然后，可以使用取放机从载体片材62上取下热界面层30，并将其放置在热耗散装置32上或IC芯片24的顶部上。在放置过程中，热界面层30可以进行加热以使复合材料42变粘，使得热界面层30粘附至热耗散装置32或IC芯片24。
尽管在所示的示例中显示了特征的组合，但是并非所有特征都需要进行组合以实现本公开各种实施方式的益处。换言之，根据本公开实施方式设计的系统将不必包括任一附图中所示的所有特征或在附图中示意性显示的所有部分。此外，一个示例性实施方式所选择的特征可以与其它示例性实施方式所选择的特征组合。
前面的描述本质上是示例性的而不是限制性的。对所公开的示例的不必脱离本公开的变型和修改对于本领域技术人员而言可以变得明显。赋予本公开的法律保护范围只能通过研究所附权利要求来确定。

Claims (21)

1.一种电子设备，其包括：
支撑集成电路(IC)芯片的印刷电路板；以及
构造成从IC芯片传递热能的热界面层，
热界面层包括：
非导电的容纳框架；以及
嵌入容纳框架中的导热窗格。
2.如权利要求1所述的电子设备，其中，容纳框架包括多孔结构。
3.如权利要求2所述的电子设备，其中，多孔结构是网状物。
4.如权利要求2所述的电子设备，其中，容纳框架包括设置在多孔结构的孔中的复合材料。
5.如权利要求4所述的电子设备，其中，复合材料包括聚合物。
6.如权利要求4所述的电子设备，其中，复合材料包含非导电颗粒。
7.如权利要求6所述的电子设备，其中，非导电颗粒选自下组：氧化铝、氮化硼、氮化铝、以及它们的组合。
8.如权利要求7所述的电子设备，其中，复合材料包含低于5重量％的非导电颗粒。
9.如权利要求4所述的电子设备，其中，复合材料的软化点为40℃至70℃。
10.如权利要求1所述的电子设备，其中，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合。
11.如权利要求2所述的电子设备，其中，导热窗格限定了侧边缘，容纳框架限定了界定内部开口的内侧边缘，导热窗格嵌入内部开口中，并且导热窗格的侧边缘固定至容纳框架的内侧边缘。
12.如权利要求11所述的电子设备，其中，多孔结构是网状物，容纳框架包括设置在网状物的孔中的复合材料，并且，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合。
13.一种用于从集成电路芯片传递热能的热界面层，其包括：
非导电的容纳框架；以及
嵌入容纳框架中的导热窗格。
14.如权利要求13所述的热界面层，其中，容纳框架包括多孔结构和设置在多孔结构的孔中的复合材料。
15.如权利要求14所述的热界面层，其中，复合材料的软化点为40℃至70℃。
16.如权利要求13所述的热界面层，其中，导热窗格包含选自下组的导热材料：铜金属、铝金属、石墨以及它们的组合，并且导热窗格限定了侧边缘，容纳框架限定了界定内部开口的内侧边缘，导热窗格嵌入内部开口中，并且导热窗格的侧边缘固定至容纳框架的内侧边缘。
17.如权利要求14所述的热界面层，其中，多孔结构是网状物，容纳框架包括设置在网状物的孔中的复合材料。
18.一种用于制造热界面层的方法，所述方法包括：
提供容纳框架，所述容纳框架是非导电的；以及
使导热窗格嵌入容纳框架中。
19.如权利要求18所述的方法，其中，提供步骤包括：将复合材料引入多孔结构的孔中，以形成空白框架。
20.如权利要求19所述的方法，其中，提供步骤还包括：去除空白框架的内部区域，以形成具有内侧边缘的容纳框架，所述内侧边缘界定内部开口。
21.如权利要求20所述的方法，其中，嵌入步骤包括：将导热窗格安装到内部开口中。
CN202011072625.0A 2019-10-11 2020-10-09 电子设备的热界面层 Pending CN112652592A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/599,712 2019-10-11
US16/599,712 US11315852B2 (en) 2019-10-11 2019-10-11 Thermal interface layer for electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112652592A true CN112652592A (zh) 2021-04-13

Family

ID=72811610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011072625.0A Pending CN112652592A (zh) 2019-10-11 2020-10-09 电子设备的热界面层

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11315852B2 (zh)
EP (1) EP3806144B8 (zh)
CN (1) CN112652592A (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11095014B2 (en) 2020-01-07 2021-08-17 Aptiv Technologies Limited Waveguide antenna with integrated temperature management
US20230418009A1 (en) * 2022-06-26 2023-12-28 International Business Machines Corporation Thermal management of computer hardware modules

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1856871A (zh) * 2003-08-25 2006-11-01 纳米传导公司 在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法
CN102132401A (zh) * 2008-04-03 2011-07-20 纳幕尔杜邦公司 集成热传递构件的方法及led装置
JP2012245664A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
US20180374715A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-27 International Business Machines Corporation Adhesive-bonded thermal interface structures for integrated circuit cooling

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4523528A (en) * 1979-12-11 1985-06-18 Transaction Security, Inc. Insulating apparatus and composite laminates employed therein
US5316080A (en) 1990-03-30 1994-05-31 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics & Space Administration Heat transfer device
US7732243B2 (en) * 1995-05-15 2010-06-08 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US6407922B1 (en) 2000-09-29 2002-06-18 Intel Corporation Heat spreader, electronic package including the heat spreader, and methods of manufacturing the heat spreader
US7147367B2 (en) * 2002-06-11 2006-12-12 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Thermal interface material with low melting alloy
US20070114658A1 (en) * 2004-08-24 2007-05-24 Carlos Dangelo Integrated Circuit Micro-Cooler with Double-Sided Tubes of a CNT Array
US7538422B2 (en) * 2003-08-25 2009-05-26 Nanoconduction Inc. Integrated circuit micro-cooler having multi-layers of tubes of a CNT array
US7063127B2 (en) * 2003-09-18 2006-06-20 International Business Machines Corporation Method and apparatus for chip-cooling
US7755184B2 (en) * 2004-12-03 2010-07-13 Chris Macris Liquid metal thermal interface material system
US7554190B2 (en) * 2004-12-03 2009-06-30 Chris Macris Liquid metal thermal interface material system
US7599626B2 (en) * 2004-12-23 2009-10-06 Waytronx, Inc. Communication systems incorporating control meshes
US7135769B2 (en) * 2005-03-29 2006-11-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof
US7230832B2 (en) 2005-06-17 2007-06-12 Delphi Technologies, Inc. Cooled electronic assembly and method for cooling a printed circuit board
US7486515B2 (en) 2007-02-09 2009-02-03 Delphi Technologies, Inc. Fluid circulator for fluid cooled electronic device
US9078357B2 (en) * 2009-08-17 2015-07-07 Seagate Technology Llc Internal cover thermal conduction
DE102010026529A1 (de) 2010-07-08 2012-01-26 Converteam Gmbh Kühlkörper mit einem elektrischen Bauteil
JP5788760B2 (ja) 2011-10-19 2015-10-07 日東電工株式会社 熱伝導性シート、ｌｅｄ実装用基板およびｌｅｄモジュール
US9131630B2 (en) 2012-03-28 2015-09-08 Delphi Technologies, Inc. Edge seal for electronics assembly suitable for exposure to electrically conductive coolant
US8699225B2 (en) 2012-03-28 2014-04-15 Delphi Technologies, Inc. Liquid cooled electronics assembly suitable to use electrically conductive coolant
US9111899B2 (en) * 2012-09-13 2015-08-18 Lenovo Horizontally and vertically aligned graphite nanofibers thermal interface material for use in chip stacks
US9090004B2 (en) * 2013-02-06 2015-07-28 International Business Machines Corporation Composites comprised of aligned carbon fibers in chain-aligned polymer binder
US9741635B2 (en) 2014-01-21 2017-08-22 Infineon Technologies Austria Ag Electronic component
US9615486B2 (en) * 2014-03-26 2017-04-04 General Electric Company Thermal interface devices
WO2016208192A1 (ja) * 2015-06-26 2016-12-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 熱伝導シートおよびこれを用いた電子機器
DE102018115509A1 (de) * 2018-06-27 2020-01-02 Infineon Technologies Ag Wärmedissipationsvorrichtung, Halbleiterpackagingsystem und Verfahren zum Herstellen derselben

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1856871A (zh) * 2003-08-25 2006-11-01 纳米传导公司 在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法
CN102132401A (zh) * 2008-04-03 2011-07-20 纳幕尔杜邦公司 集成热传递构件的方法及led装置
JP2012245664A (ja) * 2011-05-26 2012-12-13 Polymatech Co Ltd 熱伝導性シート
US20180374715A1 (en) * 2017-06-21 2018-12-27 International Business Machines Corporation Adhesive-bonded thermal interface structures for integrated circuit cooling

Also Published As

Publication number Publication date
EP3806144B1 (en) 2024-04-17
US20210111096A1 (en) 2021-04-15
EP3806144A1 (en) 2021-04-14
US11315852B2 (en) 2022-04-26
EP3806144B8 (en) 2024-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1143373C (zh) 半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置
CN1148795C (zh) 半导体器件的制造方法
US20040156175A1 (en) Heat dissipating structure of printed circuit board and fabricating method thereof
JP5237254B2 (ja) 熱伝導部材、電子装置及び前記熱伝導部材の使用方法
CN101636038B (zh) 具有增强机械强度的印刷电路板球栅阵列系统
CN112652592A (zh) 电子设备的热界面层
TW201230263A (en) Method of making thermally enhanced semiconductor assembly with bump/base/flange heat spreader and build-up circuitry
CN107078110A (zh) Igbt模组及其制造方法
US6898850B2 (en) Method of manufacturing circuit board and communication appliance
EP2750490B1 (en) Component-mounting printed circuit board and manufacturing method for same
EP0280700A1 (en) METHOD AND APPARATUS FOR FIXING A CIRCUIT MODULE.
US10297534B2 (en) Integrated circuit (IC) package with a solder receiving area and associated methods
DE102019106314A1 (de) Wärmeableitvorrichtung mit anisotropen thermisch leitfähigen abschnitten und isotropen thermisch leitfähigen abschnitten
US20120111616A1 (en) Electronic-component-mounted wiring substrate and method of manufacturing the same
DE102018217231A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Fertigung derselben
US20180281374A1 (en) Methods for forming a substrate structure for an electrical component and an apparatus for applying pressure to an electrically insulating laminate located on a core substrate
JP3981090B2 (ja) 電子機器装置の製造方法
US20090166893A1 (en) Semiconductor device
US8456023B2 (en) Semiconductor wafer processing
US20210035879A1 (en) Encapsulated package with carrier, laminate body and component in between
CN102802347A (zh) 定向导热pcb板及电子设备
JP2010010521A (ja) 配線基板およびその製造方法
US7987590B2 (en) Method for manufacturing an electronic part
JP2007243079A (ja) 放熱型プリント配線板及びその製造方法
JP3235830U (ja) 部品キャリア構造の変形を抑制するための温度処理の間の部品キャリア構造のハンドリング

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20240403

Address after: Jiraum, Luxembourg, Luxembourg J. 12C Kroll Street

Applicant after: Anbofu Manufacturing Management Services Co.,Ltd.

Country or region after: Luxembourg

Address before: Babado J San Michaele

Applicant before: Delphi Technologies, Inc.

Country or region before: Barbados

TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20240523

Address after: 2 Pestaroz Street, Schaffhausen, Switzerland

Applicant after: Anbofu Technology Co.,Ltd.

Country or region after: Switzerland

Address before: Jiraum, Luxembourg, Luxembourg J. 12C Kroll Street

Applicant before: Anbofu Manufacturing Management Services Co.,Ltd.

Country or region before: Luxembourg