CN112652554A - 工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供了工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备，该方法包括：基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，目标工艺参数的历史参数值统计数据基于目标工艺参数的多个历史参数值确定；若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。本申请实施例提供的技术方案可以及时监控到工艺腔室环境发生变化，生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息，以提示工程师进行相关的用于保证工艺腔室环境的稳定性的措施。
Description
技术领域
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备。
背景技术
工艺腔室内腔室环境的稳定性直接影响工艺结果的一致性。例如，对于在工艺腔室中进行的刻蚀操作，工艺腔室环境发生变化会造成工艺漂移问题，若在腔室环境发生变化的情况进行刻蚀操作，得到的工艺结果会与先中进行刻蚀操作得到的刻蚀结果不一致。因此，如何对工艺腔室内腔室环境的稳定性进行监控即对监控工艺腔室的腔室环境是否发生变化进行监控成为一个需要解决的问题。
发明内容
本申请提供一种工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备。
根据本申请实施例的第一方面，提供一种工艺腔室环境稳定性监控方法，应用于半导体工艺设备，包括：
基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，目标工艺参数的历史参数值统计数据基于目标工艺参数的多个历史参数值确定；
若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
根据本申请实施例的第二方面，提供一种半导体工艺设备，包括：
确定单元，被配置为基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，目标工艺参数的历史参数值统计数据基于目标工艺参数的多个历史参数值确定；
工艺报警单元，被配置为若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
本申请实施例提供的工艺腔室环境稳定性监控方法、半导体工艺设备，基于工艺腔室的目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件；若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。本申请实施例提供的技术方案可以及时监控到工艺腔室环境发生变化，生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息，以提示工程师进行相关的用于保证工艺腔室环境的稳定性的措施。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
图1示出了本申请实施例提供的工艺腔室环境稳定性监控方法的流程图；
图2示出了当前的副产物OES光谱信号与基础副产物OES光谱信号对比的效果示意图；
图3示出了本申请实施例提供的半导体工艺设备的结构框图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
图1示出了本申请实施例提供的工艺腔室环境稳定性监控方法的流程图，该方法包括：
步骤101，基于工艺腔室的目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件。
在本申请中，工艺腔室可以为进行刻蚀操作的腔室。目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数。
工艺腔室的目标工艺参数的当前参数值可以是指在当前在该工艺腔室中进行的工艺采用的目标工艺参数的参数值。
工艺腔室的目标工艺参数的历史参数值可以是指之前在该工艺腔室中进行的同种工艺采用的目标工艺参数的参数值。
上述工艺腔室并不特指某工艺腔室，对于任意一个工艺腔室，均可以通过步骤101-103监控该工艺腔室的工艺腔室环境是否发生变化。
上述工艺腔室的目标工艺参数也并不特指工艺腔室的某一个目标工艺参数。对于工艺腔室的每一个目标工艺参数，均可以通过执行步骤101-103监控该工艺腔室的工艺腔室环境是否发生变化。
对于工艺腔室，当分别利用该工艺腔室的每一个目标工艺参数监控工艺腔室的工艺腔室环境是否发生变化，均未满足工艺报警条件时，则可以视为该工艺腔室的工艺腔室环境未发生变化。
当在工艺腔室中进行的工艺为刻蚀工艺时，可以用于确定工艺腔室环境的工艺腔室环境是否发生变化的目标工艺参数包括但不限于：影响刻蚀速率的等离子体的方向的下电极偏压(DC Bias)，工艺腔室的腔室压力(Pressure)、上射频功率(SRFRefPower)、下射频功率(BRFRefPower)、影响等离子体的密度的上电极感应线圈电流。
在本申请中，用于存储目标工艺参数的参数值的文件可以称之为APC文件。每一次在工艺腔室进行一次工艺，均可以生成一个与该工艺(或者说该工艺对应的工艺配方)相关的APC文件，可以采集该次工艺采用的每一个目标工艺参数的参数值，将该次工艺采用的每一个目标工艺参数的参数值存储在相关的APC文件中。
在本申请中，对于工艺腔室的任意一个目标工艺参数，该目标工艺参数的历史参数值统计数据基于该目标工艺参数的多个历史参数值确定。
确定该目标工艺参数的历史参数值统计数据所基于的多个历史参数值可以在预设的历史时间段内被采集到。例如，该历史时间段的结束时刻可以为当前时刻，历史时间段的开始时刻可以为距离当前时刻预设时长的历史时刻。确定该目标工艺参数的历史参数值统计数据所基于的多个历史参数值中的每一个历史参数值各自在该历史时间段内进行的相应的工艺过程中被采集到。
对于工艺腔室的任意一个目标工艺参数，可以基于该目标工艺参数的当前参数值和该目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件。
例如，对于一个目标工艺参数，该目标工艺参数的历史参数值统计数据可以包括：确定该目标工艺参数的历史参数值统计数据所基于的多个历史参数值中的最大值、最小值。工艺报警条件可以为该目标工艺参数的当前参数值大于该最大值或小于该最小值，即工艺报警条件可以为该目标工艺参数的当前参数值不再该目标工艺参数的历史参数值的范围内。
在一些实施例中，对于一个目标工艺参数，该目标工艺参数的历史参数值统计数据包括：该目标工艺参数的历史参数值的均值、该目标工艺参数的历史参数值的方差，工艺报警条件为该目标工艺参数的当前参数值与该目标工艺参数的历史参数值的均值的差大于该目标工艺参数的历史参数值的方差。
该目标工艺参数的历史参数值的均值为确定该目标工艺参数的历史参数值统计数据所基于的多个历史参数值的均值。该目标工艺参数的历史参数值的方差为确定该目标工艺参数的历史参数值统计数据所基于的多个历史参数值的方差。
在一些实施例中，在基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件之前，还包括：
读取目标工艺参数所属的工艺配方对应的文件夹中目标历史时间段内生成的每一个历史参数文件中所述目标工艺参数的历史参数值，以获取目标工艺参数的历史数据，其中，上述历史数据包括：在目标历史时间段内采集到的、在工艺腔室中进行的上述工艺配方对应的工艺涉及的每一个目标工艺参数的历史参数值，目标历史时间段包括在当前日期之前的多天；
对于上述工艺配方中的每一个工艺步骤，将该工艺步骤涉及的上述历史数据中的、目标工艺参数的历史参数值存储在该工艺步骤对应的数据结构中；
计算各数据结构中的目标工艺参数的历史参数值的均值和方差。
在本申请中，当前日期可以是指当前通过执行步骤101-103监控工艺腔室环境是否发生变化的过程发生在的日期。
对于工艺腔室，每一次在工艺腔室进行一次工艺，均可以生成一个历史参数文件，例如上述的APC文件，可以采集该次工艺采用的每一个目标工艺参数的参数值，将该次工艺采用的每一个目标工艺参数的参数值存储在相关的APC文件中。
在本申请中，可以预先设定预设天数N。上位机可以获取与工艺腔室相关的、在目标历史时间段即在当前日期的前N天内生成的APC文件，将在当前日期的前N天内生成的APC文件存储在各工艺配方对应的文件夹中。
文件夹的名称可以为工艺配方Recipe的名称，工艺配方Recipe中包括可在工艺腔室中进行的工艺所包括的一系列步骤。
在本申请中，针对一工艺配方，可以读取其对应的文件夹中的每一个历史参数文件即每一个APC文件中目标工艺参数的历史参数值，以获取目标工艺参数的历史数据。
这些历史数据包括：在目标历史时间段内即在当前日期的前N天内采集到的、在工艺腔室中进行的该工艺配方对应的工艺涉及的每一个目标工艺参数的历史参数值。
对于在工艺腔室进行的工艺的每一个步骤，可以将将该工艺步骤涉及的上述历史数据中的、目标工艺参数的历史参数值存储在该工艺步骤对应的数据结构(或者说数据库)中。
例如，对于在工艺腔室中进行的工艺中的一个步骤，该步骤涉及N1个目标工艺参数，则将N1个目标工艺参数中的每一个目标工艺参数的历史参数值均存储在该步骤对应的数据结构中。
对于每一个步骤对应的数据结构，可以计算该数据结构中的工目标艺参数的历史参数值的平均值和方差。在计算该数据结构中的目标工艺参数的历史参数值的均值和方差时，分别计算该数据结构中的每一个工艺参数的历史参数值的均值和方差。
例如，一个数据结构存储一个步骤涉及的N1个目标工艺参数中的每一个目标工艺参数的历史参数值，在计算该数据结构中的目标工艺参数的历史参数值的均值和方差时，计算N1个目标工艺参数中的每一个目标工艺参数的历史参数值的均值和方差。
在本申请中，在计算每一个目标工艺参数的历史参数值的均值和方差之后，可以利用下位机将每一个目标工艺参数的历史参数值的均值和方差存储在用于存储每一个目标工艺参数的历史参数值的文件中。例如，将每一个目标工艺参数的均值和方差存储在名称为APC_Result_RecipeNa me的文件中。
当基于工艺腔室的目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件时，由于已经预先计算出每一个工艺参数的历史参数值统计数据，可以直接从用于存储每一个工艺参数的历史参数值的文件中读取出目标工艺参数的历史参数值统计数据，即目标工艺参数的历史参数值的均值和方差。
步骤102，若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
在本申请中，若满足工艺报警条件，可以生成指示工艺腔室的腔室环境发生变化的报警信息，从而，可以提示工艺腔室的工艺腔室环境发生变化，需要进行相关的用于保证工艺腔室的工艺腔室环境的稳定性的措施。
在一些实施例中，还包括：在对工艺腔室进行清洗操作时，实时地对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号，确定是否满足清洗报警条件；若满足清洗报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
清洗操作用于清洗在工艺完成之后工艺腔室中形成的副反应物。每一次在工艺腔室中完成工艺，均可以执行清洗操作。
当在工艺腔室中进行的工艺为刻蚀工艺时，清洗操的作用可以为清除副反应物即蚀刻侧壁堆积的聚合物并且利用等离子体反应在墙壁镀上一定厚度的保护层的操作。
在本申请中，在每一次对工艺腔室进行清洗操作的过程中，均可以通过光谱信号采集装置采集副反应物的光谱信号。
优选的，可以利用直读光谱仪采集副反应物的光谱信号。采集到的副反应物的光谱信号为OES(Optical Emission Spectrometer，简称OES)光谱信号。
在本申请中，对于工艺腔室，可以将在当前清洗过程即当前对该工艺腔室中进行的清洗操作的过程中采集到的副产物的光谱信号称之为当前的副产物光谱信号。当前对该工艺腔室中进行的清洗操作的过程为从当前开始对该工艺腔室执行清洗操作到完成清洗操作的过程。可以将在当前的清洗过程之前的历史清洗过程中采集到的副产物光谱信号称之为历史副产物光谱信号。
在本申请中，可以从在当前日期的前N天采集到的所有历史副产物光谱信号中选择一个历史副产物光谱信号作为基础副产物光谱信号，例如将采集时间距离当前最近的一个历史副产物光谱信号作为基础副产物光谱信号。也可以选择多个历史副产物光谱信号，每一个选择的历史副产物光谱信号各自作为一个基础副产物光谱信号。可以分别将每一个基础副产物光谱信号与当前的副产物光谱信号进行对比。
在一些实施例中，基础副产物光谱信号为最近一次或多次未生成报警信息的清洗操作对应的副产物光谱信号。
在本申请中，选择的历史副产物光谱信号可以满足以下条件：在历史监控过程中，该选择的历史副产物光谱信号被作为当前的光谱信号用于确定该工艺腔室的腔室环境是否发生变化，监控结果为该工艺腔室的腔室环境未发生变化，即在该次清洗操作中未产生报警信息，该选择的历史副产物光谱信号为未生成报警信息的清洗操作对应的副产物光谱信号。
在本申请中，在实时地对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号，可以对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号在相同的时间点的光谱强度，以确定是否满足清洗报警条件。
例如，清洗报警条件包括：对于多个时间点中的每一个时间点，当前的副产物光谱信号在该时间点的光谱强度与基础副产物光谱信号在该时间点的光谱强度的光谱强度差值大于预设阈值。或者，在多个连续的时间点，即一个时间段内，均出现当前的副产物光谱信号在时间点的光谱强度与基础副产物光谱信号在时间点的光谱强度的光谱强度差值大于预设阈值的情况，则可以确定满足清洗报警条件，生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
在本申请中，时间点可以是指相对于0时刻的时刻，时间点的单位为秒。在每一次对工艺腔室进行清洗操作时，均可以在开始清洗工艺腔室时，从0时刻开始计时。
例如，对于时间点15S，时间点15S为相对于0时刻的15秒。当前的副产物光谱信号在15S的光谱强度可以是指在距离当前清洗过程中的开始清洗工艺腔室的时刻15S的实际时刻，当前的副产物光谱信号的光谱强度。基础副产物光谱信号在15S的光谱强度可以是指在距离历史清洗过程中开始清洗工艺腔室的时刻15S的时刻，基础副产物光谱信号的光谱强度。
在一些实施例中，清洗报警条件包括：在预设时长内，当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。
若在一个预设时长的时间段内的任意一个时间点，当前的副产物光谱信号在该时间点的光谱强度与基础副产物光谱信号在该时间点的光谱强度的光谱强度差值大于预设阈值，则可以确定在预设时长内，当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。
在一些实施例中，当前的副产物光谱信号曲线通过对预设坐标系中的当前的副产物光谱信号的信号点进行连接得到，基础副产物光谱信号曲线通过对预设坐标系中的基础副产物光谱信号的信号点进行连接得到，当前的副产物光谱信号的信号点的横坐标为时间点，当前的副产物光谱信号的信号点的纵坐标为当前的副产物光谱信号在时间点的光谱强度，基础副产物光谱信号的信号点的横坐标为时间点，基础副产物光谱信号的信号点的纵坐标为基础副产物光谱信号在时间点的光谱强度。
在预设坐标系中，横坐标轴为时间点的坐标轴、纵坐标轴为光谱强度的坐标轴。
对于预设坐标系中的当前的副产物光谱信号的信号点，该信号点的纵坐标值为：在当前清洗过程中，由光谱信号采集装置采集到的、当前的副产物光谱信号在该信号点的横坐标指示的时刻的光谱强度。
可以对预设坐标系中的当前的副产物光谱信号的信号点进行连接即将当前的副产物光谱信号的任意两个相邻的信号点连接，得到当前的副产物光谱信号曲线。
对于预设坐标系中的基础副产物光谱信号的信号点，该信号点的纵坐标值为：在历史清洗过程中，由光谱信号采集装置采集到的、基础副产物光谱信号在该信号点的横坐标指示的时刻的光谱强度。
可以对预设坐标系中的基础副产物光谱信号的信号点进行连接即将基础副产物光谱信号的任意两个相邻的信号点连接，得到基础副产物光谱信号曲线。
在实时地对比当前的副产物光谱信号曲线与基础副产物光谱信号曲线时，可以对比当前的副产物光谱信号曲线与基础副产物光谱信号曲线在相同的时间点的取值，以确定是否满足清洗报警条件。
对于每一个时间点，当前的副产物光谱信号曲线或基础副产物光谱信号曲线在该时间点的取值为当前的副产物光谱信号曲线或基础副产物光谱信号曲线上的、横坐标为该时间点的信号点的纵坐标值。
清洗报警条件可以包括在预设时长内，当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。若通过实时地对比当前的副产物光谱信号曲线与基础副产物光谱信号曲线，确定对于预设时长的一个时间段内的任意一个时间点，当前的副产物光谱信号曲线在该时间点的取值与基础副产物光谱信号在该时间点的取值的差值大于预设阈值，则可以确定在预设时长内，当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值，满足清洗报警条件，生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
请参考图2，其示出了当前的副产物OES光谱信号与基础副产物OES光谱信号的效果示意图。
假设副产物为SiCl，可以使用288nm作为测定波长即OES-288nm采集光谱信号。
在图2中，实线表示基础副产物OES光谱信号。虚线表示当前的副产物OES光谱信号。横坐标轴为时间点的坐标轴、纵坐标轴为光谱强度的坐标轴。
在图2中，在时间点15s与时间点30s之间的时间段中的任意一个时间点，当前的副产物OES光谱信号在该时间点的光谱强度均大于基础副产物OES光谱信号在该时间点的光谱强度。
假设预设时长为15秒，清洗报警条件包括在预设时长内，当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值，若在时间点15s与时间点30s之间的时间段中的每一个时间点，当前的副产物OES光谱信号曲线在该时间点的取值与基础副产物OES光谱信号在该时间点的取值的差值大于预设阈值，则可以确定在预设时长内，当前的副产物OES光谱信号与基础副产物OES光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值，满足清洗报警条件，工艺腔室环境发生变化，生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
请参考图3，其示出了本申请实施例提供的半导体工艺设备的结构框图。半导体工艺设备包括：确定单元301，工艺报警单元302。
确定单元301被配置为基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，目标工艺参数的历史参数值统计数据基于目标工艺参数的多个历史参数值确定；
工艺报警单元302被配置为若满足工艺报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
在一些实施例中，目标工艺参数的历史参数值统计数据包括：历史参数值的均值、历史参数值的方差；工艺报警条件包括：当前参数值与所述历史参数值的均值的差大于历史参数值的方差。
在一些实施例中，半导体工艺设备还包括：计算单元，被配置为在基于目标工艺参数的当前参数值和目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件之前，读取目标工艺参数所属的工艺配方对应的文件夹中目标历史时间段内生成的每一个历史参数文件中目标工艺参数的历史参数值，以获取目标工艺参数的历史数据，其中，历史数据包括：在目标历史时间段内采集到的、在工艺腔室中进行的工艺配方对应的工艺涉及的每一个目标工艺参数的历史参数值，目标历史时间段包括在当前日期之前的多天；对于工艺配方中的每一个工艺步骤，将该工艺步骤涉及的历史数据中的、目标工艺参数的历史参数值存储在该工艺步骤对应的数据结构中；计算各数据结构中的目标工艺参数的历史参数值的均值和方差。
在一些实施例中，半导体工艺设备还包括：
清洗报警单元，被配置为在对工艺腔室进行清洗操作时，实时地对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号，确定是否满足清洗报警条件；若满足清洗报警条件，则生成指示工艺腔室环境发生变化的报警信息。
在一些实施例中，清洗报警条件包括：在预设时长内，当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。
在一些实施例中，所述基础副产物光谱信号为最近一次或多次未生成所述报警信息的清洗操作对应的副产物光谱信号。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的申请后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种工艺腔室环境稳定性监控方法，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述方法包括：
基于目标工艺参数的当前参数值和所述目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，所述目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据基于所述目标工艺参数的多个历史参数值确定；
若满足所述工艺报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据包括：历史参数值的均值、历史参数值的方差；
所述工艺报警条件包括：所述当前参数值与所述历史参数值的均值的差大于所述历史参数值的方差。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述基于目标工艺参数的当前参数值和所述目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件之前，所述方法还包括：
读取所述目标工艺参数所属的工艺配方对应的文件夹中目标历史时间段内生成的每一个历史参数文件中所述目标工艺参数的历史参数值，以获取所述目标工艺参数的历史数据，其中，所述历史数据包括：在所述目标历史时间段内采集到的、在所述工艺腔室中进行的所述工艺配方对应的工艺涉及的每一个所述目标工艺参数的历史参数值，所述目标历史时间段包括在当前日期之前的多天；
对于所述工艺配方中的每一个工艺步骤，将该工艺步骤涉及的所述历史数据中的、所述目标工艺参数的历史参数值存储在该工艺步骤对应的数据结构中；
计算各所述数据结构中的所述目标工艺参数的历史参数值的均值和方差。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在对所述工艺腔室进行清洗操作时，实时地对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号，确定是否满足清洗报警条件；
若满足所述清洗报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述清洗报警条件包括：在预设时长内，所述当前的副产物光谱信号与所述基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基础副产物光谱信号为最近一次或多次未生成所述报警信息的清洗操作对应的副产物光谱信号。
7.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备包括：
确定单元，被配置为基于目标工艺参数的当前参数值和所述目标工艺参数的历史参数值统计数据，确定是否满足工艺报警条件，其中，所述目标工艺参数为用于确定工艺腔室环境是否发生变化的工艺参数，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据基于所述目标工艺参数的多个历史参数值确定；
工艺报警单元，被配置为若满足所述工艺报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。
8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述目标工艺参数的历史参数值统计数据包括：历史参数值的均值、历史参数值的方差；
所述工艺报警条件包括：所述当前参数值与所述历史参数值的均值的差大于所述历史参数值的方差。
9.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体工艺设备还包括：
清洗报警单元，被配置为在对所述工艺腔室进行清洗操作时，实时地对比当前的副产物光谱信号与基础副产物光谱信号，确定是否满足清洗报警条件；若满足所述清洗报警条件，则生成指示所述工艺腔室环境发生变化的报警信息。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述清洗报警条件包括：在预设时长内，所述当前的副产物光谱信号与所述基础副产物光谱信号的光谱强度差值始终大于预设阈值。
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Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| CN101207000A (zh) * | 2006-12-20 | 2008-06-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种反应腔室内部工艺状态监控方法 |
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-
2020
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Patent Citations (4)
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