CN112649139A - 传感器元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够同时测量多个压力的传感器元件。传感器元件的传感器芯片(10a)具备：第1压力与第2压力的差压测量用的膜片(42)；第2压力的绝对压力测量用或者表压测量用的膜片(43)；第1压力导入通路(贯通孔(21、31、47)、槽(35、53)以及凹陷部(33、50))，其将第1压力传递至膜片(42)；以及第2压力导入通路(贯通孔(20、30、46)、槽(32、54)以及凹陷部(40、51))，其将第2压力传递至膜片(42、43)。在利用等效电路表示第1、第2压力向膜片(42、43)的传递时，第1压力的传递路径与第2压力的传递路径对称。

Description

传感器元件
技术领域
本发明涉及传感器元件。
背景技术
以往，作为检测差压或者压力的压力传感器，已知有在作为感压部的半导体膜片上形成有压电电阻的半导体压阻式压力传感器(参考专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特表2015-512046号公报
发明内容
发明要解决的课题
在专利文献1所公开的压力传感器中，仅将差压作为测定对象，或者仅将绝对压力作为测定对象，未知晓同时测量差压和绝对压力等多个压力的构造。
本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供能够高精度地同时测量多个压力的小型的传感器元件。
用于解决课题的技术手段
本发明提供一种传感器元件，其包括传感器芯片和与该传感器芯片的一面接合的膜片基底，该传感器元件的特征在于，所述传感器芯片具备：第1压力与第2压力的差压测量用的第1膜片；所述第2压力的绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片；第1压力导入通路，其将所述第1压力传递至所述第1膜片；以及第2压力导入通路，其将所述第2压力传递至所述第1膜片和所述第2膜片，所述膜片基底具备：第3膜片，其直接承受具有所述第1压力的测量对象的流体；第4膜片，其直接承受具有所述第2压力的测量对象的流体；第3压力导入通路，其与所述第1压力导入通路连通，将所述第3膜片所承受的所述第1压力传递至所述第1压力导入通路以及所述第1膜片；以及第4压力导入通路，其与所述第2压力导入通路连通，将所述第4膜片所承受的所述第2压力传递至所述第2压力导入通路以及所述第2膜片，第1压力传递介质封入于所述第1压力导入通路至所述第3压力导入通路，第2压力传递介质封入于所述第2压力导入通路至所述第4压力导入通路，所述第1压力传递介质能够将所述第1压力传递至所述第1膜片，所述第2压力传递介质能够将所述第2压力传递至所述第1膜片和所述第2膜片，且在将所述第1压力传递介质以及所述第2压力传递介质的移动量通过电荷模型化、将所述第1压力传递介质以及所述第2压力传递介质的流速通过电流模型化、将所述第1压力和所述第2压力通过电压模型化、将所述第1膜片～所述第4膜片的柔度通过电容模型化、将所述第1压力导入通路～所述第4压力导入通路的流路阻抗通过电阻模型化、利用等效电路表示所述第1压力、所述第2压力向所述第1膜片以及所述第2膜片的传递时，所述第1压力的传递路径与所述第2压力的传递路径对称。
另外，本发明的传感器元件的1结构例还具备基准室，其配设于传递所述第2压力的所述绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片的与第1主面相反一侧的第2主面；以及第5膜片，其被配设成隔着所述基准室而与所述绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片对置，所述第1压力导入通路将所述第1压力传递至所述第5膜片的与和所述基准室相向的第1主面相反一侧的第2主面，在利用所述等效电路表示所述第1压力、所述第2压力向所述第1膜片、所述第2膜片以及所述第5膜片的传递时，所述第1压力的传递路径与所述第2压力的传递路径对称。
另外，本发明的传感器元件的1结构例还具备第1基准室，其配设于传递所述第2压力的所述绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片的与第1主面相反一侧的第2主面；第6膜片，其被配设成隔着将所述第1压力传递至所述差压测量用的第1膜片的所述第1压力导入通路而与所述差压测量用的第1膜片对置；以及第2基准室，其配设于所述第6膜片的与和所述第1压力导入通路相向的第1主面相反一侧的第2主面，在利用所述等效电路表示所述第1压力、所述第2压力向所述第1膜片、所述第2膜片以及所述第6膜片的传递时，所述第1压力的传递路径与所述第2压力的传递路径对称。
另外，在本发明的传感器元件的1结构例中，充满于所述第1压力导入通路的所述第1压力传递介质的量与充满于所述第2压力导入通路的所述第2压力传递介质的量相同。
另外，本发明的传感器元件的1结构例的特征在于，还具备液量调整室，其以使所述第1压力传递介质的量与所述第2压力传递介质的量相同的方式，设置于所述第1压力导入通路的中途。
发明的效果
根据本发明，能够高精度地同时测量多个压力，而且能够实现传感器元件的小型化。
附图说明
图1为对本发明的原理进行说明的传感器元件的剖面图。
图2为图1的传感器元件的传感器芯片的俯视图。
图3为图1的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图4为图1的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图5为图1的传感器元件的等效电路图。
图6为本发明的第1实施例的传感器元件的传感器芯片的俯视图。
图7为本发明的第1实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图8为本发明的第1实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图9为本发明的第1实施例的传感器元件的等效电路图。
图10为本发明的第2实施例的传感器元件的传感器芯片的俯视图。
图11为本发明的第2实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图12为本发明的第2实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图13为本发明的第3实施例的传感器元件的传感器芯片的俯视图。
图14为本发明的第3实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图15为本发明的第3实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图16为表示本发明的第3实施例的传感器元件的传感器芯片的另一构成的俯视图。
图17为表示本发明的第3实施例的传感器元件的传感器芯片的另一构成的剖面图。
图18为表示本发明的第3实施例的传感器元件的传感器芯片的另一构成的剖面图。
图19为本发明的第4实施例的传感器元件的传感器芯片的俯视图。
图20为本发明的第4实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
图21为本发明的第4实施例的传感器元件的传感器芯片的剖面图。
具体实施方式
[发明的原理]
图1为对本发明的原理进行说明的传感器元件的剖面图，图2为图1的传感器元件的传感器芯片的俯视图，图3为图2的A-A线剖面图，图4为图2的B-B线剖面图。传感器元件1包括膜片基底7、以及搭载于膜片基底7上的传感器芯片10。
传感器芯片10包括由玻璃构成的平板状的基台2、与基台2接合的由硅构成的平板状的流路构件3、与流路构件3接合的由硅构成的平板状的感压构件4、以及与感压构件4接合的由硅构成的平板状的盖构件5。
基台2形成有成为压力导入通路的两个贯通孔20、21，它们将基台2从背面贯通至正面。
在流路构件3中，在当基台2与流路构件3接合时与贯通孔20、21连通的位置处，形成有成为压力导入通路的贯通孔30、31，它们将流路构件3从背面贯通至正面。另外，在流路构件3的与感压构件4相向的正面形成有成为压力导入通路的槽32，其一端与贯通孔30连通，在流路构件3与感压构件4接合时，另一端与后述的凹陷部40连通。
在感压构件4的与流路构件3相向的背面形成有正方形的两个凹陷部40、41(压力导入室)，它们以使感压构件4的正面侧残留的方式去除背面侧而形成。感压构件4的形成有凹陷部40、41的区域的正面侧所残留的部分成为膜片42、43。
另外，在感压构件4的与盖构件5相向的正面中的、形成于凹陷部40、41的区域的正面侧的膜片42、43的边缘部，例如利用杂质扩散或者离子注入的技术形成有作为压电电阻元件发挥功能的应变片44-1～44-4、45-1～45-4。应变片44-1～44-4分别形成于在俯视的情况下为正方形的膜片42(第1膜片)的4边的中点附近。同样地，应变片45-1～45-4分别形成于在俯视的情况下为正方形的膜片43(第2膜片)的4边的中点附近。
进而，在感压构件4中，在当流路构件3与感压构件4接合时与贯通孔30、31连通的位置处，形成有成为压力导入通路的贯通孔46、47，它们将感压构件4从背面贯通至正面。
在盖构件5的与感压构件4相向的背面，在当感压构件4与盖构件5接合时对膜片42、43进行覆盖的位置处，形成有以使盖构件5的正面侧残留的方式去除背面侧而形成的正方形的两个凹陷部50、51(压力导入室)。另外，在盖构件5a的背面形成有成为压力导入通路的槽53，在感压构件4与盖构件5a接合时，其一端与贯通孔47连通，另一端与凹陷部50连通。进而，在盖构件5的背面形成有成为压力导入通路的槽54，在感压构件4与盖构件5接合时，其一端与贯通孔46连通，另一端与凹陷部51连通。
贯通孔20、21、30、31、46、47、凹陷部40、41、50、51以及槽32、53、54能够通过蚀刻技术容易地形成，这是不言自明的。关于以后的实施例的贯通孔、凹陷部以及槽也同样地能够通过蚀刻技术容易地形成。
基台2与流路构件3以使基台2的贯通孔20、21与流路构件3的贯通孔30、31连通的方式，通过直接接合来接合。流路构件3与感压构件4以使流路构件3的贯通孔30、31与感压构件4的贯通孔46、47连通、使流路构件3的槽32与感压构件4的凹陷部40连通的方式，通过直接接合来接合。感压构件4与盖构件5以使盖构件5的凹陷部50、51覆盖感压构件4的膜片42、43、使感压构件4的贯通孔46与盖构件5的槽54连通、使感压构件4的贯通孔47与盖构件5的槽53连通的方式，通过直接接合来接合。
膜片基底7由用于将测量对象的流体的压力引导至传感器芯片10的金属材料构成。作为金属材料，能够例示不锈钢(SUS)。如图1所示，膜片基底7具有主面7a和与其相反一侧的主面7b。膜片基底7形成有作为贯通主面7a和主面7b的压力导入通路的贯通孔70、71。在贯通孔70、71的主面7a侧的开口部形成有两个凹陷部72、73。凹陷部72由直接承受具有第2压力的测量对象的流体的隔膜74(第4膜片)覆盖。同样地，凹陷部73由直接承受具有第1压力的测量对象的流体的隔膜75(第3膜片)覆盖。隔膜74、75例如由不锈钢(SUS)构成。
传感器芯片10与膜片基底7以使传感器芯片10的贯通孔20、21与膜片基底7的贯通孔70、71连通的方式，利用粘接剂来接合。
第1油(第1压力传递介质)能够经由膜片基底7的凹陷部73、贯通孔71、传感器芯片10的贯通孔21、31、47、52、槽53以及凹陷部50到达至传感器芯片10的膜片42的上表面。第1油将被施加至隔膜75的第1压力传递至膜片42的上表面。第2油(第2压力传递介质)能够经由膜片基底7的凹陷部72、贯通孔70、传感器芯片10的贯通孔20、30、槽32以及凹陷部40到达至膜片42的下表面。第2油将被施加至隔膜74的第2压力传递至膜片42的下表面。
第2油能够经由膜片基底7的凹陷部72、贯通孔70、传感器芯片10的贯通孔20、30、46、槽54以及凹陷部51到达至传感器芯片10的膜片43的上表面。第2油将被施加至隔膜74的第2压力传递至膜片43的上表面。膜片43的下表面的凹陷部41(基准室)以真空状态被密封。
虽然在图1～图4中未图示，但例如使感压构件4的平面形状比盖构件5的平面形状大，在感压构件4的露出的正面形成与各应变片44-1～44-4、45-1～45-4分别电连接的8个电极焊盘，从而使应变片44-1～44-4、45-1～45-4能够与外部的电路接线。应变片与外部的电路的接线方法在以后的实施例中也相同。
应变片44-1～44-4与外部的电路一起构成差压测量用的惠斯通电桥电路。利用差压测量用的惠斯通电桥电路，能够测量被施加至膜片42的上表面的第1压力与被施加至膜片42的下表面的第2压力的差压。
应变片45-1～45-4与外部的电路一起构成绝对压力测量用的惠斯通电桥电路。利用绝对压力测量用的惠斯通电桥电路，能够测量被施加至膜片43的上表面的第2压力的绝对压力。
关于惠斯通电桥电路的构成，由于是公知的技术，所以省略详细的说明。
图5表示以上那样的传感器元件1的等效电路。在图5中，电容器C1是使隔膜75的柔度模型化而成的，电容器C2是使隔膜74的柔度模型化而成的，电容器C3是使膜片42的柔度模型化而成的，电容器C4是使膜片43的柔度模型化而成的。
电阻器R1为封入有第1油的凹陷部73和贯通孔71的流路阻抗，电阻器R2为封入有第2油的凹陷部72和贯通孔70的流路阻抗，电阻器R3为封入有第1油的贯通孔21、31、47、槽53以及凹陷部50的流路阻抗，电阻器R4为封入有第2油的贯通孔20、30、槽32以及凹陷部40的流路阻抗，电阻器R5为封入有第2油的贯通孔20、30、46、槽54以及凹陷部51的流路阻抗。
在图5的等效电路中，将油的移动量通过电荷模型化，将油的流速通过电流模型化，将压力通过电压模型化。第1压力与第2压力的差压作为电容器C3的两端电压而得到，第2压力的绝对压力作为电容器C4的两端电压而得到。此外，在图5的等效电路中，忽略了油的压缩性。
从图5可知，在图1的传感器元件1中，第1压力的传递路径与第2压力的传递路径非对称，所以产生如以下的(A)、(B)那样的问题。为了设备的小型化，膜片74、75的纵横比(直径/膜厚之比)越小(柔度越小)，则(A)、(B)的问题的影响越大，另外为了传感器的高灵敏度化，膜片42、43的纵横比越大(柔度越大)，则(A)、(B)的问题的影响越大。
(A)施加静态压力时的过渡差压的产生。
(B)施加静态压力时的零点漂移。
使用图5的等效电路，对(A)、(B)的问题进行说明。在对传感器元件1施加静态压力的情况下，在图5的等效电路中，对电容器C1侧(以下，设为1次侧)和电容器C2侧(以下，设为2次侧)同时施加相同的电压。在没有绝对压力传感器(电容器C4和电阻器R5)的情况下，第1压力的传递路径与第2压力的传递路径对称，所以即使对1次侧和2次侧同时施加相同的电压，电荷也不会积蓄于电容器C3，所以在电容器C3的两端不会产生电压。即，不会产生施加静态压力时的过渡差压。
但是，在图5的等效电路中，有绝对压力传感器，从而电荷会积蓄于电容器C4。关于1次侧，电压不延迟地被施加至电容器C3，但关于2次侧，电容器C3的电压上升会产生延迟。即，会过渡性地产生差压。
由于电荷流至2次侧的电容器C4，在相同的2次侧的电容器C2中也会积蓄电荷，所以在电容器C2中产生电压。关于1次侧，所施加的电压(第1压力)被原样施加至电容器C3，但关于2次侧，从所施加的电压(第2压力)中减去由电容器C2产生的电压而得到的电压被施加至电容器C3。因而，就会产生静态压力所致的零点漂移。
接下来，对(A)、(B)的问题定性地进行说明。在静态压力被施加至传感器元件1的情况下，若没有绝对压力传感器，则1次侧与2次侧对称，所以1次侧、2次侧的隔膜74、75都相同地仅位移封入油的压缩量。在该情况下，1次侧、2次侧不产生差压，所以测量差压的膜片42不会发生位移。
但是，在图1的传感器元件1中，有绝对压力传感器，从而膜片43会发生位移。在2次侧，向膜片42的压力传递会延迟该位移所需的时间量。因而，就会过渡性地产生差压。另外，若膜片43发生位移，则2次侧的隔膜74也以比1次侧的隔膜75大该位移量的方式发生位移。隔膜74、75的反作用力与该位移量相应地变大。由于隔膜74、75的位移之差，反作用力中也产生差，所以会产生反作用力之差的量的内压差。因而，就会产生静态压力所致的零点漂移。
在上述说明中，对绝对压力传感器对差压传感器的影响进行了说明，但相反地，也会产生差压传感器对绝对压力传感器的影响。
如上述那样，在图1的传感器元件1中，第1压力的传递路径与第2压力的传递路径非对称，所以存在如(A)、(B)那样的问题。在本发明中，以如下方式使第1压力的传递路径和第2压力的传递路径成为对称构造，从而解决(A)、(B)的问题。
[第1实施例]
以下，参考附图，对本发明的实施例进行说明。图6为本发明的第1实施例的传感器元件的俯视图，图7为图6的A-A线剖面图，图8为图6的B-B线剖面图。本实施例的传感器元件1a包括膜片基底、和搭载于膜片基底上的传感器芯片10a。关于膜片基底，与在图1中说明的情况一样，所以省略记载，使用图1的符号来进行说明。
传感器芯片10a包括由玻璃构成的平板状的基台2、与基台2接合的由硅构成的平板状的流路构件3a、与流路构件3a接合的由硅构成的平板状的感压构件4、以及与感压构件4接合的由硅构成的平板状的盖构件5。关于基台2、感压构件4以及盖构件5，与在图1～图4中说明的情况一样。
在流路构件3a中，在当基台2与流路构件3a接合时与贯通孔20、21连通的位置处，形成有作为将流路构件3a从背面贯通至正面的压力导入通路的贯通孔30、31。另外，在流路构件3a的与基台2相向的背面，形成有以使流路构件3a的正面侧残留的方式去除背面侧而形成的正方形的凹陷部33(压力导入室)。流路构件3a的形成有凹陷部33的区域的正面侧所残留的部分成为具有与膜片43相同的柔度的伪膜片34(第5膜片)。
另外，在流路构件3a的背面形成有成为压力导入通路的槽35，其一端与贯通孔31连通，另一端与凹陷部33连通。进而，在流路构件3a的与感压构件4相向的正面形成有成为压力导入通路的槽32，其一端与贯通孔30连通，在流路构件3a与感压构件4接合时，另一端与感压构件4的凹陷部40连通。
贯通孔21、31、47、槽53以及凹陷部50构成第1压力导入通路，其将第1压力传递至膜片42的第1主面(上表面)。贯通孔20、30、46、槽32、54以及凹陷部40、51构成第2压力导入通路，其将第2压力传递至膜片42的第2主面(下表面)以及膜片43的第1主面(上表面)。
基台2与流路构件3a以使基台2的贯通孔20、21与流路构件3a的贯通孔30、31连通的方式，通过直接接合来接合。流路构件3a与感压构件4以使感压构件4的凹陷部41覆盖流路构件3a的伪膜片34、使流路构件3a的贯通孔30、31与感压构件4的贯通孔46、47连通、使流路构件3a的槽32与感压构件4的凹陷部40连通的方式，通过直接接合来接合。感压构件4与盖构件5以使盖构件5的凹陷部50、51覆盖感压构件4的膜片42、43、使感压构件4的贯通孔46与盖构件5的槽54连通、使感压构件4的贯通孔47与盖构件5的槽53连通的方式，通过直接接合来接合。
与图1同样地，传感器芯片10a与膜片基底7以使传感器芯片10a的贯通孔20、21与膜片基底7的贯通孔70、71连通的方式，利用粘接剂来接合。
膜片基底7的凹陷部73和贯通孔71构成第3压力导入通路，其与所述第1压力导入通路连通，将膜片75所承受的第1压力传递至所述第1压力导入通路以及膜片42。膜片基底7的凹陷部72和贯通孔70构成第4压力导入通路，其与所述第2压力导入通路连通，将膜片74所承受的第2压力传递至所述第2压力导入通路以及膜片43。
图9表示本实施例的传感器元件1a的等效电路。在图9中，电容器C1是使隔膜75的柔度模型化而成的，电容器C2是使隔膜74的柔度模型化而成的，电容器C3是使膜片42的柔度模型化而成的，电容器C4是使膜片43的柔度模型化而成的，电容器C5是使伪膜片34的柔度模型化而成的。
电阻器R1为封入有第1油的凹陷部73和贯通孔71的流路阻抗，电阻器R2为封入有第2油的凹陷部72和贯通孔70的流路阻抗，电阻器R3为封入有第1油的贯通孔21、31、47、槽53以及凹陷部50的流路阻抗，电阻器R4为封入有第2油的贯通孔20、30、槽32以及凹陷部40的流路阻抗，电阻器R5为封入有第2油的贯通孔20、30、46、槽54以及凹陷部51的流路阻抗，电阻器R6为封入有第1油的贯通孔21、31、槽35以及凹陷部33的流路阻抗。
与图5同样地，在图9的等效电路中，将油的移动量通过电荷模型化，将油的流速通过电流模型化，将压力通过电压模型化。在图9的等效电路中，忽略了油的压缩性。
从图9可知，在本实施例的传感器元件1a中，设置有槽35、凹陷部33以及伪膜片34，从而第1压力的传递路径与第2压力的传递路径成为对称构造。因而，在本实施例中，能够抑制上述(A)、(B)的问题，并高灵敏度地同时测量差压和绝对压力，能够实现传感器元件的小型化。
此外，为了使第1压力的传递路径和第2压力的传递路径成为完全的对称构造，优选的是，使电容器C1的值(隔膜75的柔度)与电容器C2的值(隔膜74的柔度)相等，使电容器C4的值(膜片43的柔度)与电容器C5的值(伪膜片34的柔度)相等。另外，优选的是，使电阻器R1的值(凹陷部73和贯通孔71的流路阻抗)与电阻器R2的值(凹陷部72和贯通孔70的流路阻抗)相等，使电阻器R3的值(贯通孔21、31、47、槽53以及凹陷部50的流路阻抗)与电阻器R4的值(贯通孔20、30、槽32以及凹陷部40的流路阻抗)相等，使电阻器R5的值(贯通孔20、30、46、槽54以及凹陷部51的流路阻抗)与电阻器R6的值(贯通孔21、31、槽35以及凹陷部33的流路阻抗)相等。
另外，在本实施例中，更优选的是，在第1压力的传递路径与第2压力的传递路径为对称构造这样的前提条件之下，使封入于膜片基底7的凹陷部73、贯通孔71、传感器芯片10a的贯通孔21、31、47、槽35、53以及凹陷部33、50的第1油的量与封入于膜片基底7的凹陷部72、贯通孔70、传感器芯片10a的贯通孔20、30、46、槽32、54以及凹陷部40、51的第2油的量相同。
在图1～图4所示的构造中，不将第1油导入至膜片43的下表面的凹陷部41，所以第1油的量就会比第2油少。若这样存在油量之差，则存在起因于油量之差而使得温度所致的压力的零点漂移变大这样的问题。
在本实施例中，由于将第1油导入至槽35和凹陷部33，所以能够使第1油的量与第2油的量相同，或减小第1油的量与第2油的量之差，能够降低温度变化所致的油膨胀及收缩所引起的特性变化(差压的零点漂移)。
[第2实施例]
接下来，对本发明的第2实施例进行说明。图10为本发明的第2实施例的传感器元件的俯视图，图11为图10的A-A线剖面图，图12为图10的B-B线剖面图。本实施例的传感器元件1b包括膜片基底、和搭载于膜片基底上的传感器芯片10b。关于膜片基底，与在图1中说明的情况一样，所以省略记载，使用图1的符号来进行说明。
传感器芯片10b包括由玻璃构成的平板状的基台2、与基台2接合的由硅构成的平板状的流路构件3、与流路构件3接合的由硅构成的平板状的感压构件4、与感压构件4接合的由硅构成的平板状的盖构件5b、以及与盖构件5b接合的由硅构成的平板状的对称性调整构件6。关于基台2、流路构件3以及感压构件4，与在图1～图4中说明的情况一样。
在盖构件5b的与感压构件4相向的背面，在当感压构件4与盖构件5b接合时对膜片42、43进行覆盖的位置处，形成有以使盖构件5b的正面侧残留的方式去除背面侧而形成的正方形的两个凹陷部50b、51(压力导入室)。另外，在盖构件5b中，在当感压构件4与盖构件5b接合时与贯通孔47连通的位置处，形成有作为将盖构件5b从背面贯通至正面的压力导入通路的贯通孔55。
另外，在盖构件5b的背面形成有成为压力导入通路的槽53b，其一端与贯通孔55连通，另一端与凹陷部50b连通。进而，在盖构件5b的背面形成有成为压力导入通路的槽54，在感压构件4与盖构件5b接合时，其一端与贯通孔46连通，另一端与凹陷部51连通。盖构件5b的形成有凹陷部50b的区域的正面侧所残留的部分成为具有与膜片43相同的柔度的伪膜片56(第6膜片)。
在对称性调整构件6的与盖构件5b相向的背面，在当盖构件5b与对称性调整构件6接合时对伪膜片56进行覆盖的位置处，形成有以使对称性调整构件6的正面侧残留的方式去除背面侧而形成的正方形的凹陷部60(第2基准室)。另外，在对称性调整构件6的背面，形成有以使对称性调整构件6的正面侧残留的方式去除背面侧而形成的正方形的凹陷部61(液量调整室)。进而，在对称性调整构件6的背面形成有成为压力导入通路的槽62，在盖构件5b与对称性调整构件6接合时，其一端与贯通孔55连通，另一端与凹陷部61连通。
贯通孔21、31、47、55、槽53b以及凹陷部50b构成第1压力导入通路，其将第1压力传递至膜片42的第1主面(上表面)以及伪膜片56的第1主面(下表面)。贯通孔20、30、46、槽32、54以及凹陷部40、51构成第2压力导入通路，其将第2压力传递至膜片42的第2主面(下表面)以及膜片43的第1主面(上表面)。
感压构件4与盖构件5b以使盖构件5b的凹陷部50b、51覆盖感压构件4的膜片42、43、使感压构件4的贯通孔46与盖构件5b的槽54连通、使感压构件4的贯通孔47与盖构件5b的贯通孔55连通的方式，通过直接接合来接合。盖构件5b与对称性调整构件6以使对称性调整构件6的凹陷部60覆盖盖构件5b的伪膜片56、使盖构件5b的贯通孔55与对称性调整构件6的槽62连通的方式，通过直接接合来接合。与凹陷部41(第1基准室)同样地，凹陷部60(第2基准室)以真空状态被密封。
与图1同样地，传感器芯片10b与膜片基底7以使传感器芯片10b的贯通孔20、21与膜片基底7的贯通孔70、71连通的方式，利用粘接剂来接合。
在本实施例中，传感器元件1b的等效电路也成为如图9那样。电容器C1～C4与第1实施例相同。电容器C5是使伪膜片56的柔度模型化而成的。电阻器R1、R2、R4、R5与第1实施例相同。R3、R6为封入有第1油的贯通孔21、31、47、55、槽53b以及凹陷部50b的流路阻抗。
在本实施例的传感器元件1b中，设置有槽53b、凹陷部50b、60以及伪膜片56，从而第1压力的传递路径与第2压力的传递路径成为对称构造。因而，在本实施例中，能够抑制上述(A)、(B)的问题，并高灵敏度地同时测量差压和绝对压力，能够实现传感器元件的小型化。
与第1实施例同样地，为了使第1压力的传递路径与第2压力的传递路径成为完全的对称构造，优选的是，使电容器C1的值(隔膜75的柔度)与电容器C2的值(隔膜74的柔度)相等，使电容器C4的值(膜片43的柔度)与电容器C5的值(伪膜片56的柔度)相等。另外，优选的是，使电阻器R1的值(凹陷部73和贯通孔71的流路阻抗)与电阻器R2的值(凹陷部72和贯通孔70的流路阻抗)相等，使电阻器R3的值(贯通孔21、31、47、55、槽53b以及凹陷部50b的流路阻抗)与电阻器R4的值(贯通孔20、30、槽32以及凹陷部40的流路阻抗)相等，使电阻器R5的值(贯通孔20、30、46、槽54以及凹陷部51的流路阻抗)与电阻器R6的值(贯通孔21、31、47、55、槽53b以及凹陷部50b的流路阻抗)相等。
另外，在本实施例中，更优选的是，在第1压力的传递路径与第2压力的传递路径为对称构造这样的前提条件之下，使封入于膜片基底7的凹陷部73、贯通孔71、传感器芯片10b的贯通孔21、31、47、55、槽53b、62以及凹陷部50b、61的第1油的量、与封入于膜片基底7的凹陷部72、贯通孔70、传感器芯片10b的贯通孔20、30、46、槽32、54以及凹陷部40、51的第2油的量相同。
在本实施例中，由于将第1油导入至槽62和凹陷部61，所以能够使第1油的量与第2油的量相同，或减小第1油的量与第2油的量之差，能够降低温度变化所致的油膨胀及收缩所引起的特性变化(差压的零点漂移)。
[第3实施例]
接下来，对本发明的第3实施例进行说明。图13为本发明的第3实施例的传感器元件的俯视图，图14为图13的A-A线剖面图，图15为图13的B-B线剖面图。本实施例的传感器元件1c包括膜片基底和搭载于膜片基底上的传感器芯片10c。关于膜片基底，与在图1中说明的情况一样，所以省略记载，使用图1的符号来进行说明。
传感器芯片10c包括由玻璃构成的平板状的基台2、与基台2接合的由硅构成的平板状的流路构件3、与流路构件3接合的由硅构成的平板状的感压构件4、与感压构件4接合的由硅构成的平板状的盖构件5c、以及与盖构件5c接合的由硅构成的平板状的对称性调整构件6c。关于基台2、流路构件3以及感压构件4，与在图1～图4中说明的情况一样。
在盖构件5c的与感压构件4相向的背面，在当感压构件4与盖构件5c接合时对膜片42、43进行覆盖的位置处，形成有以使盖构件5c的正面侧残留的方式去除背面侧而形成的正方形的两个凹陷部50c、51(压力导入室)。另外，在盖构件5c的背面形成有成为压力导入通路的槽53c，在感压构件4与盖构件5c接合时，其一端与贯通孔47连通，另一端与凹陷部50c连通。进而，在盖构件5c的背面形成有成为压力导入通路的槽54，在感压构件4与盖构件5c接合时，其一端与贯通孔46连通，另一端与凹陷部51连通。盖构件5c的形成有凹陷部50c的区域的正面侧所残留的部分成为具有与膜片43相同的柔度的伪膜片56。
在对称性调整构件6c的与盖构件5c相向的背面，与第2实施例同样地形成有凹陷部60。
贯通孔21、31、47、槽53c以及凹陷部50c构成第1压力导入通路，其将第1压力传递至膜片42的第1主面(上表面)以及伪膜片56的第1主面(下表面)。贯通孔20、30、46、槽32、54以及凹陷部40、51构成第2压力导入通路，其将第2压力传递至膜片42的第2主面(下表面)以及膜片43的第1主面(上表面)。
感压构件4与盖构件5c以使盖构件5c的凹陷部50c、51覆盖感压构件4的膜片42、43、使感压构件4的贯通孔46与盖构件5c的槽54连通、使感压构件4的贯通孔47与盖构件5c的槽53c连通的方式，通过直接接合来接合。盖构件5c与对称性调整构件6c以使对称性调整构件6c的凹陷部60覆盖盖构件5c的伪膜片56的方式，通过直接接合来接合。
与图1同样地，传感器芯片10c与膜片基底7以使传感器芯片10c的贯通孔20、21与膜片基底7的贯通孔70、71连通的方式，利用粘接剂来接合。
在本实施例中，传感器元件1c的等效电路也成为如图9那样。电容器C1～C4与第1实施例相同。电容器C5是使伪膜片56的柔度模型化而成的。电阻器R1、R2、R4、R5与第1实施例相同。R3、R6为封入有第1油的贯通孔21、31、47、槽53c以及凹陷部50c的流路阻抗。
在本实施例的传感器元件1c中，设置有槽53c、凹陷部50c、60以及伪膜片56，从而第1压力的传递路径与第2压力的传递路径成为对称构造。因而，在本实施例中，能够抑制上述(A)、(B)的问题，并高灵敏度地同时测量差压和绝对压力，能够实现传感器元件的小型化。
与第1实施例同样地，为了使第1压力的传递路径和第2压力的传递路径成为完全的对称构造，优选的是，使电容器C1的值(隔膜75的柔度)与电容器C2的值(隔膜74的柔度)相等，使电容器C4的值(膜片43的柔度)与电容器C5的值(伪膜片56的柔度)相等。另外，优选的是，使电阻器R1的值(凹陷部73和贯通孔71的流路阻抗)与电阻器R2的值(凹陷部72和贯通孔70的流路阻抗)相等，使电阻器R3的值(贯通孔21、31、47、槽53c以及凹陷部50c的流路阻抗)与电阻器R4的值(贯通孔20、30、槽32以及凹陷部40的流路阻抗)相等，使电阻器R5的值(贯通孔20、30、46、槽54以及凹陷部51的流路阻抗)与电阻器R6的值(贯通孔21、31、47、槽53c以及凹陷部50c的流路阻抗)相等。
另外，在本实施例中，更优选的是，在第1压力的传递路径与第2压力的传递路径为对称构造这样的前提条件之下，使封入于膜片基底7的凹陷部73、贯通孔71、传感器芯片10c的贯通孔21、31、47、槽53c以及凹陷部50c的第1油的量、与封入于膜片基底7的凹陷部72、贯通孔70、传感器芯片10c的贯通孔20、30、46、槽32、54以及凹陷部40、51的第2油的量相同。
但是，在本实施例中，与第2实施例不同，在对称性调整构件6c中没有槽62和凹陷部61，所以难以使第1油的量与第2油的量相同。
因而，若第1压力的传递路径与第2压力的传递路径为对称构造这样的前提条件成立，则也可以如图16、图17所示，使基台2的贯通孔21的直径比贯通孔20的直径大，使第1油的量与第2油的量相同，或使第1油的量与第2油的量之差变小。图17为图16的B-B线剖面图。
另外，若第1压力的传递路径与第2压力的传递路径为对称构造这样的前提条件成立，则也可以如图18所示，增大盖构件5c的凹陷部50c的容积，使第1油的量与第2油的量相同，或使第1油的量与第2油的量之差变小。
图16～图18的构造还能够应用于第1、第2实施例。在将图18的构造应用于第1、第2实施例的情况下，以使第1油的量与第2油的量相同，或使第1油的量与第2油的量之差变小的方式，增大凹陷部50、50b的容积即可。
[第4实施例]
在第2、第3实施例中，还能够测量第2压力的表压。图19为本发明的第4实施例的传感器元件的俯视图，图20为图19的A-A线剖面图，图21为图19的B-B线剖面图。本实施例的传感器元件1d包括膜片基底、以及搭载于膜片基底上的传感器芯片10d。关于膜片基底，与在图1中说明的情况一样，所以省略记载，使用图1的符号来进行说明。
传感器芯片10d包括由玻璃构成的平板状的基台2、与基台2接合的由硅构成的平板状的流路构件3、与流路构件3接合的由硅构成的平板状的感压构件4d、与感压构件4d接合的由硅构成的平板状的盖构件5b、以及与盖构件5b接合的由硅构成的平板状的对称性调整构件6。关于基台2、流路构件3、盖构件5b以及对称性调整构件6，与在第2实施例中说明的情况一样。
感压构件4d是在第2实施例的感压构件4中使成为压力导入通路的槽48形成于背面而成的，该压力导入通路的一端与凹陷部41连通，另一端在感压构件4d的侧面开口。在本实施例中，形成于膜片43的应变片45-1～45-4与外部的电路一起构成表压测量用的惠斯通电桥电路。能够利用表压测量用的惠斯通电桥电路来测量被施加至膜片43的上表面的第2压力的表压。其它结构与在第2实施例中说明的情况一样。
这样，在本实施例中，能够高精度地同时测量差压和表压。在本实施例中，将表压测量用的构造应用于第2实施例，但也可以应用于第3实施例，这是不言自明的。
以上，参考附图，对本发明的实施方式详细地进行了说明。然而，本发明的技术范围不限定于上述例子。只要为具有本发明的技术领域中的通常的知识的人员，就当然能够在权利要求书所记载的技术思想的范畴内，想到各种变形例，关于这些变形例，也当然属于本发明的技术范围。
符号说明
1a～1d…传感器元件，2…基台，3、3a…流路构件，4…感压构件，5、5b、5c…盖构件，6、6c…对称性调整构件，7…膜片基底，10a～10d…传感器芯片，20、21、30、31、46、47、55、70、71…贯通孔，32、35、48、53、53b、53c、54、62…槽，33、40、41、50、50b、50c、51、60、61、72、73…凹陷部，34、56…伪膜片，42、43…膜片，44-1～44-4、45-1～45-4…应变片，74、75…隔膜。

Claims (5)

1.一种传感器元件，其包括传感器芯片和与该传感器芯片的一面接合的膜片基底，该传感器元件的特征在于，
所述传感器芯片具备：
第1压力与第2压力的差压测量用的第1膜片；
所述第2压力的绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片；
第1压力导入通路，其将所述第1压力传递至所述第1膜片；以及
第2压力导入通路，其将所述第2压力传递至所述第1膜片和所述第2膜片，
所述膜片基底具备：
第3膜片，其直接承受具有所述第1压力的测量对象的流体；
第4膜片，其直接承受具有所述第2压力的测量对象的流体；
第3压力导入通路，其与所述第1压力导入通路连通，将所述第3膜片所承受的所述第1压力传递至所述第1压力导入通路以及所述第1膜片；以及
第4压力导入通路，其与所述第2压力导入通路连通，将所述第4膜片所承受的所述第2压力传递至所述第2压力导入通路以及所述第2膜片，
第1压力传递介质封入于所述第1压力导入通路至所述第3压力导入通路，第2压力传递介质封入于所述第2压力导入通路至所述第4压力导入通路，所述第1压力传递介质能够将所述第1压力传递至所述第1膜片，所述第2压力传递介质能够将所述第2压力传递至所述第1膜片和所述第2膜片，且
在将所述第1压力传递介质以及所述第2压力传递介质的移动量通过电荷模型化、将所述第1压力传递介质以及所述第2压力传递介质的流速通过电流模型化、将所述第1压力和所述第2压力通过电压模型化、将所述第1膜片～所述第4膜片的柔度通过电容模型化，将所述第1压力导入通路～所述第4压力导入通路的流路阻抗通过电阻模型化、利用等效电路表示所述第1压力、所述第2压力向所述第1膜片以及所述第2膜片的传递时，所述第1压力的传递路径与所述第2压力的传递路径对称。
2.根据权利要求1所述的传感器元件，其特征在于，
还具备基准室，其配设于传递所述第2压力的所述绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片的与第1主面相反一侧的第2主面；以及
第5膜片，其被配设成隔着所述基准室而与所述绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片对置，
所述第1压力导入通路将所述第1压力传递至所述第5膜片的与和所述基准室相向的第1主面相反一侧的第2主面，
在利用所述等效电路表示所述第1压力、所述第2压力向所述第1膜片、所述第2膜片以及所述第5膜片的传递时，所述第1压力的传递路径与所述第2压力的传递路径对称。
3.根据权利要求1所述的传感器元件，其特征在于，
还具备第1基准室，其配设于传递所述第2压力的所述绝对压力测量用或者表压测量用的第2膜片的与第1主面相反一侧的第2主面；
第6膜片，其被配设成隔着将所述第1压力传递至所述差压测量用的第1膜片的所述第1压力导入通路而与所述差压测量用的第1膜片对置；以及
第2基准室，其配设于所述第6膜片的与和所述第1压力导入通路相向的第1主面相反一侧的第2主面，
在利用所述等效电路表示所述第1压力、所述第2压力向所述第1膜片、所述第2膜片以及所述第6膜片的传递时，所述第1压力的传递路径与所述第2压力的传递路径对称。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的传感器元件，其特征在于，
充满于所述第1压力导入通路的所述第1压力传递介质的量与充满于所述第2压力导入通路的所述第2压力传递介质的量相同。
5.根据权利要求4所述的传感器元件，其特征在于，
所述传感器元件还具备液量调整室，其设置于所述第1压力导入通路的中途，使所述第1压力传递介质的量与所述第2压力传递介质的量相同。
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Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841776A (en) * 1986-06-30 1989-06-27 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Differential pressure transmitter
CN1140836A (zh) * 1995-07-14 1997-01-22 横河电机株式会社 半导体差示压力测量装置
US6041659A (en) * 1998-07-09 2000-03-28 Honeywell Inc. Methods and apparatus for sensing differential and gauge static pressure in a fluid flow line
CN1869599A (zh) * 2005-05-27 2006-11-29 上海自动化仪表股份有限公司 一种差压/压力/温度测量用多参数传感器
JP2007327976A (ja) * 2007-09-14 2007-12-20 Yamatake Corp 圧力センサ
US20090314094A1 (en) * 2008-06-19 2009-12-24 Kulite Semiconductor Products, Inc. Compact absolute and gage pressure transducer
CN101713693A (zh) * 2008-10-07 2010-05-26 株式会社山武 压力传感器
CN106052948A (zh) * 2015-04-10 2016-10-26 株式会社日立制作所 压力传送装置
CN106133494A (zh) * 2014-03-31 2016-11-16 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片
CN106164637A (zh) * 2014-03-31 2016-11-23 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片
CN108896233A (zh) * 2017-03-22 2018-11-27 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片、压力发送器以及压力传感器芯片的制造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4790192A (en) * 1987-09-24 1988-12-13 Rosemount Inc. Silicon side by side coplanar pressure sensors
US4879627A (en) * 1988-12-30 1989-11-07 United Technologies Corporation Differential capacitive pressure sensor with over-pressure protection
FR2664979B1 (fr) * 1990-07-20 1992-11-06 Sextant Avionique Micro-capteur de pression.
US5526692A (en) 1993-12-29 1996-06-18 Keiser Corporation Sensor
JP3500940B2 (ja) 1997-12-25 2004-02-23 カシオ計算機株式会社 商品画像データ処理装置
JP4035261B2 (ja) 1999-06-11 2008-01-16 長野計器株式会社 静電容量型圧力検出素子
JP2008292185A (ja) 2007-05-22 2008-12-04 Yokogawa Electric Corp 差圧伝送器
DE102009000056A1 (de) * 2009-01-07 2010-07-08 Robert Bosch Gmbh Sensorelement zur kapazitiven Differenzdruckerfassung
DE102012102020A1 (de) 2012-03-09 2013-09-12 Epcos Ag Mikromechanisches Messelement

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4841776A (en) * 1986-06-30 1989-06-27 Yamatake-Honeywell Co., Ltd. Differential pressure transmitter
CN1140836A (zh) * 1995-07-14 1997-01-22 横河电机株式会社 半导体差示压力测量装置
US6041659A (en) * 1998-07-09 2000-03-28 Honeywell Inc. Methods and apparatus for sensing differential and gauge static pressure in a fluid flow line
CN1869599A (zh) * 2005-05-27 2006-11-29 上海自动化仪表股份有限公司 一种差压/压力/温度测量用多参数传感器
JP2007327976A (ja) * 2007-09-14 2007-12-20 Yamatake Corp 圧力センサ
US20090314094A1 (en) * 2008-06-19 2009-12-24 Kulite Semiconductor Products, Inc. Compact absolute and gage pressure transducer
CN101713693A (zh) * 2008-10-07 2010-05-26 株式会社山武 压力传感器
CN106133494A (zh) * 2014-03-31 2016-11-16 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片
CN106164637A (zh) * 2014-03-31 2016-11-23 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片
CN106052948A (zh) * 2015-04-10 2016-10-26 株式会社日立制作所 压力传送装置
CN108896233A (zh) * 2017-03-22 2018-11-27 阿自倍尔株式会社 压力传感器芯片、压力发送器以及压力传感器芯片的制造方法

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