CN112647061A - 一种movcd机台复机方法 - Google Patents

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Abstract

一种MOVCD机台复机方法，包括如下步骤，在MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层3600‑4000sccm；并在随后的量产过程中，对前若干炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加30％‑40％；TEGa通量增加20％‑30％；Mg/Ga比提升6％‑10％。上述技术方案中，可以解决MOVCD机台在维护后前3‑5炉性能不稳定的问题，并在量产过程约提高机台5％的效益(产能指标)，且优化了复机时间提高了2％的稼动率，保守估计共约提高7％的外延片效益，对于Mg敏感度高的产品，提高的效益会更多。

Description

一种MOVCD机台复机方法
技术领域
本发明涉及MOVCD制程，尤其涉及一种MOVCD过程中的维护复机时的工艺方法。
背景技术
发光二极管(LED)是由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体制成的，它的核心是PN结。N型层带有过量的电子，P型层带有过量的空穴，在正向偏压下，电子由N型层注入量子阱(MQW)，空穴由P型层注入量子阱(MQW)。电子和空穴在量子阱(MQW)内复合，复合过程中能量以光的形式释放出来，即电能转化为光能。其中，通常以Si掺杂形成n型材料，以Mg掺杂形成p型材料。掺杂可以在材料外延生长时同时完成原位掺杂，其中Si在GaN中是一种浅施主，能够形成有效的掺杂。而P型的杂质Mg的电离能比较大，且容易受到材料中残余杂质影响，难以获得较为高的空穴浓度。由于Mg的记忆效应，在每次机台维护后，Mg的电离难度更大，空穴浓度更低，维护的前几炉难以实现高的电子空穴复合率。因此，设计一种通过改善维护后的复机器方式提高空穴的浓度是很有必要的。
发明内容
为此，需要提供一种能够提高复机后空穴浓度进而提高生产效率的新的复机操作方法。
一种MOVCD机台复机方法，包括如下步骤，在MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层3600-4000sccm；
并在随后的量产过程中，对前若干炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加30％-40％；TEGa通量增加20％-30％；Mg/Ga比提升6％-10％。
具体地，还包括步骤，在随后的量产过程中，对前若干炉的配方还进行修改：应力释放层Si掺减少15％-25％。
进一步地，所述前若干炉为维护后一个使用周期的前10％炉数。
优选地，所述前若干炉为维护后的前3-5炉。
优选地，所述欧姆接触层Mg通量为1600sccm。
优选地，所述TEGa通量为500sccm。
优选地，Mg/Ga比提升为3.2比1。
上述技术方案中，可以解决MOVCD机台在维护后前3-5炉性能不稳定的问题，并在量产过程约提高机台5％的效益(产能指标)，且优化了复机时间提高了2％的稼动率，保守估计共约提高7％的外延片效益，对于Mg敏感度高的产品，提高的效益会更多，同时此类重Mg Coating配方对与新机台的亮度有着较大的帮助。
附图说明
图1为具体实施方式所述的MOVCD机台复机方法流程图。
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
在现有的复机流程中，维护后的机台需要进行一次重Mg Coating，时长约7小时，用于在机台内部成膜，从而保证后续作业的气相成分的稳定性。然后再冷却放气，此过程约3h。再进行Bake(烘烤)流程，用于去除腔体内水氧，再进行一次Mg Coating。随后才进行半导体的量产过程。经过多次试验和长期研究，我们的发明人认为，量产时的P层Mg不足问题可以在量产过程中解决，对此提出了一种MOVCD机台复机方法，请参阅图1，包括如下步骤，S101：MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层通入大流量流速，可以是3600-4000sccm，这个数值相对于之前的现有技术提升了20％-30％。S102在随后的量产过程中，对前若干炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加30％-40％；TEGa通量增加20％-30％；Mg/Ga比提升6％-10％。这里的增加量指的是针对一个维护后的使用周期中，前若干炉的配方相对于后若干炉的配方为基准的增加量。后若干炉的配方也可以为现有技术为基准的常规用量。在本实施例中，大流量Mg优先与MO管路以及反应室(壁)优先接触反应，形成Mg保护膜，能够使得腔体氛围中Mg组分充足，相当于减缓Mg的记忆效应。后续的量产中会有着良好的Mg掺杂浓度，同时对前三炉的欧姆接触层适当调整Mg/Ga比并且同时加厚，保证有着良好的欧姆接触。
为了具体地，还包括步骤，在随后的量产过程中，对前若干炉的配方还进行修改：应力释放层Si掺减少15％-25％，将应力释放层的Si掺下调，保证前三炉的电压/亮度/逆向电压等性能良好。
进一步的实施例中，所述前若干炉为维护后一个使用周期的前10％炉数。假定一次维护后MOVCD复机至下一次维护额定使用周期为60炉，则使用更改配方的炉数选取为6。在本实施例中MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层通入3600sccm，并在随后的量产过程中，对前6炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加30％；TEGa通量增加20％；Mg/Ga比提升6％。后续的54炉中配方变为正常量值。
另一些可选的实施例中，维护额定使用周期为70炉，则使用更改配方的炉数选取为5，MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层通入3800sccm，并在随后的量产过程中，对前5炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加40％；TEGa通量增加30％；Mg/Ga比提升10％。后续的65炉中配方变为正常量值。
另一些具体的实施例中，维护额定使用周期为70炉，则使用更改配方的炉数选取为4，MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层通入4000sccm，并在随后的量产过程中，对前4炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加35％；TEGa通量增加25％；Mg/Ga比提升8％。后续的66炉中配方变为正常量值。
另一些实施例中本实施例中MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层通入4000sccm，并在随后的量产过程中，对前3炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加至1600sccm；TEGa通量增加至500sccm；Mg/Ga比提升至3.2比1。后续的炉中配方变为正常量值。这里的正常量值约为欧姆接触层Mg通量1300sccm；TEGa通量为400sccm；Mg/Ga比位3。
另一些实施例中本实施例中MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层通入4000sccm，并在随后的量产过程中，对前3炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加至1800sccm；TEGa通量增加至550sccm；Mg/Ga比提升至3.1比1。后续的炉中配方变为正常量值。这里的正常量值约为欧姆接触层Mg通量1290sccm；TEGa通量为410sccm；Mg/Ga比为3。
需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明专利的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种MOVCD机台复机方法，其特征在于，包括如下步骤，在MOVCD机台维护后，启动MOVCD机台，进行Mg Coating：P层3600-4000sccm；
并在随后的量产过程中，对前若干炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加30％-40％；TEGa通量增加20％-30％。
2.根据权利要求1所述的MOVCD机台复机方法，其特征在于，还包括步骤，在随后的量产过程中，对前若干炉的配方还进行修改：应力释放层Si掺减少15％-25％。
3.根据权利要求1所述的MOVCD机台复机方法，其特征在于，所述前若干炉为维护后一个使用周期的前10％炉数。
4.根据权利要求1所述的MOVCD机台复机方法，其特征在于，所述前若干炉为维护后的前3-5炉。
5.根据权利要求1所述的MOVCD机台复机方法，其特征在于，所述欧姆接触层Mg通量为1600sccm。
6.根据权利要求1所述的MOVCD机台复机方法，其特征在于，所述TEGa通量为500sccm。
7.根据权利要求1所述的MOVCD机台复机方法，其特征在于，Mg/Ga比提升为3.2比1。
8.根据权利要求1所述的MOVCD机台复机方法，其特征在于，Mg/Ga比提升6％-10％。
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