CN112635682A - 混合物、发光器件及显示装置 - Google Patents

混合物、发光器件及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种混合物、发光器件及显示装置，所述混合物包括绝缘物和金属螯合物，所述混合物的电子迁移率介于所述绝缘物的电子迁移率和所述金属螯合物的电子迁移率之间。通过绝缘物和金属螯合物的协同作用，相互补充，既能抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，又能实现器件的载流子电平衡，从而提高了发光器件的性能。

Description

混合物、发光器件及显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，特别涉及电致发光器件技术领域，具体涉及一种混合物、发光器件及显示装置。
背景技术
发光器件应用广泛，以量子点发光二极管(QLED)为例，其具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，被广泛应用于显示领域。
量子点发光二极管中存在相邻的量子点发光层(QD)和电子传输层 (ETL)，而量子点发光层与电子传输层的界面会成为量子点发光层中激子淬灭的缺陷位置(trap)，这种激子的淬灭是非辐射发光的主要存在形式，而这种非辐射发光会大大降低器件的性能。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种混合物、发光器件及显示装置，旨在提供一种用于形成发光器件的一功能层的混合物，该混合物能够抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，实现器件的载流子平衡。
为实现上述目的，本发明提出一种混合物，所述混合物包括绝缘物和金属螯合物，所述混合物的电子迁移率介于所述绝缘物的电子迁移率和所述金属螯合物的电子迁移率之间。
所述绝缘物的电子迁移率小于9E-7cm2v-1s-1，所述金属螯合物的电子迁移率为1E-4cm2v-1s-1～10E-4cm2v-1s-1，所述混合物的电子迁移率为 1E-6cm2v-1s-1～10E-5cm2v-1s-1。
可选地，所述绝缘物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙氧基乙烯亚胺、聚乙烯亚胺以及三氧化二铝中的至少一种；和/或，
所述金属螯合物包括乙酰丙酮锆、乙酰丙酮铪中的至少一种。
可选地，所述混合物中，所述绝缘物与所述金属螯合物的质量之比为1： (0.1～10)。
可选地，所述混合物中，所述绝缘物与所述金属螯合物的质量之比为1: (0.5～2)。
本发明进一步提出一种发光器件，包括发光层和电子传输层，所述发光层和所述电子传输层之间设置有功能层，所述功能层的材质包括如上所述的混合物。
可选地，所述功能层的厚度为10～20nm。
可选地，所述发光器件包括量子点发光二极管。
本发明进一步提出一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的发光器件。
本发明提供的技术方案中，混合物中包括绝缘物和金属螯合物，其中，绝缘物能够有效抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，然而，绝缘物由于是绝缘材料，会阻碍电子的注入，而金属螯合物具有高透光性，且具有良好的电子传输性能，能够补偿绝缘物对于电子注入的阻碍作用，保证器件的性能，金属螯合物也能够使电子传输层抑制发光层中的激子猝灭；此外，混合物的电子迁移率介于所述绝缘物的电子迁移率和所述金属螯合物的电子迁移率之间，金属螯合物的电子迁移率大于空穴传输层材料的电子迁移率，而绝缘物能够有效调节金属螯合物的电子迁移率，使得器件的载流子电平衡。通过绝缘物和金属螯合物的协同作用，相互补充，既能抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，又能实现器件的载流子电平衡，从而提高了发光器件的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的发光二极管的一实施例的结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
10 衬底 50 发光层
20 第一电极 60 功能层
30 空穴注入层 70 电子传输层
40 空穴传输层 80 第二电极
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和 B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
量子点发光二极管中存在相邻的量子点发光层(QD)和电子传输层 (ETL)，而量子点发光层与电子传输层的界面会成为量子点发光层中激子淬灭的缺陷位置(trap)，这种激子的淬灭是非辐射发光的主要存在形式，而这种非辐射发光会大大降低器件的性能。
鉴于此，本发明提出一种混合物，旨在提供一种用于形成发光器件的一功能层的混合物，该混合物能够抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，实现器件的载流子平衡。具体地，所述混合物用于形成发光器件的一功能层，混合物包括绝缘物和金属螯合物，所述混合物的电子迁移率介于所述绝缘物的电子迁移率和所述金属螯合物的电子迁移率之间。
本发明提供的技术方案中，混合物中包括绝缘物和金属螯合物，其中，绝缘物能够有效抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，然而，绝缘物由于是绝缘材料，会阻碍电子的注入，而金属螯合物具有高透光性，且具有良好的电子传输性能，能够补偿绝缘物对于电子注入的阻碍作用，保证器件的性能，金属螯合物也能够使电子传输层抑制发光层中的激子猝灭；此外，金属螯合物的电子迁移率大于空穴传输层材料的电子迁移率，而绝缘物能够有效调节金属螯合物的电子迁移率，使得器件的载流子电平衡。通过绝缘物和金属螯合物的协同作用，相互补充，既能抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，又能实现器件的载流子电平衡，从而提高了发光器件的性能。
对于绝缘物和金属螯合物的具体形式，本发明不做限制，绝缘物可以是无机物，也可以是有机物，优选地，绝缘物包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙氧基乙烯亚胺(PEIE)、聚乙烯亚胺(PEI)以及三氧化二铝中的至少一种。绝缘物的电子迁移率优选在1E-6cm2v-1s-1～10E-5cm2v-1s-1之间。
在本发明实施例中，优选地，金属螯合物的透过率为75％-95％，电子迁移率为10E-4cm2v-1s-1级别范围，即金属螯合物的电子迁移率为 1E-4cm2v-1s-1～10E-4cm2v-1s-1，功函数为3.2～4，在此基础上，金属螯合物包括乙酰丙酮锆、乙酰丙酮铪中的至少一种。
在本发明实施例中，经实验可知，混合物中，绝缘物与金属螯合物的质量之比优选为1：(0.1～10)，更优选为1:(0.5～2)，在上述比例范围内，抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭和载流子电平衡的效果最好。
本发明进一步提出一种发光器件，包括发光层和电子传输层，发光层和所述电子传输层之间设置有功能层，功能层的材质包括如上所述的混合物。
本发明的发光器件优选为发光二极管，图1为本发明提供的发光二极管的一实施例的结构示意图。请参阅图1，所述发光二极管包括从下往上依次设置的衬底10、第一电极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、功能层 60、电子传输层70及第二电极80，具体地，在本发明实施例中，第一电极为阳极。第二电极为阴极。
根据发光二极管发光层材质的不同，发光层的材质包括有机物时，发光二极管为有机发光二极管，发光层的材质包括量子点时，发光二极管为量子点发光二极管，优选地，在本发明实施例中，发光二极管为量子点发光二极管，此时，发光层50为量子点发光层。
所述衬底可以为刚性沉底，也可以为柔性沉底，其材质可以是玻璃、PI 膜等，其中，PI膜为聚酰亚胺薄膜(Polyimide Film)，是世界上性能最好的薄膜类绝缘材料，由均苯四甲酸二酐(PMDA)和二胺基二苯醚(DDE)在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。其作为柔性衬底，性能较好。
阳极的材质为ITO(掺锡氧化铟)，IZO(氧化铟锌)，Au等高功函数金属及金属氧化物。
空穴注入层的材质为PEDOT:PSS，NiOx，WO3，CuPc(聚酯碳酸)，HATCN(hexaazatriphenylene hexacarbonitrile)，m-MTDATA(4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺)，F4-TCQN(C12N4F4)、MoO3等。PEDOT:PSS是一种高分子聚合物的水溶液，其分子结构式见下式，导电率很高，根据不同的配方，可以得到导电率不同的水溶液。从该化合物的名称上我们可以看出，该产品是由PEDOT和PSS两种物质构成。PEDOT是EDOT(3，4-乙烯二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。这两种物质在一起极大的提高了PEDOT的溶解性，水溶液导电物主要应用于有机发光二极管，有机太阳能电池，有机薄膜晶体管，超级电容器等的空穴传输层。
Figure BDA0002840154170000051
PEDOT:PSS的分子结构式
空穴传输层的材质包括TPD(C22H23N)，poly-TPD((C22H23N)x)，PVK， CBP，NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，TCTA(4,4',4”- 三(咔唑-9-基)三苯胺)，mCP(C30H20N2)，TAPC(4,4'-环己基二[N,N-二(4- 甲基苯基)苯胺)，TFB((C51H61N)n等。
当发光器件为量子点发光二极管时，发光层的材质包括Ⅱ-Ⅵ族化合物、Ⅲ-Ⅴ族化合物、Ⅱ-Ⅴ族化合物、Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅳ-Ⅵ族化合物、Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物、Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ族化合物或Ⅳ族单质中的一种或多种，采用核壳结构材料，核材料可但不限于选自CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、 ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、 CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InAs、InAsP中的至少一种，壳材料可但不限于选自CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的至少一种。
功能层的材质包括本发明实施例提出的混合物，混合物中包括绝缘物和金属螯合物，研究表明，单独使用绝缘物时，因为是绝缘材料，器件中需要精确的控制此功能层的厚度＜10nm，这对制备工艺要求很严格，而且现实情况往往是此功能层厚度＞10nm而严重阻碍电子的注入，造成载流子的不平衡，使器件性能下降，也就是说如果功能层的材质仅仅采用绝缘物，整个器件对此功能层的厚度很敏感，稍微厚度不均匀，器件性能就会大打折扣；而单独使用金属螯合物时，虽然器件性能相比没有插入功能层有提高，但是因为金属螯合物层的电子迁移率在10E-4cm2v-1s-1级别范围(小于一般QLED器件中采用的电子传输层即ZnO的电子迁移率但是依然大于一般采用的空穴传输层的空穴迁移率)，具有一定的阻隔电子注入的作用，但是在器件中依然是电子的数量会大于空穴的数量，也就是说即使在量子点发光层与电子传输层之间插入功能层，器件的载流子依然没有达到平衡。
因此，采用本发明的混合物制备功能层，使得功能层无需受层厚的限制，且通过绝缘物和金属螯合物的协同作用，相互补充，大大提高了器件的性能，而在本发明实施例中，优选地，功能层的厚度为10～20nm。上述厚度下，器件性能最好。
需要说明的是，本发明上述提供的混合物可以作为用以制作功能层的材料使用，既可以单独制作形成功能层，也可以与其他材料共同制作形成功能层，因此，本发明提供的所述功能层材料可以仅包括所述混合物，也可以包括所述混合物以及本领域内其他用于制作功能层的材料，均属于本发明的保护范围。由于本发明提供的功能层材料采用了上述混合物所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
电子传输层的材质为ZnO、BaO、TiO2等。
阴极的材质为Al，Ag，MgAg合金等。
本发明进一步提出一种如上所述的发光器件的制备方法，包括以下步骤：
S10、将绝缘物溶解于第一溶剂中，形成溶液A，将金属螯合物溶解于第二溶剂中，形成溶液B。
在本步骤中，优选地，所述第一溶剂包括乙醇；所述第二溶剂包括乙醇。
需要说明的是，在本发明实施例中，第一溶剂和第二溶剂的选择相互独立，两者可以是相同的，也可以是不同的，本发明对此不做限制。而优选地，第一溶剂和第二溶剂相同，如此在后续混合步骤中，能够避免两种溶剂相互作用，影响功能层的效果。具体地，第一溶剂和第二溶剂均优选为乙醇。
此外，本发明对溶液A和溶液B的浓度的关系也不做限制，两者浓度可以相同，也可以不同，而在本发明实施例中，溶液A和溶液B的浓度相等，避免了浓度差对于混合液的影响。
S20、将溶液A与溶液B混合均匀后，涂设于发光层上，经干燥、退火后，形成功能层。
在本步骤中，退火温度优选为70～90℃，更优选为80℃。
涂设的方式，本发明也不做限制，可以但不限于是涂布、旋涂或者喷墨打印等，干燥优选为真空干燥，可以避免功能层与空气中的气体反应失效。
以下给出发光器件的制备方法的一实施例：
在衬底制备阳极，将空穴注入层材料旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为50nm的空穴注入层；
将空穴传输层材料旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，200℃退火 30min，制成厚度为25nm的空穴传输层；
将发光层材料旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火10min，制成厚度为15nm的发光层；
将绝缘物溶解于第一溶剂中，常温搅拌24h，形成溶液A，将金属螯合物溶解于第二溶剂中，常温搅拌24h，形成溶液B。将溶液A与溶液B混合均匀后，涂设于发光层上，经干燥、退火后，形成功能层；
将电子传输层材料旋涂于功能层上，真空干燥成膜后，100℃退火15min，制成厚度为40nm的电子传输层；
将阴极材料蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
封装，得到所述发光器件。
本发明进一步提出一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的发光器件。所述电子器件为QLED，所述QLED的功能层的材质包括混合物，所述混合物的具体结构参照上述实施例，由于本发明显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以下结合具体实施例和附图对本发明的技术方案作进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为50nm的空穴注入层；
(2)将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，200℃退火 30min，制成厚度为25nm的空穴传输层；
(3)将CdSe@ZnS旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火 10min，制成厚度为15nm的量子点发光层；
(4)将PEIE溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成PEIE浓度为8g/mL的溶液A，将乙酰丙酮锆溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成乙酰丙酮锆浓度为 8g/mL的溶液B。将溶液A与溶液B按照1:1的体积比混合均匀后，涂设于发光层上，经真空干燥、80℃退火后，形成厚度为15nm的功能层；
(5)将ZnO墨水旋涂于功能层上，真空干燥成膜后，100℃退火15min，制成厚度为40nm的电子传输层；
(6)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(7)封装，得到量子点发光二极管。
实施例2
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为50nm的空穴注入层；
(2)将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，200℃退火 30min，制成厚度为25nm的空穴传输层；
(3)将CdSe@ZnS旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火 10min，制成厚度为15nm的量子点发光层；
(4)将三氧化二铝溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成三氧化二铝浓度为8g/mL的溶液A，将乙酰丙酮铪溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成乙酰丙酮铪浓度为8g/mL的溶液B。将溶液A与溶液B按照1:0.5的体积比混合均匀后，涂设于发光层上，经真空干燥、70℃退火后，形成厚度为20nm的功能层；
(5)将ZnO墨水旋涂于功能层上，真空干燥成膜后，100℃退火15min，制成厚度为40nm的电子传输层；
(6)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(7)封装，得到量子点发光二极管。
实施例3
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为50nm的空穴注入层；
(2)将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，200℃退火 30min，制成厚度为25nm的空穴传输层；
(3)将CdSe@ZnS旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火 10min，制成厚度为15nm的量子点发光层；
(4)将PMMA溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成PMMA浓度为8g/mL 的溶液A，将乙酰丙酮铪溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成乙酰丙酮铪浓度为8g/mL的溶液B。将溶液A与溶液B按照1:2的体积比混合均匀后，涂设于发光层上，经真空干燥、90℃退火后，形成厚度为10nm的功能层；
(5)将ZnO墨水旋涂于功能层上，真空干燥成膜后，100℃退火15min，制成厚度为40nm的电子传输层；
(6)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(7)封装，得到量子点发光二极管。
实施例4
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为50nm的空穴注入层；
(2)将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，200℃退火 30min，制成厚度为25nm的空穴传输层；
(3)将CdSe@ZnS旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火 10min，制成厚度为15nm的量子点发光层；
(4)将PEI和PEIE按照1:1的质量比溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成浓度为8g/mL的溶液A，将乙酰丙酮锆溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成乙酰丙酮锆浓度为8g/mL的溶液B。将溶液A与溶液B按照1:0.1的体积比混合均匀后，涂设于发光层上，经真空干燥、80℃退火后，形成厚度为15nm 的功能层；
(5)将ZnO墨水旋涂于功能层上，真空干燥成膜后，100℃退火15min，制成厚度为40nm的电子传输层；
(6)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(7)封装，得到量子点发光二极管。
实施例5
(1)在玻璃衬底制备ITO阳极，将PEDOT:PSS旋涂于阳极上，干燥成膜后，150℃退火20min，制成厚度为50nm的空穴注入层；
(2)将TFB墨水旋涂于空穴注入层上，真空干燥成膜后，200℃退火 30min，制成厚度为25nm的空穴传输层；
(3)将CdSe@ZnS旋涂于空穴传输层上，真空干燥成膜后，100℃退火 10min，制成厚度为15nm的量子点发光层；
(4)将PEIE溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成PEIE浓度为8g/mL的溶液A，将乙酰丙酮锆溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成乙酰丙酮锆浓度为 8g/mL的溶液B。将溶液A与溶液B按照1:10的体积比混合均匀后，涂设于发光层上，经真空干燥、80℃退火后，形成厚度为15nm的功能层；
(5)将ZnO墨水旋涂于功能层上，真空干燥成膜后，100℃退火15min，制成厚度为40nm的电子传输层；
(6)将Al蒸镀于电子传输层上，形成厚度为150nm的阴极；
(7)封装，得到量子点发光二极管。
对比例1
除第(4)步为：
(4)将PEIE溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成PEIE浓度为8g/mL的溶液，将溶液涂设于发光层上，经真空干燥、80℃退火后，形成厚度为15nm 的功能层；
以外，其他步骤与实施例1相同。
对比例2
除第(4)步为：
(4)将乙酰丙酮锆溶解于乙醇中，常温搅拌24h，形成乙酰丙酮锆浓度为8g/mL的溶液，将溶液涂设于发光层上，经真空干燥、80℃退火后，形成厚度为15nm的功能层；
以外，其他步骤与实施例1相同。
分别对实施例1、对比例1和对比例2制得的量子点发光二极管的电压、电流效率、最大外量子效率以及寿命进行测试，测试结果如下表1所示(表1 中，寿命为恒电流情况下，从1000nit下降至95％的亮度所用的时间)：
表1实施例1和对比例1、2制备的量子点发光二极管的相关性能测试
Figure BDA0002840154170000111
Figure BDA0002840154170000121
由表1中的测试结果可知，本发明实施例提供的混合物在用作制备量子点发光二极管的功能层的材料时，制备所得的量子点发光二极管具有更好的电流效率和最大外量子效率、更长的寿命，可知本发明提出的混合物在作为发光器件的功能层时，通过绝缘物和金属螯合物的协同作用，相互补充，既能抑制电子传输层对发光层中的激子猝灭，又能实现器件的载流子电平衡，从而提高了光器件的性能，具有明显的优势。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (9)

1.一种混合物，其特征在于，所述混合物包括绝缘物和金属螯合物，所述混合物的电子迁移率介于所述绝缘物的电子迁移率和所述金属螯合物的电子迁移率之间。
2.如权利要求1所述的混合物，其特征在于，所述绝缘物的电子迁移率小于9E～7cm2v- 1s-1，所述金属螯合物的电子迁移率为1E-4cm2v-1s-1～10E-4cm2v-1s-1，所述混合物的电子迁移率为1E-6cm2v-1s-1～10E-5cm2v-1s-1。
3.如权利要求1所述的混合物，其特征在于，所述绝缘物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙氧基乙烯亚胺、聚乙烯亚胺以及三氧化二铝中的至少一种；和/或，
所述金属螯合物包括乙酰丙酮锆、乙酰丙酮铪中的至少一种。
4.如权利要求1至3任意一项所述的混合物，其特征在于，所述混合物中，所述绝缘物与所述金属螯合物的质量之比为1：(0.1～10)。
5.如权利要求4所述的混合物，其特征在于，所述混合物中，所述绝缘物与所述金属螯合物的质量之比为1:(0.5～2)。
6.一种发光器件，其特征在于，包括发光层和电子传输层，所述发光层和所述电子传输层之间设置有功能层，所述功能层的材质包括如权利要求1至5任意一项所述的混合物。
7.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述功能层的厚度为10～20nm。
8.如权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括量子点发光二极管。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求6至8任意一项所述的发光器件。
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