CN112630345A - 检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。该方法包括：对氘代化合物进行Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full‑MS质谱图；基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。该方法采用Q‑Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱进行检测，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

Description

检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法

技术领域

本发明涉及分析化学领域，具体地，涉及检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。

背景技术

同位素稀释质谱法(Isotope dilution mass spectrometry，IDMS)通过使用稳定同位素标记化合物作为内标，减小了由于复杂提取净化、基质效应等因素对结果的影响，显著提高了检测结果的准确度和精密度。同位素内标化合物作为IDMS方法的内标试剂，同位素分布值直接影响检测结果的准确性。但是传统的同位素研究者更多关注丰度值，大多数商品同位素内标试剂仅标识丰度值，不提供同位素分布的信息。

常用的同位素分布与丰度检测方法有质谱法和核磁共振波谱法。测定金属元素稳定同位素组成主要用两种质谱方法，包括热电离质谱法和多接受电感耦合等离子体质谱法。13C/12C，18O/16O，2H/1H等气体同位素组成通常采用高分辨率同位素比值质谱仪。有机化合物同位素测定质谱技术包括气体同位素质谱检测技术、液相色谱-质谱联用技术和气相色谱-质谱联用技术。其中，气体同位素质谱法是传统的同位素丰度检测方法，但存在着不能检测同位素分布的缺陷。但此方法基于低分辨率质谱测量，受分辨率限制，无法分辨与分析物质荷比相近的杂质，可能会因为杂质干扰造成检测结果不准确；同时该方法需要联立方程组，标记同位素数越多方程组数越多，方程组求解复杂。

由此，氘标记化合物同位素分布与丰度的方法有待改进。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

因而，根据本发明的一个方面，本发明提供了一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：对氘代化合物进行Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full-MS质谱图；基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。

根据本发明实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，采用Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱进行检测，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

另外，根据本发明上述实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，还可以具有如下附加的技术特征：

根据本发明的实施例，所述Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测的检测条件为：离子源：HESI-II离子源；电离模式：正电离模式；喷雾电压：3.5kV；毛细管温度：250℃；辅助气体加热器温度：400℃；鞘气流速、辅助气流速和吹扫气分别为45、10、2(arbitraryunits，Arb)；S-透镜射频电压：50V；扫描模式：Full MS扫描模式；以及分辨率：70000(FWHM)；扫描范围m/z 250～370Da(根据被测物分子量确定合适的检测范围)。

根据本发明的实施例，所述质谱检测为流动注射进样。

根据本发明的实施例，所述流动注射进样流速为10μL/min。

根据本发明的实施例，所述多张谱图为5-10张。

根据本发明的实施例，所述同位素偏差值是基于下述公式得到的，

其中，[MD_n+H]⁺为含有n个氘代的化合物的质荷比，[MD_(n-1)+H+1]⁺为含有n-1个氘代的化合物的天然同位素质荷比，ID为所述同位素偏差值。

根据本发明的实施例，所述仪器质量偏差值是基于下述公式得到的，基于下述公式计算各所述氘代化合物的IME值，

其中，理论值为氘标记化合物理论质荷比，MDmax为氘标记化合物实测与理论值偏差最大质荷比，其中，IME为仪器质量偏差值。

根据本发明的实施例，测量允许偏差大于所述仪器质量偏差值，小于所述同位素偏差值。

根据本发明的实施例，所述氘标记是基于化合物同位素分布Full MS质谱图中的氘标记化合物质谱峰强度得到的。

根据本发明的实施例，所述丰度是基于下述公式得到的，

Atom％D＝∑(n·x_n)/n，

其中，Atom％D为氘标记化合物同位素丰度值，n为化合物氘标记数，x_n为氘标记化合物同位素分布百分比。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1显示了根据本发明一个实施例的TMQ-D₉总离子流图与Full-MS质谱示意图；

图2显示了根据本发明一个实施例的不同谱图分析数TMQ-D₉同位素分布与丰度结果示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

需要说明的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。进一步地，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

根据本发明的一个方面，本发明提供了一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：对氘代化合物进行Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full-MS质谱图；基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。

Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱，具有超高分辨率R＝140000@200Da，其高分辨静电轨道，可实现精确质量数测定，并且其四级杆质量分析器，可进行母离子选择。在高分辨下的Full-MS模式，可实现定性筛选，质量稳定性更好，尤其适用于同位素分布与丰度的检测。

根据本发明实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，采用Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱进行检测，检测方法简单、快速、稳定、灵敏度高。

根据本发明实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，基于Q-Orbitrap高分辨和高精密度的特性，建立了流动注射进样结合Q-Orbitrap高分辨质谱检测氘标记化合物的同位素丰度的检测方法，克服了传统方法的局限性，使得检测氘代试剂的同位素丰度能够快速检测。该方法灵敏度高，在一些实施例中，能够检测到百分占比为0.06％的同位素分布；在一些实施例中，相对标准偏差0.03～0.07％，精密度高；方法试剂与分析物用量少，具有较好的分析检测实用性。该方法对于稳定同位素内标的质量评估和选择具有指导意义，具有很好的应用前景。

根据本发明的实施例，所述Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测的检测条件为：离子源：HESI-II离子源；电离模式：正电离模式；喷雾电压：3.5kV；毛细管温度：250℃；辅助气体加热器温度：400℃；鞘气流速、辅助气流速和吹扫气分别为45、10、2(arbitraryunits，Arb)；S-透镜射频电压：50V；扫描模式：Full MS扫描模式；以及分辨率：70000(FWHM)；扫描范围m/z 250～370Da，其中，扫描范围需根据被测物分子量确定合适的检测范围。由此，检测的灵敏度和准确度高。

根据本发明的实施例，该质谱检测为流动注射进样。由于流动注射进样是蠕动泵驱动载液以恒定流速流过细微的管路，分析速度快，可在一分钟内完成谱图采集，并且流动注射进样操作简便，易于自动连续分析，同时，分析效率高，试剂试样用量少，适用性较广。

根据本发明的实施例，所述流动注射进样流速为10μL/min。由于本申请实施例的质谱采用的是电喷雾电离源ESI，流动注射进样将分析物标准溶液直接注射到质谱离子源口先带电再喷雾，进行质谱检测，流速过大，分析物喷雾不完全，容易污染质谱，流速过小，化合物质谱响应值小，响应稳定性较差。流速设置为10μL/min时，流速适宜，有利于分析物充分喷雾，降低质谱污染，响应值和稳定性高。

根据本发明的实施例，多张谱图为5-10张。发明人对比了选取不同数目的谱图对结果的影响，发现5-10张谱图即可获得较准确的同位素分布与丰度结果，选取5-10张谱图进行结果计算，既显著降低了计算结果的工作量，又有利于保证结果的准确性。

根据本发明的实施例，该同位素偏差值是基于下述公式得到的，

其中，[MD_n+H]⁺为含有n个氘代的化合物的质荷比，[MD_(h-1)+H+1]⁺为含有n-1个氘代的化合物的天然同位素质荷比，ID为所述同位素偏差值。

根据本发明的实施例，该仪器质量偏差值是基于下述公式得到的，基于下述公式计算各所述氘代化合物的IME值，

其中，理论值为氘标记化合物理论质荷比，MDmax为氘标记化合物实测与理论值偏差最大质荷比，其中，IME为仪器质量偏差值。

根据本发明的实施例，测量允许偏差大于仪器质量偏差值，且小于同位素偏差值。其中，测量允许偏差是指分析物在质谱仪器检测得到的质荷比与理论质荷比的差异，反应了质谱仪器检测分析物的质量偏差，与仪器的质量稳定性和分辨率有关；同位素偏差是指分析物与其天然同位素之间固有的质量数差异，是天然同位素对分析物同位素丰度的干扰。当测量允许偏差大于仪器偏差，且同时小于同位素偏差时，确保了分析物同位素丰度与分布检测，不受仪器偏差的限制，以及能够排除天然同位素偏差的干扰。

根据本发明的实施例，该氘标记是基于化合物同位素分布Full MS质谱图中的氘标记化合物质谱峰强度，进一步地，可以计算其归一化后百分比得到化合物同位素。

根据本发明的实施例，所述丰度是基于下述公式得到的，

Atom％D＝∑(n·x_n)/n，

其中，Atom％D为氘标记化合物同位素丰度值，n为化合物氘标记数，x_n为氘标记化合物同位素分布百分比。

下面参考具体实施例，对本发明进行说明，需要说明的是，这些实施例仅仅是说明性的，而不能理解为对本发明的限制。

下面将结合实施例对本发明的方案进行解释。本领域技术人员将会理解，下面的实施例仅用于说明本发明，而不应视为限定本发明的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品，例如可以采购自Sigma公司。

实施例1

在本实施例中，利用本发明实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法对几种氘代化合物的分布和丰度进行检测，具体如下：

1、实验部分

1.1化学品与试剂

盐酸曲托喹酚-D₉(±-Trimetoquinol hydrochloride-d9，TMQ-D₉，≥98.0％)，去甲乌药碱-D₄(Higenamine-d4，HG-D₄，≥98.0％)实验室制备。盐酸克伦特罗-D₉(Clenbuterol-D₉ hydrochloride，CLB-D₉，99.7％)和盐酸克伦特罗-D₆(Clenbuterol-D₆hydrochloride，CLB-D₆，99.8±0.1％)购自Witega(德国，柏林)；沙丁胺醇-D₃(±-Albuterol-D3，SAL-D3，98.10％)，盐酸莱克多巴胺-D₆(±-Ractopamine-D3hydrochloride，RAC-D₆，99％)和盐酸莱克多巴胺-D₃(±-Ractopamine-D₃hydrochloride.RAC-D₃，98.60％)购自CDN isotopes(加拿大)；沙丁胺醇-D9(racAlbuterol-D9，SAL-D₉，98％)，沙丁胺醇-D₄(Albuterol-D₄，SAL-D₄，，95％)和盐酸莱克多巴胺-D₅(Ractopamine-D₅ hydrochloride，RAC-D₅，95％)购自TRC(加拿大，多伦多)。

甲醇和乙腈(色谱纯，德国Merck)；实验室用水为Milli-Q去离子水(德国Merck)；甲酸(98％，美国Honeywell)。

1.2仪器与质谱条件

Q Exactive^TM高分辨质谱，配备组合型四级杆离子阱检测器。仪器控制使用Tracfinder 4.1软件，数据处理使用XCalibur软件以及Tune软件用于调谐应用时控制质谱仪(Thermo Fisher Scientific，德国)。流动注射进样流速为10μL/min。Q-Orbitrap HRMS配备了HESI-II离子源，并采用正电离模式。喷雾电压、毛细管温度、辅助气体加热器温度分别为3.5kV、250℃和400℃。鞘气流速，辅助气流速，扫气和S-透镜射频水平分别为45、10、2(arbitrary units)和50V。流动注射时质谱采用Full MS扫描模式，分辨率均为70000(FWHM，200M/Z)，扫描范围m/z 250～370Da(根据被测物分子量确定合适扫描范围)。

1.3标准溶液配制

用Sartorius ME36S微量天平(Sartorius，德国)称取1.00mg氘标记化合物，加入甲醇溶剂配制浓度为100μg·g^-1充分混合溶解作为储备液。称取储备液适量，甲醇稀释至100μg·kg^-1作为工作标准溶液。储备液和工作标准溶液均在棕色瓶中避光，-20℃冷冻保存。

1.4谱图采集

蠕动泵流动注射浓度为100μg·kg^-1分析物工作溶液，按照上述1.2质谱条件，待分析物响应信号稳定后进行数据采集，采集1min总离子流图(TIC)，每个分析物在其TIC图上随机选取典型质谱图，进行分析。以盐酸曲托喹酚-D₉化合物为例，其总离子流图与Full-MS质谱图信息见图1。在分析多个化合物时，为防止分析物间交叉污染，每个分析物之间注射空白溶剂，直到质谱检测不到前一个分析物分子离子峰。

2、结果分析

2.1同位素偏差的计算

盐酸曲托喹酚-D₉(TMQ-D₉)样品中可能含有D₁～D₈取代化合物，同时可能含有未取代的盐酸曲托喹酚。在正离子电喷雾质谱中，可能含有分子离子峰[TMQ-D₉+H]⁺、[TMQ-D₈+H]⁺、......、[TMQ-D₁+H]⁺和[TMQ+H]⁺一系列分子离子，这些化合物同时均具有自身的天然同位素，干扰同位素丰度的检测。ChemDraw数据库查询以上化合物及其天然同位素离子见表1。TMQ-D₉的分子离子峰[TMQ-D₉+H]⁺m/z355.22139其检测最大干扰可能是TMQ-D₈天然同位素[TMQ-D₈+H+1]⁺分子离子峰m/z355.21847。同样若样品中含有TMQ-D₈，对于TMQ-D₈分子离子[TMQ-D₈+H]⁺m/z354.21511的检测干扰影响最大的可能是TMQ-D₇的天然同位素[TMQ-D₇+H+1]⁺的分子离子峰m/z 354.21219。以此类推，计算[TMQ-D_n+H]⁺-[TMQ-D_(n-1)+H+1]⁺两者之间的差值，发现两者的差值为常数0.00292或0.00293。因此，规定常数值0.0029，用于相对同位素偏差(Isotopic deviation，ID)计算，见公式(1)。

ID计算结果见表1，随着盐酸曲托喹酚-D₉系列同位素[TMQ-D₁+H]⁺～[TMQ-D₉+H]⁺质荷比增大，ID值降低，变化范围为8.16～8.35ppm，因为[TMQ-D₉+H]⁺同位素偏差最小，所以在考察时仅需计算[TMQ-D₉+H]⁺同位素偏差，为方便计算，盐酸曲托喹酚-D₉的ID值以8计算。运用此方法计算了9种氘标记β-受体激动剂同位素偏差(表2)，每种化合物均可得到一个常数值0.00292，随着化合物分子质量越大，ID值越小。

表1盐酸曲托喹酚-D₉同位素偏差

表2氘标记β-受体激动剂同位素偏差

2.2仪器质量数偏差计算

高分辨质谱检测具有很高的灵敏度和分辨率，但是由于质谱仪器系统误差，要得到准确的丰度值，需对仪器的系统误差进行测定。首先通过ChemDraw数据库查询目标物质子化[MD_n+H]⁺精确分子质量理论值，其次对目标物进行多次测量，得到与理论值偏差最大的实测值(Maximum measured deviation，MD_max)，计算得到仪器质量偏差(Instrument MassError，IME)。

ChemDraw数据库查询盐酸曲托喹酚-D9在质谱正离子模式下检测分子离子峰理论值为m/z 355.22139。流动注射100μg·kg-1 TMQ-D9工作溶液，Full MS模式下质量轴m/z340～370范围内，采集典型质谱图，选取8张典型质谱图(图1)，由图可知8张[TMQ-D₉+H]⁺分子离子峰质荷比变化范围为m/z 355.22107～355.22134，其中与理论值偏差最大的实测值(MD_max)为m/z355.22107，选用此值计算仪器质量数的偏差，如公式2所示。

计算公式(2)如下。

根据公式(2)计算，仪器质量数偏差(IME)计算结果为0.90ppm。同样方法检测9种β-受体激动剂的仪器质量数偏差(表3)，在0.74～1.79ppm范围，表明高分辨率质谱Orbitrap MS检测可以提供较高的质量精度，仪器质量偏差小于2ppm，因此本研究中10种化合物的IME值统一以2ppm计。

表3氘标记β-受体激动剂仪器质量偏差

2.3方法适用条件

当同位素偏差(ID)大于仪器质量数偏差(IME)，表明仪器质谱分辨率能够分辨未标记物、未完全标记物以及天然同位素分子离子峰，才可使用本方法进行测定。因此，本方法的适用条件为ID＞IME。

根据2.1和2.2分析结果，盐酸曲托喹酚-D₉的ID值(8.16ppm)远大于IME值(0.90ppm)，同样的，9种氘标记β-受体激动剂的ID值在9.47-10.61ppm之间，均远大于各自的IME值。因此，可采用本方法对盐酸曲托喹酚-D₉以及9种氘标记β-受体激动剂的同位素分布和丰度进行检测。

2.4同位素分布与丰度计算

本发明实施例所建立的同位素分布与丰度分析方法，同位素分布计算依据FullMS质谱图中的目标分析物质谱峰强度，计算其归一化后百分比。同位素丰度按照标记位点D原子百分比计算为：Atom％D＝∑(n·x_n)/n。

2.4.1测量允许偏差(Δ)对同位素分布和丰度的影响

当样品浓度在100μg·kg^-1时，测定同位素丰度值有良好的准确度和精密度，并且可防止样品浓度过大造成残留污染。本实施例的工作溶液浓度为100μg·kg^-1，从10种稳定同位素氘标记化合物的仪器质量偏差结果可以看出Q-Orbitrap HRMS高分辨质谱具有较好的质量精度，10种化合物的IME值均小于2ppm。但是，在实际测量时目标分析物中的未标记物和未完全标记物含量相对较低，质谱峰容易受到背景干扰，导致实测质荷比(m/z)与理论值的偏差变大。因此，有必要确立被测物(包括目标分析物与其未标记物和未完全标记物)的理论质量数与实测质量数之间的允许偏差(Δ)，确保分布在该范围内的目标分析物及其所有可能同位素标记物均能够纳入归一化计算，因此，Δ值应该在目标物的仪器质量偏差IME(2ppm)与同位素偏差(ID＝8ppm)之间，本研究中TMQ-D₉的Δ＝2～8ppm，在此条件下TMQ-D₉的同位素分布为TMQ-D₃＝0.08％、-D₈＝1.21％和-D₉＝99.71％，RSD值分别为22.38％、10.52％和0.13％，同位素丰度Atom％D＝99.81％。比较Δ＜2ppm条件下的同位素分布和丰度分别为TMQ-D₃＝0.06％、-D₈＝0.42％和-D₉＝99.52％，RSD值分别为64.86％、141.83％和0.61％，同位素丰度Atom％D＝99.78％。说明Δ＝2～8ppm时，同位素分布与丰度检测结果精密度好，准确性高。

2.4.2质谱图分析数量对同位素分布与丰度的影响

在实际的测定中，欲获得可靠同位素丰度结果，需要比较选取质谱图分析数量，确保选取最少谱图条件下获得准确的检测结果^[20]。根据2.4.1确定的每个化合物质荷比允许偏差范围内，分别随机选取1、5、10、15、20、50和100张质谱图进行计算。图2数据显示，分析谱图数为1～100张时，TMQ-D₉中均可以检测出含有未完全氘标记物TMQ-D₃和TMQ-D₈，其中，图2为展示误差棒值，将坐标轴0～2％和98～100％分别作图。但是选择1张谱图计算时，TMQ-D₉、-D₈、-D3的分布为98.46％、1.46％、0.08％，同位素丰度Atom％D为99.79％；选择5张谱图(取5张图谱数据的平均值)，3个物质的分布分别为98.65％、1.26％、0.08％，Atom％D＝99.80％；当选取图谱数为10、15、20、50、100张时，TMQ-D₉在98.70％～98.71％之间，TMQ-D₈在1.21％～1.23％之间，TMQ-D₃均为0.08％，而且每个条件下的测量偏差RSD％均在0.02～0.03％之间，丰度Atom％D均为99.81％，说明取10张谱图即可准确计算目标物的同位素分布与丰度。

2.4.3方法对比

依照HG/T5170-2017标准，采用“质量簇”分类法检测实验室制备的TMQ-D₉和HG-D₄同位素分布与丰度，比较了两种方法检测结果(表4)。采用“质量簇”分类法检测TMQ-D₉同位素丰度为Atom％D＝99.9％，其中TMQ-D₈和TMQ-D₉峰百分占比分别为0.63％和99.4％，未检测到TMQ-D₃，TMQ-D₈分布偏低；同样“质量簇”分类法未检测到HG-D₄中低含量的HG-D₀，并且HG-D₃和HG-D₄分布偏高。“质量簇”分类法采用普通质谱测定，可能由于质谱分辨率低，背景干扰大，较低含量的化合物无法检测，峰强度高的化合物也容易受到杂质干扰，导致峰百分比偏高或偏低。

表4 Q-Orbitrap HRMS法与“质量簇”分类法检测TMQ-D₉和HG-D₄同位素丰度

2.5方法应用

采用本发明实施例所建立的方法，检测了8种氘标记β-受体激动剂标准品的同位素分布与丰度，其中包括两种克伦特罗氘标记物CLB-D₆和CLB-D₉；三种沙丁胺醇氘标记物SAL-D₃、SAL-D₄和SAL-D₉；三种莱克多巴胺氘标记物RAC-D₃、RAC-D₅和RAC-D₆。表5检测结果显示，克伦特罗的D₆和D₉两种同位素标记物中CLB-D₆和CLB-D₉实际同位素分布仅为91.19％和89.15％，且均含有的未标记CLB，含量分别为0.14％和0.49％；CLB-D₆和CLB-D₉同位素丰度AtomD％分别为98.25％和98.21％与标准品证书(采用核磁共振波普法检测)标示同位素丰度值(98.0％和98.7％)基本一致，但其证书未标示同位素分布。沙丁胺醇的-D₃、-D₄和-D₉实际同位素分布仅为96.69％、97.63％和93.27％，且均含有未标记SAL，含量分别为0.06％、0.11％和0.88％；同位素丰度AtomD％分别为98.74％、99.32％和98.36％，与标准品证书表示同位素丰度值(98.8％、99.4％和98.2％)基本一致。RAC-D₃、RAC-D₅和RAC-D₆实际同位素分布仅为95.79％、89.08％和92.90％，不含有未标记的RAC；同位素丰度AtomD％分别为98.60％、97.67％和98.78％，标准品证书标示同位素丰度值(98.8％、96.5％和98.8％)，其中仅RAC-D₅同位素丰度值与证书标示值相比稍有差异。

3.小结

综上所述，本发明实施例的检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，基于Q-Orbitrap高分辨和高精密度的特性，建立了流动注射进样结合Q-Orbitrap高分辨质谱检测氘标记化合物的同位素丰度的检测方法，克服了传统方法的局限性，使得检测氘代试剂的同位素丰度能够快速检测。本发明实施例的方法灵敏度高，能够检测到百分占比为0.06％的同位素分布；相对标准偏差0.03～0.07％，精密度高；方法试剂与分析物用量少，具有较好的分析检测实用性。本发明实施例的方法对于稳定同位素内标的质量评估和选择具有指导意义，具有很好的应用前景。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种检测氘标记化合物同位素分布与丰度的方法，其特征在于，包括：

对氘代化合物进行Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测，并采集多张Full-MS质谱图；

基于所述多张谱图，得到同位素偏差值和仪器质量偏差值；以及

同位素偏差值大于仪器质量偏差值，基于所述质谱检测，得到所述氘标记化合物同位素分布与丰度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Q-Orbitrap四级杆轨道阱高分辨质谱检测的检测条件为：

离子源：HESI-II离子源；

电离模式：正电离模式；

喷雾电压：3.5kV；

毛细管温度：250℃；

辅助气体加热器温度：400℃；

鞘气流速、辅助气流速和吹扫气分别为45Arb、10Arb和2Arb；

S-透镜射频电压：50V；

扫描模式：Full MS扫描模式；

分辨率：70000(FWHM)；以及

扫描范围m/z 250～370Da。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述质谱检测为流动注射进样。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述流动注射进样流速为10μL/min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多张Full-MS质谱图为5-10张。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述同位素偏差值是基于下述公式得到的，

其中，[MD_n+H]⁺为含有n个氘代的化合物的质荷比，[MD_(n-1)+H+1]⁺为含有n-1个氘代的化合物的天然同位素质荷比，ID为所述同位素偏差值。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述仪器质量偏差值是基于下述公式得到的，基于下述公式计算各所述氘代化合物的IME值，

其中，理论值为氘标记化合物理论质荷比，MDmax为氘标记化合物实测与理论值偏差最大质荷比，

其中，IME为仪器质量偏差值。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征值在于，测量允许偏差大于所述仪器质量偏差值，且小于所述同位素偏差值。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氘标记是基于化合物同位素分布FullMS质谱图中的氘标记化合物质谱峰强度得到的。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述丰度是基于下述公式得到的，

Atom％D＝∑(n·x_n)/n，

其中，Atom％D为氘标记化合物同位素丰度值，n为化合物氘标记数，x_n为氘标记化合物同位素分布百分比。

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