CN112608750A - 一种全光谱led荧光粉组合物以及全光谱白光led器件 - Google Patents

一种全光谱led荧光粉组合物以及全光谱白光led器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种全光谱的荧光粉组合物，包括质量比为2.5～3:4.5～6:1～2的蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，所述蓝色荧光粉的发光峰值位于420～520nm范围内，所述绿色荧光粉的发光峰值位于521～550nm范围内，所述红色荧光粉的发光峰值位于610～660nm范围内。本发明通过调节三类荧光粉的用量比例，实现荧光粉组合物的发光光谱中蓝光部分高度比小于1，蓝光区域所占积分比例小于5％，且460‑490nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距小于0.2；通过该荧光粉的调制，可以消除尖锐的蓝光峰值，同时有效降低蓝光成分的比例，且在450nm‑500nm范围内发光较强，整体光谱呈现均匀的分布。

Description

一种全光谱LED荧光粉组合物以及全光谱白光LED器件
技术领域
本发明属于LED技术领域，具体涉及一种全光谱LED荧光粉组合物以及全光谱白光LED器件。
背景技术
随着科技进步和产业化进程，LED已经成为了新一代的照明技术，具备节能、发光效率高、精准配光、稳定可靠、使用寿命长、性价比高等优势，在全球迅速推广使用，比如在城市道路照明、机场、码头、城市亮化工程、旅游景区等地方大量使用LED照明灯具，相比于传统的高压钠灯，使用LED灯可以节能60％以上，且总体亮度高于高压钠灯。
可是，随着LED的广泛应用，人们发现在许多应用场景中，仅仅关注照明灯具的亮度是远远不够的，近些年来，越来越多的人们开始关注LED的发光品质，重点是LED灯具中光谱的组成，2018年，国内半导体照明行业颁布了教室照明和护眼照明的行业标准，行业标准中规定，蓝光成分的比例不得高于5％。事实上，LED光谱的组成决定了LED的发光品质，市场上LED照明灯具中的蓝光成分普遍偏高，然而，人们研究发现，过高的蓝光成分会带来对眼睛的不良影响，尤其是对眼睛中视网膜的损伤。
目前白光LED照明主要通过蓝光LED+黄色荧光粉来形成。白光LED的光谱范围较窄，尤其是短波蓝光区域的能量比较集中，与太阳光谱实际相差很大，还有明显的眩光效应，使得LED照明光源对人体长时间照射会产生不利影响。随着生活水平的提高，人眼对照明的需求越来越接近太阳光谱，需要高的显色指数与合适的色温，高显色指数的光源照射下，物体才会呈现出最真实的颜色。
同时，市场上也研究出蓝光LED加全光谱荧光粉的技术，对比文献CN201410466575.2研究了蓝光芯片加全光谱荧光粉，在5000K色温时可以实现平均显指达到90的技术，不过该技术得到产品的发光光谱中在蓝光部分存在尖锐的蓝光峰值，蓝光比例偏高，且在450nm-500nm范围内发光较弱呈现缺光现象。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供一种全光谱LED荧光粉组合物以及全光谱白光LED器件，本发明提供的全光谱LED荧光粉组合物可以消除尖锐的蓝光峰值，同时有效降低蓝光成分的比例，且在450nm～500nm范围内发光较强，整体光谱呈现均匀的分布。
本发明提供了一种全光谱的荧光粉组合物，包括质量比为2.5～3:4.5～6:1～2的蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，所述蓝色荧光粉的发光峰值位于420～520nm范围内，所述绿色荧光粉的发光峰值位于521～550nm范围内，所述红色荧光粉的发光峰值位于610～660nm范围内。
优选的，所述蓝色荧光粉选自Na3Sc2(PO4)3:Eu2+、Sr4Al14O25:Eu2+、Sr5(PO4)3Cl:Eu2+中的一种或多种。
优选的，所述绿色荧光粉选自Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+、Lu3Al5O12:Ce3+中的一种。
优选的，所述红色荧光粉是Sr2Si5N8:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+中的一种。
优选的，所述荧光粉组合物至少包括两种蓝色荧光粉、一种绿色荧光粉和一种红色荧光粉，其中蓝色荧光粉的激发峰值位于350～450nm范围内。
优选的，所述荧光粉组合物的发光光谱中蓝光部分高度比小于1，蓝光区域所占积分比例小于5％，且460-490nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距小于0.2。
本发明还提供了一种上述全光谱的荧光粉组合物在白光LED器件中的应用。
优选的，所述白光LED器件包括：
芯片以及复合于芯片表面的荧光粉层。
优选的，所述芯片包括至少包括两种不同发光波长的LED芯片，第一LED芯片的波长峰值范围为380～420nm，第二LED芯片的波长峰值范围为421～470nm；
所述第一LED芯片同第二LED芯片的光通量之比范围为5:1～1:5。
优选的，在所述芯片表面依次复合红色荧光粉层、绿色荧光粉层和蓝色荧光粉层。
与现有技术相比，本发明提供了一种全光谱的荧光粉组合物，包括质量比为2.5～3:4.5～6:1～2的蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，所述蓝色荧光粉的发光峰值位于420～520nm范围内，所述绿色荧光粉的发光峰值位于521～550nm范围内，所述红色荧光粉的发光峰值位于610～660nm范围内。本发明通过调节三类荧光粉的用量比例，实现荧光粉组合物的发光光谱中蓝光部分高度比小于1，蓝光区域所占积分比例小于5％，且460-490nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距小于0.2；通过该荧光粉的调制，可以消除尖锐的蓝光峰值，同时有效降低蓝光成分的比例，且在450nm-500nm范围内发光较强，整体光谱呈现均匀的分布。
附图说明
图1为本发明具体实施方式中提供的LED器件中LED芯片的照片；
图2为本发明具体实施方式中LED芯片表面复合有荧光粉层；
图3为本发明具体实施方式中的LED灯珠封装示意图；
图4为LED灯珠的制备方法的工艺流程图；
图5为本发明实施例1提供的LED器件的2700K全光谱LED器件的发光光谱图；
图6为本发明对比例1提供的LED器件的2700K全光谱LED器件的发光光谱图；
图7为本发明实施例2提供的LED器件的3000K全光谱LED器件的发光光谱图；
图8为本发明对比例2提供的LED器件的3000K全光谱LED器件的发光光谱图；
图9为本发明实施例3提供的LED器件的3500K全光谱LED器件的发光光谱图；
图10为本发明对比例3提供的LED器件的3500K全光谱LED器件的发光光谱图；
图11为本发明实施例4提供的LED器件的4000K全光谱LED器件的发光光谱图；
图12为本发明对比例4提供的LED器件的4000K全光谱LED器件的发光光谱图；
图13为本发明实施例5提供的LED器件的4500K全光谱LED器件的发光光谱图；
图14为本发明对比例5提供的LED器件的4500K全光谱LED器件的发光光谱图；
图15为本发明实施例6提供的LED器件的5000K全光谱LED器件的发光光谱图；
图16为本发明对比例6提供的LED器件的5000K全光谱LED器件的发光光谱图；
图17为本发明实施例7提供的LED器件的5700K全光谱LED器件的发光光谱图；
图18为本发明对比例7提供的LED器件的5700K全光谱LED器件的发光光谱图；
图19为本发明实施例8提供的LED器件的5700K全光谱LED器件的发光光谱图。
具体实施方式
本发明提供了一种全光谱的荧光粉组合物，包括质量比为2.5～3:4.5～6:1～2的蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，所述蓝色荧光粉的发光峰值位于420～520nm范围内，所述绿色荧光粉的发光峰值位于521～550nm范围内，所述红色荧光粉的发光峰值位于610～660nm范围内。
本发明提供的全光谱的荧光粉组合物包括质量比为2.5～3:4.5～6:1～2的蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉。优选的，所述蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉的质量比为3:5:2，或2.5～3:4.5～6:1～2之间的任意比值。
在本发明中，所述蓝色荧光粉的发光峰值位于420～520nm范围内，所述蓝色荧光粉选自Na3Sc2(PO4)3:Eu2+、Sr4Al14O25:Eu2+、Sr5(PO4)3Cl:Eu2+中的一种或多种。
所述绿色荧光粉的发光峰值位于521～550nm范围内，所述绿色荧光粉选自Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+、Lu3Al5O12:Ce3+中的一种。
所述红色荧光粉的发光峰值位于610～660nm范围内，所述红色荧光粉是Sr2Si5N8:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+中的一种。
在本发明的一些具体实施方式中，所述荧光粉组合物至少包括两种蓝色荧光粉、一种绿色荧光粉和一种红色荧光粉，其中蓝色荧光粉的激发峰值位于350～450nm范围内。
在本发明的一些具体实施方式中，所述荧光粉组合物包括三种蓝色荧光粉、两种绿色荧光粉和两种红色荧光粉。
在本发明中，所述荧光粉组合物的发光光谱中蓝光部分高度比小于1，蓝光区域所占积分比例小于5％，且460-490nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距小于0.2。
本发明还提供了一种上述全光谱的荧光粉组合物在白光LED器件中的应用。
其中，在本发明中，所述白光LED器件包括：
芯片以及复合于芯片表面的荧光粉层。
本发明提供的白光LED器件包括芯片，在本发明的一些具体实施方式中，所述芯片包括至少包括两种不同发光波长的LED芯片，第一LED芯片的波长峰值范围为380～420nm，优选为380nm、390nm、400nm、410nm、420nm，或380～420nm之间的任意值，第二LED芯片的波长峰值范围为421～470nm，优选为421nm、430nm、440nm、450nm、460nm、470nm，或421～470nm之间的任意值。
所述第一LED芯片同第二LED芯片的光通量之比范围为5:1～1:5，优选为5:1、4:1、3:1、2:1、1:1、1:2、1:3、1:4、1:5，或5:1～1:5之间的任意值。
参见图1，图1为本发明具体实施方式中提供的LED器件中LED芯片的照片。
本发明提供的白光LED器件还包括复合于芯片表面的荧光粉层。在本发明中，所述荧光粉层可以由三种荧光粉混合制备得到。或者，在所述芯片表面依次复合红色荧光粉层、绿色荧光粉层和蓝色荧光粉层。
所述荧光粉层的厚度为0.01～2mm。
参见图2，图2为本发明具体实施方式中LED芯片表面复合有荧光粉层。
参见图3，图3为本发明具体实施方式中的LED灯珠封装示意图。
本发明还提供了一种上述LED灯珠的制备方法，具体的包括以下步骤：
选择芯片、封装胶和荧光粉；
将支架进行清洗后，进行支架预热，然后依次进行配胶、抽真空、点胶、硬化、LED灯珠成型、测试灯珠、灯珠分选和包装。
参见图4，图4为LED灯珠的制备方法的工艺流程图。
在本发明中，所述封装胶选自硅橡胶或环氧树脂。
所述配胶的步骤可以将三种荧光粉分别于封装胶混合，然后依次点胶，形成不同颜色荧光粉层；或者将三种荧光粉混合后再与封装胶混合后再点胶。
本发明通过调节三类荧光粉的用量比例，实现荧光粉组合物的发光光谱中蓝光部分高度比小于1，蓝光区域所占积分比例小于5％，且460-490nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距小于0.2；通过该荧光粉的调制，可以消除尖锐的蓝光峰值，同时有效降低蓝光成分的比例，且在450nm-500nm范围内发光较强，整体光谱呈现均匀的分布。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的全光谱LED荧光粉组合物以及全光谱白光LED器件进行说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1734的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为0820的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为5.00lm、1.25lm，蓝色荧光粉Na3Sc2(PO4)3:Eu2+占总荧光粉总量比例为30％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为50％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为20％。荧光粉和道康宁6063硅橡胶的比例选用1.5:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为2709K，显色指数为98.5，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.2，蓝光区域所占发光光谱积分比例为3.3％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.2，光效为101lm/W。
参见图5，图5为本发明实施例1提供的LED器件的2700K全光谱LED器件的发光光谱图。
对比例1
选用发光峰值为450nm的1734型号LED芯片，使用质量比为0.2:0.45:0.35的Sr3SiO5:Eu2+绿色荧光粉、YAG黄色荧光粉、CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉制备出2700K色温的白光LED器件，经过测试，其色温为2715K，显色指数为95.5，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.4，蓝光区域所占发光光谱积分比例为6.3％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.2，光效为100lm/W。
参见图6，图6为本发明对比例1提供的LED器件的2700K全光谱LED器件的发光光谱图。
实施例2
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1734的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为0820的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为4.50lm、1.50lm，荧光粉Na3Sc2(PO4)3:Eu2+占总荧光粉总量比例为16％，蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+占总荧光粉总量比例为7％，蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2 +占总荧光粉总量比例为7％，绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为5％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为45％，红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+占总荧光粉总量比例为5.5％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为14.5％。荧光粉和胶水的比例选用1.5:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为3002K，显色指数为97.3，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.59，蓝光区域所占发光光谱积分比例为3.6％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.1，光效为106lm/W。
参见图7，图7为本发明实施例2提供的LED器件的3000K全光谱LED器件的发光光谱图。
对比例2
选用发光峰值为450nm的1734型号LED芯片，使用质量比为0.2:0.5:0.3的Sr3SiO5:Eu2+绿色荧光粉、YAG黄色荧光粉、CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉制备出3000K色温的白光LED器件，经过测试，其色温为3016K，显色指数为95.5，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.8，蓝光区域所占发光光谱积分比例为6.5％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.6，光效为105lm/W。
参见图8，图8为本发明对比例2提供的LED器件的3000K全光谱LED器件的发光光谱图。
实施例3
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1635的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为0820的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为4.90lm、2.10lm，荧光粉Na3Sc2(PO4)3:Eu2+占总荧光粉总量比例为13％，蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+占总荧光粉总量比例为10％，蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2+占总荧光粉总量比例为7％，绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为10％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为40％，红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+占总荧光粉总量比例为7％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为13％。荧光粉和胶水的比例选用1.45:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为3513K，显色指数为96.2，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.6，蓝光区域所占发光光谱积分比例为3.8％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.2，光效为112lm/W。
参见图9，图9为本发明实施例3提供的LED器件的3500K全光谱LED器件的发光光谱图。
对比例3
选用发光峰值为450nm的1635型号LED芯片，使用质量比为0.18:0.52:0.3的Sr3SiO5:Eu2+绿色荧光粉、YAG黄色荧光粉、CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉制备出3500K色温的白光LED器件，经过测试，其色温为3512K，显色指数为95.2，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.8，蓝光区域所占发光光谱积分比例为6.8％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.5，光效为110lm/W。
参见图10，图10为本发明对比例3提供的LED器件的3500K全光谱LED器件的发光光谱图。
实施例4
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1635的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为0930的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为5.0lm、2.69lm，荧光粉Na3Sc2(PO4)3:Eu2+占总荧光粉总量比例为10％，蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+占总荧光粉总量比例为13％，蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2+占总荧光粉总量比例为7％，绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为15％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为35％，红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+占总荧光粉总量比例为8％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为12％。荧光粉和胶水的比例选用1.45:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为3996K，显色指数为96.4，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.59，蓝光区域所占发光光谱积分比例为4.1％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.18，光效为113lm/W。
参见图11，图11为本发明实施例4提供的LED器件的4000K全光谱LED器件的发光光谱图。
对比例4
选用发光峰值为450nm的1635型号LED芯片，使用质量比为0.18:0.55:0.27的Sr3SiO5:Eu2+绿色荧光粉、YAG黄色荧光粉、CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉制备出4000K色温的白光LED器件，经过测试，其色温为4028K，显色指数为95.6，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为1.0，蓝光区域所占发光光谱积分比例为6.7％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.6，光效为111lm/W。
参见图12，图12为本发明对比例4提供的LED器件的4000K全光谱LED器件的发光光谱图。
实施例5
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1635的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为1130的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为5.0lm、3.33lm，荧光粉Na3Sc2(PO4)3:Eu2+占总荧光粉总量比例为5％，蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+占总荧光粉总量比例为18％，蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2 +占总荧光粉总量比例为7％，绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为30％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为20％，红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+占总荧光粉总量比例为10％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为10％。荧光粉和胶水的比例选用1.42:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为4508K，显色指数为96.8，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.81，蓝光区域所占发光光谱积分比例为4.2％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.17，光效为115lm/W。
参见图13，图13为本发明实施例5提供的LED器件的4500K全光谱LED器件的发光光谱图。
对比例5
选用发光峰值为450nm的1635型号LED芯片，使用质量比为0.19:0.58:0.23的Sr3SiO5:Eu2+绿色荧光粉、YAG黄色荧光粉、CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉制备出4500K色温的白光LED器件，经过测试，其色温为4503K，显色指数为95.6，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为1.0，蓝光区域所占发光光谱积分比例为7.2％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.68，光效为112lm/W。
参见图14，图14为本发明对比例5提供的LED器件的4500K全光谱LED器件的发光光谱图。
实施例6
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1635的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为1635的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为5.0lm、5.0lm，蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+占总荧光粉总量比例为23％，蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2+占总荧光粉总量比例为7％，绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为25％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为25％，红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+占总荧光粉总量比例为12％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为8％。荧光粉和胶水的比例选用1.4:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为4982K，显色指数为98.1，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.87，蓝光区域所占发光光谱积分比例为4.5％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.22，光效为118lm/W。
参见图15，图15为本发明实施例6提供的LED器件的5000K全光谱LED器件的发光光谱图。
对比例6
选用发光峰值为450nm的1635型号LED芯片，使用质量比为0.21：0.61：0.18的Sr3SiO5:Eu2+绿色荧光粉、YAG黄色荧光粉、CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉制备出5000K色温的白光LED器件，经过测试，其色温为5017K，显色指数为95.6，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为1.0，蓝光区域所占发光光谱积分比例为7.5％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.68，光效为115lm/W。
参见图16，图16为本发明对比例6提供的LED器件的5000K全光谱LED器件的发光光谱图。
实施例7
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1130的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为1734的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为3.33lm、5.0lm，蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+占总荧光粉总量比例为23％，蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2+占总荧光粉总量比例为7％，绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为30％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为20％，红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+占总荧光粉总量比例为15％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为5％。荧光粉和胶水的比例选用1.38:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为5711K，显色指数为96.5，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.90，蓝光区域所占发光光谱积分比例为4.7％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.19，光效为121lm/W。
参见图17，图17为本发明实施例7提供的LED器件的5700K全光谱LED器件的发光光谱图。
对比例7
选用发光峰值为450nm的1734型号LED芯片，使用质量比为0.22:0.65:0.13的Sr3SiO5:Eu2+绿色荧光粉、YAG黄色荧光粉、CaAlSiN3:Eu2+红色荧光粉制备出5700K色温的白光LED器件，经过测试，其色温为5721K，显色指数为95.6，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为1.0，蓝光区域所占发光光谱积分比例为8.7％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.71，光效为116lm/W。
参见图18，图18为本发明对比例7提供的LED器件的5700K全光谱LED器件的发光光谱图。
实施例8
选用功率为0.2W，峰值波长为400nm，尺寸为1130的芯片作为第一芯片，选用功率为0.2W，峰值波长为450nm，尺寸为1734的芯片作为第二芯片，在60mA电流情况下第一和第二芯片的额定光通量分别为3.33lm、5.0lm，蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+占总荧光粉总量比例为23％，蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2+占总荧光粉总量比例为7％，绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为30％，绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+占总荧光粉总量比例为20％，红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+占总荧光粉总量比例为15％，红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+占总荧光粉总量比例为5％。荧光粉和胶水的比例选用1.38:1，每颗LED器件上所用荧光粉和胶水的混合物总量为0.01克。
在荧光粉封装顺序上，分三层封装，首先封装红色荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+，其次封装绿色荧光粉Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3+和绿色荧光粉Lu3Al5O12:Ce3+，最后封装蓝色荧光粉Sr4Al14O25:Eu2+和蓝色荧光粉Sr5(PO4)3Cl:Eu2+。
使用远方光色电综合测试系统(PCE-2000A)测试样品封装后的光电性能，经过测试，LED器件的色温为5743K，显色指数为97.5，蓝光最高峰占总光谱最高峰比例为0.93，蓝光区域所占发光光谱积分比例为4.9％，450-500nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距为0.25，光效为124lm/W。
参见图19，图19为本发明实施例8提供的LED器件的5700K全光谱LED器件的发光光谱图。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种全光谱的荧光粉组合物，其特征在于，包括质量比为2.5～3:4.5～6:1～2的蓝色荧光粉、绿色荧光粉和红色荧光粉，所述蓝色荧光粉的发光峰值位于420～520nm范围内，所述绿色荧光粉的发光峰值位于521～550nm范围内，所述红色荧光粉的发光峰值位于610～660nm范围内。
2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述蓝色荧光粉选自Na3Sc2(PO4)3:Eu2+、Sr4Al14O25:Eu2+、Sr5(PO4)3Cl:Eu2+中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述绿色荧光粉选自Lu3(Al,Ga)5O12:Ce3 +、Lu3Al5O12:Ce3+中的一种。
4.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述红色荧光粉是Sr2Si5N8:Eu2+、CaAlSiN3:Eu2+中的一种。
5.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述荧光粉组合物至少包括两种蓝色荧光粉、一种绿色荧光粉和一种红色荧光粉，其中蓝色荧光粉的激发峰值位于350～450nm范围内。
6.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于，所述荧光粉组合物的发光光谱中蓝光部分高度比小于1，蓝光区域所占积分比例小于5％，且460-490nm范围内光谱占比最强处同光谱占比最弱处的差距小于0.2。
7.一种权利要求1～6任意一项所述的全光谱的荧光粉组合物在白光LED器件中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述白光LED器件包括：
芯片以及复合于芯片表面的荧光粉层。
9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述芯片包括至少包括两种不同发光波长的LED芯片，第一LED芯片的波长峰值范围为380～420nm，第二LED芯片的波长峰值范围为421～470nm；
所述第一LED芯片同第二LED芯片的光通量之比范围为5:1～1:5。
10.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，在所述芯片表面依次复合红色荧光粉层、绿色荧光粉层和蓝色荧光粉层。
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