CN112602235B - 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备 - Google Patents

谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112602235B
CN112602235B CN201980054735.3A CN201980054735A CN112602235B CN 112602235 B CN112602235 B CN 112602235B CN 201980054735 A CN201980054735 A CN 201980054735A CN 112602235 B CN112602235 B CN 112602235B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductor
resonator
unit
conductors
antenna
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201980054735.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112602235A (zh
Inventor
吉川博道
平松信树
内村弘志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN112602235A publication Critical patent/CN112602235A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112602235B publication Critical patent/CN112602235B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H01Q9/045—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna with particular feeding means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/36—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith
    • H01Q1/38—Structural form of radiating elements, e.g. cone, spiral, umbrella; Particular materials used therewith formed by a conductive layer on an insulating support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q13/00—Waveguide horns or mouths; Slot antennas; Leaky-waveguide antennas; Equivalent structures causing radiation along the transmission path of a guided wave
    • H01Q13/10—Resonant slot antennas
    • H01Q13/18—Resonant slot antennas the slot being backed by, or formed in boundary wall of, a resonant cavity ; Open cavity antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0013—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices working as frequency-selective reflecting surfaces, e.g. FSS, dichroic plates, surfaces being partly transmissive and reflective
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/006—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q19/00—Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic
    • H01Q19/005—Patch antenna using one or more coplanar parasitic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/064—Two dimensional planar arrays using horn or slot aerials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q21/00—Antenna arrays or systems
    • H01Q21/06—Arrays of individually energised antenna units similarly polarised and spaced apart
    • H01Q21/061—Two dimensional planar arrays
    • H01Q21/065—Patch antenna array
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
    • H01Q5/30—Arrangements for providing operation on different wavebands
    • H01Q5/307—Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way
    • H01Q5/314—Individual or coupled radiating elements, each element being fed in an unspecified way using frequency dependent circuits or components, e.g. trap circuits or capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q5/00—Arrangements for simultaneous operation of antennas on two or more different wavebands, e.g. dual-band or multi-band arrangements
    • H01Q5/30—Arrangements for providing operation on different wavebands
    • H01Q5/378—Combination of fed elements with parasitic elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/30—Resonant antennas with feed to end of elongated active element, e.g. unipole
    • H01Q9/40—Element having extended radiating surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Abstract

谐振构造体具备：第1导体；第2导体，与第1导体在第1方向上对置；一个或者多个第3导体，位于第1导体以及第2导体之间，沿包含第1方向的第1平面扩展；以及第4导体，与第1导体以及第2导体连接，沿第1平面扩展。第1导体以及第2导体沿与第1平面相交的第2方向延伸。第1导体和第2导体构成为经由一个或者多个第3导体进行电容耦合。一个或者多个第3导体在第1平面中相对于与第1方向相交的第3方向具有非对称性。

Description

谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
相关申请的相互参照
本申请主张日本专利申请2018-158791号(2018年8月27日申请)的优先权，该申请的全部公开内容援引于此以供参考。
技术领域
本公开涉及谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备。
背景技术
从天线辐射的电磁波被金属导体反射。被金属导体反射的电磁波产生180°的相位偏移。被反射的电磁波与从天线辐射的电磁波合成。从天线辐射的电磁波有时因与具有相位偏移的电磁波的合成而振幅变小。其结果，从天线辐射的电磁波的振幅变小。通过将天线与金属导体的距离设为辐射的电磁波的波长λ的1/4，从而降低了反射波产生的影响。
与此相对，提出了利用人工的磁壁来降低反射波产生的影响的技术。该技术例如记载在非专利文献1、2中。
在先技术文献
非专利文献
非专利文献1：村上他，“使用了电介质基板的人工磁气导体的低姿态设计和带域特性”信学论(B)，Vol.J98-B No.2，pp.172-179
非专利文献2：村上他，“用于AMC反射板偶极子天线的反射板的最佳结构”信学论(B)，Vol.J98-B No.11，pp.1212-1220
发明内容
本公开的一个实施方式的谐振构造体具备：第1导体；第2导体，与所述第1导体在第1方向上对置；一个或者多个第3导体，位于所述第1导体以及所述第2导体之间，沿包含所述第1方向的第1平面扩展；以及第4导体，与所述第1导体以及所述第2导体连接，沿所述第1平面扩展，所述第1导体以及所述第2导体沿与所述第1平面相交的第2方向延伸，所述第1导体和所述第2导体构成为经由所述一个或者多个第3导体进行电容耦合，所述一个或者多个第3导体在所述第1平面中相对于与所述第1方向相交的第3方向具有非对称性。
本公开的一个实施方式的天线具备：上述的谐振构造体；以及供电线，构成为向所述一个或者多个第3导体中的任一个进行电磁供电。
本公开的一个实施方式的无线通信模块具备上述天线和与所述供电线电连接的RF模块。
本公开的一个实施方式的无线通信设备具备上述无线通信模块和构成为向该无线通信模块供给电力的电池。
附图说明
图1是表示谐振器的一个实施方式的立体图。
图2是俯视图1所示的谐振器的图。
图3A是图1所示的谐振器的剖视图。
图3B是图1所示的谐振器的剖视图。
图4是图1所示的谐振器的剖视图。
图5是表示图1所示的谐振器的单位构造体的概念图。
图6是表示谐振器的一个实施方式的立体图。
图7是俯视图6所示的谐振器的图。
图8A是图6所示的谐振器的剖视图。
图8B是图6所示的谐振器的剖视图。
图9是图6所示的谐振器的剖视图。
图10是表示谐振器的一个实施方式的立体图。
图11是俯视图10所示的谐振器的图。
图12A是图10所示的谐振器的剖视图。
图12B是图10所示的谐振器的剖视图。
图13是图10所示的谐振器的剖视图。
图14是表示谐振器的一个实施方式的立体图。
图15是俯视图14所示的谐振器的图。
图16A是图14所示的谐振器的剖视图。
图16B是图14所示的谐振器的剖视图。
图17是图14所示的谐振器的剖视图。
图18是俯视表示谐振器的一个实施方式的图。
图19A是图18所示的谐振器的剖视图。
图19B是图18所示的谐振器的剖视图。
图20是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图21是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图22A是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图22B是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图22C是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图23是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图24是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图25是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图26是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图27是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图28是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图29A是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图29B是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图30是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图31A是表示谐振器的一例的概略图。
图31B是表示谐振器的一例的概略图。
图31C是表示谐振器的一例的概略图。
图31D是表示谐振器的一例的概略图。
图32A是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图32B是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图32C是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图32D是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图33A是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图33B是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图33C是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图33D是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图34A是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图34B是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图34C是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图34D是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图35是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图36A是图35所示的谐振器的剖视图。
图36B是图35所示的谐振器的剖视图。
图37是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图38是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图39是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图40是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图41是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图42是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图43是图42所示的谐振器的剖视图。
图44是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图45是图44所示的谐振器的剖视图。
图46是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图47是图46所示的谐振器的剖视图。
图48是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图49是图48所示的谐振器的剖视图。
图50是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图51是图50所示的谐振器的剖视图。
图52是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图53是图52所示的谐振器的剖视图。
图54是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图55是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图56A是图55所示的谐振器的剖视图。
图56B是图55所示的谐振器的剖视图。
图57是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图58是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图59是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图60是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图61是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图62是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图63是表示谐振器的一个实施方式的俯视图。
图64是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图65是俯视天线的一个实施方式的图。
图66是图65所示的天线的剖视图。
图67是俯视天线的一个实施方式的图。
图68是图67所示的天线的剖视图。
图69是俯视天线的一个实施方式的图。
图70是图69所示的天线的剖视图。
图71是表示天线的一个实施方式的剖视图。
图72是俯视天线的一个实施方式的图。
图73是图72所示的天线的剖视图。
图74是俯视天线的一个实施方式的图。
图75是图74所示的天线的剖视图。
图76是俯视天线的一个实施方式的图。
图77A是图76所示的天线的剖视图。
图77B是图76所示的天线的剖视图。
图78是俯视天线的一个实施方式的图。
图79是俯视天线的一个实施方式的图。
图80是图79所示的天线的剖视图。
图81是表示无线通信模块的一个实施方式的框图。
图82是表示无线通信模块的一个实施方式的局部剖切立体图。
图83是表示无线通信模块的一个实施方式的部分剖视图。
图84是表示无线通信模块的一个实施方式的部分剖视图。
图85是表示无线通信设备的一个实施方式的框图。
图86是表示无线通信设备的一个实施方式的俯视图。
图87是表示无线通信设备的一个实施方式的剖视图。
图88是表示无线通信设备的一个实施方式的俯视图。
图89是表示第3天线的一个实施方式的剖视图。
图90是表示无线通信设备的一个实施方式的俯视图。
图91是表示无线通信设备的一个实施方式的剖视图。
图92是表示无线通信设备的一个实施方式的剖视图。
图93是表示无线通信设备的概略电路的图。
图94是表示无线通信设备的概略电路的图。
图95是表示无线通信设备的一个实施方式的俯视图。
图96是表示无线通信设备的一个实施方式的立体图。
图97A是图96所示的无线通信设备的侧视图。
图97B是图97A所示的无线通信设备的剖视图。
图98是表示无线通信设备的一个实施方式的立体图。
图99是图98所示的无线通信设备的剖视图。
图100是表示无线通信设备的一个实施方式的立体图。
图101是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图102是表示谐振器的一个实施方式的俯视图。
图103是表示谐振器的一个实施方式的俯视图。
图104是图103所示的谐振器的剖视图。
图105是表示谐振器的一个实施方式的俯视图。
图106是表示谐振器的一个实施方式的俯视图。
图107是图106所示的谐振器的剖视图。
图108是表示无线通信模块的一个实施方式的俯视图。
图109是表示无线通信模块的一个实施方式的俯视图。
图110是图109所示的无线通信模块的剖视图。
图111是表示无线通信模块的一个实施方式的俯视图。
图112是表示无线通信模块的一个实施方式的俯视图。
图113是图112所示的无线通信模块的剖视图。
图114是表示无线通信模块的一个实施方式的剖视图。
图115是表示谐振器的一个实施方式的剖视图。
图116是表示谐振构造体的一个实施方式的剖视图。
图117是表示谐振构造体的一个实施方式的剖视图。
图118是表示在模拟中采用的第1天线的导体形状的立体图。
图119是与表1所示的结果对应的图表。
图120是与表2所示的结果对应的图表。
图121是与表3所示的结果对应的图表。
图122是表示谐振器的一个实施方式的立体图。
图123是俯视图122所示的谐振器的图。
图124是图123所示的谐振器的剖视图。
图125是表示在图122所示的谐振器中电流以同相流动的情形的图。
图126是表示在图122所示的谐振器中电流以逆相流动的情形的图。
图127是表示图122所示的谐振器的谐振的情形的模拟结果。
图128是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图129是图128所示的谐振器的剖视图。
图130是表示图128所示的谐振器的谐振的情形的模拟结果。
图131是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图132是图131所示的谐振器的剖视图。
图133是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图134是图133所示的谐振器的剖视图。
图135是俯视谐振器的一个实施方式的图。
图136是图135所示的谐振器的剖视图。
具体实施方式
利用了人工的磁壁的天线优选能够宽频带化。本公开涉及提供一种能够宽频带化的新的谐振构造体，提供一种包含新的谐振构造体的天线以及包含该天线的无线通信模块以及无线通信设备。
以下说明本公开的多个实施方式。在图1～图136所示的结构要素中，在与已经图示的结构要素对应的结构要素中，将已经图示的结构要素的引用符号设为共通符号，对在该共通符号之前作为前缀标注了图序号的符号进行标注。谐振构造能够包含谐振器。谐振构造包含谐振器和其他构件，能够复合地实现。以下，在不特别区别图1～图64所示的结构要素的情况下，该结构要素使用共通符号进行说明。图1～图64所示的谐振器10包含基体20、对导体30、第3导体40以及第4导体50。基体20与对导体30、第3导体40以及第4导体50相接。谐振器10构成为对导体30、第3导体40以及第4导体50作为谐振器发挥功能。谐振器10能够以多个谐振频率进行谐振。将谐振器10的谐振频率中的一个谐振频率设为第1频率f1。第1频率f1的波长是λ1。谐振器10能够将至少一个谐振频率中的至少一个作为动作频率。谐振器10将第1频率f1作为动作频率。
基体20能够包含陶瓷材料以及树脂材料中的任一者，以作为组成。陶瓷材料包含氧化铝质烧结体、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体、玻璃陶瓷烧结体、使晶体成分在玻璃母材中析出的晶体化玻璃以及云母或钛酸铝等微晶体烧结体。树脂材料包含使环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂以及液晶聚合物等未固化物固化的材料。
对导体30、第3导体40以及第4导体50能够包含金属材料、金属材料的合金、金属膏的固化物以及导电性高分子中的任一者，以作为组成。对导体30、第3导体40以及第4导体50可以全部为相同的材料。对导体30、第3导体40以及第4导体50可以是全部不同的材料。对导体30、第3导体40以及第4导体50可以是任意的组合相同的材料。金属材料包含铜、银、钯、金、铂、铝、铬、镍、镉铅、硒、锰、锡、钒、锂、钴以及钛等。合金包含多个金属材料。金属膏剂包含将金属材料的粉末与有机溶剂以及粘接剂一起混炼而成的物质。粘接剂包含环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂。导电性聚合物包含聚噻吩系聚合物、聚乙炔系聚合物、聚苯胺系聚合物、聚吡咯系聚合物等。
谐振器10具有两个对导体30。对导体30包含多个导电体。对导体30包含第1导体31以及第2导体32。对导体30能够包含三个以上的导电体。对导体30的各导体与其他导体在第1方向上分离。在对导体30的各导体中，一个导体能够与其他导体成对。对导体30的各导体能够从位于成对的导体之间的谐振器观察为电壁。第1导体31位于在第1方向上与第2导体32分离的位置。各导体31、32沿与第1方向相交的第2平面扩展。
在本公开中，将第1方向(first axis)表示为x方向。在本公开中，将第3方向(third axis)表示为y方向。在本公开中，将第2方向(secondaxis)表示为z方向。在本公开中，将第1平面(first plane)表示为xy面。在本公开中，将第2平面(second plane)表示为yz面。在本公开中，将第3平面(third plane)表示为zx面。这些平面是坐标空间(coordinatespace)中的平面(plane)，并不表示特定的平面(plate)以及特定的表面(surface)。在本公开中，有时将xy平面中的面积(surface integral)称为第1面积。在本公开中，有时将yz平面中的面积称为第2面积。在本公开中，有时将zx平面中的面积称为第3面积。面积(surface integral)以平方米(square meter)等单位进行计数。在本公开中，有时将x方向上的长度简称为“长度”。在本公开中，有时将y方向上的长度简称为“宽度”。在本公开中，有时将z方向上的长度简称为“高度”。
在一例中，各导体31、32在x方向上位于基体20的两端部。各导体31、32的一部分能够面向基体20之外。各导体31、32的一部分位于基体20内，另一部分能够位于基体20之外。各导体31、32能够位于基体20之中。
第3导体40构成为作为谐振器发挥功能。第3导体40能够包含线型、贴片型以及缝隙型的谐振器的至少一种类型。在一例中，第3导体40位于基体20之上。在一例中，第3导体40在z方向上位于基体20的端。在一例中，第3导体40能够位于基体20之中。第3导体40的一部分能够位于基体20之内，另一部分能够位于基体20之外。第3导体40的一部分的面能够面向基体20之外。
第3导体40包含至少一个导电体。第3导体40能够包含多个导电体。在第3导体40包含多个导电体的情况下，第3导体40能够称为第3导体组。第3导体40包含至少一个导体层。第3导体40在一个导体层中包含至少一个导电体。第3导体40能够包含多个导体层。例如，第3导体40能够包含3层以上的导体层。第3导体40在多个导体层的每一个中包含至少一个导电体。第3导体40沿xy平面扩展。xy平面包含x方向。第3导体40的各导体层沿xy平面扩展。
在多个实施方式的一例中，第3导体40包含第1导体层41以及第2导体层42。第1导体层41沿xy平面扩展。第1导体层41能够位于基体20之上。第2导体层42沿xy平面扩展。第2导体层42能够与第1导体层41电容耦合。第2导体层42能够与第1导体层41电连接。电容耦合的两个导体层能够在y方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在x方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在第1平面内对置。可以说在第1平面中对置的两个导体层在一个导体层中存在两个导电体。第2导体层42的至少一部分能够位于与第1导体层41在z方向上重叠的位置。第2导体层42能够位于基体20之中。
第4导体50位于与第3导体40分离的位置。第4导体50构成为与对导体30的各导体31、32电连接。第4导体50构成为与第1导体31以及第2导体32电连接。第4导体50沿第3导体40扩展。第4导体50沿第1平面扩展。第4导体50从第1导体31到第2导体32。第4导体50位于基体20之上。第4导体50能够位于基体20之中。第4导体50的一部分位于基体20之内，另一部分能够位于基体20之外。第4导体50的一部分的面能够面向基体20之外。
在多个实施方式的一例中，第4导体50能够作为谐振器10中的接地导体发挥功能。第4导体50能够成为谐振器10的电位基准。第4导体50能够与具备谐振器10的设备的接地连接。
在多个实施方式的一例中，谐振器10能够具备第4导体50和基准电位层51。基准电位层51在z方向上位于与第4导体50分离的位置。基准电位层51能够与第4导体50电绝缘。基准电位层51能够成为谐振器10的电位基准。基准电位层51能够与具备谐振器10的设备的接地电连接。第4导体50能够与具备谐振器10的设备的接地电分离。基准电位层51能够与第3导体40或者第4导体50中的任一个在z方向上对置。
在多个实施方式的一例中，基准电位层51经由第4导体50与第3导体40对置。第4导体50位于第3导体40与基准电位层51之间。基准电位层51与第4导体50的间隔比第3导体40与第4导体50的间隔窄。
在具备基准电位层51的谐振器10中，第4导体50能够包含一个或者多个导电体。在具备基准电位层51的谐振器10中，第4导体50包含一个或者多个导电体，并且第3导体40能够成为与对导体30连接的一个导电体。在具备基准电位层51的谐振器10中，第3导体40以及第4导体50分别能够具备至少一个谐振器。
在具备基准电位层51的谐振器10中，第4导体50能够包含多个导体层。例如，第4导体50能够包含第3导体层52以及第4导体层53。第3导体层52能够与第4导体层53电容耦合。第3导体层52能够与第1导体层41电连接。电容耦合的两个导体层能够在y方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在x方向上对置。电容耦合的两个导体层能够在xy平面内对置。
在z方向上对置并电容耦合的两个导体层的距离比该导体组与基准电位层51的距离短。例如，第1导体层41与第2导体层42的距离比第3导体40与基准电位层51的距离短。例如，第3导体层52与第4导体层53的距离比第4导体50与基准电位层51的距离短。
第1导体31以及第2导体32分别能够包含一个或者多个导电体。第1导体31以及第2导体32分别能够成为一个导电体。第1导体31以及第2导体32分别能够包含多个导电体。第1导体31以及第2导体32分别能够包含至少一个第5导体层301和多个第5导体302。对导体30包含至少一个第5导体层301和多个第5导体302。
第5导体层301在y方向上扩展。第5导体层301沿xy平面扩展。第5导体层301是层状的导电体。第5导体层301能够位于基体20之上。第5导体层301能够位于基体20之中。多个第5导体层301在z方向上相互分离。多个第5导体层301在z方向上排列。多个第5导体层301的一部分在z方向上重叠。第5导体层301构成为电连接多个第5导体302。第5导体层301成为连接多个第5导体302的连接导体。第5导体层301能够与第3导体40中的任一个导体层电连接。在一个实施方式中，第5导体层301构成为与第2导体层42电连接。第5导体层301能够与第2导体层42一体化。在一个实施方式中，第5导体层301能够与第4导体50电连接。第5导体层301能够与第4导体50一体化。
各第5导体302在z方向上扩展。多个第5导体302在y方向上相互分离。第5导体302之间的距离是λ1的1/2波长以下。若电连接的第5导体302之间的距离是λ1/2以下，则第1导体31以及第2导体32各自能够降低谐振频带的电磁波从第5导体302之间泄露。对导体30而言，由于谐振频带的电磁波的泄露较小，因此能够从单位构造体看作为电壁。多个第5导体302的至少一部分与第4导体50电连接。在一个实施方式中，多个第5导体302的一部分能够电连接第4导体50和第5导体层301。在一个实施方式中，多个第5导体302能够经由第5导体层301而与第4导体50电连接。多个第5导体302的一部分能够电连接一个第5导体层301与其他第5导体层301。第5导体302能够采用过孔导体以及通孔导体。
谐振器10包含作为谐振器发挥功能的第3导体40。第3导体40能够作为人工磁壁(AMC；Artificial Magnetic Conductor)发挥功能。人工磁壁也能够称为反应性阻抗面(RIS；Reactive Impedance Surface)。
谐振器10在x方向上对置的两个对导体30之间包含作为谐振器发挥功能的第3导体40。两个对导体30能够观察到从第3导体40向yz平面扩展的电壁(Electric Conductor)。谐振器10的y方向的端被电开路。谐振器10的y方向的两端的zx平面成为高阻抗。谐振器10的y方向的两端的zx平面从第3导体40观察到磁壁(Magnetic Conductor)。谐振器10由两个电壁以及两个高阻抗面(磁壁)围起，第3导体40的谐振器在z方向上具有人工磁壁特性(Artificial Magnetic Conductor Character)。通过由两个电壁以及两个高阻抗面围起，第3导体40的谐振器以有限的数量具有人工磁壁特性。
“人工磁壁特性”是动作频率中的入射波与反射波的相位差为0度。在谐振器10中，第1频率f1中的入射波与反射波的相位差为0度。在“人工磁壁特性”中，在动作频率中，入射波与反射波的相位差为-90度～+90度。动作频率是指第2频率f2以及第3频率f3之间的频带。第2频率f2是指入射波与反射波之间的相位差是+90度的频率。第3频率f3是指入射波与反射波之间的相位差是-90度的频率。基于第2以及第3频率决定的动作频率的宽度例如在动作频率约为2.5GHz的情况下，也可以是100MHz以上。动作频率的宽度例如在动作频率约为400MHz的情况下，可以为5MHz以上。
谐振器10的动作频率能够不同于第3导体40的谐振器的谐振频率。谐振器10的动作频率能够根据基体20、对导体30、第3导体40以及第4导体50的长度、大小、形状、材料等而变化。
在多个实施方式的一例中，第3导体40能够包含至少一个单位谐振器40X。第3导体40能够包含一个单位谐振器40X。第3导体40能够包含多个单位谐振器40X。单位谐振器40X位于与第4导体50在z方向上重叠的位置。单位谐振器40X与第4导体50对置。单位谐振器40X能够用作频率选择表面(FSS；Frequency Selective Surface)发挥功能。多个单位谐振器40X沿xy平面排列。多个单位谐振器40X能够在xy平面上规则地排列。单位谐振器40X能够以正方格子(square grid)、斜交格子(oblique grid)、长方形格子(rectangular grid)以及六角格子(hexagonalgrid)排列。
第3导体40能够包含沿z方向排列的多个导体层。第3导体40的多个导体层分别包含至少一个单位谐振器。例如，第3导体40包含第1导体层41以及第2导体层42。
第1导体层41包含至少一个第1单位谐振器41X。第1导体层41能够包含一个第1单位谐振器41X。第1导体层41能够包含多个一个第1单位谐振器41X被分为多个的第1部分谐振器41Y。多个第1部分谐振器41Y能够通过相邻的单位构造体10X，成为至少一个第1单位谐振器41X。多个第1部分谐振器41Y位于第1导体层41的端部。第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y能够称为第3导体。
第2导体层42包含至少一个第2单位谐振器42X。第2导体层42能够包含一个第2单位谐振器42X。第2导体层42能够包含一个第2单位谐振器42X被分开为多个的第2部分谐振器42Y。多个第2部分谐振器42Y能够通过相邻的单位构造体10X，成为至少一个第2单位谐振器42X。多个第2部分谐振器42Y位于第2导体层42的端部。第2单位谐振器42X以及第2部分谐振器42Y能够称为第3导体40。
第2单位谐振器42X以及第2部分谐振器42Y的至少一部分位于与第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y在z方向上重叠的位置。第3导体40与各层的单位谐振器以及部分谐振器的至少一部分在z方向上重叠而成为一个单位谐振器40X。单位谐振器40X在各层中包含至少一个单位谐振器。
在第1单位谐振器41X包含线型或者贴片型的谐振器的情况下，第1导体层41具有至少一个第1单位导体411。第1单位导体411能够作为第1单位谐振器41X或者第1部分谐振器41Y发挥功能。第1导体层41具有在xy方向上以n行m列排列的多个第1单位导体411。n以及m是相互独立的1以上的自然数。在图1～9等所示的一例中，第1导体层41具有排列成2行3列的格子状的六个第1单位导体411。第1单位导体411能够以正方格子、斜交格子、长方形格子以及六角格子排列。相当于第1部分谐振器41Y的第1单位导体411位于第1导体层41的xy平面上的端部。
在第1单位谐振器41X是缝隙型的谐振器的情况下，第1导体层41的至少一个导体层在xy方向上扩展。第1导体层41具有至少一个第1单元缝隙412。第1单元缝隙412能够作为第1单位谐振器41X或者第1部分谐振器41Y发挥功能。第1导体层41在xy方向上能够包含排列成n行m列的多个第1单元缝隙412。n以及m是相互独立的1以上的自然数。在图6～9等所示的一例中，第1导体层41具有排列成2行3列的格子状的六个第1单元缝隙412。第1单元缝隙412能够以正方格子、斜交格子、长方形格子以及六角格子排列。相当于第1部分谐振器41Y的第1单元缝隙412位于第1导体层41的xy平面上的端部。
在第2单位谐振器42X是线型或者贴片型的谐振器的情况下，第2导体层42包含至少一个第2单位导体421。第2导体层42能够包含在xy方向上排列的多个第2单位导体421。第2单位导体421能够以正方格子、斜交格子、长方形格子以及六角格子排列。第2单位导体421能够作为第2单位谐振器42X或者第2部分谐振器42Y发挥功能。相当于第2部分谐振器42Y的第2单位导体421位于第2导体层42的xy平面上的端部。
第2单位导体421在z方向上至少一部分与第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y的至少一方重叠。第2单位导体421能够与多个第1单位谐振器41X重叠。第2单位导体421能够与多个第1部分谐振器41Y重叠。第2单位导体421能够与一个第1单位谐振器41X和四个第1部分谐振器41Y重叠。第2单位导体421能够仅与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单位导体421的重心能够与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单位导体421的重心能够位于多个第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y之间。第2单位导体421的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单位谐振器41X之间。
第2单位导体421的至少一部分能够与两个第1单位导体411重叠。第2单位导体421能够仅与一个第1单位导体411重叠。第2单位导体421的重心能够位于两个第1单位导体411之间。第2单位导体421的重心能够与一个第1单位导体411重叠。第2单位导体421的至少一部分能够与第1单元缝隙412重叠。第2单位导体421能够仅与一个第1单元缝隙412重叠。第2单位导体421的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单元缝隙412之间。第2单位导体421的重心能够与一个第1单元缝隙412重叠。
在第2单位谐振器42X是缝隙型的谐振器的情况下，第2导体层42的至少一个导体层沿xy平面扩展。第2导体层42具有至少一个第2单元缝隙422。第2单元缝隙422能够作为第2单位谐振器42X或者第2部分谐振器42Y发挥功能。第2导体层42能够包含在xy平面上排列的多个第2单元缝隙422。第2单元缝隙422能够以正方格子、斜交格子、长方形格子以及六角格子排列。相当于第2部分谐振器42Y的第2单元缝隙422位于第2导体层42的xy平面上的端部。
第2单元缝隙422在y方向上至少一部分与第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y的至少一方重叠。第2单元缝隙422能够与多个第1单位谐振器41X重叠。第2单元缝隙422能够与多个第1部分谐振器41Y重叠。第2单元缝隙422能够与一个第1单位谐振器41X和四个第1部分谐振器41Y重叠。第2单元缝隙422能够仅与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单元缝隙422的重心能够与一个第1单位谐振器41X重叠。第2单元缝隙422的重心能够位于多个第1单位谐振器41X之间。第2单元缝隙422的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单位谐振器41X以及第1部分谐振器41Y之间。
第2单元缝隙422的至少一部分能够与两个第1单位导体411重叠。第2单元缝隙422能够仅与一个第1单位导体411重叠。第2单元缝隙422的重心能够位于两个第1单位导体411之间。第2单元缝隙422的重心能够与一个第1单位导体411重叠。第2单元缝隙422的至少一部分能够与第1单元缝隙412重叠。第2单元缝隙422能够仅与一个第1单元缝隙412重叠。第2单元缝隙422的重心能够位于在x方向或者y方向上排列的两个第1单元缝隙412之间。第2单元缝隙422的重心能够与一个第1单元缝隙412重叠。
单位谐振器40X包含至少一个第1单位谐振器41X和至少一个第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包含一个第1单位谐振器41X。单位谐振器40X能够包含多个第1单位谐振器41X。单位谐振器40X能够包含一个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X能够包含多个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X能够包含第1单位谐振器41X中的一部分。单位谐振器40X能够包含一个或者多个局部性的第1单位谐振器41X。单位谐振器40X包含一个或者多个局部性的第1单位谐振器41X、以及从一个或者多个第1部分谐振器41Y起的多个局部性谐振器。单位谐振器40X所包含的多个局部性的谐振器与相当于至少一个份的第1单位谐振器41X对准。单位谐振器40X不包含第1单位谐振器41X，能够包含多个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X例如能够包含四个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X能够仅包含多个局部性的第1单位谐振器41X。单位谐振器40X能够包含一个或者多个局部性的第1单位谐振器41X以及一个或者多个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X能够包含例如两个局部性的第1单位谐振器41X以及两个第1部分谐振器41Y。单位谐振器40X的x方向上的两端各自所包含的第1导体层41的镜像能够大致相同。单位谐振器40X相对于沿z方向延伸的中心线，包含的第1导体层41会大致对称。
单位谐振器40X能够包含一个第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包含多个第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包含一个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够包含多个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够包含第2单位谐振器42X中的一部分。单位谐振器40X能够包含一个或者多个局部性的第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包含一个或者多个局部性的第2单位谐振器42X以及一个或者多个从第2部分谐振器42Y起多个局部性的谐振器。单位谐振器40X所包含的多个局部性的谐振器与相当于至少一个的第2单位谐振器42X对准。单位谐振器40X不包含第2单位谐振器42X，能够包含多个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够包含例如四个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够仅包含多个局部性的第2单位谐振器42X。单位谐振器40X能够包含一个或者多个局部性的第2单位谐振器42X以及一个或者多个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X能够包含例如两个局部性的第2单位谐振器42X以及两个第2部分谐振器42Y。单位谐振器40X的x方向上的两端各自所包含的第2导体层42的镜像能够大致相同。单位谐振器40X相对于沿y方向延伸的中心线，包含的第2导体层42会大致对称。
在多个实施方式的一例中，单位谐振器40X包含一个第1单位谐振器41X和多个局部性的第2单位谐振器42X。例如，单位谐振器40X包含一个第1单位谐振器41X和四个第2单位谐振器42X的一半。该单位谐振器40X包含一个第1单位谐振器41X和两个第2单位谐振器42X。单位谐振器40X所包含的结构不限定于该例。
谐振器10能够包含至少一个单位构造体10X。谐振器10能够包含多个单位构造体10X。多个单位构造体10X能够在xy平面上排列。多个单位构造体10X能够以正方格子、斜交格子、长方形格子以及六角格子排列。单位构造体10X包含正方格子(square grid)、斜交格子(oblique grid)、长方形格子(rectangular grid)以及六角格子(hexagonal grid)中的任一个重复单元。单位构造体10X通过沿着xy平面无限地排列，能够作为人工磁壁(AMC)发挥功能。
单位构造体10X能够包含基体20的至少一部分、第3导体40的至少一部分和第4导体50的至少一部分。单位构造体10X所包含的基体20、第3导体40、第4导体50的部位在z方向上重叠。单位构造体10X包含：单位谐振器40X；与该单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分；以及与该单位谐振器40X在z方向上重叠的第4导体50。谐振器10能够包含例如排列成2行3列的六个单位构造体10X。
谐振器10能够在x方向上对置的两个对导体30之间具有至少一个单位构造体10X。两个对导体30视为从单位构造体10X向yz平面扩展的电壁。单位构造体10X的y方向的端被开路。单位构造体10X的y方向的两端的zx平面成为高阻抗。单位构造体10X将y方向的两端的zx平面视为磁壁。单位构造体10X能够在反复排列时相对于z方向呈线对称。单位构造体10X被两个电壁以及两个高阻抗面(磁壁)围起，从而在z方向上具有人工磁壁特性。通过由两个电壁以及两个高阻抗面(磁壁)围起，单位构造体10X以有限的数量具有人工磁壁特性。
谐振器10的动作频率能够与第1单位谐振器41X的动作频率不同。谐振器10的动作频率能够与第2单位谐振器42X的动作频率不同。谐振器10的动作频率能够根据构成单位谐振器40X的第1单位谐振器41X以及第2单位谐振器42X的耦合等而变化。
第3导体40能够包含第1导体层41和第2导体层42。第1导体层41包含至少一个第1单位导体411。第1单位导体411包含第1连接导体413和第1浮游导体414。第1连接导体413与对导体30中的任一个连接。第1浮游导体414不与对导体30连接。第2导体层42包含至少一个第2单位导体421。第2单位导体421包含第2连接导体423和第2浮游导体424。第2连接导体423与对导体30中的任一个连接。第2浮游导体424不与对导体30连接。第3导体40能够包含第1单位导体411以及第2单位导体421。
第1连接导体413能够使沿x方向的长度比第1浮游导体414长。第1连接导体413能够使沿x方向的长度比第1浮游导体414短。与第1浮游导体414相比，第1连接导体413能够将沿x方向的长度设为一半。第2连接导体423能够使沿x方向的长度比第2浮游导体424长。第2连接导体423能够使沿x方向的长度比第2浮游导体424短。与第2浮游导体424相比，第2连接导体423能够将沿x方向的长度设为一半。
第3导体40能够包含在谐振器10谐振时成为第1导体31与第2导体32之间的电流路径的电流路径40I。电流路径40I能够与第1导体31和第2导体32连接。电流路径40I在第1导体31与第2导体32之间具有静电电容。电流路径40I的静电电容在第1导体31与第2导体32之间串联地电连接。在电流路径40I中，导电体在第1导体31与第2导体32之间隔离。电流路径40I能够包含与第1导体31连接的导电体和与第2导体32连接的导电体。
在多个实施方式中，在电流路径40I中，第1单位导体411和第2单位导体421在z方向上一部分对置。在电流路径40I中，第1单位导体411和第2单位导体421构成为电容耦合。第1单位导体411在x方向上的端部具有电容分量。第1单位导体411能够在z方向上在与第2单位导体421对置的y方向上的端部具有电容分量。第1单位导体411在z方向上能够在与第2单位导体421对置的x方向上的端部、并且y方向上的端部具有电容分量。第2单位导体421在x方向上的端部具有电容分量。第2单位导体421在z方向上能够在与第1单位导体411对置的y方向上的端部具有电容分量。第2单位导体421在z方向上能够在与第1单位导体411对置的x方向上的端部、并且y方向上的端部具有电容分量。
谐振器10能够通过增大电流路径40I中的电容耦合来降低谐振频率。在实现所希望的动作频率时，谐振器10通过增大电流路径40I的静电电容耦合，能够缩短沿x方向的长度。第3导体40构成为第1单位导体411和第2单位导体421在基体20的层叠方向上对置地电容耦合。第3导体40能够通过第1单位导体411与第2单位导体421之间的静电电容对置的面积来调整。
在多个实施方式中，第1单位导体411的沿y方向的长度与第2单位导体421的沿y方向的长度不同。谐振器10在第1单位导体411与第2单位导体421的相对位置从理想的位置沿xy平面偏移的情况下，沿第3方向的长度在第1单位导体411和第2单位导体421中不同，从而能够减小静电电容的大小的变化。
在多个实施方式中，电流路径40I构成为包含一个导电体，该导电体与第1导体31以及第2导体32在空间上分离并与第1导体31以及第2导体32电容耦合。
在多个实施方式中，电流路径40I包含第1导体层41和第2导体层42。该电流路径40I包含至少一个第1单位导体411和至少一个第2单位导体421。该电流路径40I包含两个第1连接导体413、两个第2连接导体423、以及一个第1连接导体413及一个第2连接导体423中的任一个。该电流路径40I能够使第1单位导体411和第2单位导体421沿第1方向交替排列。
在多个实施方式中，电流路径40I包含第1连接导体413和第2连接导体423。该电流路径40I包含至少一个第1连接导体413和至少一个第2连接导体423。在该电流路径40I中，第3导体40在第1连接导体413与第2连接导体423之间具有静电电容。在实施方式的一例中，第1连接导体413能够与第2连接导体423对置，且具有静电电容。在实施方式的一例中，第1连接导体413能够经由其他导电体与第2连接导体423电容性地连接。
在多个实施方式中，电流路径40I包含第1连接导体413和第2浮游导体424。该电流路径40I包含两个第1连接导体413。在该电流路径40I中，第3导体40在两个第1连接导体413之间具有静电电容。在实施方式的一例中，两个第1连接导体413能够经由至少一个第2浮游导体424电容性地连接。在实施方式的一例中，两个第1连接导体413能够经由至少一个第1浮游导体414和多个第2浮游导体424电容性地连接。
在多个实施方式中，电流路径40I包含第1浮游导体414和第2连接导体423。该电流路径40I包含两个第2连接导体423。在该电流路径40I中，第3导体40在两个第2连接导体423之间具有静电电容。在实施方式的一例中，两个第2连接导体423能够经由至少一个第1浮游导体414电容性地连接。在实施方式的一例中，两个第2连接导体423能够经由多个第1浮游导体414和至少一个第2浮游导体424电容性地连接。
在多个实施方式中，第1连接导体413以及第2连接导体423分别能够设为谐振频率下的波长λ的四分之一的长度。第1连接导体413以及第2连接导体423各自分别能够作为波长λ的二分之一的长度的谐振器发挥功能。第1连接导体413以及第2连接导体423分别通过各自的谐振器电容耦合而能够以奇模和偶模进行振荡。谐振器10能够将电容耦合后的偶模中的谐振频率设为动作频率。
电流路径40I能够在部位与第1导体31连接。电流路径40I能够在多个部位与第2导体32连接。电流路径40I能够包含独立地从第1导体31导电到第2导体32的多个导电路。
在与第1连接导体413电容耦合的第2浮游导体424中，对于与该电容耦合的一侧的第2浮游导体424的端而言，与对导体30的距离相比，与第1连接导体413的距离短。在与第2连接导体423电容耦合的第1浮游导体414中，对于该电容耦合的一侧的第1浮游导体414的端而言，与对导体30的距离相比，与第2连接导体423的距离短。
在多个实施方式的谐振器10中，第3导体40的导体层的y方向上的长度能够分别不同。第3导体40的导体层构成为在z方向上与其他导体层电容耦合。谐振器10在导体层的y方向上的长度不同时，即便导体层在y方向上偏移，静电电容的变化也变小。谐振器10通过导体层的y方向上的长度不同，能够扩大导体层相对于y方向的偏移的允许范围。
在多个实施方式的谐振器10中，第3导体40具有导体层间的电容耦合所产生的静电电容。具有该静电电容的电容部位能够在y方向上排列多个。在y方向上排列多个的电容部位能够处于电磁地并联的关系。谐振器10具有电并联排列的多个电容部位，由此能够相互补充各个电容误差。
在谐振器10处于谐振状态时，流过对导体30、第3导体40、第4导体50的电流进行循环。在谐振器10处于谐振状态时，在谐振器10中流过交流电流。在谐振器10中，将在第3导体40中流过的电流设为第1电流，将在第4导体50中流过的电流设为第2电流。在谐振器10处于谐振状态时，第1电流在x方向上能向与第2电流不同的方向流动。例如，当第1电流沿+x方向流动时，第2电流能沿-x方向流动。此外，例如，当第1电流沿-x方向流动时，第2电流能沿+x方向流动。即，在谐振器10处于谐振状态时，循环电流能在+x方向以及-x方向上交替地流动。谐振器10构成为通过产生磁场的循环电流反复反转，从而辐射电磁波。
在多个实施方式中，第3导体40包含第1导体层41和第2导体层42。由于构成为第3导体40的第1导体层41与第2导体层42电容耦合，因此在谐振状态下，观察到电流大范围地向一个方向流动。在多个实施方式中，流过各导体的电流在y方向的端部密度大。
谐振器10构成为经由对导体30而使第1电流以及第2电流进行循环。在谐振器10中，第1导体31、第2导体32、第3导体40以及第4导体50成为谐振电路。谐振器10的谐振频率成为单位谐振器的谐振频率。在谐振器10包含一个单位谐振器的情况下，或者在谐振器10包含单位谐振器的一部分的情况下，谐振器10的谐振频率能通过基体20、对导体30、第3导体40以及第4导体50、以及与谐振器10的周围的电磁耦合而变化。例如，谐振器10在第3导体40的周期性缺乏的情况下，整体成为一个单位谐振器或者整体成为一个单位谐振器的一部分。例如，谐振器10的谐振频率能根据第1导体31以及第2导体32的z方向的长度、第3导体40以及第4导体50的x方向的长度、第3导体40以及第4导体50的静电电容而变化。例如，第1单位导体411与第2单位导体421之间的电容较大的谐振器10能够缩短第1导体31以及第2导体32的z方向的长度、以及第3导体40以及第4导体50的x方向的长度，并且能够实现谐振频率的低频率化。
在多个实施方式中，谐振器10在z方向上第1导体层41成为电磁波的有效的辐射面。在多个实施方式中，在谐振器10中，第1导体层41的第1面积大于其他导体层的第1面积。该谐振器10通过增大第1导体层41的第1面积，能够增大电磁波的辐射。
在多个实施方式中，谐振器10在z方向上第1导体层41成为电磁波的有效的辐射面。该谐振器10通过增大第1导体层41的第1面积，能够增大电磁波的辐射。与此相应地，谐振器10即便包含多个单位谐振器，谐振频率也不变化。通过利用该特性，与一个单位谐振器发生谐振的情况相比，谐振器10容易增大第1导体层41的第1面积。
在多个实施方式中，谐振器10能够包含一个或者多个阻抗元件45。阻抗元件45在多个端子间具有阻抗值。阻抗元件45构成为使谐振器10的谐振频率变化。阻抗元件45能够包含电阻器(Resistor)、电容器(Capacitor)以及电感器(Inductor)。阻抗元件45能够包含能够变更阻抗值的可变元件。可变元件能够通过电信号变更阻抗值。可变元件能够通过物理机构变更阻抗值。
阻抗元件45能够与在x方向上排列的第3导体40的两个单位导体连接。阻抗元件45能够与在x方向上排列的两个第1单位导体411连接。阻抗元件45能够与在x方向上排列的第1连接导体413和第1浮游导体414连接。阻抗元件45能够与第1导体31和第1浮游导体414连接。阻抗元件45在y方向上的中央部能够与第3导体40的单位导体连接。阻抗元件45能够与两个第1单位导体411的y方向上的中央部连接。
阻抗元件45能够串联地电连接于xy平面内在x方向上排列的两个导电体之间。阻抗元件45能够串联地电连接于在x方向上排列的两个第1单位导体411之间。阻抗元件45能够串联地电连接于在x方向上排列的第1连接导体413与第1浮游导体414之间。阻抗元件45能够在第1导体31与第1浮游导体414之间串联地电连接。
阻抗元件45能够相对于在z方向上重叠而具有静电电容的两个第1单位导体411以及第2单位导体421并联电连接。阻抗元件45能够相对于在z方向上重叠且具有静电电容的第2连接导体423以及第1浮游导体414并联电连接。
谐振器10通过追加电容器作为阻抗元件45，能够降低谐振频率。谐振器10通过追加电感器作为阻抗元件45，能够提高谐振频率。谐振器10能够包含不同阻抗值的阻抗元件45。谐振器10能够包含不同电气电容的电容器作为阻抗元件45。谐振器10能够包含不同电感器的电感器作为阻抗元件45。谐振器10通过追加不同阻抗值的阻抗元件45，谐振频率的调整范围变大。谐振器10能够同时包含电容器以及电感器作为阻抗元件45。谐振器10通过同时追加电容器以及电感器作为阻抗元件45，谐振频率的调整范围变大。谐振器10通过具备阻抗元件45，整体能够成为一个单位谐振器、或者整体成为一个单位谐振器的一部分。
在多个实施方式中，谐振器10能够包含一个或者多个导体部件46。导体部件46是在内部包含导体的功能部件。功能部件能够包含处理器、存储器以及传感器。导体部件46在y方向上与谐振器10排列。导体部件46的接地端子能够与第4导体50电连接。导体部件46并不限定于接地端子与第4导体50电连接的结构，也能够与谐振器10电独立。谐振器10在y方向上导体部件46相邻，由此谐振频率变高。谐振器10在y方向上多个导体部件46相邻，由此谐振频率变得更高。谐振器10的沿着导体部件46的z方向的长度越长，谐振频率越大。导体部件46在沿z方向的长度比谐振器10高时，每单位长度的增加量的谐振频率的变化量变小。
在多个实施方式中，谐振器10能够包含一个或者多个电介质部件47。电介质部件47在z方向上与第3导体40对置。电介质部件47是在与第3导体40对置的部位的至少一部分不包含导电体、并且介电常数比大气大的物体。谐振器10在z方向上与电介质部件47对置，由此谐振频率降低。谐振器10与电介质部件47的沿z方向的距离越短，谐振频率越低。谐振器10的第3导体40与电介质部件47对置的面积越大，谐振频率越低。
图1～5是表示作为多个实施方式的一例的谐振器10的图。图1是谐振器10的示意图。图2是从z方向俯视xy平面的图。图3A是沿图2所示的IIIa-IIIa线的剖视图。图3B是沿图2所示的IIIb-IIIb线的剖视图。图4是沿图3A以及图3B所示的IV-IV线的剖视图。图5是表示作为多个实施方式的一例的单位构造体10X的概念图。
在图1～5所示的谐振器10中，第1导体层41包含贴片型的谐振器作为第1单位谐振器41X。第2导体层42包含贴片型的谐振器作为第2单位谐振器42X。单位谐振器40X包含一个第1单位谐振器41X和四个第2部分谐振器42Y。单位构造体10X包含单位谐振器40X、与单位谐振器40X在z方向上重叠的基体20的一部分以及第4导体50的一部分。
图6～9是表示作为多个实施方式的一例的谐振器6-10的图。图6是谐振器6-10的示意图。图7是从z方向俯视xy平面的图。图8A是沿图7所示的VIIIa-VIIIa线的剖视图。图8B是图7所示的VIIIb-VIIIb线的剖视图。图9是沿图8A及图8B所示的IX-IX线的剖视图。
在谐振器6-10中，第1导体层6-41包含缝隙型的谐振器作为第1单位谐振器6-41X。第2导体层6-42包含缝隙型的谐振器作为第2单位谐振器6-42X。单位谐振器6-40X包含一个第1单位谐振器6-41X和四个第2部分谐振器6-42Y。单位构造体6-10X包含单位谐振器6-40X、与单位谐振器6-40X在z方向上重叠的基体6-20的一部分以及第4导体6-50的一部分。
图10～13是表示作为多个实施方式的一例的谐振器10-10的图。图10是谐振器10-10的示意图。图11是从z方向俯视xy平面的图。图12A是沿图11所示的XIIa-XIIa线的剖视图。图12B是沿图11所示的XIIb-XIIb线的剖视图。图13是沿图12A以及图12B所示的XIII-XIII线的剖视图。
在谐振器10-10中，第1导体层10-41包含贴片型的谐振器作为第1单位谐振器10-41X。第2导体层10-42包含缝隙型的谐振器作为第2单位谐振器10-42X。单位谐振器10-40X包含一个第1单位谐振器10-41X和四个第2部分谐振器10-42Y。单位构造体10-10X包含单位谐振器10-40X、与单位谐振器10-40X在z方向上重叠的基体10-20的一部分以及第4导体10-50的一部分。
图14～17是表示多个实施方式的一例的谐振器14-10的图。图14是谐振器14-10的概略图。图15是从z方向俯视xy平面的图。图16A是沿图15所示的XVIa-XVIa线的剖视图。图16B是沿图15所示的XVIb-XVIb线的剖视图。图17是沿图16A及图16B所示的XVII-XVII线的剖视图。
在谐振器14-10中，第1导体层14-41包含缝隙型的谐振器作为第1单位谐振器14-41X。第2导体层14-42包含贴片型的谐振器作为第2单位谐振器14-42X。单位谐振器14-40X包含一个第1单位谐振器14-41X和四个第2部分谐振器14-42Y。单位构造体14-10X包含单位谐振器14-40X、与单位谐振器14-40X在z方向上重叠的基体14-20的一部分以及第4导体14-50的一部分。
图1～17所示的谐振器10是一例。谐振器10的结构不限定于图1～17所示的构造。图18是表示包含其他结构的对导体18-30的谐振器18-10的图。图19A是沿图18所示的XIXa-XIXa线的剖视图。图19B是沿图18所示的XIXb-XIXb线的剖视图。
图1～19所示的基体20是一例。基体20的结构不限定于图1～19所示的结构。如图20所示，基体20-20在内部能够包含空洞20a。在z方向上，空洞20a位于第3导体20-40与第4导体20-50之间。空洞20a的介电常数比基体20-20的介电常数低。基体20-20通过具有空洞20a，能够缩短第3导体20-40与第4导体20-50的电磁距离。
如图21所示，基体21-20能够包含多个构件。基体21-20能够包含第1基体21-21、第2基体21-22以及连接体21-23。第1基体21-21以及第2基体21-22能够经由连接体21-23机械地连接。连接体21-23在内部能够包含第6导体303。第6导体303构成为与第5导体层21-301或者第5导体21-302电连接。第6导体303与第5导体层21-301以及第5导体21-302一起成为第1导体21-31或者第2导体21-32。
图1～21所示的对导体30是一例。对导体30的结构并不限定于图1～21所示的结构。图22A～28是表示包含其他结构的对导体30的谐振器10的图。图22A～图22C是相当于图19A的剖视图。如图22A所示，第5导体层22A-301的数量能够适当变更。如图22B所示，第5导体层22B-301也可以不位于基体22B-20之上。如图22C所示，第5导体层22C-301可以位于基体22C-20之中。
图23是相当于图18的俯视图。如图23所示，谐振器23-10能够使第5导体23-302从单位谐振器23-40X的边界分离。图24是相当于图18的俯视图。如图24所示，第1导体24-31以及第2导体24-32能够具有向成对的导体24-31或者24-32侧突出的凸部。这样的谐振器10例如能够在具有凹部的基体20涂敷金属膏并进行固化而形成。在图18～23所示的例子中，凹部形成圆形。凹部的形状不限定于圆形，也可以是圆角的多边形以及椭圆。
图25是相当于图18的俯视图。如图25所示，基体25-20能够具有凹部。如图25所示，第1导体25-31以及第2导体25-32具有从x方向上的外表面向内侧凹陷的凹部。如图25所示，第1导体25-31以及第2导体25-32沿基体25-20的表面扩展。这样的谐振器25-10例如能够通过向具有凹部的基体25-20喷射微细的金属材料而形成。
图26是相当于图18的俯视图。如图26所示，基体26-20能够具有凹部。如图26所示，第1导体26-31以及第2导体26-32具有从x方向上的外表面向内侧凹陷的凹部。如图26所示，第1导体26-31以及第2导体26-32沿基体26-20的凹部扩展。这样的谐振器26-10例如能够通过沿通孔导体的排列分割母基板来制造。该第1导体26-31以及第2导体26-32能够称为端面通孔等。
图27是相当于图18的俯视图。如图27所示，基体27-20能够具有凹部。如图27所示，第1导体27-31以及第2导体27-32具有从x方向上的外表面向内侧凹陷的凹部。这样的谐振器27-10例如能够通过沿通孔导体的排列分割母基板来制造。该第1导体27-31以及第2导体27-32能够称为端面通孔等。在图24～27所示的例子中，凹部呈半圆形。凹部的形状不限定于半圆形，也可以是圆角的多边形的一部分、以及椭圆的弧的一部分。例如，通过利用椭圆的沿长轴方向的一部分，端面通孔能够以较少的数量增大yz平面的面积。
图28是相当于图18的俯视图。如图28所示，第1导体28-31以及第2导体28-32的x方向上的长度可以比基体28-20短。第1导体28-31以及第2导体28-32的结构不限定于这些。在图28所示的例子中，对导体的x方向上的长度不同，但也能够设为相同。对导体30的一方或者双方的x方向上的长度可以比第3导体40短。x方向上的长度比基体20短的对导体30能够形成为图18～图27所示的构造。x方向上的长度比第3导体40短的对导体30能够形成为图18～图27所示的构造。对导体30能够成为互不相同的结构。例如，一个对导体30包含第5导体层301以及第5导体302，另一个对导体30可以是端面通孔。
图1～28所示的第3导体40是一例。第3导体40的结构并不限定于图1～28所示的结构。单位谐振器40X、第1单位谐振器41X以及第2单位谐振器42X不限定于方形。单位谐振器40X、第1单位谐振器41X以及第2单位谐振器42X能够称为单位谐振器40X等。例如，如图29A所示，单位谐振器40X等可以是三角形，也可以是图29B所示的六边形。如图30所示，单位谐振器30-40X等的各边能够在与x方向以及y方向不同的方向上延伸。第3导体30-40的第2导体层30-42位于基体30-20之上，第1导体层30-41能够位于基体30-20之中。第3导体30-40能够位于第2导体层30-42比第1导体层30-41更远离第4导体30-50的位置。
图1～30所示的第3导体40是一例。第3导体40的结构并不限定于图1～30所示的结构。包含第3导体40的谐振器可以是线型的谐振器401。图31A所示的是曲折线型的谐振器401。图31B所示的是螺旋型的谐振器401。图31B所示的是螺旋型的谐振器31B-401。第3导体40所包含的谐振器可以是缝隙型的谐振器402。缝隙型的谐振器402能够在开口内具有一个或者多个第7导体403。开口内的第7导体403构成为一端被开路，另一端与规定开口的导体电连接。在图31C所示的单元缝隙中，五个第7导体403位于开口内。单元缝隙由第7导体403成为相当于曲折线的形式。在图31D所示的单元缝隙中，一个第7导体403位于开口内。单元缝隙由第7导体31D-403成为相当于螺旋的形状。
图1～31所示的谐振器10的结构是一例。谐振器10的结构并不限定于图1～31所示的结构。例如，谐振器10能够包含三个以上的对导体30。例如，一个对导体30能够在x方向上与两个对导体30对置。该两个对导体30与该对导体30的距离不同。例如，谐振器10能够包含两对对导体30。在两对对导体30中，各对的距离、以及各对的长度能够不同。谐振器10能够包含5个以上的第1导体。谐振器10的单位构造体10X能够在y方向上与其他单位构造体10X排列。谐振器10的单位构造体10X能够在x方向上不经由对导体30而与其他单位构造体10X排列。图32A～34D是表示谐振器10的例子的图。在图32A～34D所示的谐振器10中，以正方形表示单位构造体10X的单位谐振器40X，但不限定于此。
图1～34D所示的谐振器10的结构是一例。谐振器10的结构并不限定于图1～34D所示的结构。图35是从z方向俯视xy平面的图。图36A是沿图35所示的XXXVIa-XXXVIa线的剖视图。图36B是沿图35所示的XXXVIb-XXXVIb线的剖视图。
在谐振器35-10中，第1导体层35-41包含贴片型的谐振器的一半作为第1单位谐振器35-41X。第2导体层35-42包含贴片型的谐振器的一半作为第2单位谐振器35-42X。单位谐振器35-40X包含一个第1部分谐振器35-41Y和一个第2部分谐振器35-42Y。单位构造体35-10X包含单位谐振器35-40X、与单位谐振器35-40X在z方向上重叠的基体35-20的一部分以及第4导体35-50的一部分。在谐振器35-10中，三个单位谐振器35-40X在x方向上排列。三个单位谐振器35-40X所包含的第1单位导体35-411以及第2单位导体35-421成为一个电流路径35-40I。
图37表示图35所示的谐振器35-10的另一例。图37所示的谐振器37-10与谐振器35-10比较，在x方向上较长。谐振器10的尺寸并不限定于谐振器37-10，能够适当变更。在谐振器37-10中，第1连接导体37-413的x方向的长度与第1浮游导体37-414不同。在谐振器37-10中，第1连接导体37-413的x方向的长度比第1浮游导体37-414短。图38表示谐振器35-10的另一例。图38所示的谐振器38-10的第3导体38-40的x方向的长度不同。在谐振器38-10中，第1连接导体38-413的x方向的长度比第1浮游导体38-414长。
图39表示谐振器10的另一例。图39表示图37所示的谐振器37-10的另一例。在多个实施方式中，谐振器10构成为在x方向上排列的多个第1单位导体411以及第2单位导体421电容耦合。谐振器10能够在y方向上排列电流不会从一方流向另一方的两个电流路径40I。
图40表示谐振器10的另一例。图40表示图39所示的谐振器39-10的另一例。在多个实施方式中，谐振器10的与第1导体31连接的导电体的数量能够不同于与第2导体32连接的导电体的数量。在图40的谐振器40-10中，构成为一个第1连接导体40-413与两个第2浮游导体40-424电容耦合。在图40的谐振器40-10中，构成为两个第2连接导体40-423与一个第1浮游导体40-414电容耦合。在多个实施方式中，第1单位导体411的数量能够和与该第1单位导体411电容耦合的第2单位导体421的数量不同。
图41表示图39所示的谐振器39-10的另一例。在多个实施方式中，对于第1单位导体411，在x方向上的第1端部中进行电容耦合的第2单位导体421的数量能够与在x方向上的第2端部中进行电容耦合的第2单位导体421数量不同。在图41的谐振器41-10中，构成为一个第2浮游导体41-424在x方向上的第1端部电容耦合有两个第1连接导体41-413，在第2端部电容耦合有三个第2浮游导体41-424。在多个实施方式中，在y方向上排列的多个导电体在y方向上的长度能够不同。在图41的谐振器41-10中，在y方向上排列的三个第1浮游导体41-414的y方向上的长度不同。
图42表示谐振器10的另一例。图43是沿图42所示的XLIII-XLIII线的剖视图。在图42、43所示的谐振器42-10中，第1导体层42-41包含贴片型的谐振器的一半作为第1单位谐振器42-41X。第2导体层42-42包含贴片型的谐振器的一半作为第2单位谐振器42-42X。单位谐振器42-40X包含一个第1部分谐振器42-41Y和一个第2部分谐振器42-42Y。单位构造体42-10X包含单位谐振器42-40X、与单位谐振器42-40X在z方向上重叠的基体42-20的一部分以及第4导体42-50的一部分。在图42所示的谐振器42-10中，一个单位谐振器42-40X在x方向上延伸。
图44表示谐振器10的另一例。图45是沿图44所示的XLV-XLV线的剖视图。在图44、45所示的谐振器44-10中，第3导体44-40仅包含第1连接导体44-413。第1连接导体44-413在xy平面上与第1导体44-31对置。第1连接导体44-413构成为与第1导体44-31电容耦合。
图46表示谐振器10的另一例。图47是沿图46所示的XLVII-XLVII线的剖视图。在图46、47所示的谐振器46-10中，第3导体46-40具有第1导体层46-41以及第2导体层46-42。第1导体层46-41具有一个第1浮游导体46-414。第2导体层46-42具有两个第2连接导体46-423。该第1导体层46-41在xy平面上与对导体46-30对置。两个第2连接导体46-423与一个第1浮游导体46-414在z方向上重叠。一个第1浮游导体46-414构成为与两个第2连接导体46-423电容耦合。
图48表示谐振器10的另一例。图49是沿图48所示的XLIX-XLIX线的剖视图。在图48、49所示的谐振器48-10中，第3导体48-40仅包含第1浮游导体48-414。第1浮游导体48-414在xy平面上与对导体48-30对置。第1浮游导体48-414构成为与对导体48-30电容耦合。
图50表示谐振器10的另一例。图51是沿图50所示的LI-LI线的剖视图。图50、51所示的谐振器50-10与图42、43所示的谐振器42-10和第4导体50的结构不同。谐振器50-10具备第4导体50-50和基准电位层51。基准电位层51构成为与具备谐振器50-10的设备的接地电连接。基准电位层51经由第4导体50-50与第3导体50-40对置。第4导体50-50位于第3导体50-40与基准电位层51之间。基准电位层51与第4导体50-50的间隔比第3导体50-40与第4导体50-50的间隔窄。
图52表示谐振器10的另一例。图53是沿图52所示的LIII-LIII线的剖视图。谐振器52-10具备第4导体52-50和基准电位层52-51。基准电位层52-51构成为与具备谐振器52-10的设备的接地电连接。第4导体52-50具备谐振器。第4导体52-50包含第3导体层52以及第4导体层53。第3导体层52以及第4导体层53构成为进行电容耦合。第3导体层52以及第4导体层53在z方向上对置。第3导体层52以及第4导体层53的距离比第4导体层53与基准电位层52-51的距离短。第3导体层52以及第4导体层53的距离比第4导体52-50与基准电位层52-51的距离短。第3导体52-40成为一个导体层。
图54表示图53所示的谐振器53-10的另一例。图54的谐振器54-10具备第3导体54-40、第4导体54-50以及基准电位层54-51。第3导体54-40包含第1导体层54-41以及第2导体层54-42。第1导体层54-41包含第1连接导体54-413。第2导体层54-42包含第2连接导体54-423。第1连接导体54-413构成为与第2连接导体54-423电容耦合。基准电位层54-51构成为与具备谐振器54-10的设备的接地电连接。第4导体54-50包含第3导体层54-52以及第4导体层54-53。第3导体层54-52以及第4导体层54-53构成为进行电容耦合。第3导体层54-52以及第4导体层54-53在z方向上对置。第3导体层54-52以及第4导体层54-53的距离比第4导体层54-53与基准电位层54-51的距离短。第3导体层54-52以及第4导体层54-53的距离比第4导体54-50与基准电位层54-51的距离短。
图55表示谐振器10的另一例。图56A是沿图55所示的LVIa-LVIa线的剖视图。图56B是沿图55所示的LVIb-LVIb线的剖视图。在图55所示的谐振器55-10中，第1导体层55-41具有四个第1浮游导体55-414。第1导体层55-41不具有第1连接导体55-413。在谐振器55-10中，第2导体层55-42具有六个第2连接导体55-423和三个第2浮游导体55-424。两个第2连接导体55-423构成为分别与两个第1浮游导体55-414电容耦合。一个第2浮游导体55-424构成为与四个第1浮游导体55-414进行电容耦合。两个第2浮游导体55-424构成为与两个第1浮游导体55-414进行电容耦合。
图57是表示图55所示的谐振器55-10的另一例的图。在图57的谐振器57-10中，第2导体层57-42的大小与谐振器55-10的第2导体层55-42的大小不同。在图57所示的谐振器57-10中，第2浮游导体57-424的沿x方向的长度比第2连接导体57-423的沿x方向的长度短。
图58是表示图55所示的谐振器55-10的另一例的图。在图58的谐振器58-10中，第2导体层58-42的大小与谐振器55-10的第2导体层55-42的大小不同。在谐振器58-10中，多个第2单位导体58-421各自的第1面积不同。在图58所示的谐振器58-10中，多个第2单位导体58-421各自在x方向上的长度不同。在图58所示的谐振器58-10中，多个第2单位导体58-421各自在y方向上的长度不同。在图58中，多个第2单位导体58-421的第1面积、长度以及宽度互不相同，但不限定于此。在图58中，多个第2单位导体58-421的第1面积、长度以及宽度的一部分会相互不同。多个第2单位导体58-421的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2单位导体58-421的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部会互不相同。多个第2单位导体58-421的第1面积、长度以及宽度的一部或者全部能够相互一致。多个第2单位导体58-421的一部分的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。
在图58所示的谐振器58-10中，在y方向上排列的多个第2连接导体58-423的第1面积相互不同。在图58所示的谐振器58-10中，在y方向上排列的多个第2连接导体58-423在x方向上的长度相互不同。在图58所示的谐振器58-10中，在y方向上排列的多个第2连接导体58-423在y方向上的长度相互不同。在图58中，多个第2连接导体58-423的第1面积、长度以及宽度相互不同，但不限定于此。在图58中，多个第2连接导体58-423的第1面积、长度以及宽度的一部分会互不相同。多个第2连接导体58-423的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2连接导体58-423的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部会互不相同。多个第2连接导体58-423的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2连接导体58-423的一部分的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。
在谐振器58-10中，在y方向上排列的多个第2浮游导体58-424的第1面积相互不同。在谐振器58-10中，在y方向上排列的多个第2浮游导体58-424在x方向上的长度相互不同。在谐振器58-10中，在y方向上排列的多个第2浮游导体58-424在y方向上的长度相互不同。多个第2浮游导体58-424的第1面积、长度以及宽度相互不同，但不限定于此。多个第2浮游导体58-424的第1面积、长度以及宽度的一部分会互不相同。多个第2浮游导体58-424的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2浮游导体58-424的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部会互不相同。多个第2浮游导体58-424的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。多个第2浮游导体58-424的一部分的第1面积、长度以及宽度的一部分或者全部能够相互一致。
图59表示图57所示的谐振器57-10的另一例的图。在图59的谐振器59-10中，第1单位导体59-411在y方向上的间隔与谐振器57-10的第1单位导体57-411在y方向上的间隔不同。在谐振器59-10中，与x方向上的第1单位导体59-411的间隔相比，y方向上的第1单位导体59-411的间隔小。在谐振器59-10中，由于对导体59-30能够作为电壁发挥功能，因此电流在x方向上流动。在该谐振器59-10中，在y方向上流过第3导体59-40的电流能够忽略。第1单位导体59-411在y方向上的间隔能够比第1单位导体59-411在x方向上的间隔短。通过缩短第1单位导体59-411的y方向的间隔，第1单位导体59-411的面积能够变大。
图60～62是表示谐振器10的另一例的图。这些谐振器10具有阻抗元件45。阻抗元件45所连接的单位导体不限定于图60～62所示的例子。图60～62所示的阻抗元件45能够省略一部分。阻抗元件45能够取得电容特性。阻抗元件45能够取得电感特性。阻抗元件45能够是机械的或者电气可变元件。阻抗元件45能够连接位于一层的不同的两个导体。
图63是表示谐振器10的另一例的俯视图。谐振器63-10具有导体部件46。具有导体部件46的谐振器63-10不限定于该构造。谐振器10在y方向上的一方侧能够具有多个导体部件46。谐振器10在y方向上的两侧能够具有一个或者多个导体部件46。
图64是表示谐振器10的另一例的剖视图。谐振器64-10具有电介质部件47。谐振器64-10在z方向上与第3导体64-40重叠有电介质部件47。具有电介质部件47的谐振器64-10不限定于该构造。谐振器10与第3导体40的一部分仅重叠有电介质部件47。
天线具有辐射电磁波的功能以及接收电磁波的功能的至少一方。本公开的天线包含第1天线60以及第2天线70，但不限定于这些。
第1天线60具备基体20、对导体30、第3导体40、第4导体50以及第1供电线61。在一例中，第1天线60在基体20之上具有第3基体24。第3基体24能够具有与基体20不同的组成。第3基体24能够位于第3导体40之上。图65～78是表示作为多个实施方式的一例的第1天线60的图。
第1供电线61构成为向作为人工磁壁周期性地排列的谐振器的至少一个供电。在向多个谐振器供电的情况下，第1天线60能够具有多个第1供电线。第1供电线61能够与作为人工磁壁而周期性地排列的谐振器中的任一个电磁连接。第1供电线61能够从作为人工磁壁周期性地排列的谐振器电磁连接至视作电壁的一对导体中的任一个。
第1供电线61构成为向第1导体31、第2导体32、以及第3导体40中的至少一个供电。在向第1导体31、第2导体32、以及第3导体40的多个部分供电的情况下，第1天线60能够具有多个第1供电线。第1供电线61能够与第1导体31、第2导体32以及第3导体40中的任一个电磁连接。在第1天线60除了第4导体50之外还具备基准电位层51的情况下，第1供电线61能够与第1导体31、第2导体32、第3导体40、以及第4导体50中的任一个电磁连接。第1供电线61与对导体30 中的第5导体层301以及第5导体302中的任一个电连接。第1供电线61的一部分能够与第5导体层301成为一体。
第1供电线61能够与第3导体40电磁连接。例如，第1供电线61能够与第1单位谐振器41X的一个电磁连接。例如，第1供电线61能够与第2单位谐振器42X的一个电磁连接。第1供电线61在x方向上的与中央不同的点能够与第3导体40的单位导体电磁连接。第1供电线61构成为在一个实施方式中向第3导体40所包含的至少一个谐振器供给电力。第1供电线61构成为在一个实施方式中，将来自第3导体40所包含的至少一个谐振器的电力向外部供电。第1供电线61的至少一部分能够位于基体20之中。第1供电线61能够从基体20的两个zx面、两个yz面、以及两个xy面中的任一个面向外部。
第1供电线61能够从z方向的正方向以及相反方向与第3导体40相接。第4导体50能够在第1供电线61的周围省略。第1供电线61通过第4导体50的开口能够与第3导体40电磁连接。第1导体层41能够在第1供电线61的周围省略。第1供电线61通过第1导体层41的开口能够与第2导体层42连接。第1供电线61能够沿xy平面与第3导体40相接。对导体30能够在第1供电线61的周围省略。第1供电线61通过对导体30的开口，能够与第3导体40连接。第1供电线61能够相对于第3导体40的单位导体从该单位导体的中心部分离开而连接。
图65是从z方向俯视第1天线60的xy平面的图。图66是沿图65所示的LXIV-LXIV线的剖视图。图65、66所示的第1天线60在第3导体65-40之上具有第3基体65-24。第3基体65-24在第1导体层65-41之上具有开口。第1供电线61经由第3基体65-24的开口能够与第1导体层65-41电连接。
图67是从z方向俯视第1天线60的xy平面的图。图68是沿图67所示的LXVIII-LXVIII线的剖视图。在图67、68所示的第1天线67-60中，第1供电线67-61的一部分位于基体67-20之上。第1供电线67-61能够在xy平面内与第3导体67-40连接。第1供电线67-61能够在xy平面内与第1导体层67-41连接。在一个实施方式中，第1供电线61能够与第2导体层42在xy平面上连接。
图69是从z方向俯视第1天线60的xy平面的图。图70是沿图69所示的LXX-LXX线的剖视图。在图69、70所示的第1天线60中，第1供电线69-61位于基体69-20之中。第1供电线69-61能够从z方向上的相反方向与第3导体69-40连接。第4导体69-50能够具有开口。第4导体69-50能够在与第3导体69-40在z方向上重叠的位置具有开口。第1供电线69-61能够隔着开口而面向基体20的外部。
图71是从x方向观察第1天线60的yz面的剖视图。对导体71-30能够具有开口。第1供电线71-61能够隔着开口而面向基体71-20的外部。
第1天线60辐射的电磁波在第1平面中，x方向的极化波分量比y方向的极化波分量大。x方向的极化波分量在金属板从z方向接近第4导体50时，衰减比水平极化波分量小。第1天线60能够维持金属板从外部接近时的辐射效率。
图72表示第1天线60的另一例。图73是沿图72所示的LXXIII-LXXIII线的剖视图。图74表示第1天线60的另一例。图75是沿图74所示的LXXV-LXXV线的剖视图。图76表示第1天线60的另一例。图77A是沿图76所示的LXXVIIa-LXXVIIa线的剖视图。图77B是沿图76所示的LXXVIIb-LXXVIIb线的剖视图。图78表示第1天线60的另一例。图78所示的第1天线78-60具有阻抗元件78-45。
第1天线60能够通过阻抗元件45变更动作频率。第1天线60包含与第1供电线61连接的第1供电导体415、和不与第1供电线61连接的第1单位导体411。阻抗匹配在阻抗元件45与第1供电导体415和其他导电体连接时发生变化。第1天线60通过利用阻抗元件45将第1供电导体415与其他导电体连接，能够调整阻抗的匹配。在第1天线60中，为了调整阻抗匹配，阻抗元件45能够插入第1供电导体415与其他导电体之间。在第1天线60中，为了调整动作频率，阻抗元件45能够插入到不与第1供电线61连接的两个第1单位导体411之间。在第1天线60中，为了调整动作频率，阻抗元件45能够插入到不与第1供电线61连接的第1单位导体411与对导体30中的任意一个之间。
第2天线70具备基体20、对导体30、第3导体40、第4导体50、第2供电层71、以及第2供电线72。在一例中，第3导体40位于基体20之中。在一例中，第2天线70在基体20之上具有第3基体24。第3基体24能够具有与基体20不同的组成。第3基体24能够位于第3导体40之上。第3基体24能够位于第2供电层71之上。
第2供电层71隔开位于第3导体40的上方。基体20或者第3基体24能够位于第2供电层71与第3导体40之间。第2供电层71包含线型、贴片型、以及缝隙型的谐振器。第2供电层71也能够称为天线元件。在一例中，第2供电层71能够与第3导体40电磁耦合。第2供电层71的谐振频率通过与第3导体40的电磁耦合根据单独的谐振频率而变化。在一例中，第2供电层71构成为接收来自第2供电线72的电力的传输，与第3导体40一起谐振。在一例中，第2供电层71构成为接收来自第2供电线72的电力的传输，与第3导体40一起谐振。
第2供电线72构成为与第2供电层71电连接。在一个实施方式中，第2供电线72构成为向第2供电层71传输电力。在一个实施方式中，第2供电线72构成为将来自第2供电层71的电力向外部传输。
图79是从z方向俯视第2天线70的xy平面的图。图80是沿图79所示的LXXX-LXXX线的剖视图。在图79、80所示的第2天线70中，第3导体79-40位于基体79-20之中。第2供电层71位于基体79-20之上。第2供电层71位于与单位构造体79-10X在z方向上重叠的位置。第2供电线72位于基体79-20之上。第2供电线72在xy平面内能够与第2供电层71电磁连接。
本公开的无线通信模块包含无线通信模块80作为多个实施方式的一例。图81是无线通信模块80的方框构造图。图82是无线通信模块80的概要结构图。无线通信模块80具备第1天线60、电路基板81以及RF模块82。无线通信模块80能够具备第2天线70来代替第1天线60。
第1天线60位于电路基板81之上。第1天线60的第1供电线61构成为经由电路基板81与RF模块82电磁连接。第1天线60的第4导体50构成为与电路基板81的接地导体811电磁连接。
接地导体811能够在xy平面上扩展。接地导体811在xy平面面积比第4导体50大。接地导体811在y方向上比第4导体50长。接地导体811在x方向上比第4导体50长。第1天线60在y方向上能够位于比接地导体811的中心更靠端侧的位置。第1天线60的中心在xy平面能够与接地导体811的中心不同。第1天线60的中心能够与第1导体31以及第2导体32的中心不同。第1供电线61与第3导体40连接的点能够与xy平面的接地导体811的中心不同。
第1天线60构成为经由对导体30而使第1电流以及第2电流循环。第1天线60位于比接地导体811的中心更靠y方向上的端侧的位置，由此在接地导体811中流动的第2电流成为非对称。当流过接地导体811的第2电流成为非对称时，包含第1天线60以及接地导体811的天线构造体的辐射波的x方向的极化波分量变大。通过使辐射波的x方向的极化波分量变大，从而能够提高辐射波的综合辐射效率。
RF模块82能够控制向第1天线60供给的电力。RF模块82构成为对基带信号进行调制，并向第1天线60供给。RF模块82能够将经由第1天线60接收到的电信号调制为基带信号。
第1天线60的谐振频率的变化因电路基板81侧的导体而较小。无线通信模块80通过具有第1天线60，能够降低从外部环境受到的影响。
第1天线60能够与电路基板81一体构成。在第1天线60与电路基板81一体构成的情况下，第4导体50与接地导体811成为一体结构。
图83是表示无线通信模块80的另一例的局部剖视图。图83所示的无线通信模块83-80具有导体部件83-46。导体部件83-46位于电路基板83-81的接地导体83-811之上。导体部件83-46与第1天线83-60在y方向上排列。导体部件83-46不限定于一个，多个能够位于接地导体83-811之上。
图84是表示无线通信模块80的另一例的局部剖视图。图84所示的无线通信模块84-80具有电介质部件84-47。电介质部件84-47位于电路基板84-81的接地导体84-811之上。导体部件84-46与第1天线84-60在y方向上排列。
作为多个实施方式的一例，本公开的无线通信设备包含无线通信设备90。图85是无线通信设备90的方框构造图。图86是无线通信设备90的俯视图。图86所示的无线通信设备90省略了结构的一部分。图87是无线通信设备90的剖视图。图87所示的无线通信设备90省略了结构的一部分。无线通信设备90具备无线通信模块80、电池91、传感器92、存储器93、控制器94、第1壳体95以及第2壳体96。无线通信设备90的无线通信模块80具有第1天线60，但也能够具有第2天线70。图88是无线通信设备90的其他实施方式之一。无线通信设备88-90所具有的第1天线88-60能够具有基准电位层88-51。
电池91构成为向无线通信模块80供给电力。电池91能够向传感器92、存储器93以及控制器94中的至少一个供给电力。电池91能够包含一次电池以及二次电池的至少一个。电池91的负极与电路基板81的接地端子电连接。电池91的负极与第1天线60的第4导体50电连接。
传感器92例如可以包含速度传感器、振动传感器、加速度传感器、陀螺仪传感器、旋转角传感器、角速度传感器、地磁传感器、磁传感器、温度传感器、湿度传感器、气压传感器、光传感器、照度传感器、UV传感器、气体传感器、气体浓度传感器、气氛传感器、液位传感器、气味传感器、压力传感器、大气压传感器、接触传感器、风力传感器、红外线传感器、人感传感器、位移量传感器、图像传感器、重量传感器、烟雾传感器、漏液传感器、生命传感器、蓄电池余量传感器、超声波传感器或者GPS(Global Positioning System，全球定位系统)信号的接收装置等。
存储器93能够包含例如半导体存储器等。存储器93能够用作控制器94的工作存储器。存储器93能够包含在控制器94中。例如，存储器93存储记述了实现无线通信设备90的各功能的处理内容的程序、以及无线通信设备90中的处理所使用的信息等。
控制器94例如能够包含处理器。控制器94可以包含一个以上的处理器。处理器可以包含读入特定的程序来执行特定的功能的通用的处理器、以及专用于特定的处理的专用的处理器。专用的处理器可以包含面向特定用途的IC。面向特定用途的IC也可以称为ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit)。处理器可以包含可编程逻辑器件。可编程逻辑器件也可以称为PLD(Programnable Logic Device)。PLD可以包含FPGA(Field-Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)。控制器94也可以是一个或者多个处理器进行配合的SoC(System-on-a-Chip)、以及SiP(System In a Package)中的任一个。控制器94可以在存储器93中存储各种信息、或者用于使无线通信设备90的各结构部动作的程序等。
控制器94构成为生成从无线通信设备90发送的发送信号。控制器94例如可以从传感器92取得测定数据。控制器94可以生成与测定数据对应的发送信号。控制器94能够向无线通信模块80的RF模块82发送基带信号。
第1壳体95以及第2壳体96构成为保护无线通信设备90的其他器件。第1壳体95能够在xy平面上扩展。第1壳体95构成为支承其他器件。第1壳体95能够支承无线通信模块80。无线通信模块80位于第1壳体95的上表面95A之上。第1壳体95能够支承电池91。电池91位于第1壳体95的上表面95A之上。在多个实施方式的一例中，在第1壳体95的上表面95A之上，沿x方向排列无线通信模块80和电池91。在电池91中第1导体31位于与第3导体40之间。电池91从第3导体40观察位于对导体30的对面侧。
第2壳体96能够覆盖其他器件。第2壳体96包含位于第1天线60的z方向侧的下表面96A。下表面96A沿xy平面扩展。下表面96A不限定于平坦，也能够包含凹凸。第2壳体96能够具有第8导体961。第8导体961位于第2壳体96的内部、外侧以及内侧的至少一方。第8导体961位于第2壳体96的上表面以及侧面中的至少一方。
第8导体961与第1天线60对置。第8导体961的第1部位9611在z方向上与第1天线60对置。第8导体961除了第1部位9611之外，还能够包含在x方向上与第1天线60对置的第2部位、以及在y方向上与第1天线对置的第3部位的至少一方。第8导体961的一部分与电池91对置。
第8导体961能够包含在x方向上从第1导体31向外侧延伸的第1延伸部9612。第8导体961能够包含在x方向上从第2导体32向外侧延伸的第2延伸部9613。第1延伸部9612能够与第1部位9611电连接。第2延伸部9613能够与第1部位9611电连接。第8导体961的第1延伸部9612在z方向上与电池91对置。第8导体961能够与电池91电容耦合。第8导体961与电池91之间能够成为电容器。
第8导体961与第1天线60的第3导体40隔离。第8导体961不与第1天线60的各导体电连接。第8导体961能够与第1天线60隔离。第8导体961能够与第1天线60中的任一个导体电磁耦合。第8导体961的第1部位9611能够与第1天线60电磁耦合。当从z方向俯视时，第1部位9611能够与第3导体40重叠。第1部位9611与第3导体40重叠，从而电磁耦合引起的传播变大。第8导体961与第3导体40的电磁耦合能够成为互感。
第8导体961沿x方向扩展。第8导体961沿xy平面扩展。第8导体961的长度比第1天线60的沿x方向的长度长。第8导体961的沿x方向的长度比第1天线60的沿x方向的长度长。第8导体961的长度能够比无线通信设备90的动作波长λ的1/2长。第8导体961能够包含沿y方向延伸的部位。第8导体961能够在xy平面内弯曲。第8导体961能够包含沿z方向延伸的部位。第8导体961能够从xy平面弯曲为yz平面或者zx平面。
具备第8导体961的无线通信设备90能够使第1天线60以及第8导体961电磁耦合而作为第3天线97发挥功能。第3天线97的动作频率fc可以与第1天线60单独的谐振频率不同。第3天线97的动作频率fc可以比第8导体961单独的谐振频率更接近第1天线60的谐振频率。第3天线97的动作频率fc能够在第1天线60的谐振频带内。第3天线97的动作频率fc能够在第8导体961单独的谐振频带外。图89是第3天线97的另一实施方式。第8导体89-961能够与第1天线89-60一体地构成。图89省略了无线通信设备90的一部分的结构。在图89的例子中，第2壳体89-96也可以不具备第8导体961。
在无线通信设备90中，第8导体961构成为与第3导体40电容耦合。第8导体961构成为与第4导体50电磁耦合。第3天线97通过在空中包含第8导体的第1延伸部9612以及第2延伸部9613，与第1天线60相比增益提高。
图90是表示无线通信设备90的另一例的俯视图。图90所示的无线通信设备90-90具有导体部件90-46。导体部件90-46位于电路基板90-81的接地导体90-811之上。导体部件90-46与第1天线90-60排列在y方向上。导体部件90-46不限定于一个，能够多个位于接地导体90-811之上。
图91是表示无线通信设备90的另一例的剖视图。图91所示的无线通信设备91-90具有电介质部件91-47。电介质部件91-47位于电路基板91-81的接地导体91-811之上。电介质部件91-47与第1天线91-60排列在y方向上。如图91所示，第2壳体91-96的一部分能够作为电介质部件91-47发挥功能。无线通信设备91-90能够将第2壳体91-96作为电介质部件91-47。
无线通信设备90能够位于各种物体之上。无线通信设备90能够位于导电体99之上。图92是表示无线通信设备92-90的一个实施方式的俯视图。导电体92-99是传导电力的导体。导电体92-99的材料包含金属、高掺杂的半导体、导电塑料、包含离子的液体。导电体92-99能够包含不在表面上传导电力的非导体层。传导电力的部位和非导体层能够包含共通的元素。例如，包含铝的导电体92-99能够在表面包含铝氧化物的非导体层。传导电力的非导体层能够包含不同元素。
导电体99的形状不限定于平板，能够包含箱形等立体形状。导电体99所形成的立体形状包含长方体、圆柱。该立体形状能够包含一部分凹陷的形状、一部分贯通的形状、一部分突出的形状。例如，导电体99能够为圆环(环)型。导电体99能够在内部具有空洞。导电体99能够包含在内部具有空间的箱。导电体99包含在内部具有空间的圆筒物。导电体99包含在内部具有空间的管。导电体99能够包含硬管(pipe)、管子(tube)、以及软管(hose)。
导电体99包含能够载置无线通信设备90的上表面99A。上表面99A能够遍及导电体99的整个面地扩展。上表面99A能够作为导电体99的一部分。上表面99A的面积能够比无线通信设备90大。无线通信设备90能够放置在导电体99的上表面99A上。上表面99A能够比无线通信设备90的面积小。无线通信设备90能够一部分放置在导电体99的上表面99A上。无线通信设备90能够以各种朝向放置在导电体99的上表面99A上。无线通信设备90的方向能够是任意的。无线通信设备90能够通过固定件适当地固定在导电体99的上表面99A上。固定件包含双面胶带以及粘接剂等那样的以面固定的固定件。固定件包含螺钉以及钉子等那样以点进行固定的固定件。
导电体99的上表面99A能够包含沿j方向延伸的部位。沿j方向延伸的部位与沿k方向的长度相比，沿j方向的长度长。j方向与k方向正交。j方向是导电体99较长地延伸的方向。k方向是导电体99与j方向相比长度较短的方向。
无线通信设备90放置在导电体99的上表面99A上。第1天线60构成为通过与导电体99电磁耦合而在导电体99中感应出电流。导电体99构成为通过感应出的电流来辐射电磁波。导电体99构成为通过放置有无线通信设备90而作为天线的一部分发挥功能。无线通信设备90通过导电体99改变传播方向。
无线通信设备90能够放置在上表面99A上，以使x方向沿j方向。以使与第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致，无线通信设备90能够放置在导电体99的上表面99A上。在无线通信设备90位于导电体99之上时，第1天线60能够与导电体99电磁耦合。第1天线60的第4导体50构成为产生沿x方向的第2电流。与第1天线60电磁耦合的导电体99构成为通过第2电流来感应电流。当第1天线60的x方向与导电体99的j方向一致时，导电体99的沿j方向流动的电流变大。第1天线60的x方向与导电体99的j方向一致时，导电体99因感应电流而辐射变大。x方向相对于j方向的角度能够设为45度以下。
无线通信设备90的接地导体811与导电体99分离。无线通信设备90放置在上表面99A上，以使沿上表面99A的长边的方向与第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致。上表面99A除了方形的面以外，还能够包含菱形、圆形。导电体99能够包含菱形状的面。该菱形状的面能够作为载置无线通信设备90的上表面99A。无线通信设备90能够放置在上表面99A上，以使沿上表面99A的长对角线的方向与第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致。上表面99A不限定于平坦。上表面99A能够包含凹凸。上表面99A能够包含曲面。曲面包含直纹面(ruled surface)。曲面包含柱面。
导电体99在xy平面扩展。与沿y方向的长度相比，导电体99能够使沿x方向的长度变长。导电体99能够使沿y方向的长度比第3天线97的动作频率fc的波长λc的二分之一短。无线通信设备90能够位于导电体99之上。导电体99在z方向上位于与第4导体50分离的位置。导电体99沿x方向的长度比第4导体50长。导电体99在xy平面的面积比第4导体50大。导电体99在z方向上位于与接地导体811分离的位置。导电体99沿x方向的长度比接地导体811长。导电体99在xy平面的面积比接地导体811大。
无线通信设备90能够在导电体99较长地延伸的方向上以第1导体31以及第2导体32排列的x方向一致的朝向放置于导电体99之上。换言之，无线通信设备90能够以在xy平面中第1天线60的电流流动的方向与导电体99较长地延伸的方向一致的朝向放置于导电体99之上。
第1天线60的谐振频率的变化因电路基板81侧的导体而较小。无线通信设备90通过具有第1天线60，能够降低从外部环境受到的影响。
在无线通信设备90中，接地导体811构成为与导电体99电容耦合。无线通信设备90通过包含导电体99中的比第3天线97向外侧扩展的部位，与第1天线60相比增益提高。
无线通信设备90在将n设为整数时，能够安装于距导电体99的前端为(2n-1)×λ/4(动作波长λ的四分之一的奇数倍)的位置。当放置于该位置时，在导电体99中感应出电流的驻波。导电体99通过感应出的驻波而成为电磁波的辐射源。无线通信设备90通过该设置，通信性能提高。
无线通信设备90能够使空中的谐振电路与导电体99上的谐振电路不同。图93是在空中所形成的谐振构造的示意电路。图94是在导电体99上所形成的谐振构造的示意电路。L3是谐振器10的电感，L8是第8导体961的电感，L9是导电体99的电感，M是L3和L8的互感。C3是第3导体40的电容，C4是第4导体50的电容，C8是第8导体961的电容，C8B是第8导体961与电池91的电容，C9是导电体99和接地导体811的电容。R3是谐振器10的辐射电阻，R8是第8导体961的辐射电阻。谐振器10的动作频率比第8导体的谐振频率低。无线通信设备90构成为在空中，接地导体811作为底座接地发挥功能。无线通信设备90构成为第4导体50与导电体99电容耦合。在导电体99上，无线通信设备90构成为导电体99作为实质的底座接地发挥功能。
在多个实施方式中，无线通信设备90具有第8导体961。该第8导体961构成为与第1天线60电磁耦合，并且与第4导体50电容耦合。无线通信设备90通过增大由电容耦合感应出的电容C8B，能够在从空中向导电体99上放置时提高动作频率。无线通信设备90通过增大由电磁耦合引起的互感M，能够在从空中向导电体99上放置时降低动作频率。无线通信设备90通过改变电容C8B与互感M的平衡，能够调整从空中向导电体99上放置时的动作频率的变化。无线通信设备90通过改变电容C8B与互感M的平衡，能够减小从空中向导电体99上放置时的动作频率的变化。
无线通信设备90具有与第3导体40电磁耦合、并与第4导体50电容耦合的第8导体961。通过具有该第8导体961，无线通信设备90能够调整从空中向导电体99上放置时的动作频率的变化。通过具有该第8导体961，无线通信设备90能够减小从空中向导电体99上放置时的动作频率的变化。
不包含第8导体961的无线通信设备90也同样地构成为，在空中，接地导体811作为底座接地发挥功能。不包含第8导体961的无线通信设备90也同样地构成为，在导电体99上，导电体99作为实质的底座接地发挥功能。包含谐振器10的谐振构造即便底座接地变化也能够振荡。对应于具备基准电位层51的谐振器10以及不具备基准电位层51的谐振器10能够振荡。
图95是表示无线通信设备90的一个实施方式的俯视图。导电体95-99能够包含贯通孔99h。贯通孔99h能够包含p方向延伸的部位。贯通孔99h的沿p方向的长度比沿q方向的长度长。p方向和q方向正交。p方向是导电体99较长地延伸的方向。q方向是导电体99与p方向相比长度较短的方向。r方向是与p方向以及q方向正交的方向。
无线通信设备90能够放置在导电体99的贯通孔99h附近，以使x方向沿p方向。以使第1导体31以及第2导体32与排列的x方向一致，无线通信设备90能够放置于导电体99的贯通孔99h附近。在无线通信设备90位于导电体99之上时，第1天线60能够与导电体99电磁耦合。第1天线60的第4导体50构成为产生沿x方向的第2电流。与第1天线60电磁耦合的导电体99构成为通过第2电流来感应沿p方向的电流。感应电流能够沿贯通孔99h向周围流动。导电体99构成为以贯通孔99h为缝隙而辐射电磁波。将贯通孔99h作为缝隙的电磁波向载置无线通信设备90的第1面的成对的第2面侧辐射。
当第1天线60的x方向与导电体99的p方向一致时，导电体99的沿p方向流动的电流变大。当第1天线60的x方向与导电体99的p方向一致时，导电体99的贯通孔99h因感应电流而辐射变大。x方向相对于p方向的角度能够为45度以下。若沿p方向的长度与动作频率下的动作波长相等，则贯通孔99h的电磁波的辐射变大。贯通孔99h在沿p方向的长度为将动作波长设为λ，将n设为整数时，(n×λ)/2，由此，贯通孔作为缝隙天线(slot antena)发挥功能。辐射的电磁波因在贯通孔感应的驻波而辐射变大。无线通信设备90能够位于从距贯通孔的p方向的端为(m×λ)/2的位置。在此，m为0以上并且n以下的整数。无线通信设备90能够位于距贯通孔比λ/4近的位置。
图96是表示无线通信设备96-90的一个实施方式的立体图。图97A是与图96所示的立体图对应的侧视图。图97B是沿图97A所示的XCVIIb-XCVIIb线的剖视图。无线通信设备90位于圆筒状的导电体96-99的内表面之上。导电体96-99具有沿r方向延伸的贯通孔99h。无线通信设备96-90在贯通孔96-99h附近，r方向与x方向一致。
图98是表示无线通信设备98-90的一个实施方式的立体图。图99是在图98所示的立体图的无线通信设备98-90附近的剖视图。无线通信设备98-90位于方筒状的导电体98-99的内表面之上。导电体98-99具有沿r方向延伸的贯通孔98-99h。无线通信设备98-90在贯通孔98-99h附近，r方向与x方向一致。
图100是表示无线通信设备100-90的一个实施方式的立体图。无线通信设备100-90位于长方体的导电体100-99的内表面之上。导电体100-99具有沿r方向延伸的贯通孔100-99h。无线通信设备100-90在贯通孔100-99h附近，r方向与x方向一致。
载置于导电体99之上而利用的谐振器10能够省略第4导体50的至少一部分。谐振器10包含基体20和对导体30。图101是不包含第4导体50的谐振器101-10的一例。图102是纸面里侧成为+z方向地俯视谐振器10的图。图103是将谐振器103-10载置于导电体103-99并作为谐振构造的一例。图104是沿图103所示的CIV-CIV线的剖视图。谐振器103-10隔着安装构件103-98被安装于导电体103-99之上。在不包含第4导体50的谐振器10中，不限定于图101～图104所示的谐振器。在不包含第4导体50的谐振器10中，不限定于从谐振器18-10除去第4导体18-50。不包含第4导体50的谐振器10能够通过从图1～图64等例示的谐振器10除去第4导体50来实现。
基体20能够包含空洞20a。图105是基体105-20具有空洞105-20a的谐振器105-10的一例。图105是纸面里侧成为+z方向地俯视谐振器105-10的图。图106是将具有空洞106-20a的谐振器106-10载置于导电体106-99而成为谐振构造的一例。图107是沿图106所示的CVII-CVII线的剖视图。在z方向上，空洞106-20a位于第3导体106-40与导电体106-99之间。空洞106-20a中的介电常数比基体106-20的介电常数低。基体106-20通过具有空洞20a，能够缩短第3导体106-40与导电体106-99的电磁距离。具有空洞20a的谐振器10不限定于图105～图107所示的谐振器。具有空洞20a的谐振器10是从图19B所示的谐振器除去第4导体，且基体20具有空洞20a的构造。具有空洞20a的谐振器10能够从图1～图64等所例示的谐振器10除去第4导体50，且通过基体20具有空洞20a来实现。
基体20能够包含空洞20a。图108是基体108-20具有空洞108-20a的无线通信模块108-80的一例。图108是纸面里侧成为+z方向地俯视无线通信模块108-80的图。图109是将具有空洞109-20a的无线通信模块109-80载置于导电体109-99而形成谐振构造的一例。图110是沿图109所示的CX-CX线的剖视图。无线通信模块80能够在空洞20a中收纳电子器件。电子器件包含处理器、传感器。电子器件包含RF模块82。无线通信模块80能够在空洞20a中收纳RF模块82。RF模块82能够位于空洞20a中。RF模块82经由第1供电线61与第3导体40连接。基体20能够包含将RF模块的基准电位向导电体99侧感应的第9导体62。
无线通信模块80能够省略第4导体50的一部分。空洞20a能够从省略了第4导体50的部位向外部观望。图111是省略了第4导体50的一部分的无线通信模块111-80的一例。图111是以纸面里侧成为+z方向地俯视谐振器10的图。图112是将具有空洞112-20a的无线通信模块112-80载置于导电体112-99而形成谐振构造的一例。图113是沿图112所示的CXIII-CXIII线的剖视图。
无线通信模块80能够在空洞20a中具有第4基体25。第4基体25能够包含树脂材料，以作为组成。树脂材料包含使环氧树脂、聚酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂以及液晶聚合物等未固化物固化而成的材料。图114是在空洞114-20a中具有第4基体114-25的构造的一例。
安装构件98包含在基材的两面具有粘性体的构件、固化或者半固化的有机材料、焊料材料、施力单元。在基材的两面具有粘性体的胶带例如能够称为双面胶带。固化或者半固化的有机材料例如能够称为粘接剂。施力单元包含螺钉、带等。安装构件98包含导电性的构件、非导电性的构件。导电性的安装构件98包含其自身较多地含有具有导电性的材料以及具有导电性的材料的构件。
在安装部件98为非导电性的情况下，构成为谐振器10的对导体30与导电体99电容耦合。在这种情况下，在谐振器10中，对导体30以及第3导体40以及导电体99成为谐振电路。在这种情况下，谐振器10的单位构造体能够包含基体20、第3导体40、安装构件98以及导电体99。
在安装构件98是导电性的情况下，构成为谐振器10的对导体30经由安装构件98而导通。安装构件98通过附加于导电体99，电阻值降低。在这种情况下，如图115所示，若对导体115-30在x方向上面向外部，则经由导电体115-99的对导体115-30间的电阻值降低。在这种情况下，在谐振器115-10中，对导体115-30以及第3导体115-40以及安装构件115-98成为谐振电路。在这种情况下，谐振器115-10的单位构造体能够包含基体115-20、第3导体115-40以及安装构件115-98。
在安装构件98为施力单元的情况下，谐振器10从第3导体40侧被按压，与导电体99抵接。在这种情况下，在一例中，谐振器10的对导体30构成为与导电体99接触而导通。在这种情况下，在一例中，谐振器10的对导体30构成为与导电体99电容耦合。在这种情况下，在谐振器10中，对导体30以及第3导体40以及导电体99成为谐振电路。在这种情况下，谐振器10的单位构造体能够包含基体20、第3导体40以及导电体99。
一般而言，当导电体或者电介质接近时，天线的谐振频率发生变化。当谐振频率大幅变化时，天线在动作频率下的动作增益变化。在空中被利用的天线或者接近于导电体或者电介质而被利用的天线，优选减小由谐振频率的变化引起的动作增益的变化。
谐振器10的第3导体40以及第4导体50的y方向上的长度能够不同。在此，第3导体40的y方向上的长度是多个单位导体沿y方向排列的情况下，在y方向上位于两端的两个单位导体的、外侧的端之间的距离。
如图116所示，第4导体116-50的长度能够比第3导体40的长度长。第4导体116-50包含从第3导体40的y方向上的端部向外侧延伸的第1延伸部50a以及第2延伸部50b。第1延伸部50a以及第2延伸部50b在z方向俯视时，位于第3导体40的外侧。基体116-20能够扩展至y方向上的第3导体40的端。基体116-20能够扩展至y方向上的第4导体116-50的端。基体116-20能够扩展至y方向上的第3导体40的端与第4导体116-50的端之间。
若第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长，则谐振器116-10在导电体接近第4导体116-50的外侧时的谐振频率的变化变小。谐振器116-10在将动作波长设为λ1时，第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频带中的谐振频率的变化变小。谐振器116-10在将动作波长设为λ1时，第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，动作频率f1的动作增益的变化变小。在谐振器116-10中，若第1延伸部50a以及第2延伸部50b的沿y方向的长度的合计比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频率f1的动作增益的变化变小。第1延伸部50a以及第2延伸部50b的沿y方向的长度的合计与第4导体116-50的长度与第3导体40的长度之差对应。
谐振器116-10在向反z方向俯视时，在y方向上，第4导体116-50比第3导体40向两侧扩展。关于谐振器116-10，在y方向上第4导体116-50比第3导体40向两侧扩展时，导电体接近第4导体116-50的外侧时的谐振频率的变化变小。谐振器116-10在将动作波长设为λ1时，第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，则动作频带中的谐振频率的变化变小。谐振器116-10在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，则动作频率f1的动作增益的变化变小。谐振器116-10在第1延伸部50a以及第2延伸部50b各自的沿y方向的长度长达0.025λ1以上时，动作频率f1的动作增益的变化变小。
谐振器116-10在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频带中的谐振频率的变化变小。谐振器116-10在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频带中的动作增益的变化变小。谐振器116-10在第1延伸部50a以及第2延伸部50b的沿y方向的长度的合计比第3导体40的长度长0.075λ1以上，且第1延伸部50a以及第2延伸部50b各自的沿y方向的长度长达0.025λ1以上时，动作频率f1下的动作增益的变化变小。
第1天线116-60能够使第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长。若第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长，则第1天线116-60在导电体接近第4导体116-50的外侧时的谐振频率的变化变小。第1天线116-60在将动作波长设为λ1时，若使第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频带中的谐振频率的变化变小。第1天线116-60在将动作波长设为λ1时，若使第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频率f1下的动作增益的变化变小。若第1延伸部50a以及第2延伸部50b的沿y方向的长度的合计比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则第1天线116-60的动作频率f1下的动作增益的变化变小。第1延伸部50a以及第2延伸部50b的沿y方向的长度的合计与第4导体116-50的长度与第3导体40的长度之差对应。
第1天线116-60在向反z方向俯视时，第4导体116-50在y方向上比第3导体40向两侧扩展。若第4导体116-50在y方向上比第3导体40向两侧扩展，则第1天线116-60在导电体接近第4导体116-50的外侧时的谐振频率的变化变小。第1天线116-60在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，则动作频带中的谐振频率的变化变小。第1天线116-60在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，则动作频率f1下的动作增益的变化变小。第1天线116-60在第1延伸部50a以及第2延伸部50b的各个沿y方向的长度长达0.025λ1以上时，动作频率f1下的动作增益的变化变小。
第1天线116-60在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则谐振频率的变化变小。第1天线116-60在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频带中的动作增益的变化变小。第1天线116-60在将动作波长设为λ1时，若第4导体116-50向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，第4导体116-50的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频率f1下的动作增益的变化变小。第1天线116-60的第1延伸部50a以及第2延伸部50b的沿y方向的长度的合计比第3导体40的长度长0.075λ1以上，若第1延伸部50a以及第2延伸部50b各自的沿y方向的长度长达0.025λ1以上，则动作频率f1下的动作增益的变化变小。
如图117所示，在无线通信模块117-80中，第1天线117-60位于电路基板117-81的接地导体117-811上。第1天线117-60的第4导体117-50与接地导体117-811电连接。接地导体117-811的长度能够比第3导体40的长度长。接地导体117-811包含从谐振器117-10的y方向上的端部向外侧延伸的第3延伸部811a以及第4延伸部811b。在z方向的俯视时，第3延伸部811a以及第4延伸部811b位于第3导体40的外侧。无线通信模块117-80的第1天线117-60以及接地导体117-811的在y方向上的长度能够不同。在无线通信模块117-80中，第1天线117-60的第3导体40以及接地导体117-811的y方向上的长度能够不同。
无线通信模块117-80能够使接地导体117-811的长度比第3导体40的长度长。若接地导体117-811的长度比第3导体40的长度长，则无线通信模块117-80在导电体接近接地导体117-811的外侧时的谐振频率的变化变小。无线通信模块117-80在将动作波长设为λ1时，若接地导体117-811的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频带中的动作增益的变化变小。无线通信模块117-80在将动作波长设为λ1时，若接地导体117-811的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频率f1下的动作增益的变化变小。若第3延伸部811a以及第4延伸部811b的沿y方向的长度的合计比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则无线通信模块117-80的动作频率f1下的动作增益的变化变小。第3延伸部811a以及第4延伸部811b的沿y方向的长度的合计与接地导体117-811的长度与第3导体40的长度之差对应。
当在反z方向俯视时，关于无线通信模块117-80，在y方向上接地导体117-811比第3导体40向两侧扩展。若在y方向上接地导体117-811比第3导体40向两侧扩展，则无线通信模块117-80在导电体接近接地导体117-811的外侧时的谐振频率的变化变小。无线通信模块117-80在将动作波长设为λ1时，若接地导体117-811向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，则动作频带中的动作增益的变化变小。无线通信模块117-80在将动作波长设为λ1时，若接地导体117-811向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，则动作频率f1下的动作增益的变化变小。若第3延伸部811a以及第4延伸部811b各自的沿y方向的长度长达0.025λ1以上，则无线通信模块117-80的动作频率f1下的动作增益的变化变小。
无线通信模块117-80在将动作波长设为λ1时，若接地导体117-811向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，接地导体117-811的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频带中的谐振频率的变化变小。无线通信模块117-80在将动作波长设为λ1时，若接地导体117-811向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，接地导体117-811的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频率下的动作增益的变化变小。无线通信模块117-80在将动作波长设为λ1时，若接地导体117-811向第3导体40的外侧扩展0.025λ1以上，接地导体117-811的长度比第3导体40的长度长0.075λ1以上，则动作频率f1下的动作增益的变化变小。若第3延伸部811a以及第4延伸部811b的沿y方向的长度的合计比第3导体40的长度长0.075λ1以上，第3延伸部811a以及第4延伸部811b各自的沿y方向的长度长达0.025λ1以上，则无线通信模块117-80的动作频率f1下的动作增益的变化变小。
通过模拟，调查了第1天线60的动作频带中的谐振频率的变化。作为模拟的模型，采用在第1面之上具有接地导体的电路基板的第1面上放置了第1天线的谐振构造体。图118表示在以下的模拟中采用的第1天线的导体形状的立体图。第1天线将x方向的长度设为13.6[mm]，将y方向的长度设为7[mm]，将z方向的长度设为1.5[mm]。调查该谐振构造体的自由空间中的谐振频率与放置于100[毫米角(mm2)]的金属板之上时的谐振频率之差。
在第1模拟的模型中，在接地导体的中心放置第1天线，依次变更接地导体的y方向的长度，同时比较自由空间中与金属板上的谐振频率之差。在第1模拟的模型中，将接地导体的x方向的长度固定为0.13λs。虽然自由空间中的谐振频率因接地导体的y方向的长度而变化，但该谐振构造体的动作频带的谐振频率为2.5[吉赫(GHz)]左右。2.5[GHz]中的波长为λs。将第1模拟的结果示于表1。
[表1]
[mm] [GHz]
9 0.041
11 0.028
13 0.018
15 0.011
17 0.010
19 0.009
21 0.010
25 0.006
25 0.006
30 0.008
60 0.007
将与表1所示的结果对应的图表示于图119。图119的横轴表示接地导体与第1天线的长度之差，纵轴表示自由空间中与金属板上的谐振频率之差。根据图119，假定谐振频率的变化由y＝a1x+b1表示的第1线性区域和谐振频率的变化由y＝c1表示的第2线性区域。接下来，根据表1所示的结果，通过最小二乘法，计算出a1、b1、c1。计算出的结果为，得到a1＝-0.600、b1＝0.052、c1＝0.008。第1线性区域与第2线性区域的交点为0.0733λs。根据以上可知，若接地导体的长度比第1天线长0.0733λs，则谐振频率的变化变小。
在第2模拟的模型中，一边从y方向上的接地导体的端依次变更第1天线所处的位置，一边比较自由空间中与金属板上的谐振频率之差。在第2模拟的模型中，将接地导体的y方向的长度固定为25[mm]。虽然谐振频率根据接地导体上的位置而变化，但该谐振构造体的动作频带中的谐振频率为2.5[GHz]左右。2.5[GHz]中的波长为λs。将第2模拟的结果示于表2。
[表2]
[λ] [GHz]
0.004 0.033
0.013 0.019
0.021 0.013
0.029 0.012
0.038 0.010
0.046 0.008
0.054 0.010
0.071 0.006
将与表2所示的结果对应的图表示于图120。图120横轴表示第1天线距接地导体的端的位置，纵轴表示自由空间中与金属板的谐振频率之差。根据图120，假定谐振频率的变化由y＝a2x+b2表示的第1线性区域和谐振频率的变化由y＝c2表示的第2线性区域。接下来，通过最小二乘法计算出a2、b2、c2。计算出的结果为，得到a2＝-1.200、b2＝0.034、c2＝0.009。第1线性区域与第2线性区域的交点为0.0227λs。根据以上可知，若第1天线60位于距离接地导体811的端为0.0227λs的内侧，则谐振频率的变化变小。
在第3模拟的模型中，一边从y方向上的接地导体的端依次变更第1天线所处的位置，一边比较自由空间中与金属板上的谐振频率之差。在第3模拟的模型中，将接地导体的y方向的长度固定为15[mm]。在第3模拟的模型中，将在y方向上向谐振器的外侧扩展的接地导体的长度的合计设为0.075λs。第3模拟的接地导体比第2模拟短，容易产生谐振频率的变动。虽然谐振频率根据接地导体上的位置而变化，但该谐振构造体的动作频带的谐振频率为2.5[GHz]左右。2.5[GHz]中的波长为λs。将第3模拟的结果示于表3。
[表3]
[λ] [GHz]
0.004 0.032
0.014 0.023
0.025 0.014
0.035 0.014
0.041 0.014
将与表3所示的结果对应的图表示于图121。图121的横轴表示第1天线距接地导体的端的位置，纵轴表示自由空间中与金属板的谐振频率之差。根据图121，假定谐振频率的变化由y＝a3x+b3表示的第1线性区域和谐振频率的变化由y＝c3表示的第2线性区域。接下来，通过最小二乘法计算出a3、b3、c3。计算出的结果为，得到a3＝-0.878、b3＝0.036、c3＝0.014。第1线性区域与第2线性区域的交点为0.0247λs。根据以上可知，若第1天线60位于距离接地导体811的端为0.0247λs的内侧，则谐振频率的变化变小。
根据条件比第2模拟严格的第3模拟的结果可知，若第1天线位于距离接地导体的端为0.025λs的内侧，则谐振频率的变化变小。
在第1模拟、第2模拟以及第3模拟中，使接地导体的沿y方向的长度比第3导体的沿y方向的长度长。谐振器即便使第4导体的沿y方向的长度比第3导体的沿y方向的长度长，也能够减小导体从第4导体侧接近谐振器时的谐振频率的变化。在第4导体的沿y方向的长度比第3导体的沿y方向的长度长的情况下，即便省略接地导体以及电路基板，谐振器也能够减小谐振频率的变化。
(能够以两个谐振频率辐射的谐振器)
在谐振器包含两个电流路径的情况下，谐振器能够以两种模式进行谐振。一种是在两个电流路径中电流以同相流动的模式。另一种是在两个电流路径中电流以反相流动的模式。以后，有时将在两个电流路径中电流以同相流动的模式称为“模式1”，将在两个电流路径中电流以反相流动的模式称为“模式2”。
一般而言，在模式1和模式2中，谐振频率不同。通常，与模式1相比，模式2的谐振频率高。在谐振器以模式2进行谐振的情况下，在两个电流路径中，电流向反相流动。因此，若在两个电流路径中流动的电流的大小为相同程度，则由各电流感应出的电磁波相互抵消地进行作用。因此，在谐振器以模式2进行谐振的情况下，若在两个电流路径中流动的电流的大小为相同程度，则电磁波相互抵消，能够成为不辐射电磁波的状态。
图122所示的谐振器122-10是构成为即使在以模式2进行谐振的情况下也能够辐射电磁波的谐振器。
图122是表示作为多个实施方式的一例的谐振器122-10的立体图。图123是从z方向俯视图122的谐振器122-10的图。图124是图123的谐振器122-10的沿LL1线的剖视图。图122～图124所示的谐振器122-10能够作为谐振构造体进行动作。
谐振器122-10与图1～图64所示的谐振器10同样地具备基体122-20、第1导体122-31、第2导体122-32、第3导体122-40以及第4导体122-50。
如图123以及图124所示，谐振器122-10可以还具备第1供电线122-61。通过进一步具备第1供电线122-61，谐振器122-10能够作为天线发挥功能。
对于基体122-20、第1导体122-31、第2导体122-32、第3导体122-40、第4导体122-50以及第1供电线122-61，已经参照图1～图118等对结构以及材料等进行了说明。因此，对于共通或者类似的部分适当省略说明，主要对图122～图124所示的谐振器122-10的特征性部分进行说明。
如图122所示，第3导体122-40包含第1导体层122-41以及第2导体层122-42。第1导体层122-41以及第2导体层122-42沿xy平面扩展。第1导体层122-41与第2导体层122-42能够电容耦合。因此，第1导体122-31和第2导体122-32经由第1导体层122-41以及第2导体层122-42能够电容耦合。
如图123所示，第1导体层122-41包含第1连接导体122-413A以及第1连接导体122-413B，以作为两个第1连接导体122-413。在第1连接导体122-413之后标注的“A”或者“B”的文字是为了区别两个第1连接导体122-413而标注的，在不需要特别区别的情况下，有时简称为第1连接导体122-413。
如图123所示，第1连接导体122-413B相对于第1连接导体122-413A而位于y方向的正方向侧。第1连接导体122-413B的y方向的长度比第1连接导体122-413A的y方向的长度短。即，第1导体层122-41相对于y方向具有非对称性。
如图123所示，第2导体层122-42包含第2连接导体122-423A以及第2连接导体122-423B，以作为两个第2连接导体122-423。在第2连接导体122-423之后标注的“A”或者“B”的文字是为了区别两个第2连接导体122-423而标注的，在不需要特别区别的情况下，有时简称为第2连接导体122-423。
如图123所示，第2连接导体122-423B相对于第2连接导体122-423A而位于y方向的正方向侧。第2连接导体122-423B的y方向的长度比第2连接导体122-423A的y方向的长度短。即，第2导体层122-42相对于y方向具有非对称性。
在图123中，示出了第2连接导体122-423A的y方向的长度比第1连接导体122-413A的y方向的长度长的例子，但不限定于此。第2连接导体122-423A的y方向的长度可以与第1连接导体122-413A的y方向的长度相同，也可以比第1连接导体122-413A的y方向的长度短。
在图123中，示出了第2连接导体122-423B的y方向的长度比第1连接导体122-413B的y方向的长度长的例子，但不限定于此。第2连接导体122-423B的y方向的长度可以与第1连接导体122-413B的y方向的长度相同，也可以比第1连接导体122-413B的y方向的长度短。
有时将第1连接导体122-413A与第2连接导体122-423A合起来称为第1导体组。有时将第1连接导体122-413B与第2连接导体122-423B合起来称为第2导体组。如图123所示，第1导体组和第2导体组位于在y方向上分离的位置。此外，第1导体组的y方向的长度与第2导体组的y方向的长度不同。
第1连接导体122-413A与第2连接导体122-423A具有在z方向上重叠的部分，第1连接导体122-413A与第2连接导体122-423A能够电容耦合。换言之，第1导体组在第1连接导体122-413A与第2连接导体122-423A之间具有静电电容。
第1连接导体122-413B与第2连接导体122-423B具有在z方向上重叠的部分，第1连接导体122-413B与第2连接导体122-423B能够电容耦合。换言之，第2导体组在第1连接导体122-413B与第2连接导体122-423B之间具有静电电容。
当谐振器122-10谐振时，电流能够沿第1电流路径以及第2电流路径流动。第1电流路径是电流沿第1导体122-31、第1连接导体122-413A、第2连接导体122-423A、第2导体122-32以及第4导体122-50流动的电流路径。第2电流路径是电流沿第1导体122-31、第1连接导体122-413B、第2连接导体122-423B、第2导体122-32以及第4导体122-50流动的电流路径。
图125表示谐振器122-10以模式1谐振，电流在第1电流路径以及第2电流路径中以同相流动的情形。
在谐振器122-10以模式1谐振的情况下，由在第1电流路径中流动的电流感应出的电磁波与由在第2电流路径中流动的电流感应出的电磁波重合而辐射。
图126表示谐振器122-10以模式2谐振，电流在第1电流路径以及第2电流路径中以反相流动的情形。
在谐振器122-10谐振时流过第1电流路径的电流依赖于第1连接导体122-413A与第2连接导体122-423A之间的电容值、以及第1电流路径的电感以及电阻值等。
在谐振器122-10谐振时流过第2电流路径的电流依赖于第1连接导体122-413B与第2连接导体122-423B之间的电容值、以及第2电流路径的电感以及电阻值等。
如图123所示，第1连接导体122-413A与第2连接导体122-423A重叠的面积与第1连接导体122-413B与第2连接导体122-423B重叠的面积不同。因此，第1连接导体122-413A与第2连接导体122-423A之间的电容值与第1连接导体122-413B与第2连接导体122-423B之间的电容值成为不同的值。
如图123所示，第1连接导体122-413A的y方向的长度与第1连接导体122-413B的y方向的长度不同。此外，第2连接导体122-423A的y方向的长度与第2连接导体122-423B的y方向的长度不同。因此，第1电流路径的电感与第2电流路径的电感不同。此外，第1电流路径的电阻值与第2电流路径的电阻值不同。
因此，当谐振器122-10以模式2谐振时，在第1电流路径中流动的电流的大小与在第2电流路径中流动的电流的大小不同。因此，由在第1电流路径中流动的电流感应出的电磁波与由在第2电流路径中流动的电流感应出的电磁波不会完全抵消。其结果，谐振器122-10即使在第1电流路径以及第2电流路径中以反相流过电流的模式2中，也能够辐射电磁波。
当谐振器122-10谐振时，模式2中的谐振频率与模式1中的谐振频率相比，频率高。即，在模式1和模式2中谐振频率不同。谐振器122-10能够在以不同的谐振频率进行谐振的模式1和模式2的双方辐射电磁波。换言之，谐振器122-10能够以两个谐振频率辐射电磁波。因此，谐振器122-10能够应对宽频带化。
第4导体122-50构成为与具备谐振器122-10的设备的接地电连接。
第1供电线122-61构成为向第3导体122-40中的任一个进行电磁供电。此时，第4导体122-50可以是第1供电线122-61的信号接地。在图123以及图124所示的例子中，第1供电线122-61构成为向第2连接导体122-423B供电。第1供电线122-61供电的对象不限定于第2连接导体122-423B。第1供电线122-61例如可以向第1连接导体122-413A、第1连接导体122-413B或者第2连接导体122-423A供电。
在谐振器122-10具备第1供电线122-61而作为天线进行动作的情况下，例如，包含于图81所示的无线通信模块80中，能够作为无线通信模块80的天线动作。该无线通信模块80能够包含于例如图85所示的无线通信设备90中。
在谐振器122-10具备第1供电线122-61而作为天线进行动作的情况下，通过从一个第1供电线122-61供电，能够以两个谐振频率辐射电磁波，因此能够降低不必要的引绕。
图127是表示对谐振器122-10的谐振进行模拟的结果的图。在图127中，G1表示谐振器122-10的综合辐射效率，G2表示谐振器122-10的天线辐射效率。
如图127的G1所示，谐振器122-10的综合辐射效率在模式1的谐振频率以及模式2的谐振频率下具有峰值。这意味着，谐振器122-10不仅在两个电流路径中同相流过电流的模式1的谐振频率，而且在两个电流路径中在反相流过电流的模式2的谐振频率下，也能够高效率地辐射电磁波。在图127所示的模拟结果中，模式1的谐振频率约为2.27GHz，模式2的谐振频率约为2.65GHz。
在图123中，示出了第1导体组和第2导体组平行的情况下的结构，但不限定于此。第1导体组和第2导体组可以是非平行的。
图128是在模式2下谐振的情况下，从z方向俯视作为能够辐射电磁波的谐振器的另一例的谐振器128-10的图。图129是图128的谐振器128-10的沿LL2线的剖视图。图128以及图129所示的谐振器128-10能够作为谐振构造体进行动作。在谐振器128-10中，对于与图122～图124所示的谐振器122-10类似的内容，适当省略说明。
如图129所示，谐振器128-10与图122～图124所示的谐振器122-10在具备基准电位层128-51这一点上不同。谐振器128-10构成为，基准电位层128-51不与第4导体128-50电连接，而基准电位层128-51与具备谐振器128-10的设备的接地电连接。
谐振器128-10表示与图122～图124所示的谐振器122-10大致相同的谐振特性。图130是表示对谐振器128-10的谐振进行模拟的结果的图。在图130中，G1表示谐振器128-10的综合辐射效率，G2表示谐振器128-10的天线辐射效率。
如图130的G1所示，谐振器128-10的综合辐射效率在模式1的谐振频率以及模式2的谐振频率中具有峰值。这意味着，谐振器128-10不仅在两个电流路径中在同相流过电流的模式1的谐振频率，而且在两个电流路径中在反相流过电流的模式2的谐振频率中，也能够高效率地辐射电磁波。在图130所示的模拟结果中，模式1的谐振频率约为2.27GHz，模式2的谐振频率约为2.65GHz。
图131是从z方向俯视作为在模式2下进行谐振的情况下也能够辐射电磁波的谐振器的另一例的谐振器131-10的图。图132是图131的谐振器131-10的沿LL3线的剖视图。图131以及图132所示的谐振器131-10能够作为谐振构造体进行动作。在谐振器131-10中，对于与图122～图124所示的谐振器122-10类似的内容，适当省略说明。
谐振器131-10在具有三个电流路径这一点上与图122～图124所示的谐振器122-10不同。
如图131所示，谐振器131-10的第1导体层131-41与图123所示的谐振器122-10的第1导体层122-41不同，在第1连接导体131-413A与第1连接导体131-413B之间包含第1连接导体131-413C。即，第1导体层131-41包含三个第1连接导体131-413。
第1连接导体131-413C的y方向的长度比第1连接导体131-413A的y方向的长度短。此外，第1连接导体131-413C的y方向的长度比第1连接导体131-413B的y方向的长度长。即，第1导体层131-41相对于y方向具有非对称性。
如图131所示，谐振器131-10的第2导体层131-42与图123所示的谐振器122-10的第2导体层122-42不同，在第2连接导体131-423A与第2连接导体131-423B之间包含第2连接导体131-423C。即，第2导体层131-42包含三个第2连接导体131-423。
第2连接导体131-423C的y方向的长度比第2连接导体131-423A的y方向的长度短。此外，第2连接导体131-423C的y方向的长度比第2连接导体131-423B的y方向的长度长。即，第2导体层131-42相对于y方向具有非对称性。
在图131中，示出了第2连接导体131-423C的y方向的长度比第1连接导体131-413C的y方向的长度长的例子，但不限定于此。第2连接导体131-423C的y方向的长度可以与第1连接导体131-413C的y方向的长度相同，也可以比第1连接导体131-413C的y方向的长度短。
第1连接导体131-413C与第2连接导体131-423C具有在z方向上重叠的部分，第1连接导体131-413C与第2连接导体131-423C能够电容结合。
当谐振器131-10谐振时，电流能够沿第1电流路径、第2电流路径以及第3电流路径流动。第1电流路径是电流沿第1导体131-31、第1连接导体131-413A、第2连接导体131-423A、第2导体131-32以及第4导体131-50流动的电流路径。第2电流路径是电流沿第1导体131-31、第1连接导体131-413B、第2连接导体131-423B、第2导体131-32以及第4导体131-50流动的电流路径。第3电流路径是电流沿第1导体131-31、第1连接导体131-413C、第2连接导体131-423C、第2导体131-32以及第4导体131-50流动的电流路径。
当谐振器131-10以模式2进行谐振时，在三个电流路径中的任意两个电流路径中以同相流过电流，在剩余的一个电流路径以反相流过电流。例如，在第1电流路径和第2电流路径中以同相流过电流，在第3电流路径中以与第1电流路径以及第2电流路径反相流过电流。在反相流过电流的电流路径不限定于第3电流路径，也可以是第1电流路径或者第2电流路径中的任一个。
如图131所示，第1电流路径所具有的静电电容的值、第2电流路径所具有的静电电容的值与第3电流路径所具有的静电电容的值不同。此外，第1电流路径的电感、第2电流路径的电感以及第3电流路径的电感不同。此外，第1电流路径的电阻值、第2电流路径的电阻值以及第3电流路径的电阻值不同。
因此，在谐振器131-10以模式2谐振时，例如，在第1电流路径和第2电流路径中以同相流过电流，在第3电流路径中以反相流过电流的情况下，由流过第1电流路径以及第2电流路径的电流感应出的电磁波和由流过第3电流路径的电流感应出的电磁波不会完全抵消。其结果，谐振器131-10即使在以反相流过电流的模式2中，也能够辐射电磁波。
图133是从z方向俯视作为在模式2进行谐振的情况下也能够辐射电磁波的谐振器的另一例的谐振器133-10的图。图134是图133的谐振器133-10的沿LL4线的剖视图。图133以及图134所示的谐振器133-10能够作为谐振构造体进行动作。在谐振器133-10中，对于与图122～图124所示的谐振器122-10类似的内容，适当省略说明。
谐振器133-10在第1连接导体133-413A的y方向的长度与第1连接导体133-413B的y方向的长度相同这一点上与图122～图124所示的谐振器122-10不同。
在谐振器133-10中，第1连接导体133-413A的y方向的长度与第1连接导体133-413B的y方向的长度相同，但第2连接导体133-423B的y方向的长度比第2连接导体133-423A的y方向的长度短。
在这种情况下，如图133所示，第1连接导体133-413A与第2连接导体133-423A重叠的面积和第1连接导体133-413B与第2连接导体133-423B重叠的面积不同。因此，第1连接导体133-413A与第2连接导体133-423A之间的静电电容的值与第1连接导体133-413B与第2连接导体133-423B之间的静电电容的值成为不同的值。
此外，如图133所示，由于第2连接导体133-423A的y方向的长度与第2连接导体133-423B的y方向的长度不同，因此第1电流路径的电感与第2电流路径的电感不同。此外，第1电流路径的电阻值与第2电流路径的电阻值不同。
因此，谐振器133-10也具有与图122～图124所示的谐振器122-10同样的效果，能够应对宽频带化。
图135是从z方向俯视作为在模式2下进行谐振的情况下也能够辐射电磁波的谐振器的另一例的谐振器135-10的图。图136是图135的谐振器135-10的沿LL5线的剖视图。图135以及图136所示的谐振器135-10能够作为谐振构造体进行动作。在谐振器135-10中，对于与图122～图124所示的谐振器122-10类似的内容，适当省略说明。
在谐振器135-10中，如图135所示，第1导体层135-41包含两个第1浮游导体135-414A以及第1浮游导体135-414B。在第1浮游导体135-414之后标注的“A”或者“B”的文字是为了区别两个第1浮游导体135-414而标注的，在不需要特别区别的情况下，有时简称为第1浮游导体135-414。
如图135所示，谐振器135-10具备阻抗元件135-45A以及阻抗元件135-45B。第1浮游导体135-414A构成为通过阻抗元件135-45A与第1导体135-31连接。第1浮游导体135-414B构成为通过阻抗元件135-45B与第1导体135-31连接。在阻抗元件135-45之后标注的“A”或者“B”的文字是为了区别两个阻抗元件135-45而标注的，在不需要特别区别的情况下，有时简称为阻抗元件135-45。
第1浮游导体135-414A和第2连接导体135-423A具有在z方向上重叠的部分，第1浮游导体135-414A和第2连接导体135-423A能够电容耦合。
第1浮游导体135-414B和第2连接导体135-423B具有在z方向上重叠的部分，第1浮游导体135-414B和第2连接导体135-423B能够电容耦合。
在谐振器135-10中，第1电流路径是电流沿第1导体135-31、阻抗元件135-45A、第1浮游导体135-414A、第2连接导体135-423A、第2导体135-32以及第4导体135-50流动的电流路径。第2电流路径是电流沿第1导体135-31、阻抗元件135-45B、第1浮游导体135-414B、第2连接导体135-423B、第2导体135-32以及第4导体135-50流动的电流路径。
在谐振器135-10谐振时流过第1电流路径的电流依赖于第1电流路径中的静电电容的值、电感以及电阻值等。在谐振器135-10谐振时流过第2电流路径的电流依赖于第2电流路径中的静电电容的值、电感以及电阻值等。
在阻抗元件135-45是电容器的情况下，阻抗元件135-45A的电容值是与阻抗元件135-45B的电容值不同的值。在这种情况下，由于第1电流路径中的静电电容的值与第2电流路径中的静电电容的值不同，因此谐振器135-10以模式2谐振时，在第1电流路径中流动的电流的大小与在第2电流路径中流动的电流的大小不同。因此，由在第1电流路径中流动的电流感应出的电磁波与由在第2电流路径中流动的电流感应出的电磁波不会完全抵消。其结果，谐振器135-10在第1电流路径以及第2电流路径中，即使在以反相流过电流的模式2中，也能够辐射电磁波。
在阻抗元件135-45是电感器的情况下，阻抗元件135-45A的电感的值是与阻抗元件135-45B的电感的值不同的值。在这种情况下，由于第1电流路径中的电感的值与第2电流路径中的电感的值不同，因此谐振器135-10以模式2谐振时，在第1电流路径中流动的电流的大小与在第2电流路径中流动的电流的大小不同。因此，由在第1电流路径中流动的电流感应出的电磁波与由在第2电流路径中流动的电流感应出的电磁波不会完全抵消。其结果，谐振器135-10在第1电流路径以及第2电流路径中，即使在以反相流过电流的模式2中，也能够辐射电磁波。
在阻抗元件135-45是电阻器的情况下，阻抗元件135-45A的电阻值是与阻抗元件135-45B的电阻值不同的值。在这种情况下，由于第1电流路径中的电阻值与第2电流路径中的电阻值不同，因此谐振器135-10以模式2谐振时，在第1电流路径中流动的电流的大小与在第2电流路径中流动的电流的大小不同。因此，由在第1电流路径中流动的电流感应出的电磁波与由在第2电流路径中流动的电流感应出的电磁波不会完全抵消。其结果，谐振器135-10在第1电流路径以及第2电流路径中，即使在以反相流过电流的模式2中，也能够辐射电磁波。
参照图122～图136进行说明的谐振器122-10、谐振器128-10、谐振器131-10、谐振器133-10以及谐振器135-10的结构能够适当组合。例如，在图128以及图129所示的谐振器128-10中，如图131所示的谐振器131-10那样，第1导体层128-41可以包含三个第1连接导体128-413，第2导体层128-42也可以包含三个第2连接导体128-423。此外，例如，图135以及图136所示的谐振器135-10如图129所示的谐振器128-10那样也可以具备基准电位层135-51。
本公开所涉及的结构不仅限定于以上说明的实施方式，能够进行多种变形或者变更。例如，各结构部等所包含的功能等能够在逻辑上不矛盾地进行再配置，能够将多个结构部等组合为一个或者分割。
在本公开中，已经图示的结构要素将之前图示时的引用符号设为共通符号。后面图示的结构要素在共通符号之前作为前缀标注图序号，作为该结构要素的符号。各结构要素即使在作为前缀而标注了图序号的情况下，也能够包含与使共通符号相同的其他结构要素相同的结构。各结构要素只要在逻辑上不矛盾就能够采用使共通符号相同的其他结构要素中记载的结构。各结构要素能够将共通符号相同的两个以上的结构要素各自的一部分或者全部组合为一个。在本公开中，在共通符号之前作为前缀标注的前缀可以删除。在本公开中，在共通符号之前作为前缀标注的前缀能够变更为任意的编号。在本公开中，在共通符号之前作为前缀标注的前缀只要在逻辑上不矛盾就能够变更为与共通符号相同的其他结构要素相同的编号。
说明本公开所涉及的结构的图是示意性的图。附图上的尺寸比率等未必与现实一致。
在本公开中，“第1”、“第2”、“第3”等的记载是用于区别该结构的识别符的一例。在本公开中的“第1”以及“第2”等的记载中被区别的结构能够交换该结构中的编号。例如，第1频率能够交换作为第2频率和识别符的“第1”和“第2”。识别符的交换同时进行。在识别符的交换后也区别该结构。识别符可以删除。删除了识别符的结构用符号进行区别。例如，第1导体31能够是导体31。仅基于本公开中的“第1”以及“第2”等识别符的记载，无法利用该结构的顺序的解释、存在较小的编号的识别符的依据、以及存在较大的编号的识别符的依据。在本公开中，第2导体层42具有第2单元缝隙422，但能够包含第1导体层41不具有第1单元缝隙的结构。
-符号说明-
10 谐振器(Resonator)
10X 单位构造体(Unit structure)
20 基体(Base)
20a 空洞(Cavity)
21 第1基体(First Base)
22 第2基体(Second Base)
23 连接体(Connector)
24 第3基体(Third Base)
25 第4基体(Forth Base)
30 对导体(Pair conductors)
301 第5导体层(Fifth conductive layer)
302 第5导体(Fifth conductor)
303 第6导体(Sixth conductor)
31 第1导体(First conductor)
32 第2导体(Second conductor)
40 第3导体组(Third conductor group)
401 谐振器(resonator)
402 缝隙(Slot)
403 第7导体(Seventh conductor)
40X 单位谐振器(Unit resonator)
40I 电流路径(Current path)
41 第1导体层(First conductive layer)
411 第1单位导体(First unit conductor)
412 第1单元缝隙(First unit slot)
413 第1连接导体(First connecting conductor)
414 第1浮游导体(First floating conductor)
415 第1供电导体(First feeding conductor)
41X 第1单位谐振器(First unit resonator)
41Y 第1部分谐振器(First divisional resonator)
42 第2导体层(Second conductive layer)
421 第2单位导体(Second unit conductor)
422 第2单元缝隙(Second unit slot)
423 第2连接导体(Second connecting conductor)
424 第2浮游导体(Second floating conductor)
42X 第2单位谐振器(Second unit resonator)
42Y 第2部分谐振器(Second divisional resonator)
45 阻抗元件(Impedance element)
46 导体部件(Conductive component)
47 电介质部件(Dielectric component)
50 第4导体(Fourth conductor)
51 基准电位层(Reference potential layer)
52 第3导体层(Third conductive layer)
53 第4导体层(Fourth conductive layer)
60 第1天线(First antenna)
61 第1供电线(First feeding line)
62 第9导体(Ninth conductor)
70 第2天线(Second antenna)
71 第2供电层(Second feeding layer)
72 第2供电线(Second feeding line)
80 无线通信模块(Wireless communication module)
81 电路基板(Circuit board)
811 接地导体(Ground conductor)
811a 第3延伸部(Third wider part)
811b 第4延伸部(Fourth wider part)
82 RF模块(RF module)
90 无线通信设备(Wireless communication device)
91 电池(Battery)
92 传感器(Sensor)
93 存储器(Memory)
94 控制器(Controller)
95 第1壳体(First case)
95A 上表面(Upper surface)
96 第2壳体(Second case)
96A 下表面(Under surface)
961 第8导体(Eighth conductor)
9611 第1部位(First body)
9612 第1延伸部(First extra-body)
9613 第2延伸部(Second extra-body)
97 第3天线(Third antenna)
98 安装构件(Attachment member)
99 导电体(Electrical conductive body)
99A 上表面(Upper surface)
99h 贯通孔(Through hole)
fc 第3天线的动作频率(Operating frequency of the third antenna)
λc 第3天线的动作波长(Operating wavelength of the third antenna)。

Claims (12)

1.一种谐振构造体，其特征在于，具备：
第1导体；
第2导体，与所述第1导体在第1方向上对置；
一个或者多个第3导体，位于所述第1导体以及所述第2导体之间，沿包含所述第1方向的第1平面扩展；以及
第4导体，与所述第1导体以及所述第2导体连接，沿所述第1平面扩展，
所述第1导体以及所述第2导体沿与所述第1平面相交的第2方向延伸，
所述第1导体和所述第2导体构成为经由所述一个或者多个第3导体进行电容耦合，
所述一个或者多个第3导体在所述第1平面中相对于与所述第1方向相交的第3方向具有非对称性，
所述第3导体被电磁供电，与所述第1导体以及第2导体对置的面成为电壁，与成为电壁的面正交的两个对置的面被电开路，成为高阻抗面，由两个电壁和两个高阻抗面围起，在与所述第3导体正交的面具有人工磁壁特性。
2.根据权利要求1所述的谐振构造体，其特征在于，
所述第3导体具有：
第1导体组；以及
第2导体组，位于与所述第1导体组在所述第3方向上分离的位置。
3.根据权利要求2所述的谐振构造体，其特征在于，
所述第1导体组具有的第1静电电容与所述第2导体组具有的第2静电电容不同。
4.根据权利要求2或3所述的谐振构造体，其特征在于，
所述第1导体组具有的电阻值与所述第2导体组具有的电阻值不同。
5.根据权利要求2或3所述的谐振构造体，其特征在于，
所述第1导体组的沿所述第3方向的长度与所述第2导体组的沿所述第3方向的长度不同。
6.根据权利要求2或3所述的谐振构造体，其特征在于，
所述第1导体组与所述第2导体组不平行。
7.根据权利要求2或3所述的谐振构造体，其特征在于，
所述第1导体组构成为第1电流沿所述第1方向流动，
所述第2导体组构成为第2电流沿所述第1方向流动，
所述谐振构造体构成为：在所述第1电流以及所述第2电流以同相位流动的情况下，以第1频率进行振荡，在所述第1电流以及所述第2电流以反相位流动的情况下，以第2频率进行振荡。
8.根据权利要求7所述的谐振构造体，其特征在于，
以所述第2频率进行振荡时所述第1电流的大小与以所述第2频率进行振荡时的所述第2电流的大小不同。
9.一种天线，其特征在于，具备：
权利要求1～8中的任一项所述的谐振构造体；以及
供电线，构成为向所述一个或者多个第3导体中的任一个进行电磁供电。
10.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，
所述第4导体是所述供电线的信号接地。
11.一种无线通信模块，其特征在于，具备：
权利要求9或10所述的天线；以及
RF模块，与所述供电线电连接。
12.一种无线通信设备，其特征在于，具备：
权利要求11所述的无线通信模块；以及
电池，构成为向该无线通信模块供给电力。
CN201980054735.3A 2018-08-27 2019-08-27 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备 Active CN112602235B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018158791 2018-08-27
JP2018-158791 2018-08-27
PCT/JP2019/033441 WO2020045395A1 (ja) 2018-08-27 2019-08-27 共振構造体、アンテナ、無線通信モジュールおよび無線通信機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112602235A CN112602235A (zh) 2021-04-02
CN112602235B true CN112602235B (zh) 2023-06-30

Family

ID=69645233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201980054735.3A Active CN112602235B (zh) 2018-08-27 2019-08-27 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11909131B2 (zh)
EP (1) EP3846287A4 (zh)
JP (1) JP7019823B2 (zh)
CN (1) CN112602235B (zh)
WO (1) WO2020045395A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111200191B (zh) * 2018-11-16 2022-02-18 荷兰移动驱动器公司 天线结构及具有该天线结构的无线通信装置
JP7361601B2 (ja) * 2019-12-26 2023-10-16 京セラ株式会社 アンテナユニット、無線通信モジュール及び無線通信機器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6567053B1 (en) * 2001-02-12 2003-05-20 Eli Yablonovitch Magnetic dipole antenna structure and method
US6456243B1 (en) * 2001-06-26 2002-09-24 Ethertronics, Inc. Multi frequency magnetic dipole antenna structures and methods of reusing the volume of an antenna
US6943730B2 (en) * 2002-04-25 2005-09-13 Ethertronics Inc. Low-profile, multi-frequency, multi-band, capacitively loaded magnetic dipole antenna
JP5675499B2 (ja) * 2010-11-26 2015-02-25 京セラ株式会社 携帯電子機器
JP2018158791A (ja) 2017-03-22 2018-10-11 キヤノン株式会社 画像形成装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11909131B2 (en) 2024-02-20
US20210218142A1 (en) 2021-07-15
CN112602235A (zh) 2021-04-02
EP3846287A1 (en) 2021-07-07
WO2020045395A1 (ja) 2020-03-05
JP7019823B2 (ja) 2022-02-15
JPWO2020045395A1 (ja) 2021-08-10
EP3846287A4 (en) 2022-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110392959B (zh) 结构、天线、无线通信模块和无线通信设备
CN112640206B (zh) 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
CN112602233B (zh) 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
CN112585812B (zh) 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
CN112585813B (zh) 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
CN112602235B (zh) 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
CN112640205B (zh) 谐振构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
CN112640214B (zh) 构造体、天线、无线通信模块以及无线通信设备
JP7027557B2 (ja) 構造体、アンテナ、無線通信モジュールおよび無線通信機器
CN112771724B (zh) 谐振构造体以及天线

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant